Hallo, kann mir hier jemand den physikalischen Grund nennen warum GaAs Hf-Transistoren i.d.R. eine geringere NF haben haben als "normale" Si Transistoren ? Hängt das mit der höheren Elektronenmobilität in GaAs zusammen ? Wenn ja, wie genau ? Gruss Chris
Chris,
> warum GaAs Hf-Transistoren i.d.R. eine geringere NF haben haben als...
Diese Frage wird wohl keiner verstehen, sonst würde darauf eingegangen.
Hmm, eine geringere NF (Niederfrequenz)...
Das ist ein Widerspruch in sich, die Materialkombination GaAs wird für
Hochfrequenzbauteile genommen, eben weil es dafür am geeignetsten ist,
die phys. Erklärung hast Du genannt.
Er meinte vermutlich das Rauschmaß, englisch noise factor, oder halt NF abgekürzt.
> Diese Frage wird wohl keiner verstehen, sonst würde darauf eingegangen. > Hmm, eine geringere NF (Niederfrequenz)... NF = Noise Figure Zur ursprünglichen Frage: Ich denke es liegt nicht nur am Material, sondern vor allem daran, dass die HF-Transistoren als FETs gebaut sind und somit der Basisbahnwiderstand entfällt. Dieser trägt bei BJTs erheblich zur Rauschzahl bei. GaAs FETs (HEMT) haben durch die höhere Elektronenbeweglichkeit im Vergleich mit MOSFETs eine geringere Gatelänge, was letztlich zu geringerem Rauschen führt.
ok, war etwas missverständlich ausgedrückt - ich habe mit NF die Rauschzahl gemeint. Daher danke an Klaus, genau das wollte ich wissen =) Gruss Chris
Endlich einige Bewegungen für Dein Thema.
> Wenn ja, wie genau ?
Gleichermaßen ausschlaggebend sind
Materialauswahl: Kombination eines Materials mit großem
Energiebandabstand mit einem Material mit geringem Bandabstand, um an
der Grenzfläche einen Energiesprung zu bekommen.
Technologie: besonderes Schichtwachstum und Schichtenfolge für die
Bildung eines ("2-dimensionalen") Elektronengases, dabei werden
Elektronen von den Dotierstoffionen getrennt.
Durch diese Besonderheiten wird die Wechselwirkung der Ladungsträger mit
den Atomen stark herabgesetzt und damit das Rauschen.
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