Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik IAR for AVR: "Page Buffer" bei FLASH-Schreibvorgang (_SPM_FILLTEMP)


von Alexander I. (daedalus)


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Hallo,

ich schreibe gerade einen Minitreiber in C, der den Schreib- und 
Lesezugriff auf den FLASH-Speicher eines Attiny84 ermöglicht. Das 
funktioniert auch schon prima für die einzelnen Pages. Jetzt möchte ich 
aber umstellen auf eine "Read-Modify-Write"-Variante, damit ich z.B. nur 
Byte 24 bis 32 in einer 64 Byte großen Page ändern kann und das 
möglichst ohne die zu verändernde Page im SRAM zwischenzuspeichern.

Im Attiny-Datasheet wird diese R-M-W-Variante in Kapitel 20 auch erwähnt 
und immer von einem "Temporary Page Buffer" gesprochen. Jetzt die Frage: 
Was ist das eigentlich für ein Puffer? Ein Stück vom SRAM? Oder ist das 
separater speziell für diesen Zweck hergerichteter Speicher?

In der AVR AN-106 wird im Beispielcode das "_SPM_FILLTEMP"-Intrinsic vom 
IAR verwendet und in einer Funktion "LpmReplaceSpm()" auch ein Byte in 
einer Page verändert und anschließend zurückgeschrieben. Mir ist jedoch 
nicht klar, ob hierfür 64 Byte RAM verbraucht werden, oder ob das 
Intrinsic einen anderen Speicher (eben diesen geheimnisvolle Page 
Buffer) verwendet?

Ich hoffe ihr könnt mir helfen.

von Alexander I. (daedalus)


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schieb

Weiß darauf keiner eine Antwort? Dürfte ja nicht der einzige Atmel sein, 
wo das so gemacht wird ...

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