Hallo, hätte mal eine Frage wie man den "Inrush Current" mit einem Mosfet unterdrückt. Es gibt dazu eine Schaltung mit einem p-kanal-MOSFET. Leider kann ich sie nirgendwo finden. Vielleicht könnt ihr mir dabei weiterhelfen. Denn ich habe ein 25W Netzteil und beim Einschalten eine Spannungspitze von ~2A für eine Dauer von 500µs. mfg
Na, wenn der Schalter nicht sofort oeffnet. Das kann man erreichen indem man dem Gate eine Zeitkontante verpasst, von sagen wir 10ms. zB 1uF x 10kOhm
>Für sowas hat man früher mal NTCs verwendet Das wäre allerdings zu einfach. Dazu ist heute mindestens ein FPGA notwendig ;-)
René, meinst du sowas? R1/C1 machen den MOSFET langsam auf, beim Ausschalten soll C1 über D1 und R2 zügig entladen werden. Oder hätte ich mir den Post sparen können, da du die Antwort von 3361 bereits in die Tat umgesetzt hattest?
HildeK, deine Schaltung ist be der maximalen Gatespannung am Ende, bei einem Logiclevel FET kann das bei 10V schon der Fall sein. Dann muesste man das Gate schuetzen, dh ueber C1, mit einer Zehner.
Ja, du hast recht. Ich wollte nur das Prinzip zeigen. Danke für die Ergänzung. Man könnte auch parallel zu C einen weiteren R schalten (statt Z-Diode) und so mit R1 einen Teiler schaffen, der verhindert, dass die max. Gatespannung überschritten wird. Das flacht die Flanke auch noch etwas ab. Außerdem habe ich, glaub ich, am FET D und S vertauscht gezeichnet. Source muss an den Eingang.
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