300A mit Mosfets schalten.

Gast #682755
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Hallo!

Ich habe vor eine größere Last mit mehreren parallelgeschalteten 
Power-FETs zu schalten. Es soll eine Last mit einem Strom von ca. 300A 
über PWM geregelt werden. Ich habe mich derzeit für den  Einsatz 
mehrerer IRL1004 entschieden.
Um genügend Reserven zu haben, möchte ich ca. 15-20 Stück 
parallelschalten.
Die Betriebsspannung der Last ist ca. 12V.
Ich hätte jetzt zwei Fragen:

1. Der IRL1004 ist ja ein logic Level Typ. Der PWM-Takt ist relativ 
niedrig, und wird ca. zwischen 700Hz und 1Khz liegen. Kann ich alle 15 
Mosfets über einen AVR-Pin ansteuern, oder wird das bei der höheren 
Anzahl problematisch?

2. Wie würdet Ihr das Ganze auf einer Platine platzieren? Ich frage 
deshalb, weil ich mir ncoh nicht ganz im klaren bin, wie ich eine 
Leiterbahnbreite  zusammenbringe, die diesen Strom dauerhaft aushält. Es 
ist klar, dass ich die Leitebahnen mit Draht verstärken werde, nur 200A 
sind nicht mehr so ohne.

Für Alle Die es interessiert: Es handelt sich um die Drehzahlregelung 
einer selbstgebauten Elektrowinde für den Seglerschlepp im Modellbau, 
wobei als Antrieb ein PKW- Startermotor zum Einsatz kommt.

Ich würde mich über ein paar Ratschläge freuen.

Viele Grüße

Markus
Persönliche Seite #682761
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> Kann ich alle 15 Mosfets über einen AVR-Pin ansteuern, oder wird das bei
> der höheren Anzahl problematisch?

Klar kannst du das machen, wenn du die als längsregler betreiben 
möchtest ;-)

Entweder eine ordentliche, diskret aufgebaute Treiberstufe oder für 
jeden MOSFET einen eigenen Treiber.

Da du sowieso einen Treiber brauchst kannst du die dann auch gleich mit 
12V ansteuern.

Die Leiterbahnbreite würde ich großzügig gestalten. Am besten so breit 
wie geht. Also kannst du anstatt leiterbahnen gleich Kupferflächen für 
alle Hochstromführenden Verbindungen nehmen.
Moderator Persönliche Seite #682763
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Max wrote:

> 1. Der IRL1004 ist ja ein logic Level Typ. Der PWM-Takt ist relativ
> niedrig, und wird ca. zwischen 700Hz und 1Khz liegen. Kann ich alle 15
> Mosfets über einen AVR-Pin ansteuern, oder wird das bei der höheren
> Anzahl problematisch?

Ich rate mal (ohne ins Datenblatt zu gucken) 10 nF pro Gate, das
würde eine Last von 200 nF machen.  Ist schon ziemlich heftig,
andere benutzen das gerade mal zum Abblocken von Vcc. ;-)

Ich würde erstmal zu einem zusätzlichen Treiber tendieren.

> 2. Wie würdet Ihr das Ganze auf einer Platine platzieren?

Müssen die Transistoren denn auf eine Platine?  Mir hatte mal jemand
(der beruflich Wechselrichter baut) empfohlen, die Transistoren mit
ihren Kühlfahnen alle auf eine dicke Kupferschiene zu schrauben, die
dann gleich Stromschiene ist.  Wahrscheinlich sollte man dann mit
einem Abstandshalter eine zweite Schiene parallel machen und dahin
die einzelnen Source-Anschlüsse legen (mit einem kurzen Stück Kabel
jeweils).
Gast #682818
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Hallo!

Vielen Dank für Eure zahlreichen Ratschläge! Da ich noch keine Profi im 
Bereich dieser Leistungsklasse bin habe ich noch ein paar Fragen.
Die entstehenden Schaltverluste stehen ja in direktem Zusammenhang mit 
der Schaltfrequenz. Da die angestrebte Schaltfrequenz meines Reglers 
relativ niedrig ist (ca 700-1000 Hz) müssten ja die Schaltverluste auch 
eher gering sein.
Mir ist jetzt auf jeden Fall klar, dass ich Treiber brauche, jedoch 
müssen das bei dieser Schaltfrequenz recht aufwändig sein?
Ich möchte nicht unbelehrbar erscheinen, und wenn Ihr mir sagt dass es 
unbedingt notwendig ist, dann habe ich kein Problem damit.
Die Frage stelle ich deswegen, weil gerade im Modellbaubereich aus 
Gewichts- und Kostengründen die Fahrtregler auch eher minimalistisch 
aufgebaut sind (Gemeinsamer Treiber für mehrere FETs.) Der Strom liegt 
in diesem Anwendungsbereich bei den stärkeren Reglern >50A

Vielen Dank für Eure Hilfe!

Viele Grüße

Markus
Gast #683012
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Die Schaltverluste hängen von der Slew-Rate ab,
also wie schnell der Chip durchsteuert.

Beim BTS 555 sind das ca 600µs beim IRL1004 sind es ca. 210ns (deshalb 
ist der BTS 555 wohl doch nicht so geeignet für PWM, sorry für den Tip)

Bei 1000 Hz hast nämlich 1ms Impulsbreite und in 60% der Zeit steuert 
der BTS nicht ordentlich durch, hier wären die 210ns vom IRL dann doch 
deutlich besser. (Der ist allerdings wiederrum nicht kurzschlussfest, 
evtl noch ein oder zwei BTS dazu in Serie als elektronische "Sicherung" 
:) )

Die 210 ns erreichst aber nur bei sauberer Ansteuerung, sprich mit 
ordentlichen Treibern.

Gruß
Roland
Gast #683093
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Hallo,

ich rate bei den hohen Strömen und den evtl. auftretenden 
Verlustleistungen zu TO247-Gehäusen. Die Transistoren würde ich 
kreisförmig liegend unter der Platine (beine nach oben gebogen und durch 
die Platine gelötet) anordnen und auf einen gemeinsamen Kühlkörper 
schrauben.
Wobei es Experten gibt, die empfehlen, die Transistoren thermisch 
voneinander entkoppelt zu verbauen.
Ströme müssen keine verteilt werden, das machen die FETs quasi von 
selbst.
Soo viele Transistoren parallel zu betreiben halte ich für 
problematisch, da die Schaltzeitunterschiede schon zu merken sind. 
Getestet habe ich 8x IRFP064N
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfp064n.pdf
parallel an einem IR2184
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2184.pdf

Fakt: der IR2184 im Beispiel schafft es nicht, die parallelen Mosfets 
schnell genug durchzusteuern.

erschwerend hinzu kam allerdings auch, das meine Betriebsspannung 
deutlich höher lag und der erste schaltende Transistor im 
Avalachebetrieb quasi als Z-Diode betrieben wurde - ok, der IRFP064 kann 
das ;-)

Beitrag "Re: vernünftige IGBT Ansteuerung?"

Vergiß die "dicke" Freilaufdiode nicht. :-))
http://www.fairchildsemi.com/ds/RU/RURG8060.pdf

Gruß
AxelR.
100ns sind 10Mhz! !Motor entstören!
Gast #683175
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Mehrere einzelne Treiber für die einzelnen Transistoren? Bei so vielen 
Transistoren wird es schwierig alle synchron zu schalten.

1. Jeder Treiber hat ein leicht unterschiedliches Delay.
2. Die FETS haben auch Exemplarstreuungen und es gibt noch mehr 
Asynchronität

Ich würde meinen bei so vielen einzelnen Treibern läuft dir der 
Einschaltmoment der einzelnen FETS dermaßen auseinander....

Ein Ansatz mit einem Schmitt-Trigger für schön steile Flanken und einer 
anschließenden Gegentaktstufe aus schnellen Power-MOSFETs ist meines 
erachtens besser als Treiber. Hier spielt nur noch die Exemplarstreuung 
deiner Leistungsschalter in den Synchronlauf hinein.
Die Treiber-FETS sollten dabei schneller sein als deine 
Leistungsschalter.
Weiter sollte die Gegentaktstufe einen großzügigen Block-Elko bekommen 
um auch die hohen Spitzenströme liefern zu können.
#683293
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Nur mal so, bei der angepeilten Taktfrequenz sollte es auch einzel Fets 
geben, die den Strom tragen können. Da muss man sich zwar auch mit einer 
recht grossen Gate-Kapazität rumschlagen, aber nur von einem.

Bsp. IXYS, hben da was ganz DICKES im Programm :

VMO1200-01F
Parameter       VMO1200-01F
VDSS, max, (V)     100
ID25, Tc = 25°C, (A)     1245  <- !!
ID80, Tc = 80°C, (A)     930
RDS(on), max, Tj = 25°C, (mOhms)     1.35
tf, typ, (ns)     200
tr, typ, (ns)     500

Einfach mal bei www.ixys.com schauen, bei den MosFet-Modulen. Dann gibts 
auch nicht mehr die aufwendige Platine und nur einen, aber kräftigen 
Treiber.
Gast #683305
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@uhu
Diese Rückkopplung kann man sich auch selber bauen wenn man einen OP 
benutzt.

Außerdem wird durch diese Rückkopplung keine Synchronisation der 
einzelnen Treiber untereinander gewährleistet. Im Extrem betreibt man 
die FETS dann so, dass einige schon geschaltet sind während andere erst 
anfangen zu schalten.
Ob man da nicht die Amperes riecht....?
#683325
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Michael Waiblinger wrote:
> Nimm den IRFP2907, da reichen 2-3 Stück aus. Der ist schnell und
> ungemein gewaltig (840A Peak). Der ist auch speziell für Anlassermotoren
> entwickelt. -wiebel

Hem...das Kleingedruckte lesen Index 6

"Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 90A."

Für einen Anlasser der paar Sekunden röddelt und danach Ruhe hat wird 
das klappen, aber vermutlich läuft die Winde länger. Dann hat man ein 
Problem, die Wärme bekommt man nicht in den Griff, bei der Gehäuseform. 
Da schmelzen recht fix die Bonding Drähte weg.
#683378
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Naja, kommt auf die Fläche an.

Der IXYS war nur eine Schnellsuche, wollte damit auf die Mosfet-MODULE 
lenken.
Das parallel Schalten von Fets hat so seine Tücken, wenn man aber ein 
Modul findet was den Strom und die Verlustleistung trägt, ist man viele 
Probleme los. Der Hochstrom ist von der Platine runter !
Einzig einen kräftigen Treiber müsste man entwickeln, dafür wurden ja 
schon reichlich Vorschläge gemacht.

Es gab/gibt auch von IRF stärkere Module, finde nur gerade nicht.
Mir ist so, als ob es mal vor paar Jahren in der Conrad eigenen 
Elektronikzeitung (EAM oä.) mal einen Windenantrieb gab.
Auch mit PWM, dicken Fet-Modul und passender Freilaufdiode.
Gast #683451
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IRF 1404 kann nominell 200A bei 4 mOhm. Nachteil: TO-220-Gehäuse. 
Vorteil: 1,65€ bei Reichelt. Eine Handvoll davon könnte funktionieren.

Die Montage dieser TO-220 Gehäuse ist nicht unproblematisch. Beim Löten 
habe ich immer Bedenken, dass bei Last das Lötzinn wegschmilzt. Einmal 
habe ich die Beinchen in Lüsterklemmen reingezwängt, fand ich aber auch 
nicht optimal.

Montage-Tips?
Gast #683464
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Würd auch lieber einen "dicken" MOSFET/IGBT nehmen. Passenden Treiber 
dazu und gut is. Natürlich mit ordentlichtem Kühler (mit Lüfter drauf 
sollte bei entsprechender Größe reichen).
Ob allerdings ein Anlassermotor das richtige is wage ich jetz mal zu 
bezweifeln. Wie oben schon mal erwähnt, is der dafür gedacht, nur wenige 
Sekunden zu "orgeln". Der angestrebte Windenstart dauert aber sicherlich 
länger. Ich denke also, dass die Wicklung thermisch am Limit sein 
dürfte.
Wenn 230V zur Verfügung stehen würd ich eher zu einem Universalmotor 
(aus ner Bohrmaschine,...) mit Phasenanschnitt tendieren. Da sind die 
Ströme auch nicht so hoch (wegen Kühlung und dicken, hochpreisigen 
Halbleitern).
Persönliche Seite #683485
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Tom wrote:
> IRF 1404 kann nominell 200A bei 4 mOhm. Nachteil: TO-220-Gehäuse.
> Vorteil: 1,65€ bei Reichelt. Eine Handvoll davon könnte funktionieren.
>
> Die Montage dieser TO-220 Gehäuse ist nicht unproblematisch. Beim Löten
> habe ich immer Bedenken, dass bei Last das Lötzinn wegschmilzt. Einmal
> habe ich die Beinchen in Lüsterklemmen reingezwängt, fand ich aber auch
> nicht optimal.
>
> Montage-Tips?

Also ich löte bei 350°C *KRATZ. Ich hoffe ja mal nicht, dass der so warm 
werden wird ;)
Gast #683496
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Ich meinte eigentlich nicht die Hitze aus der Sperrschicht, sondern die 
im Draht entstehende Verlustleistung. Gerade wenn der Strom durch das 
schlecht leitende Lötzinn fliesst, z.B. wenn sich die Drähte nicht 
berühren, dann kann sich die Lötstelle lokal überhitzen.

Nochmal zu der TO-220 Montage, weil sie halt so schön günstig sind: 
Ideal wäre doch so eine Art Klemmung der Anschlussbeinchen zwischen zwei 
massiven Kupferbacken. Gibt es sowas für kleines Geld?
Moderator Persönliche Seite #683517
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Benedikt K. wrote:

> Mosfets überleben das oftmals sogar...

...weil sie eben gerade keine Sperrschicht haben.  Um die Dicke
das Gateoxids durch Diffusion zu ändern, braucht man schon etwas
höhere Temperaturen. ;-)  Diffusion in den restlichen Bereichen
ist beim MOSFET nicht ganz so kritisch.  Vermutlich wird dann
doch zuerst der Bonddraht schmelzen.
#683536
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Jörg Wunsch wrote:
> Benedikt K. wrote:
>
>> Mosfets überleben das oftmals sogar...
>
> ...weil sie eben gerade keine Sperrschicht haben.

Wo wir schon am Klugscheißen sind:
Zumindest die Body Diode hat eine...
Wie sollte man dann "Operating Junction Temperature Range" aus einem 
Mosfet Datenblatt übersetzen, wenn diese garkeine Sperrschicht haben ?
Moderator Persönliche Seite #683565
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Benedikt K. wrote:

>> ...weil sie eben gerade keine Sperrschicht haben.
>
> Wo wir schon am Klugscheißen sind:
> Zumindest die Body Diode hat eine...

Die ist aber nicht weiter betriebswichtig.  OK, außer bei einer
APC SmartUPS. ;-)  (Die nehmen die Substratdioden als
Ladegleichrichter.)

> Wie sollte man dann "Operating Junction Temperature Range" aus einem
> Mosfet Datenblatt übersetzen, wenn diese garkeine Sperrschicht haben ?

Der Begriff hat sich einfach eingebürgert, also wendet man ihn auch
dann an, wenn er gar nicht angebracht ist.  Historisch gesehen waren
es bei Halbleitern eben vor allem die Sperrschichten, die temperatur-
empfindlich waren.  Vermutlich müsste man bei diesen MOSFETs die
maximal zulässige Temperatur der Bonddrähte oder der Vergussmasse
spezifizieren. ;-)

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