Nachdem ich von den Eigenschaften eines BS250 zum schalten von z.B. 7 Segmentanzeigen sehr erfreut bin, wollte ich nun mal etwas größeres dranhängen. Dabei fiel mir auf, dass man wohl einen bestimmten Potentialunterschied zwischen Gate und Drain haben muss um einen Mosfet aufzumachen. Bei normalen Bipolaren Transistoren ist es sehr einfach aus dem Datenblatt mithilfe von Stromverstärkung bei gewissen Rahmenbedingungen einen Basisstrom zu berechnen, mit dem ich einen Strom durch den Kollektor schicken kann. Doch wie verhält sich das bei Mosfets? Angenommen ich möchte mit normalen TTL level 12V oder 20V steuern. ... Wo kann ich dem Datenblatt entnehmen, wie groß die Differenz zwischen Gate und Drain mindestens sein muss (also beim BS250 z.B.). Ich blicke da leider nicht so durch :(
Die Gate-Drain-Spannung? Du meinst sicher die Gate-Source-Spannung. Über die wird nämlich die MOSFET gesteuert. Beim MOSFET heißt der Wert den du suchst Threshold-Spannung (Ugs(th)). Die sagt dir ab wann der FET anfängt zu leiten. Ansonsten gibt es oft noch Graphen der sogenannten Forward-Transconductance (gfs). Kann man grob übersetzen mit Vorwärtsleitwert (Drainstrom / Gate-Sourcespannung). Also wiviel Spannung ich pro Ampere Drainstrom an das Gate anlegen muss. Gruß Mandrake
uCWorld wrote: > Dabei fiel mir auf, dass man wohl einen bestimmten Potentialunterschied > zwischen Gate und Drain haben muss um einen Mosfet aufzumachen. Nö, zwischen Gate und Source. > Bei normalen Bipolaren Transistoren ist es sehr einfach aus dem > Datenblatt mithilfe von Stromverstärkung bei gewissen Rahmenbedingungen > einen Basisstrom zu berechnen, mit dem ich einen Strom durch den > Kollektor schicken kann. Der Bipolartransistor an sich ist ja auch stromgesteuert, während ein FET spannungsgesteuert ist. > Doch wie verhält sich das bei Mosfets? > Angenommen ich möchte mit normalen TTL level 12V oder 20V steuern. Es gibt Logic Level MOSFETs. Einfach mal z.B. bei International Rectifier oder einem Distributor schauen. > Wo kann ich dem Datenblatt entnehmen, wie groß die Differenz zwischen > Gate und Drain mindestens sein muss (also beim BS250 z.B.). Immer noch Gate und Source. Und dazu gibt es Kennlinien (Drainstrom in Abhängigkeit von U_GS) und meist die Angabe eines Kennwertes irgendwo mittendrin sowie einer Schwellenspannung, unterhalb derer gar nichts nennenswertes passiert.
Hi. Im Gegensatz zu normalen bipolaren Tranistoren werden Mosfets nicht durch den Basisstrom gesteuert, sondern durch die Gate-Source-Spannung. Deshalb bezeichnet man sie auch als leistungslos schaltend - was aber nicht ganz richtig ist, denn die Gate-Sorce-Strecke ist wie ein Kondensator der zum Schalten umgeladen werden muss. Du musst Dir daher im Datenblatt das Diagramm raussuchen, welches den Drainstrom über der Gate-Sorce-Spannung auflistet bzw. diese in Verbindung bringt. Dann siehst Du welche Ströme Du bei der entsprechenden Gate-Sorce Spannung schalten kannst. Wichtig bei MOSFETS: a) Serien-Widerstand (ca. 50 Ohm) zwischen Mikrocontroller und Gate um den Port gegen zu hohe Umladungsströme zu schützen (bei hohen Frequenzen über im kHz-Bereich wird ein eigener Treiber für den MOSFET benötigt) b) Sinnvoll ist auch ein Parallelwiderstand zwischen Gate und Source (so 2k2). Sonst kann der MOSFET unbeabsichtigt schalten, wenn der Mikrocontroller im Reset ist bzw. der Pin als Eingang deklariert wurde. Der Parallelwiderstand hatte noch einen anderen Bonus, den ich aber wieder vergessen habe :-) Weiterführend zu dem Thema gibt es aber schon einen Monster-Thread hier im Forum - also bitte nicht erneut hier diskutieren... Gruß, André
Monsterthread? Habe mal mosfet unter suche eingegeben und nix gefunden. In welchem forumsbereich ist der thread?
Ups peinlich, hab vergessen den Link einzufügen :-) Beitrag "Vorwiderstand bei MOSFET an AVR-Pin?" Monster Thread ist auch ein bissel übertrieben - aber ich hatte da mal eine ähnliche Frage und die Klärung war wieder eine Sache für sich. Der Eine sagt so, der Andere so. Aber ich schließe mich auf jeden Fall der Meinung an, dass die Widerstände sinnvoll sind.
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