Auch ich suche einen FET mit kleinem Source-Drain-Widerstand RDSon. In die Hände gefallen sind mir z. B. die Typen IRF3205 (International Rectifier, http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf7104.pdf) mit 8 mOhm oder Si7470dp (Vishay) mit 2 mOhm. Letzterer kann 30 A schalten, obwohl er nur wenige mm Durchmesser hat. Dies ist zunächst einmal beeindruckend, wenn da nicht ein Haken wäre: Im Schaltungssymbol ist bei beiden Typen eine extra Diode von Source nach Drain eingezeichnet. Das Diodenverhalten ist elektrisch nachmessbar, d. h. als elektronischer Schalter sind diese FETs nach meinem Verständnis nur einsetzbar, wenn D immer positiver als S ist(Diode sperrt). Warum ist dieses Diodenverhalten da? Kennt jemand einen FET ohne solch ein Diodenverhalten mit RDSon von wenigen mOhm?
Das ist meines Erachtens herstellungsbedingt bei allen MOSFETs so! Wo liegt das Problem dabei?
>Wo liegt das Problem dabei?
Ich brauche einen elektronischen Schalter, der sperren kann, unabhängig
davon, ob S positiver oder negativer als D ist.
Ein Triac ? Ohne nähere Informationen kommen wohl noch mehr so komische Antworten ;)
Was genau willst Du denn schalten? Vielleicht wäre ein Triac für dich das richtige?
@Uhu Uhuhu: (muss mich zum Namen-Eintippen richtig konzentrieren;) ) Das ist es! Dieser Thread war mir leider entgangen. Wenn ich das richtig verstehe, ist diese Diode also unvermeidlich, wobei zwei entgegengesetzt geschaltete FETs das Problem lösen würden.
Markus wrote: > @Uhu Uhuhu: (muss mich zum Namen-Eintippen richtig konzentrieren;) ) Ist dein Clipboard kaputt? > Wenn ich das richtig verstehe, ist diese Diode also unvermeidlich, > wobei zwei entgegengesetzt geschaltete FETs das Problem lösen würden. Das verstehst du richtig.
Ja die Diode ist unvermeidlich. Ja, zwei gegensätzlich geschaltete fets lösen das Problem. Bei richtiger Ansteuerung :)
Wenn die Stromrichtung komplett todgelegt werden soll, eine Diode über den Fet setzen. Kathode an Drain.
>Wenn die Stromrichtung komplett todgelegt werden soll, eine Diode über >den Fet setzen. Kathode an Drain. dann hat er aber nix mehr von seinen wenigen mOhm's Btw - Si7470dp - ist das richtig? Man findet gar kein DataSheet dafür?
JensG wrote: >>Wenn die Stromrichtung komplett todgelegt werden soll, eine Diode über >>den Fet setzen. Kathode an Drain. > > dann hat er aber nix mehr von seinen wenigen mOhm's Man kann nun nicht alles haben....;-)
>>Ja die Diode ist unvermeidlich. >>Ja, zwei gegensätzlich geschaltete fets lösen das Problem. Bei richtiger >>Ansteuerung :) Was ist denn die richtige Ansteuerung? ...
>Wenn die Stromrichtung komplett todgelegt werden soll, >eine Diode über den Fet setzen. Kathode an Drain. Ich will in eine Richtung Akkus (zwischen Source und Masse) laden. Es gibt eine Reihe unabhängiger Ladeschächte. Die FETs sollen das Laden abschalten. Die ursprüngliche Idee war, über die selben FETS je einen Akku mit einem ADC zu verbinden, um dessen Spannung zu messen. Dies erfordert allerdings einen Stromfluss in beide Richtungen (hin zum Laden und zurück zum Messen). >Btw - Si7470dp - ist das richtig? Man findet gar kein DataSheet dafür? http://www.vishay.com/docs/73556/73556.pdf Bisher habe ich nur Testsamples bekommen. Falls jemand mir eine Quelle sagen kann, wo ich die FETs kaufen kann, wäre ich dankbar. Die Vorteile dieses Transistors sind auch die kleine Bauform (lässt sich trotzdem problemlos löten) und die Tatsache, dass man ihn auch mit geringerer Spannung zwischen G und S noch ganz gut schalten kann. >Was ist denn die richtige Ansteuerung? Darunter würde ich mir vorstellen, dass das Gatepotential zum Durchschalten für beide FETS hinreichend höher als beide Source-Potentiale ist. Wenn die Spannung zum Laden der Akkus bei 2-3 V liegt, reicht eine Gatespannung von 5V dafür wohl aus.
Danke für den Link zum Si7470dp. Allerdings - Dir ist hoffentlich bewußt, daß der nur eine Uds=8V hat? Ansonsten hat der schon ganz tolle Werte. Scheint wohl einer für Schaltregler auf Mainboards zu sein, der die 1,x Volts erzeugen soll.
Das sich Mosfets nur mit diesen Dioden herstellen lassen ist mal absoluter Käse. Normale Kleinsignal-Mosfets haben diese Dioden nicht, da bei ihnen ein einfacher PNP oder NPN Übergang vorherrscht (Drain-Bulk-Source-Strecke), und beim Anlegen der Gatespannung ein Kanal im Bulk geschaffen wird, der den Stromfluss unter dem Gate ermöglicht. Die Diode entsteht eigentlich nur wenn komplexere Strukturen zum Einsatz kommen und sich zwischen Drain und Source weitere Dotiergebiete befinden. Das ist bei den meisten Power-Mosfets der Fall, wo Vertikalstrukturen geschaffen werden. Auf ein beliebiges Substrat wird hier eine Epitaxie-Schicht gewachsen, in die zunächst das spätere Kanal-Gebiet eindotiert wird und danach die Sourcegebiete. Der Mosfet ergibt sich erneut wie beim Kleinsignal-Mosfet unter dem Gate. Ausserhalb des sich bildenen Kanals (fern ab vom Gate) entsteht zusätzlich jedoch ein Bipolar-Effekt, der durch den Aufbau der Schichten bedingt als Diode geschaltet ist. Es ist also keineswegs eine Eigenart eines Mosfets, sondern vielmehr eine Eigenart des Herstellungsprozesses.
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschaltenBitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.