U_GS beim selbstleitendem N-MOSFET

[Thomas (Gast)]

Grüzi miteinander!
Ein selbstleitender N-MOS sperrt bei einer ausreichend negativen 
Spannung U_GS. Also wenn am Gate -5V und an Source 0V anliegen, dann ist 
U_GS = -5V und das Ding macht zu.
Wie verhält es sich nun, wenn mein Gate nicht angesteuert wird und an 
Source ein Signal anliegt? Dann hätte ich doch mit Gate = 0V und Source 
= 5V wieder ein U_GS von -5V und das Ding sollte wieder sperren. Ich 
möchte aber, wenn an Gate 0V anliegen auf jeden Fall Signale durch den 
MOSFET jagen können.
Irgendwo liegt hier meine Verständnislücke, da U_GS für mich ein 
Potential zwischen Gate und Source ist. Wahrscheinlich muss aus 
irgendwelchen physikalischen Gründen auf jeden Fall am Gate eine 
negative Spannung anliegen. Vielleicht kann mir jemand diesen 
Hintergrund genauer erklären.
Danke schonmal.

[Matthias L. (Gast)]

>Dann hätte ich doch mit Gate = 0V

Nein. Nur der "normale" Elektriker kann so denken:

Offenener Anschluss/Kabel => keine Spannung.

Das funktioniert in der Elektronik nicht. Besonders nicht bei Bauteilen 
mit Eingangswiderständen im Megaohm-bereich.

Bleiben Eingänge offen, sind das immer Antennen, die sich irgendwelche 
Spannungen irgendwoher einfangen.

Deshalb dürfen in der Elektronik nie Eingänge offen gelassen werden!

[Michael U. (amiga)]

Hallo,

Dein Verständnis ist schon richtig, entscheiden ist die Spannung 
zwischen Gate und Source. Wie Du es erreichst, daß diese 
Spannungsdifferenz eben 0V für leitend oder -5V für gesperrt ist, hängt 
von Deinem Vorhaben und der dazu passenden Schaltung ab.

Also: was willst Du erreichen?

Gruß aus Berlin
Michael

[Thomas (Gast)]

Danke für die Antworten.
@lippy: Der Eingang wird nicht offen gelassen sondern auf Masse 
geschaltet.
@amiga: Mein Gerät soll per Akku betrieben werden und über eine 
integrierte Ladeelektronik verfügen. Klappt auch soweit alles, nur soll 
das Gerät (aus Sicherheitsgründen) die Ladeelektronik zum Akku hin 
trennen, wenn das Gerät selbst arbeitet (damit der Akku nicht 
gleichzeitig ge- und entladen wird). Also Gerät an, -5V an Gate 
(Shutdown-Pin SDN in der Skizze oben), alles dicht. Wenn das Gerät aus 
ist, soll es natürlich laden können. Und hier habe ich dann mein 
Problem. Am Gate liegen 0V (Masse) an und aus der Ladeelektronik kommen 
bis zu 4,2V an Source. Ergibt dann wieder ein negatives U_GS und der MOS 
müsste (theoretisch) dicht machen, wenn ich alles richtig verstanden 
habe. Dies möchte ich allerdings verhindern. Ich kann natürlich 
"tricksen", indem ich die 4,2V von der Ladeelektronik ans Gate schicke 
(=> U_GS = 0), nur wollte ich vorher wissen, ob das überhaupt nötig ist.
Ich glaube mich zu erinnern (damals im Studium...), das nicht nur U_GS 
ausreichend negativ sein muss, sondern das es auch einen Zusammenhang 
mit U_DS hier gab, was mit dem physikalischen Aufbau zusammenhing.
Wenn mir hier jemand weiterhelfen könnte, wäre echt Klasse.

[Thomas (Gast)]

Noch ein Bild zum besseren Verständnis evtl.

[Falk B. (falk)]

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