Mosfet-Übersicht
Im Forum wird immer wieder gefragt, welchen Mosfet-Transistor man für ein Projekt einsetzen sollte. Und wo man die herbekommt. Deshalb soll hier eine Übersicht mit gängigen Mosfet-Transistoren entstehen, wo auch die Bezugsquellen angegeben sind. Bezugsquellen sollten nach Möglichkeit solche sein, die auch für den privaten Bastler in Frage kommen.
Der Thread zum Thema: http://www.mikrocontroller.net/topic/41588
siehe auch : Transistor-Übersicht - Dioden-Übersicht - Standardbauelemente
| Bezeichnung
| Package
| Hersteller
| UGS/V
| UDS/V
| ID/A
| P/W
| RDS,on/mOhm
| Bemerkung
| Lieferant
| Preis/EUR
|
| BS250
| TO-92
| Siliconix
| 4.0
| 60
| 0.12
| 0.35
| 10000
| -
| Rei
| 0.25
|
| BSH205
| SOT23
| Phi
| 1.0
| 12
| 0.75
| 0.4
| 500
| kleine Gatekapazität (3.8nC)
| csd (a.A.)
| 0.30
|
| IRLML6302PBF
| SOT23
| IRF
| 1.5
| 20
| 0.75
| 0.54
| 600
| ähnlich BSH205
| csd
| 0.18
|
| BSS84
| TO-97, SOT23
| Phi
| 3.0
| 50
| 0.13
| 0.35
| 10000
| -
| Con,Rei
| 0.07
|
| BSS110
| TO-97, SOT23
| Phi
| 3.0
| 50
| 0.17
| 0.35
| 10000
| -
| ?
| ?
|
| PMV65XP
| SOT23
| Phi
| -1.4V..-12 (max. +12V)
| -20
| -3.9 (-2.8A @ Ugs=-4.5V)
| ?
| 76
| grosser ID für Bauform
Qgd=0.65nC
| Spo, RS
| 0.10 (bei 3000er-Rolle)
|
| IRF4905S
| D2Pack
| irf
| 4.0
| 55
| 64
| 3.8
| 20
| -
| Con
| 2.60
|
| IRF4905
| TO-220AB
| irf
| 4.0
| 55
| 74
| 3.8
| 20
| -
| Rei
| 1.30
|
| IRF5210S
| D2Pack
| irf
| 10
| 100
| 40
| ?
| 60
| -
| Rei
| 1.25
|
| IRF7104
| SO-8
| irf
| 3.0
| 20
| 2.3
| 2.0
| 250
| 2 FETs im Gehäuse
| Rei
| 0.32
|
| FDC604P
| SuperSOT-6
| Fairchild
| 1.5
| 20
| 5.5
| 0.8/1.6
| 33
| -
| csd (a.A.)
| 0.70
|
| NDS0610
| SOT-23
| Fairchild
| 1.8
| 60
| 0.12
| 0.36
| 10000
| -
| csd
| 0.07
|
| IRF5305
| TO-220AB
| irf
| 3.0
| 55
| 31
| 110
| 60
| -
| Rei
| 0.59
|
| NDS352P
| SOT23
| Fairchild
| 4.5
| 20
| 0.85
| 0.5
| 500
| -
| Con
| 0.76
|
| BSP 171
| SOT-223
| Siemens
| 1.4
| 60
| 1.7
| 1.8
| 350
| -
| Rei
| 0.51
|
| IRFD9014
| HEXDIP/DIP4
| irf
| 2.0-4.0
| 60
| 1.1
| 1.3
| 500
|
| Con
| 0,65
|
| IRFD9024
| HEXDIP/DIP4
| irf
| 2.0-4.0
| 60
| 1.6
| 1.3
| 280
|
| Con,Rei
| 0,50
|
| IRF7416
| SO-8
| irf
| 1.0
| 30
| 10
| 2.5
| 20
|
| Con,Rei
| 0,60
|
(Tabelle mit Click im Kopfbereich sortierbar; a.A. = Auf Anfrage)
| Bezeichnung
| Package
| Hersteller
| UGS(th)/V
| UDS/V
| ID/A
| P/W
| RDS,on/mOhm
| Bemerkung
| Lieferant
| Preis/EUR
|
| IRF 530
| TO-220
| irf
| 2,9
| 100
| 16
| 94
| 160
|
| Rei
| 0.44
|
| IRL3103
| TO-220AB
| irf
| 1.0
| 30
| 64
| 94
| 12
| Qg=33nC (!)
| Seg
| 0.95
|
| IRF730A
| TO-220AB
| irf
| 2.0
| 400
| 5.5
| 74
| 1000
| Qg=22nC (!)
| Rei
| 0.54
|
| IRFP064
| TO-247AC
| irf
| 2.0
| 60
| 70
| 300
| 9
| Qg=190 nC
| Rei
| 1.65
|
| IRF3205
| TO-220AB
| irf
| 2.0
| 55
| 110
| 200
| 8
|
| Rei
| 1.10
|
| IRL3803
| TO-220AB
| irf
| 1.0
| 30
| 140
| 200
| 6
|
| Rei
| 1.20
|
| IRF540
| TO-220AB
| irf
| 10
| 100
| 28
| 150
| 77
|
| Rei,Kes
| 0.52
|
| IRF7401
| SO-8
| irf
| 2.7
| 20
| 8.7
| 2.0
| 22
|
| Rei
| 0.565
|
| IRF7403
| SO-8
| irf
| 4.85
| 30
| 8.5
| 2.5
| 228
|
| Rei
| 0.42
|
| IRF7413
| SO-8
| irf
| 3.0
| 30
| 13.0
| 2.5
| 11
|
| Rei,Kes
| 0.65
|
| BUZ11
| TO-220
| ST
| 5.0
| 50
| 33.0
| 90.0
| 30
|
| Rei
| 0.41
|
| BS170
| TO-92
| gs
| 2.0
| 60
| 0.3
| 0.83
| 5000
|
| Rei
| 0.13
|
| BSN20
| SOT-23
| gs
| 1.8
| 50
| 0.18
| 0.35
| 6000
|
| Rei
| 0.092
|
| BSS138
| SOT-23
| div
| 0.8-1.6
| 50
| 0.22
| 0.36
| 810
| Ugs=4,5[V] Rds=1,160[Ohm]
| Rei
| 0.06
|
| IRFP2907
| TO-247AC
| irf
| 4.0
| 75
| 209
| 470
| 4.5
|
| Rei
| 4.70
|
| 2N7000
| TO-92
| ON
| 3.0
| 60
| 0.2
| 0.35
| 5000
|
| Rei,Kes
| 0.13
|
| BS107
| TO-92
| ON, Phi
| 3.0
| 200
| 0.25
| 0.35
| 6400/14000
| -
| Rei
| 0.18
|
| BS108
| TO-92
| ON, Phi
| 2.0
| 200
| 0.25
| 0.35
| 8000
| -
| Rei
| 0.14
|
| BUK100
| TO-220
| Phi
| 3.0
| 50
| 13.5
| 40
| 125
| Overload-Protection, ESD-Protection
| Rei
| 1.40
|
| IRL3705N
| TO-220
| irf
| 2.0
| 30
| 140
| 200
| 6.0
| Qg=98nC
| Rei
| 1.45
|
| BUZ72A
| TO-220
| Infineon
| 4.0
| 100
| 9.0
| 40
| 250
| -
| Rei
| 0.45
|
| IRLZ34N
| TO-220
| irf
| 2.5
| 55
| 30
| 68
| 35.0
| -
| Rei
| 0.42
|
| IRF1404
| TO-220AB
| irf
| 4.0
| 40
| 202
| 333
| 4
| -
| Rei
| 1.65
|
| IRL1004
| TO-220
| irf
| 2.7
| 40
| 130
| 200
| 6.5
| -
| Rei
| 2.45
|
| IRL530
| TO220, D2Pack
| irf
| 2
| 100
| 15.0
| 88
| 160
|
| Rei
| 0.51
|
| IRF830
| TO220AB
| irf
| 2.0-4.5
| 500
| 5.0
| 74
| 1400
|
| Rei,Kes
| 0.57
|
| IRF840
| TO220AB
| irf
| 2.0-4.0
| 500
| 8.0
| 125
| 850
|
| Rei
| 0.57
|
| FDC645N
| SuperSOT-6
| Fairchild
| 1.5
| 30
| 5.5
| 0.8/1.6
| 30
| -
| csd (a.A.), Far
| 0.7
|
| BSP297
| SOT-223
| Siemens/Infineon
| 0.8-2.4
| 200
| 0.65
| 1.8
| 6000
| 200V UDS, SMT und LL (seltene Kombi)
| Far, Schu, RS
| 0.56
|
| IRF7455
| SO-8
| irf
| 4.5
| 30
| 15
| 2.5
| 7.5
|
| Kes
| 1.04
|
| SI4442DY
| SO-8
| vis
| 2.5
| 30
| 22
| 2.5
| 5/4.5V
|
| Kes
| 1.64
|
| IRLU2905
| TO251, DPack
| irf
| 2,0
| 55
| 42
| 1,5
| 27
|
| Rei
| 0.67
|
| IRFD014
| HEXDIP/DIP4
| irf
| 2.0-4.0
| 60
| 1.7
| 1.3
| 200
|
| Con,Rei
| 0.52
|
| IRFD024
| HEXDIP/DIP4
| irf
| 2.0-4.0
| 60
| 2.5
| 1.3
| 100
|
| Con,Rei
| 0.54
|
| IRLD024
| HEXDIP/DIP4
| irf
| 1.0-2.0
| 60
| 2.5
| 1.3
| 100
|
| Con,Rei
| 0.47
|
| IRLU3717
| I-Pak
| irf
| 2.0
| 20
| 120
| 1.5/89
| 4
| Qg=21nC
| Con
| 0.86
|
| IRFP3703
| TO-247AC
| irf
| 4.0
| 30
| 210
| 230
| 2.8
|
| Con
| 5.08
|
(Tabelle mit Click im Kopfbereich sortierbar, a.A.=Auf Anfrage)
| Bezeichnung
| Package
| Hersteller
| UGS(co)/V
| UDS/V
| ID(max)/mA
| Lieferant
| Preis/EUR
|
| BF245A
| TO-92
| diverse
| -2,2
| 30
| 6,5
| ??
| ??
|
| BF245B
| TO-92
| diverse
| -3,8
| 30
| 15
| Rei
| 0,15
|
| BF245C
| TO-92
| diverse
| -7,5
| 30
| 25
| Rei
| 0,15
|
| BF246A
| TO-92
| diverse
| -4
| 25
| 80
| Rei
| 0,15
|
| BF246B
| TO-92
| diverse
| -7
| 25
| 140
| Rei
| 0,17
|
| BF246C
| TO-92
| diverse
| -12
| 25
| 250
| ??
| ??
|
| BF511
| SOT-23
| diverse
| -1,5
| 20
| 7
| Rei
| 0,36
|
| BFR30
| SOT-23
| diverse
| -4
| 25
| 10
| ?
| ?
|
| BFR31
| SOT-23
| diverse
| -2
| 25
| 5
| ?
| ?
|
(Tabelle mit Click im Kopfbereich sortierbar)
| Bezeichnung
| Package
| Hersteller
| UGS/V
| UDS/V
| ID/A
| P/W
| RDSon/mOhm
| Bemerkung
| Lieferant
| Preis/EUR
|
| IRF7389
| SO-8
| IRF
| 3.0
| 30
| 7.3/-5.3
| 2.0
| 29/58
| P+N
| Rei
| 0.56
|
| IRF7501
| micro8
| IRF
| 2,7
| 20
| 2,4
| ?
| 135/4,5V
| 2*N
| Kessler, Con
| 1,64
|
| IRF7506
| micro8
| IRF
| 4,5
| 30
| 1,7
| ?
| 270/10V
| 2*P
| Kessler, Con
| 0,56
|
| IRF7103
| SO-8
| IRF
| 4,5
| 50
| 2,3
| 2
| 130/10V
| 2*N
| Rei, Con
| 0,32
|
| IRF7104
| SO-8
| IRF
| 4,5
| 20
| 2,3
| 2
| 250/10V
| 2*P
| Rei
| 0,32
|
| IRF7316
| SO-8
| IRF
| 4,5
| 30
| 4,9
| ?
| 58/10V
| 2*P
| Rei
| 0,49
|
| IRF7313
| SO-8
| IRF
| 4,5
| 30
| 6,5
| ?
| 46/4,5V
| 2*N
| Kessler, Con
| 0,66
|
| FDD8424H
| Dual DPAK4L
| Fairchild
| +-20/+-20
| 40/-40
| 9/-6,5
| 3,1
| 24/54 @+ -10V(GS) 30/70 @ + - 4,5V(GS)
| P+N
| Digi-Key
| 0,73
|
(Tabelle mit Click im Kopfbereich sortierbar)
Bitte falls möglich auch bei den MOSFET-Treibern einen Händler nennen!
| Bezeichnung
| Bemerkung
| Lieferant / Datenblatt
| Preis/EUR
|
| IR2101
| High & Low-Side Driver, 130/270mA
| Con
|
| IR2104
| Half Bridge Driver, 130/270mA
| Con
|
| IR2110
| High & Low-Side Driver, 2A
| Rei Con
|
| IR2111
| Half Bridge Driver 200/430mA
| Rei Con
|
| IR2112
| High & Low-Side Driver, 200/420mA
| Rei Con
|
| IR2113
| High & Low-Side Driver, 2A
| Rei Con
|
| IR2117
| Single Channel Driver, 200/420mA (High-Side)
| Rei Con
|
| IR2121
| Low Side Driver, 1A/2A
| Rei Con
|
| IR2125
| Single Channel Driver, 1A/2A (High-Side, Current-Limiting)
| Rei Con
|
| IR2127
| Single Channel Driver, 200/420mA (High-Side)
3,3V und 5V Input Logic Kompatibel
| Rei Con
|
| IR2130
| 3-Phase Bridge Driver 200/420mA
| Rei Con
|
| IR2151
| Self Oscillating Half Bridge Driver
| Rei Con
|
| IR2153
| Self Oscillating Half Bridge Driver
| Rei Con
|
| IR2155
| Self Oscillating Half Bridge Driver
| Rei Con
|
| IR2181
| High & Low-Side Driver, 1.4A/1.8A
| Rei Con
|
| IR2183
| Half Bridge Driver, 1.4A/1.8A, Ton/Toff=180ns/220ns
| Rei Con (günstiger als Reichelt)
|
| IR2184
| Half Bridge Driver, 1.4A/1.8A, Ton/Toff=680ns/270ns
| Rei Con (günstiger als Reichelt)
|
| IR2136
| 3 Phase Driver, DIP28 SOIC28, 120/250mA, Ton/Toff=400ns/380ns
| Con
|
| ICL7667
| Dual Power MOSFET Driver (VCC = 4.5V-15V, 7 Ohm)
| Rei
|
| HIP4080
| Full Bridge Driver & PWM Generator 80V 2,5A DIP20 SOIC20
| Datenblatt, veraltet->4080A
|
| HIP4080A
| Full Bridge Driver 80V 2,5A DIP20 SOIC20
| Datenblatt
|
| HIP4081
| Full Bridge Driver 80V 2,5A DIP20 SOIC20
| Datenblatt, veraltet->4081A
|
| HIP4081A
| Full Bridge Driver 80V 2,5A DIP20 SOIC20
| Datenblatt
|
| HIP4082
| Full Bridge Driver 80V 1,2A DIP16 SOIC16
| Datenblatt; App-Note
|
| HIP4083
| 3 Phase High side N-channel MOSFET driver 80V 0.3A DIP16 SOIC16
| Datenblatt
|
| HIP4084
| 4 Phase Driver 80V 0.5A DIP28 SOIC28
|
|
| HIP4086
| 3 Phase Driver 80V 0.5A DIP24 SOIC24
|
|
| VNH3ASP30-E
| Automotive Fully Integrated H-Bridge Motor Driver (30A, 41V, STMicroelectronics)
| Spo, ca. 320 EUR/100 Stk. ohne MwSt
Datasheet VNH3ASP30-E
|
| TC4451 / TC4452
| 12A High-Speed MOSFET Drivers, Microchip (8-Pin PDIP/SOIC, 8-Pin DFN, TO-220
| Far
|
- UGS - minimale Gatespannung, bei welcher der MOSFET zu leiten anfängt (100uA..1mA, nicht genormt). Zur vollständigen Durchschaltung bei maximalem Strom braucht es höhere Spannungen.
- Logic Level - FET schaltet bei niedrigen Gatespannungen von typisch 4,5V (z.B. TTL Logikpegel) hinreichend durch. Normale MOSFETs brauchen hierfür typisch 10V.
- UGS(co) - Gate Source Cut Off Spannung, bei welcher der Drainstrom ID eines JFETs praktisch Null ist. Die Messbedingung ist jedoch nicht genormt (0,5nA..200µA).
- N-Kanal MOSFETs mit niedrigem RDS,On sind technologisch einfacher herzustellen als P-Kanal MOSFETs. Deshalb gibt es bei P-Kanal keine so große Auswahl und oft werden Schaltungen angestrebt, in denen ausschließlich N-Kanal MOSFETs verwendet werden. Es gibt spezielle Treiberbausteine, die über eine Ladungspumpe für entsprechend hohe Gatespannung auch für die High-Side N-Fets sorgen ("Bootstrap Circuits").
- Bei der Dimensionierung ist zu beachten, dass die Stromangabe im allgemeinen für 25°C gilt. Geht man davon aus, dass der MOSFET mit maximal zulässigem Strom betrieben wird und mit passend dimensioniertem Kühlkörper ausgestattet ist, so beträgt die Sperrschichttemperatur bis zu 150°C, folglich gilt z.B. für den IRF540 nicht mehr 28A, sondern nur noch ca. 12-15A.
- Restströme sind auch stark von der Temperatur abhängig. Bei höherer Temperatur nehmen die Restströme stark zu (exponentiell). So können durchaus 100 uA zwischen Source und Drain auch im gesperrten Zustand fließen (bei 70-100 Grad). Bei 25 Grad ist dieser Reststrom meist bei 1uA spezifiziert. Real sind es meist weniger.
- Die Gate-Charge-Werte (s. Datenblatt) bestimmen, wie schnell das Gate beim schalten umgeladen werden kann. Auch wenn MOSFETs stromlos den durchgeschalteteten Zustand halten können, braucht man während des Umschaltvorganges einen Strom, der das Gate umlädt (ähnlich wie ein Kondensator). Je höher dieser Strom, um so schneller ist der Umschaltvorgang und um so geringer die Verlustleistung während dieser Phase. LeistungsMOSFETs können bei höheren Frequenzen (>1KHz) oft nur mit höheren Gateströmen von 100mA-2A sinnvoll geschaltet werden. Man kann das Gate also nicht direkt an einen Digitalpin anschließen. Man braucht einen MOSFET-Treiber. Manche MOSFETs haben eine sehr geringe Total Gate Charge (z.B. 4-10nC). Diese können in gewissen Grenzen recht gut direkt an digitalen Logikausgängen betrieben werden.
[bearbeiten] Lieferantenübersicht
[bearbeiten] Herstellerübersicht
|