P-Kanal MOSFET/JFET - Wo liegt derzeit max. Ugth und min. Rds_on?

[Dieter D. (Firma: Hobbytheoretiker) (dieter_1234)]

Hallo zusammen,

anbei hätte ich eine Frage bezogen auf p-Kanal Typen von MOSFET/JFET.

Wo liegen derzeit die Daten für die maximale Spannungsfestigkeit 
Drain-Source und zweitrangig für kleinen On-Widerstand Drain-Source?

Zu finden im Netz wäre zum Beispiel folgender Typ:

© 2015 IXYS CORPORATION:
IXTK32P60P
IXTX32P60P
V DSS = - 600V
I D25 = - 32A
RDS(on) ≤ 350m

Nach zehn Jahren könnte es vielleicht bessere Typen geben.

[Uwe (uhi)]

Ugth klingt nach Gate Threshold Spannung, aber um ging's dir nicht glaub 
ich.
Für hohe Spannungen und Ströme haben sich IGBTs etabliert, und SiC FETs, 
aber N-Kanal.

[Dieter D. (Firma: Hobbytheoretiker) (dieter_1234)]

Uwe schrieb:
> Ugth klingt nach Gate

Stimmt. Da wollte ich eigentlicht Uds stehen lassen.
Im Text steht es aber richtig.

Uwe schrieb:
> aber N-Kanal.

Das ist mir bekannt. Für die gibt es auch entsprechende 
High-Side-Treiber und Erzeugung einer Hilfsspannung.

Wegen der besseren Beweglichkeit von Elektronen gegenüber Löchern haben 
n-Kanal-Halbleiter natürlich einen Vorteil. Der Chip fällt daher für 
gleiche Leistungen und Ströme kleiner aus.