Transistor contra MOSFET

[Ingo L. (grobian)]

wann ist es sinnvoll einen MOSFET anstatt eines Bipolaren Transistors 
einzusetzen, gibt es da spezielle vorgaben?

[Torsten B. (tbrox)]

Keine Vorgaben in dem Sinne, aber es kommt ganz darauf an was du damit 
machen willst. MOSFET bspw. haben einige Vorteile wenn es um 
Schaltaufgaben geht (weniger Verlustleistung wenn durchgeschaltet, 
weniger Energie für die Ansteuerung), fallen andererseits dafür zum Teil 
bei linearen Regelungen wieder zurück.
Ansonsten die üblichen Verdächtigen nach Infos abgrasen und dann gezielt 
weiter fragen (Wiki, goggel, und so =) )

Was hast du denn genau vor?

[Ingo L. (grobian)]

das Interesse ist nur von persönlicher Natur.
Geschaltete werden soll das übliche Gedöhns...Lampen, Relais
Also hauptsächlich ist der Betrieb als Schalter für mich relevant

[Andrew T. (marsufant)]

Ingo Laabs wrote:
> das Interesse ist nur von persönlicher Natur.
> Geschaltete werden soll das übliche Gedöhns...Lampen, Relais
> Also hauptsächlich ist der Betrieb als Schalter für mich relevant


Dann wäre die äußerst geringe Steuerleistung der Mosfets gegenüber 
Bipolar evtl. ein relevanter Vorteil für Dich.
Bei niedrigen Spannungen für Deine LAmpen, Motoren: der bei passender 
Auswahl geringere Spannungsabfall am Mosfet.


Aber wie von Thorsten gesagt, das müßte man im Detail entscheiden was 
für/gegen das eine oder das andere spricht.


hth,
Andrew

[Jörg W. (dl8dtl) (Moderator)]

Ingo Laabs wrote:

> Geschaltete werden soll das übliche Gedöhns...Lampen, Relais
> Also hauptsächlich ist der Betrieb als Schalter für mich relevant

Vorteil der FETs, weshalb sie in letzter Zeit in diesem Bereich
massiv Einzug gehalten haben: im durchgeschalteten Zustand wirkt der
Kanal beinahe wie ein ohmscher Widerstand, und die erreichbaren
Einschaltwiderstände liegen mittlerweile bei großen FETs im Bereich
weniger Milliohm.  Damit kann man also locker einige 10 A schalten,
und dabei den Spannungsabfall immer noch weit unter 1 V halten (was
auch entsprechend geringe Verlustleistung im durchgesteuerten Zustand
bedeutet).  Bei einem Bipolartransistor kommt man kaum unter 0,3 V,
in der Regel nichtmal unter 0,5 V.

Noch ein Vorteil: man kann FETs im Schalterbetrieb problemlos parallel
schalten, sofern sie thermisch gut gekoppelt sind (auf gleiches
Kühlblech geschraubt).  Die Stromaufteilung regelt sich dabei selbst
und gleicht die Parameter-Unsymmetrien aus (wird ein MOSFET wärmer
als die anderen, dann steigt sein Kanalwiderstand, sodass er in der
Folge weniger Strom aus der Aufteilung erhält).

Nachteil der FETs ist, dass sie eine vergleichsweise hohe Steuer-
spannung benötigen, während Bipolartransistoren auch bei Spannungen
um 1 V noch gut durchsteuerbar sind.

FETs werden spannungsgesteuert und verbrauchen damit statisch keine
Steuerleistung.  Allerdings haben gerade FETs mit kleinem Rdson sehr
große Eingangskapazitäten, sodass man bei Frequenzen ab ca. 100 kHz
dennoch nennenswerte Ansteuerleistung benötigt.

p.s.: "Transistor contra MOSFET" passt nicht: ein FET ist ein
Transistor (eben ein Feldeffekttransistor).  Korrekt wäre
"Bipolar-Transistor contra MOSFET", oder englisch "BJT vs. MOSFET".
(BJT - bijuntion transistor).

[Ingo L. (grobian)]

@jörg
p.s.: "Transistor contra MOSFET" passt nicht: ein FET ist ein
Transistor (eben ein Feldeffekttransistor).  Korrekt wäre
"Bipolar-Transistor contra MOSFET", oder englisch "BJT vs. MOSFET".
(BJT - bijuntion transistor

Danke für den Tipp, werde deinen Ratschlag beim nächsten male befolgen.
Bin dann aber doch im Posting genau auf den Bipolar-Transistor 
eingegangen und meine Frage wurde wie immer hier (lob an alle) 
beantwortet, und jeder wusste was ich meinte :-)
Danke