Hallo, bei einem typischen Mosfet finde ich folgende Grenzdaten: U_GSS = +-20V U_DSS = 80V Das heisst doch, dass die Oxidschicht zw. G und S weniger Spannung aushält, als zw. G und D. Woran liegt das ? Ist die Dicke der Oxidschicht nicht konstant bzw ist die zum D hin dicker ? Oder ist aus physikalischen Gründen die Feldstärke am Oxid hauptsächlich von U_GS abhängig ? Wenn ich den Mosfet "verkehrt herum" betreibe, also D und S vertausche, gelten dann die obigen Grenzwerte immer noch, oder gilt dann (in etwa): U_GDS = +-20V U_SDS = 80V MFG Andi
@ APW (Gast) >Das heisst doch, dass die Oxidschicht zw. G und S weniger Spannung >aushält, als zw. G und D. Ja. > Woran liegt das ? Ist die Dicke der >Oxidschicht nicht konstant bzw ist die zum D hin dicker ? Drain liegt weiter weg (unten), weil die meisten MOSFET in Schichten aufgebaut sind. >Wenn ich den Mosfet "verkehrt herum" betreibe, also D und S vertausche, Das geht bei den meisten MOSFETs nicht, weil die integrierte Bodydiode dir in die Suppe spuckt. Das geht nur bei JFETs. MfG Falk
OK, ich hab die Bodydiode nicht berücksichtigt. Wenn ich jeweils den 3. Anschluss offen lasse, also U_GSO_max und U_GDO_max ermittle, auf welche Werte könnte ich da kommen? Ist hier (wenn ich bei dem oben genannten Mosfet bleibe) U_GSS_max = UGSO_max, also nach wie vor +-20V und U_GDO_max irgendwo bei 80..100 V Bei eigentlich allen Zeichnungen zum MOSFET-Aufbau, die ich gesehen habe, scheint ja D und S symmetrisch und die Oxiddicke einheitlich zu sein. Nach der Antwort von Falk ist das aber wohl nicht der Fall. MFG Andi
Ich hab gerade auf der Semikron-Seite ein PDF gefunden, das einen vertikalen Leistungs-Mosfet zeigt: http://www.semikron.com/internet/webcms/objects/applica_help/d/1_2_1.pdf (Weitere interessante PDFs zu Leistungshalbleitern findet man hier: http://www.semikron.com/internet/index.jsp?language=de&sekId=229) Wenn ich das sehe, dann wird mir einiges klarer bez. der Durchbruchspannungen (zumindest bei vert. Mosfets). Event. haben vertikale und laterale Mosfets unterschiedliche Eigenschaften bez. der max. U_GS und U_GD Durchbruchspannungen. Ich werde mich jetzt durch die Semikron-PDFs durchwühlen, vielleicht bekomme ich da den Voll-Durchblick. Erstmal Danke Andi
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