Hallo, durch die Forensuche habe ich bis jetzt leider nichts zutreffendes gefunden. Ich möchte mit einem uC eine IR-Lichtschranke implementieren. Der dafür gesuchte Transistor muss die IR-Diode schnell schalten (allerdings nur an bzw. aus) und einen ordentlichen Stoßstrom (>2,5 A für knappe 9 uS) abkönnen. Wenn jemand einen bei Reichelt erhältlichen passenden Transistor wüsste, würde ich mich sehr freuen! Viele Grüße HHe
Ich würde eventuell zu einem Mosfet greifen: Schaltet schneller (bei entsprechender Ansteuerung) und hat kein Problem mit dem Strom.
BD439. Gibt's bei Reichelt hinterhergeworfen, dazu passende PNP auch. Anstiegszeit dürfte bei einigen 100 ns liegen.
Danke für die Antworten. @ Benedikt K.: Kannst mir da konkrete Transistoren empfehlen? Wie steuert man die an? @ I_ H: Kann ich den denn direkt mit einem Widerstand (wenn ja wie groß?) an meinen uC anschließen, oder zieht der zu viel Strom?
Such dir einen aus: http://www.mikrocontroller.net/articles/Mosfet-%C3%9Cbersicht Nimm aber nicht den stärksten, kleine kann man direkt (eventuell sogar ohne Vorwiderstand) an den µC Pin hängen. z.B. IRF510 oder IRF520 haben eine ausreichend niedrige Gateladung, da sollte das gehen.
Vielen Dank Benedikt! Da bleiben nur noch drei Verständnisfragen zurück: 1. Wie entnehme ich den Datenblättern, bei welcher Gate Spannung der FET (nahezu widerstandslos) leitet? und 2. ob es richtig ist die IR-Diode an +5V zu legen, dann weiter an den Drain Anschluss eines N-Kanal FETs und schließlich Source desselben an Masse? Und zu guter letzt: 3. Braucht man keinen Vorwiderstand, um den Transistor an den uC anzuschließen, weil allein die am Gate anliegende Spannung (praktisch ohne Stromfluss) die Änderung der Ladungsverhältnisse im Kanal besorgt? Vielen Dank HHe
zu 1. Die meisten MOSFET haben ein Diagramm Rdson über Ugs da kannst alles ablesen. Bei dir ist halt wichtig, dass der Rdson bei Ugs=5V gegen Null geht. In vielen Db steht aber auch bei der Angabe des Rdson dabei bei welcher Gatesourcespannung das gilt (z.B. Rdson = 100mOhm @ Ugs =10V). zu 2. Vollkommen richtig. Vielleicht noch einen Widerstand zwischen Gate und Source (10kOhm) um den MOSFET auch dann in einem definierten Schaltzustand zu fahren wenn du den uC Ausgang auf Hi-Z konfiguriert hast (z.B. vor der Initialisierung). zu 3. Auch richtig. Nur bei den Schaltvorgängen wird die Gatekapazität umgeladen und es fließt ein (je nach Frequenz nicht unerheblicher) Strom. Wenn man ganz sicher gehen will kann man einen Vorwiderstand spendieren um den Kurzschlussstrom (eine Kapazität ist bei Ladeanfang ein Kurzschluss) zu begrenzen. Beispiel: Der uC kann laut Datenblatt max. 15mA Ausgangsstrom bei 5V Betriebsspannung. Rvor = 5V/15mA = 333 Ohm Viel Erfolg beim Basteln! Gruß Mandrake
Und wenn du da die 333Ohm reinhängst hast du einen perfekten Tiefpass, der bei ca. 1nF Gatekapazität eine Grenzfrequenz von 478kHz hat. Transistor dürfte einfacher sein.
Danke auch mandrake. Daraus ergeben sich leider neue Fragen ;) Wenn ich den Transistor wie von dir beschrieben mit einem Pullup-Transistor an den uC hänge und jetzt sehr schnelle Schaltvorgänge ausführe, so muss ja zunächst ein Strom fließen, um die Ladungsträger im Kanal zu bewegen. Dieser wird von einem 10 kOhm Widerstand jedoch ziemlich minimiert (was ja auch sein Sinn ist). Kann denn dann der Ladungstransport überhaupt schnell genug stattfinden? Oder reden wir hier von Zeiten, die sich unterhalb von uS abspielen? Und zu guter letzt möchte ich mich als unfähig zu erkennen geben mit der Mosfet Übersichtliste (http://www.mikrocontroller.net/articles/Mosfet-%C3%9Cbersicht) umzugehen. Ich kann einfach keinen Transistor identifizieren, der schon bei 5V einen gegen Null tendierenden Widerstand hat und sich im Gebiet von 3A-5A bewegt. Wäre jemand so gnädig mir meine leichte Dummheit zuzugestehen und mir hierbei einen Tipp zu geben? Viele Grüße HHe
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