Diskussion:Treiber
So lobenswert dein Eifer auch ist, ist in deinem Artikel auch vieles noch verbesserungsfähig:
1. der diskrete Highsideteiber. Hast du den im Ernst schon mal so aufgebaut, oder ist das eine Lösung: ich denke mir, dass man es so machen könnte?
2. Die Elkos an den Mosfettreibern sind absolut Überflüssig.
3. Eine Drain-Gate-Z-Diode mach bei FETs (im Gegensatz zu IGBTs) keinen Sinn. Ob ich bei Überspannung den FET aufmache, oder die Energie im Avalance-Betrieb verbrate mach im Ergebnis keinen Unterschied. Die Verlustleistung landet in beiden Fällen im FET.
4. Die Wahl der Beispiele ist auch etwas seltsam: Wir takten einen Imaginären Heitzwiderstand mit 10kHz, nehmen eine willkürliche Induktivität in die Zuleitungen und behaupten, dass bei unbekannter Schaltzeit, auf die es eigentlich ankommt, dass am Mosfet mal eben 900V Überspannung auftreten. Was soll einem Anfänger das jetzt weiterhelfen?!
5. "Als Daumenregel gilt... Kann das Bauteil nicht mehr angefaßt werden (Vorsicht bei Spannungen über 40V!) ist es vermutlich überbelastet. ;-)" Kann mächtig in die Irre führen, sollte man besser weglassen.
6. Alles ist auch sehr wirr zusammengeschustert: Was mach ein Punkt Namens Leistungselektronik in einem Artikel der Treiber heist?
7.Formeln für RMS Werte passen, finde ich, auch nicht in einen Artikel Namens "Treiber"
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Hallo Andreas,
freut mich, wenn Du Verbesserungsvorschläge machst, konstruktive Kritik ist immer willkommen ;-)).
Hier ein paar Antworten...
zu 1. Ja, der diskrete HS Treiber (ohne die gezeigte Push-Pull Stufe) läuft bei mir gerade in einem Muster, und funktioniert seit vielen Jahren fast baugleich in mehreren 100000 Geräten.
zu 2. Mag sein, daß der Elko für die Pulsbelastung überflüssig ist, um aber die Nachladepulse nicht über die Platine zu verteilen sind kleinere Elkos hilfreich.
Über den Wert kann man streiten ;-).
zu 3. Stimmt schon, mit Klemmdiode kann der Entwickler aber entscheiden, bei welcher Spannung die Energie geklemmt wird... mit allen Vor- und Nachteilen.
zu 4. Die Wahl des Beispiels stammt aus einer Frage, die mich per PN erreicht hat, und ein "Stück Draht" hat ohne genaue Definition der Umgebung näherungsweise ca. 10nH/cm. Für Dich als Entwickler mit Erfahrung ist es sicher einfach den Induktivitätsbelag bzw. die wirksame Induktivität bei beliebiger Leitungsführung zu berechnen.
Die Schaltzeit ergibt sich in dem Beispiel aus der Ansteuerung, die Quelle hat eine definierte Anstiegs- und Abfallzeit. Ich habe dieses Beispiel auch deshalb so eingestellt, da es sehr anschaulich zeigt, daß man mit einer kostenlosen Simulationssoftware schon ein Gefühl für so eine Schaltung bekommen kann. Dies kann helfen daß mehr User versuchen ein Simulationstool einzusetzen.
zu 5. wenn Du meinst...
zu 6. Der Punkt "Leistungselektronik" ist dazugekommen, weil ich einige Fragen per PN damit beantwortet habe UND weil der Punkt "Treiber" alleine nichts Wert ist. Ein Treiber muß mit dem Leistungsschalter zusammenarbeiten. Die Dimensionierung des Schalters und des Treibers kann nicht getrennt erfolge.
Aber ich gebe Dir Recht, der Name des Artikels paßt so nicht mehr ganz zum Inhalt. Mal schaun, was ich daraus mache.
zu 7. Im Kapitel "Leistungselektronik" sind sie sicher richtig aufgehoben.
Im zweiten Lowside-Treiber sind doch wohl die Transistoren vertauscht! Der NPN müsste gegen Masse, der PNP gegen VCC.. --Uwegw 14:08, 17. Nov. 2010 (UTC)
Nöö, das passt. Das ist eine komplementäre Gegentaktstufe, wie sie in fast allen linearen Endstrufen drin ist. Der NPN arbeitet als Emitterfolger für positive Spannungen zum Laden des Gates, der PNP ebenso für negative Spannung zum Entladen des Gates.
MfG Falk
Sollte man die Überschrift in "Gatetreiber" ändern? Gibt ja so viele Arten von Treibern und hier wird nur der Gatetreiber beschrieben.