www.mikrocontroller.net

Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Stromspitzen filtern mit MOSFET


Autor: René (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hallo,
hätte mal eine Frage wie man den "Inrush Current" mit einem Mosfet 
unterdrückt.
Es gibt dazu eine Schaltung mit einem p-kanal-MOSFET. Leider kann ich 
sie nirgendwo finden.
Vielleicht könnt ihr mir dabei weiterhelfen.
Denn ich habe ein 25W Netzteil und beim Einschalten eine Spannungspitze 
von ~2A für eine Dauer von 500µs.

mfg

Autor: 3361 (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Na, wenn der Schalter nicht sofort oeffnet. Das kann man erreichen indem 
man dem Gate eine Zeitkontante verpasst, von sagen wir 10ms. zB 1uF x 
10kOhm

Autor: Lupin (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Für sowas hat man früher mal NTCs verwendet

Autor: Matthias Lipinsky (lippy)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
>Für sowas hat man früher mal NTCs verwendet

Das wäre allerdings zu einfach. Dazu ist heute mindestens ein FPGA 
notwendig

;-)

Autor: HildeK (Gast)
Datum:
Angehängte Dateien:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
René, meinst du sowas?
R1/C1 machen den MOSFET langsam auf, beim Ausschalten soll C1 über D1 
und R2 zügig entladen werden.

Oder hätte ich mir den Post sparen können, da du die Antwort von 3361 
bereits in die Tat umgesetzt hattest?

Autor: 3361 (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
HildeK,
deine Schaltung ist be der maximalen Gatespannung am Ende, bei einem 
Logiclevel FET kann das bei 10V schon der Fall sein. Dann muesste man 
das Gate schuetzen, dh ueber C1, mit einer Zehner.

Autor: HildeK (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Ja, du hast recht. Ich wollte nur das Prinzip zeigen. Danke für die 
Ergänzung.

Man könnte auch parallel zu C einen weiteren R schalten (statt Z-Diode) 
und so mit R1 einen Teiler schaffen, der verhindert, dass die max. 
Gatespannung überschritten wird. Das flacht die Flanke auch noch etwas 
ab.
Außerdem habe ich, glaub ich, am FET D und S vertauscht gezeichnet. 
Source muss an den Eingang.

Antwort schreiben

Die Angabe einer E-Mail-Adresse ist freiwillig. Wenn Sie automatisch per E-Mail über Antworten auf Ihren Beitrag informiert werden möchten, melden Sie sich bitte an.

Wichtige Regeln - erst lesen, dann posten!

  • Groß- und Kleinschreibung verwenden
  • Längeren Sourcecode nicht im Text einfügen, sondern als Dateianhang

Formatierung (mehr Informationen...)

  • [c]C-Code[/c]
  • [avrasm]AVR-Assembler-Code[/avrasm]
  • [code]Code in anderen Sprachen, ASCII-Zeichnungen[/code]
  • [math]Formel in LaTeX-Syntax[/math]
  • [[Titel]] - Link zu Artikel
  • Verweis auf anderen Beitrag einfügen: Rechtsklick auf Beitragstitel,
    "Adresse kopieren", und in den Text einfügen




Bild automatisch verkleinern, falls nötig
Bitte das JPG-Format nur für Fotos und Scans verwenden!
Zeichnungen und Screenshots im PNG- oder
GIF-Format hochladen. Siehe Bildformate.
Hinweis: der ursprüngliche Beitrag ist mehr als 6 Monate alt.
Bitte hier nur auf die ursprüngliche Frage antworten,
für neue Fragen einen neuen Beitrag erstellen.

Mit dem Abschicken bestätigst du, die Nutzungsbedingungen anzuerkennen.