Emitterschaltung

[Marcus M. (marcus67)]

Hallo,
ich habe eine einfache Emitterschaltung (Emitter auf GND), die über 
einen 100R Vorwiderstand am Kollektor eine IR LED schaltet. Die Basis 
hängt über einen Vorwiderstand (1K) am Pin eines Atmega64.

Im Prinzip funktioniert das Ganze - aber ...

Das Problem ist folgendes: Der Transistor schaltet sauber und schnell 
durch. Beim Abschalten hingegen (hierbei wird die Basis über den 
Vorwiderstand aktiv auf 0V gezogen) habe ich eine Verzögerung von ca. 
3µs bis der Transistor wieder sperrt. Dieses Verhalten läßt sich auch 
direkt an der Basis des Transistors (BCW68H) nachvollziehen. Der 
Schaltimpuls ist nach dem Basisvorwiderstand entsprechend länger als 
davor.

Liegt das daran, daß der Transistor in die Sättigung gezogen wird und 
die Last relativ klein ist ? Mit den Details (Basiswiderstand etc.) habe 
ich schon reichlich experimentiert, das hat aber praktisch keinerlei 
Einfluß.

Hat jemand von Euch eine Idee woran es liegt und was man machen kann ?

Gruß, Marcus

[Helmut L. (helmi1)]

>Liegt das daran, daß der Transistor in die Sättigung gezogen wird

Ja

Schalte mal eine Schottkydiode zwischen Basis und Kollektor.
Anode an Basis Kathode an Kollektor.

Die sorgt dafür das der Transistor nicht in die Sättigung geht.
Achtung es muss eine Schottkydiode sein. Flussspannung < 0.4V

Gruss Helmi

[Marcus M. (marcus67)]

Danke, das werde ich morgen mal probieren.

Habe ich Nachteile dadurch, daß der Transistor dann nicht in die 
Sättigung geht (wenn ich größere Ströme schalten will) ?

Gruß, Marcus

[Helmut L. (helmi1)]

Da der Transistor nicht in die Sättigung geht hat er ein bisschen mehr 
Verluste.

[Marcus M. (marcus67)]

Hilft es evtl. auch, wenn ich die Basis des Transistors (NPN) über einen 
2. Portpin ohne Vorwiderstand aktiv auf GND ziehe ?

Gruß, Marcus

[Martin (Gast)]

nimm einen bs170, dann hast du keine probleme mehr.