Hi, ich habe eine Frage zu den IR2184 HALF-BRIDGE DRIVERn und ähnlichen ICs aus der IR21xx Familie (http://www.ortodoxism.ro/datasheets/irf/ir2184.pdf). Stimmt es, dass die Puls-Pausen-Verhältnisse der PWM Signale an den Eingängen nur in dem Bereich von z.B./ca. 15..85% liegen dürfen? (...was bedeuten würde, dass die high side FET nie komplett durchgesteuert werden könnten) Grund sei anscheinend, dass ohne eine Frequenz an den Eingängen die Ladungspumpen nicht arbeiten könnten. Im Datenblatt habe ich nichts über eine derartige Begrenzung gefunden. Kann mich bitte jemand aufklären? Danke und Gruß Zoltan
Hallo, > Eingängen nur in dem Bereich von z.B./ca. 15..85% liegen dürfen? (...was > bedeuten würde, dass die high side FET nie komplett durchgesteuert > werden könnten) Warum sollte das so sein?
Wenn Du nicht stundenlang 100%PWM fährst, kein Problem. Prinzipiell hast Du Recht. siehe Gokart Thread. Gruß AxelR. Beitrag "vernünftige IGBT Ansteuerung?"
Wer sagt sowas? Laut Datenblatt gibt es keine Beschränkung bzw des Tastverhältnisses
Das mit der Begrenzung stammt von diesem Thread: Siehe Beiträge von "stupsi": http://www.roboternetz.de/phpBB2/viewtopic.php?t=1730&postdays=0&postorder=asc&start=132 Laut Datenblatt, Seite 4 im Functional Block Diagram gibt es für die high side einen extra Pulse-Generator.Keine Ahnung wie dieser stupsi auf die Ideen der Begrenzung kommt. @Axel Im Gokart Thread finde ich keine Info über die Puls/Pausen Verhältnis des IR2184.
Hallo Zoltan, Das mit der Begrenzung des Tastverhältnisses ist korrekt. Wie du schon beschrieben hast, liegt der Grund in dem Bootstrap-Kreis dieser Ansteuer-ICs der dafür sorgt, dass der High-Side Fet angesteuert wird. Zwar sorgt ein interner Level-Shifter dafür, dass die Highside-Spannung erreicht wird, die eigentliche Ansteuerspannung für den Fet kommt aber aus dem Bootstrap-Kondensator. Dieser Kondensator wird über die Diode von der Betriebsspannung versorgt, und kann sich folglich nur aufladen, wenn dass Highside-Potential sich auf 0V befindet, also der untere Fet an und der obere aus ist. In der Halbbrücken-Konstruktion ist also die Einschaltzeit des oberen Fet begrenzt. Bei einer Vollbrücke ergibt sich das Problem natürlich in beiden Zweigen, so dass hier dann das Tastverhältnis auf beiden Seiten begrenzt wird. Bei wieviel Prozent das liegt, hängt sehr stark von deiner Frequenz und den Bootstrap-Komponenten ab. Ich habe dir mal eine Application-Note von IR angehängt, da ist das drin erklärt und es werden auch Wege aufgezeigt, das Problem zu umgehen. Wenn es um die Auswahl der Bootstrap Komponenten geht such mal nach dem Design-Tip DT 98-2a, da ist das noch etwas ausführlicher drin. Ich hoffe, ich konnte die Sache etwas aufklären. Gruß Andreas
Hallo, ich habe vor ein paar wochen einen Fullbride Motortreiber gebaut und es stimmt wirklich mit der Begrenzung. Durch Leckströme entlädt sich der Levelshift-Kondensator.(Mit diesem wird das Gate des Highside N-Kanal Fet ca 10V über Vcc gebracht. Wenn der sich entleert, steigt der Spannungsabfall über dem Fet, was der IRF als illegal erkennt und schaltet ihn ab. Also ich habe eine 1n4148 und einen 5uF Elektrolytkondensator benutzt und wenn mann den PWM Eingang des IRF auf +5V schaltet er nach ca einer Sekunde ab.Aber schreiben sie im Datenblatt und im appnote das man Bauteile mit niedrigen Leckstömen benutzen soll. Ich habe mal die Appnote angehangen. Gruß Florian
Zoltan wrote: > @Axel > Im Gokart Thread finde ich keine Info über die Puls/Pausen Verhältnis > des IR2184. Nun, ist auch nicht soo explizit genannt worden Beitrag "Re: vernünftige IGBT Ansteuerung?" Zitat draus: Da die Highside die Betriebsspannung zum Ansteuern mit den H/L Flanken des Ausgangssignals aufstockt, kann ich wohl nur 98% Leistung fahren, um überhaupt noch etwas an Umladezeit für den Boosterkondensator C2 zu "erhaschen". Macht sich hier eine separate Aufstockung der Ansteuerspannung für die Highside besser? Antwort darauf: "Macht sich hier eine separate Aufstockung der Ansteuerspannung für die Highside besser?" JA ! Wenn Du also Probleme mit dem Leckstrom bekommst, nimm keramische Kondensatoren und achte auf eine saubere Leiterplatte oder stocke die Spannung extern auf.
Danke für die AppNotes. @Andreas Auf S.13 wird ein CMOS NE555 als Ersatz-Frequenzgenerator verwendet, um bei 100% PWM noch den Bootstrap-Kondensator aufladen zu können. Das ist für meine Anwendung recht veil Aufwand. Ich habe vor Jahren einen Fahrtregler gebaut, der eine diskrete Ladungspumpe zur Erzeugeung der High Side Spannung enthielt. Lediglich der NE555 Oscillator war durch einen PWM des Atmega8 ersetzt worden. (Siehe letzte Seite: http://www.mitglied.lycos.de/sgrad/PKS/Anleitung%20f%FCr%20den%20Zusammenbau%20der%20PKS_002.pdf) Ich möchte diesmal aus Platzgründen möglichst nur Integrierte Bausteine verwenden. Wichtiger als die 100% PWM ist mir aber der untere PWM-Bereich, wenn wenig Leistung abgeben wird. Der Sensored Brushless-Motor soll möglichst "feinfühlig" in den unteren Drehzahlbereichen steuerbar sein. Kennt Ihr (leicht erhältliche) Integrierte Treiber, die den kompletten Bereich von 0..100% Puls-Pausen-Verhältnis(PPV) abdecken?
ihr seid ja lustig, redet 100.0000 mal von euren PWM Teilerverhältnissen, es kommt nur auf die T[on] an, die sollte eine gewisse zeit nicht überschreiten da die Kap sich sonst selber entlädt ... Ein wenig kann man ja mit der Frequenz schon mogeln um das PWN Tastverhältniss zu erhöhen ... Zoltan: Glaub mir sowas wirst du dir Aufwandtechnisch nicht mit N-Mosfets antun wollen ... oder würdest du einen DC DC Converter für 300V oder mehr für deine Vorstufe einbauen?
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