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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Transistor + Kühlung für elektronische Last (ca. 80.150 Watt)


Autor: Mr.Bean (Gast)
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Hallo zusammen,

ich habe mir in den letzten Wochen eine elektronische Last aufgebaut. 
Sie besteht in der jetzigen Version in ihrem Herzstück aus zwei MOSFETs 
(TO220), die die Leistung verbraten und mit Kühlkörper 
(Wärmewiderstand:2.7°C/W) + Lüfter gekühlt werden. Das Ganze 
funktioniert bis etwa 30W je Transistor (2A bei 15V) so wie es soll, im 
Dauertest also insofern, dass die KK natürlich schon gut warm werden, 
die Transistoren aber unbeschadet bleiben. Ab etwa 40W Verlsutleistung 
reichen die KK nicht mehr hin und die Transistoren (bzw zunächst erstmal 
einer) brennen durch. Was blöd ist, da ich auch für diesen 
Betriebsbereich einige Anwendungsfälle hätte.

Bisher habe ich das Ganze ohne Gehäuse aufgebaut, habe aber Transistoren 
wie den BUK 416-100AE (zB CONRAD-Artikelnr.: 157970-62) gesehen, der 
erstmal unabhängig vom horrenden Preis SCHEINBAR u.a. für eine Montage 
direkt darauf vorgesehen ist (?). Überhaupt ist man ja durch den 
Schraubanschluss relativ frei in der Positionierung, also vllt auch ganz 
"extern" auf einem riesigen KK, etc...

Meine Frage: Welche Transistorbauform und welche Kühllösung (evtl. auch 
Flüssigkeitskühlung?) benötige ich, um sicher 80...150 Watt abführen zu 
können? Das Ganze soll EHER nicht auf eine allzu "provisorische" 
Bastellösung aus lauter eigentlich zweckentfremdeten Gegenständen 
hinauslaufen ;) Mir sind die theoretischen Hintergründe bzgl 
Wärmewiderstand, KK-Dimensionierung durchaus bekannt, ich fürchte nur, 
dass ich mangels praktischer Erfahrung gedanklich zu sehr auf die 
Kombination "Transistor TO220"-"KK"-"Lüfter" eingeschränkt bin ;) Und 
Kombinationen aus verschiedensten Gehäuseformen, Montagearten etc. gibt 
es ja zahlreich...

BTW würde ich gerne auch einen Temperatursensor mit einbauen, ich hatte 
da an etwas wie den AD22100 gedacht, TO92-Gehäuse... Wie/wo 
"installiere" ich den am besten? Kontakt direkt zum Transistor, direkt 
am KK (aber NAHE am Transistor), ...?

Vielen Dank also schonmal!

Mr.Bean

Autor: Daniel B. (inox5) Benutzerseite
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Vielleicht kannst du auch durch bessere MOSFET-Treiber die 
Verlustleistung senken.

Autor: oszi40 (Gast)
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2 x TO220 ist ziemlich wenig, lieber ein paar mehr Transistoren mit 
möglicht gleicher Stromverstärkung auf dem großen KK verteilen und 
Widerstände zur Stromverteilung nicht vergessen. Wer größeren KK wählt 
muß evtl. weniger Lüfter-Krach ertragen.

Autor: Falk Brunner (falk)
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@Mr.Bean (Gast)

>Meine Frage: Welche Transistorbauform und welche Kühllösung (evtl. auch
>Flüssigkeitskühlung?) benötige ich, um sicher 80...150 Watt abführen zu

Nimm wie empfohlen 6 statt nur 2 MOSFETs. Macht dann ~30W pro MOSFET, 
das ist OK.
Nimm einem GROSSEN Kühlköpfer, es gibt da diese Profile wo man aussen 
die Transistoren dranschraubt und jeweils zwei zusammen eine Röhre mit 
innenliegenden Kühllamellen ergibt. Davor ein 120mm Lüfter und gut.
Wärmeleitpaste keineswegs vergessen.
Auch MOSFETS brauchen im Linearbetrieb Symetrierungswiderstände im der 
Sourceleitung. So um die 0,2 Ohm, 1W Keramik.

>da an etwas wie den AD22100 gedacht, TO92-Gehäuse... Wie/wo

Su dir einen im TO220 gehäuse, den kannst du einfach anschrauben.

>"installiere" ich den am besten? Kontakt direkt zum Transistor, direkt
>am KK (aber NAHE am Transistor), ...?

Am KK.

MfG
Falk

Autor: Ich (Gast)
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>Vielleicht kannst du auch durch bessere MOSFET-Treiber die
>Verlustleistung senken.

Etwas sinnfrei. P=U*I was soll ein anderer Treiber da ändern?

Mehrere Transistoren verwenden, lieber 2 mehr als einen zu wenig. 
Jeweils 0,56 Ohm - 0,75 Ohm Sourcewiderstände zur Symmetrierung vorsehen 
(Zu niederohmig bringt auch Probleme).
Falls Du die bis jetzt noch nicht hattest, ist das Durchbrennen eines 
Transistors bei höherer Last kein Wunder.

Veranschlage mal so 25 Watt pro Transistor um auf der sicheren Seite zu 
sein.

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Ich würde TO247 Mosfets verwenden: Die sind viel besser als TO220 was 
den Wärmewiderstand betrifft.
Mit einem einzelnen Mosfet in TO247 sind bei gutem Kühlkörper >100W kein 
Problem.

Autor: Ich (Gast)
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>Mit einem einzelnen Mosfet in TO247 sind bei gutem Kühlkörper >100W kein
>Problem.

Mutig mutig.  :)

Als betriebssicher würde ich das aber nicht durchgehen lassen.

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Ich schrieb:
> Als betriebssicher würde ich das aber nicht durchgehen lassen.

Wieso?
Gute Mosfets in TO245 haben 0,7K/W (Sperrschicht->Kühlkörper) und sind 
bis 175°C spezifiziert.

Selbst wenn man von 50°C Umgebungstemperatur und max 150°C 
Sperrschichttemperatur ausgeht, dann reicht ein Kühlkörper mit 0,3K/W. 
Etwa in dem Bereich (bzw. sogar besser) liegen heutige CPU Kühlkörper.

Mit guten Kühlkörpern geht sogar noch mehr:
http://dareal.info/test/

Autor: Mr.Bean (Gast)
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Okay...

>Nimm einem GROSSEN Kühlköpfer, es gibt da diese Profile wo man aussen
>die Transistoren dranschraubt und jeweils zwei zusammen eine Röhre mit
>innenliegenden Kühllamellen ergibt. Davor ein 120mm Lüfter und gut.

Hab jetzt ganz schnell mal bei fischerelektronik durchgeblättert (das 
wäre der MIR bekannteste KK-Hersteller..) und so etwas speziell nicht 
gesehen, egal erstmal, ich weiß was du meinst. Daran wird es nicht 
scheitern. Wovon ich jetzt noch keine Vorstellung habe: Insbesondere 
unter Verwendung von sechs Tranistoren wird das ganze ja schon ne 
größere Geschichte. Inwiefern montiere ich das ganze dann überhaupt noch 
an meiner Steuerplatine? Oder KK + Transistoren (zB auf einzelne 
Platinen gelötet) per Zuleitung mit der Steuerplatine verbinden?

>Auch MOSFETS brauchen im Linearbetrieb Symetrierungswiderstände im der
>Sourceleitung. So um die 0,2 Ohm, 1W Keramik.

Hatte hier bisher (auch zur Bestimmung des Stroms als Spannungsabfall 
darüber) folgenden Widerstand: 
http://de.farnell.com/vishay-dale/wsr-5-2-1-ea-e2/... 
in der Sourceleitung, ist das so okay?

>Etwa in dem Bereich (bzw. sogar besser) liegen heutige CPU Kühlkörper.

Das ist dann ehrlich gesagt glaube ich doch das, was ich mit:
>Das Ganze soll EHER nicht auf eine allzu "provisorische"
>Bastellösung aus lauter eigentlich zweckentfremdeten Gegenständen
>hinauslaufen ;)
meinte, trotzdem werde ich mir auch die TO247-Transistoren mal näher 
ansehen, für die gilt ja ansonsten in etwa das gleiche..

vG Mr.Bean

Autor: Ich (Gast)
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@ Benedikt K. (benedikt)

Ich sage ja nicht, daß es unmöglich ist. Man sollte nur aus Gründen der 
Betriebssicherheit die möglichen Werte nicht bis zum äußersten 
ausnutzen.

Autor: einer (Gast)
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Wegen der KK mal bei ELV schauen, die verbauen die.

Autor: Dieter Werner (dds5)
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Guck mal bei Reichelt unter Lüfteraggregate, das sind diese innen 
verrippten Rechteckrohre mit angeflanschtem Lüfter.

Die Preise sind allerdings ganz schön happig.

Autor: Falk Brunner (falk)
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@  Mr.Bean (Gast)

>unter Verwendung von sechs Tranistoren wird das ganze ja schon ne
>größere Geschichte.

180W sind auch kein Pappenstil.

> Inwiefern montiere ich das ganze dann überhaupt noch
>an meiner Steuerplatine?

Gar nicht.

> Oder KK + Transistoren (zB auf einzelne
>Platinen gelötet) per Zuleitung mit der Steuerplatine verbinden?

Genau so.

>http://de.farnell.com/vishay-dale/wsr-5-2-1-ea-e2/...

Spielzeug. Nimm richtige, bedrahtete Hochlastwiderstände. Und da es 
MOSFETS sind, die teilweise recht hohe Streuungen in der Kennline haben 
vielleicht doch eher Richtung 0,5 Ohm/5W.

MfG
Falk

Autor: Philipp Kälin (philippk) Benutzerseite
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Erstmal zum Kühlkörper: Ich würde ein CPU Kühler verwenden, die sind 
günstig zu bekommen und 100W bringen die locker weg.

Bei den Transistoren/MOSFET würd ich wie Benedikt gesagt hat das 
grössere TO247 Gehäuse nehmen. Wenn du bei Transistoren 
Emmiterwiderstände einbaust kannst du die übrigens ohne Problem parallel 
Schalten.

Schau dir doch mal mein Projekt an, ich verheize da auch etwa 100 - 150W 
bei einer Kühlkörpertemperatur von etwa 60°C

Akku Tester

Autor: Michael (Gast)
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>>Vielleicht kannst du auch durch bessere MOSFET-Treiber die
>>Verlustleistung senken.
>
>Etwas sinnfrei. P=U*I was soll ein anderer Treiber da ändern?

Na die "Verlustleistung" senken...man könnte auch so verwegen sein, zu 
sagen dass Daniel B. es nicht verstanden hat, dass es eben genau darum 
geht Leistung zu verpulvern aber was solls ;)

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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Hallo Leute,

mal ganz unter uns: ich lese hier immer wieder von Widerständen in den 
Sourceableitern, von wegen Ausgleichströmen u.dergl. Das mag bei 2N3055 
als Emitterwiderstand seine Berechtigung haben, aber bei Leistungsfets 
ist das völlig überflüssig. Bei Parallelschaltung von x...Fets regeln 
die Chiptemperaturen den Rsdon jedes Fets und Exemplarsteuungen gleichen 
sich automatisch aus.(sollte sich eigentlich schon rungesprochen haben). 
Allerdings muss zur Messwerterfassung natürlich ein gemeinsamer Shunt in 
die parallel geschalteten Sourceableiter eingefügt werden.

Der Kollege der gerne die mögliche Verlustleistung eines Fets nach dem 
Datenblatt beurteilt, sollte Bedenken, dass die Ptot-Leistung (z.B 150W) 
sich immer auf eine definierte Chiptemp.(bspw.25°) bezieht, und nicht 
wie er meint auf 150°, da kann der z.B. nur noch 30W "verbraten". Auch 
bei 60° liegt Ptot in weiter Ferne. Kühlung ist der Bringer.

Zur Dimensionierung ist schon einiges gesagt worden. Bei 150W 
"Bratleistung", besser 250w kalkulieren u.dementsprechent die gesamte 
Schaltung auslegen. Lüfter können auch mal ausfallen, also ist 
KK-Temperaturmessung mit niedrig angesetzter Stromabschaltung zwingend 
angebracht.
Welche Bauform 247 o. 220 nun besser ist zwar klar, aber das kann man 
mit der "Menge" wieder ausgleichen.

Meine Senke arbeitet seit 20 Jahren mit 20 BUZ12 störungsfrei, kann 
locker 2 KW verbraten.

Grüsse Peter

Autor: MaWin (Gast)
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Es ist NICHT überflüssig.
Im sättigenden Digitalbetrieb (PWM) ist es überflüssig, aber im 
Analogbetrieb liegen die Durchlasskurven (welcher Strom bei welcher 
Gatespannung fliesst) viel zu weit auseinander (Exemplarsteuungen) um 
den Strom (und damit die Verlustleistung) auch nur halbwegs gleich auf 
die MOSFETs aufzuteilen.
Leider müssen die Source-Widerstände einen viel höheren Widerstandswert 
(und Spannungsabfall) haben als bei Bipolartransistoren, weil die 
Gate-Threshold-Spannungen bei MOSFETs so viel höher sind.
Daher ist eine aktive Stromregelung per OpAmp pro Transistor durchaus in 
Erwägung zu ziehen, siehe
http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.22
> Kann man MOSFETs zur Leistungssteigerung parallelschalten ?

Autor: Ich (Gast)
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>aber bei Leistungsfets ist das völlig überflüssig. Bei Parallelschaltung >von 
x...Fets regeln die Chiptemperaturen den Rsdon jedes Fets und >Exemplarsteuungen 
gleichen sich automatisch aus.(sollte sich eigentlich >schon rungesprochen haben).


Das denken einige, dem ist aber nicht ganz so. Das wurde in einem 
anderen Beitrag schon mal diskutiert mit dem Ergebnis, es lieber doch zu 
machen.

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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Ich schrieb:
>>aber bei Leistungsfets ist das völlig überflüssig. Bei Parallelschaltung >von
> x...Fets regeln die Chiptemperaturen den Rsdon jedes Fets und >Exemplarsteuungen
> gleichen sich automatisch aus.(sollte sich eigentlich >schon rungesprochen 
haben).
>
>
> Das denken einige, dem ist aber nicht ganz so. Das wurde in einem
> anderen Beitrag schon mal diskutiert mit dem Ergebnis, es lieber doch zu
> machen.

Dann frage ich Dich u. andere Befürworter dieser Theorie, wieso meine 
2KW-Senke schon seit über 20 Jahren ausfallfrei arbeitet u. zwar bei 
Strömen bis 100A.

Schau Dir mal aktuelle Literatur hierzu an, das wird genau so erklärt.
Oder gehörst Du zu den Leuten, die immer auf die vermeintlich besser 
informierten "Spezialisten" hören.
Nochmal zur Klarstellung, weil hier eben speziell die allgemeine 
Analogtechnik angesprochen wurde.
Meine Ausführungen zur Parallelschaltung von Leistungsfets beziehen sich 
ausschliesslich auf elektronische Lasten/Stromsenken u.Netzteile.

Grüsse Peter


Und zu Marvin, wie bitte willst Du mir denn "verkaufen", dass durch das 
Einsetzen von Sourcewiderständen (z.B.0,5Ohm)irgendeine andere 
Stromverteilung unter den Fets, als ohne Shunts stattfindet?

Nochmal Grüsse

Autor: Kevin K. (nemon) Benutzerseite
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@peter: wenn ein fet wärmer wird, als der andere, leitet er besser => 
der stromanteil über ihn steigt und damit die verlustleistung => er wird 
wärmer => ein teufelskreis (naja, muss nicht in einer 100/0-verteilung 
enden, aber ich ahbe schonmal eine verteilung von 75/25 gemessen bei 2 
parallelen n-mosfets. es reichen aber schon recht geringe widerstände, 
da über denen die spannung größer wird, je mehr strom fließt und damit 
die gate/source-spannung am jeweiligen mosfet sinkt. damit können 
abweichungen in den bereich wenige % gedrückt werden.

zum thermischen: klemm 2 mosfets im to247-package auf je einen einfachen 
cpu-kühler. mit 2 irfp350 sind 150w ganz locker machbar.

Autor: oszi40 (Gast)
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@ Peter: Es freut mich, wenn "Deine Heizung" auch mit 2kW funktioniert.

Interessant wäre:
ob es ausgesuchte MOSFETS waren,
ob einzelne Exemplare viel heißer werden
welchen Widerstand die Anschlussleitungen in der Rechnung haben.

Autor: Mr.Bean (Gast)
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Hallo!

Vielen Dank schonmal für eure Antworten!

>Guck mal bei Reichelt unter Lüfteraggregate, das sind diese innen
>verrippten Rechteckrohre mit angeflanschtem Lüfter.
>
>Die Preise sind allerdings ganz schön happig.

Zu dieser Art der Kühlung würde ich ja in der Tat eigentlich eher 
tendieren, aber wiegesagt: Die Preise... Da bewege ich mich ja, wenns 
denn später auch noch ein vernünftiges Gehäuse sein sollte langsam in 
Bereichen, wo man sich eine elektronische Last ~200W fast schon fertig 
kaufen kann... Daher auch mal in  Betracht gezogen:

>erstmal zum Kühlkörper: Ich würde ein CPU Kühler verwenden, die sind
>günstig zu bekommen und 100W bringen die locker weg.

Schafft das denn "jeder" x-beliebige CPU-Kühler? Angaben zur maximal 
abzuführenden Leistung findet man hier ja sogut wie nie.. Auf was wäre 
also bei der Auswahl zu achten?

>Daher ist eine aktive Stromregelung per OpAmp pro Transistor durchaus in
>Erwägung zu ziehen

Wenn das Ganze per OPAMP  tatsächlich ginge, wäre das ja mit relativ 
geringem Aufwand umzusetzen.. In meiner ersten Version hatte ich das so 
vor, habe aber vllt die falschen OPs gewählt (zu langsam, ...) oder oder 
oder... jedenfalls wurde mein Stromverlauf durch die Transistoren durch 
eine seltsame periodische Schwingung dargestellt (statt eines konstanten 
Wertes). Meine zweite Version bedient sich daher einer Regelung durch 
µC: µC gibt DA-gewandelt die Gatespannung vor und erhält als Rückführung 
AD-gewandelt den Spannungsabfall über dem Referenzwiderstand. Das wäre - 
davon ab dass es mir ohznehin nicht allzu elegant erscheint - für 6 
Transistoren natürlich schon ein nicht unerheblicher Aufwand.

Ohne hier also zu weit von der eigentlichen Frage abdriften zu wollen: 
Die Regelung über OPs böte sich hier ja wieder eindeutig an, oder? Wo 
liegen denn hier gern gemachte Fehler? Ans sich ist so ein Regelkreis ja 
keine große Sache, habe Rail-to-Rail-OPs verwendet, kann allein in der 
Auswahl trotzdem noch ein so hohes Fehlerpotential liegen? (Kleine 
Bemerkung am Rande: Dummerweise hatte ich damals für 2 Transistoren EINE 
Regelung vorgesehen, sodass sich die Ströme NICHT gleichmäßig auf beide 
Zweige aufteilten, aber zu derartiger Unstabilität der Ströme kann das 
doch eigentlich eher nicht führen, oder?)

So, erstmal wieder genug Fragen gestellt ;)

Mr.Bean

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Mr.Bean schrieb:

> Schafft das denn "jeder" x-beliebige CPU-Kühler? Angaben zur maximal
> abzuführenden Leistung findet man hier ja sogut wie nie.. Auf was wäre
> also bei der Auswahl zu achten?

Alle CPU Kühler für aktuelle CPUs sollten das schaffen. Schau z.B. mal 
bei Pollin, da gibt es viel Kühlkörper für wenig Geld.
Was ich z.B. empfehlen kann ist der hier: 320 257
Mit dem schaffe ich mit einem Mosfet >100W weg.
Er ist aber nicht der leiseste...
Worauf man achten sollte: Dass die Metallplatte vom Kühlkörper dick ist: 
Nur dann ist garantiert, dass sich die Wärme auch gleichmäßig über den 
Kühlkörper verteilt.

Autor: GB (Gast)
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@Kevin K.

> @peter: wenn ein fet wärmer wird, als der andere, leitet er besser =>
> der stromanteil über ihn steigt und damit die verlustleistung => er wird
> wärmer => ein teufelskreis

Das ist schlicht falsch. Der Kanalwiderstand eines MOSFETS steigt mit 
der Sperrschichttemperatur => mehr Strom durch den kälteren MOSFET => 
dessen Kanalwiderstand steigt durch die höhere Verlustleistung, die des 
anderen sinkt durch die verringerte Verlustleistung => irgendwann stellt 
sich ein eingeschwungener Zustand ein.

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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GB schrieb:
> Das ist schlicht falsch. Der Kanalwiderstand eines MOSFETS steigt mit
> der Sperrschichttemperatur => mehr Strom durch den kälteren MOSFET =>
> dessen Kanalwiderstand steigt durch die höhere Verlustleistung, die des
> anderen sinkt durch die verringerte Verlustleistung => irgendwann stellt
> sich ein eingeschwungener Zustand ein.

Nur ist der Kanalwiderstand im Linearbetrieb komplett uninteressant. 
Das einzige was den Strom bestimmt ist die Gate-Source 
Spannungskennlinie und die hat einen negativen Temperaturverlauf: Wärmer 
-> niedrigere GS-Schwellspannung -> Mehr Strom.

Siehe hier:
http://sound.westhost.com/articles/hexfet.htm#51

Autor: M. Köhler (sylaina)
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>Das einzige was den Strom bestimmt ist die Gate-Source

Naja, der Kanalwiderstand spielt da immer noch mit aber ist schon 
richtig, die Gate-Source-Spannung spielt die gewichtigere Rolle im 
Linearbetrieb als der Kanalwiderstand

Autor: oszi40 (Gast)
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1.Was für den einen Typ richtig ist, kann für einen anderen Kfz-Typ mit 
interner Schutzschaltung schon wieder anders sein.

http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3...

2.Ob zusätzliche Operationsverstärker zur Temperaturüberwachung die 
Schaltung besser machen, habe ich Zweifel, besonders bei schnellen 
Laständerungen. Bis die Überlast abgeschaltet wurde (wo?) kann schon 
viel Elektronik gestorben sein.

Autor: MaWin (Gast)
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> Und zu Marvin, wie bitte willst Du mir denn "verkaufen"

Warum sollte ich dir was verkaufen? Du hast doch schon. Ich
gebe dir ganz kostenlos die Chance zu lernen, damit deine
Schaltung nicht nur aus Zufall bei dir funktioniert, sondern
solide designt immer funktioniert.

> Einsetzen von Sourcewiderständen (z.B.0,5Ohm)irgendeine andere
> Stromverteilung unter den Fets, als ohne Shunts stattfindet?

Weil in der verlinkten Schaltung die FETs per je einem OpAmp
ganz definiert alle auf denselben Strom geregelt werden, egal
wie weit deren Uth Spannung voneinander abweicht, ohne daß
man gleich Ohm-Werte (mit entsprechendem Spanungsabfall und
Verlusten) bräuchte.

Autor: Helmut Lenzen (helmi1)
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>Die Regelung über OPs böte sich hier ja wieder eindeutig an, oder? Wo
>liegen denn hier gern gemachte Fehler?

Mit dem MOSFET hast du zusaetzliche Verstaerkung ins System gebracht. 
Dein OP ist aber dafuer nicht Frequenzkompensiert. Bei deiner Schaltung 
wird dann aus deiner Gegenkopplung eine Mitkopplung und das ganze System 
schwingt.
Du must in deiner Stromquellenschaltung eine zusaetzliche 
Frequenzkompensation einbauen damit die Verstaerkung kleiner 1 wird wenn 
die gesammt Phasendrehung 0 wird. Ein Kondensator an einer gewissen 
Stelle hilft dir dabei.

Gruss Helmi

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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Hallo Benedikt,

you wrote: Nur ist der Kanalwiderstand im Linearbetrieb komplett 
uninteressant.
Das einzige was den Strom bestimmt ist die Gate-Source
Spannungskennlinie und die hat einen negativen Temperaturverlauf: Wärmer
-> niedrigere GS-Schwellspannung -> Mehr Strom.

Prinzipiell muss ich Dir zustimmen, doch nur für den Fall, - dass man 
sich für den normalen Betrieb schon in die Nähe der Grenzdaten der Fets 
begibt.
Natürlich kann man mit 4 BUZ 11, Sourceshunt’s, einzeln angesteuert u. 
geregelt, entsprechender KK usw. 200W verbraten. Doch welcher Aufwand ?!

Zumal Mr. Bean noch kein Wort darüber verloren hat,  welchen 
Spannungs/Strombereich er mit seiner Senke abdecken will. (5Vx40A=200W 
o. 40Vx5A=200W oder irgendwas dazwischen? Ist doch wichtig zu wissen, 
von wegen der Stromverteilung.
Soll heissen: will ich hohen Strom (40A) kann es schon ungemütlich (für 
BUZ12) werden, wenn die Lastströme sich ungleichmässig verteilen u. dann 
noch (wegen fehlender Einzelregelung) aufschaukeln. Bei 40V/5A , bleiben 
nur 1,25A/Fet, da sind wir auf der sicheren Seite, da schaukelt sich 
garnix hoch..

Letztlich ist es also eine Frage des Aufwandes den man betreiben möchte, 
sowie auch der Kosten.
Verzichte ich auf Einzelregelung u. Shunts, muss ich durch die Menge der 
Fets für einen sicheren Arbeitsbereich sorgen. Mach ich’s umgekehrt, 
wird’s in jedem Fall komplexer, - ob der Auf wand sich lohnt muss der 
Nutzer entscheiden.

Oszi40 wrote:
Interessant wäre:
ob es ausgesuchte MOSFETS waren,
ob einzelne Exemplare viel heißer werden
welchen Widerstand die Anschlussleitungen in der Rechnung haben.

Nein habe damals 40 BUZ12 bestellt (waren im Angebot), habe auch nicht 
selbst selektiert. Habe ich noch nie gemessen, dazu bestand kein 
Anlass,- die acht 120mm Lüfter laufen ab35° KK-Temp.an. Sind so geregelt 
dass auch bei 2KW-Dauerlast, nur 40° KK-Temp. max. anliegen. Die Drain 
u.Source-Ableiter sind über 10mm² Flachkupfer verbunden, wurde nur für 
100A-Dauerlast ausgelegt.   Messshunt 1mOhm/20W- (4-Leitermessung)

Grüsse Peter

P.S: Mr.Bean, teile uns doch mal den Strom/Spannungsbereich Deiner 
geplanten Senke mit.

Autor: Andrew Taylor (marsufant)
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Peter Koller schrieb:
> Ich schrieb:
>>>aber bei Leistungsfets ist das völlig überflüssig. Bei Parallelschaltung >von
>> x...Fets regeln die Chiptemperaturen den Rsdon jedes Fets und 
>Exemplarsteuungen
>> gleichen sich automatisch aus.(sollte sich eigentlich >schon rungesprochen
> haben).
>>
>>
>> Das denken einige, dem ist aber nicht ganz so. Das wurde in einem
>> anderen Beitrag schon mal diskutiert mit dem Ergebnis, es lieber doch zu
>> machen.
>
> Dann frage ich Dich u. andere Befürworter dieser Theorie, wieso meine
> 2KW-Senke schon seit über 20 Jahren ausfallfrei arbeitet u. zwar bei
> Strömen bis 100A.
>

Dem kann ich nur zustimmen. Funktioniert bei mir genauso einwandfrei im 
Lenearbetrieb OHNE Sourcewiderstände. Seit mehr als 15 Jahren.

Für die Anwendung "Parallelschaltung von Leistungsfets ;
 ausschliesslich auf elektronische Lasten/Stromsenken u.Netzteile", also 
nix Schalt- sondern Linearbetrieb: Sourcewiderstände braucht man da 
definitv nicht.


Danke für die Bestätigung durch Deine Versuche, Peter.

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Andrew Taylor schrieb:

> Dem kann ich nur zustimmen. Funktioniert bei mir genauso einwandfrei im
> Lenearbetrieb OHNE Sourcewiderstände. Seit mehr als 15 Jahren.

Nur weil es bei dir geht, bedeutet das noch lange nicht, dass es immer 
so ist.

> Für die Anwendung "Parallelschaltung von Leistungsfets ;
>  ausschliesslich auf elektronische Lasten/Stromsenken u.Netzteile", also
> nix Schalt- sondern Linearbetrieb: Sourcewiderstände braucht man da
> definitv nicht.

Wenn man sich sehr weit von den Grenzwerten entfällt hält, dann kann es 
auch so funktionieren, aber ordentlich ist diese Lösung trotzdem nicht.

Autor: whitespace (Gast)
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Ich hatte vor einiger Zeit ein ähnliches Problem (Linearbetrieb von 
MOSFETs als Linearregler) und habe dazu einiges nachgeforscht.
Ich habe das Projekt aber nicht fertiggestellt, sodass ich hier nur die 
Resultate meiner Recherchen erläutern kann:

Die Parallelschaltung von MOSFETs im Linearbetrieb kann gut gehen, oder 
auch nicht. Es scheint dabei stark vom verwendeten Typ abzuhängen und ob 
man zufällig MOSFETs der selben Charge etc. erwischt.

IRF z.B.
(http://irf.custhelp.com/cgi-bin/irf.cfg/php/enduse...)

schreibt in den FAQs, dass es generell besser geht, je höher der RDson 
ist.
(Ich weiß dass der nicht viel mit dem Linearbetrieb zu tun hat, aber er 
scheint ein Maß für die Technologie zu sein.)
Tendenziell wird es schlechter, je "moderner" die MOSFETs sind.

Andere Hersteller gehen sogar so weit, dass sie im Linearbetrieb nicht 
einmal die Stromaufteilung auf dem Chip selbst garantieren wollen, d.h. 
es kann unter Umständen zu einem thermal runaway auf dem Die selbst 
kommen, ähnlich dem second breakdown bei Bipolartransistoren.

IXYS fertig aus diesem Grund MOSFETs, die für den Linearbetrieb 
spezifiziert sind und auf dem Die bei jeder MOSFET Zelle einen 
integrierten Balancierungswiderstand haben.
Aus diesem Grund ist die maximale Verlustleistung im Linearbetrieb oft 
kleiner als im Schalterbetrieb, in den Datenblätten ist aber fast immer 
nur die für den Schaltbetrieb spezifiziert, sodass man hier in der Luft 
hängt.

(http://powerelectronics.com/power_semiconductors/p...)

Kurzum, ich bin zum Schluss gekommen, dass man die Frage ganz allgemein 
nicht so einfach beantworten kann. Eventuell sollte man vorsichtig sein, 
was man tut.

Soweit mein Wissen zu dem Thema.

   mfg Whitespace

Autor: Mr.Bean (Gast)
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Um mich selber zwischendurch mal kurz zu konkretisieren: Meine 
Vorstellung von der Last ist, dass sie alle möglichen Betriebsbereiche 
zwischen CIRCA 5V/500mA und 15V/10A sicher abdecken können sollte...

Ansonsten nehme ich momentan glaube ich lieber eher LESEND an eurem 
disput teil ;)

Ich versuche zwar, mir parallel dazu das eine oder andere zumindest 
teilweise anzulesen, aber ich vertraue da viel euren Erfahrungswerten. 
Ich hoffe, dass ich aus diesem Projekt in Analogtechnik gestärkt 
hervorgehe (Wo doch schon diese "simple" Schaltung Tücken ohne Ende 
birgt).

Autor: Noch einer (Gast)
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@Peter Koller: Kannst du mal Bilder von der Senke hier reinstellen. Das 
Teil würde mich echt interessieren.

Autor: Kevin K. (nemon) Benutzerseite
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zu cpukühlern: unter 
http://eiskaltmacher.de/portal/index.php?option=co... 
findest du eine tabelle mit aktuellen kühlern. wenn wir die kühler auf 
unseren teststand schnallen (übrigens ein mosfet im linearbetrrieb), 
nehmen wir auch den thermischen widerstand auf, um die kühler besser 
vergleichen zu können.
meine 650w-last hat übrigens 8 irfp350, jeder wird von einem eigenen 
opamp angesteuert, der einzelne strom wird über einen 30mohm-shunt 
gemessen, der gesamtstrom über einen stromsensor. zwischen shunt und 
source ist noch eine schmelzsicherung, das reicht zu einer guten 
aufteilung der ströme.

Autor: Andrew Taylor (marsufant)
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Benedikt K. schrieb:
> Andrew Taylor schrieb:
>
>> Dem kann ich nur zustimmen. Funktioniert bei mir genauso einwandfrei im
>> Lenearbetrieb OHNE Sourcewiderstände. Seit mehr als 15 Jahren.
>
> Nur weil es bei dir geht, bedeutet das noch lange nicht, dass es immer
> so ist.


Was Du mal wieder ignorierst:
Es geht auch bei anderen in derartigen Applikationen, und unter den 
genannten Prämissen.

Das solltest Du langsam mal in Deien Kopf kriegen, auch wenn Du hier 
stets und gerne die "wir brauchen Sourcewiderstände" These breittrittst.

>
>> Für die Anwendung "Parallelschaltung von Leistungsfets ;
>>  ausschliesslich auf elektronische Lasten/Stromsenken u.Netzteile", also
>> nix Schalt- sondern Linearbetrieb: Sourcewiderstände braucht man da
>> definitv nicht.
>
> Wenn man sich sehr weit von den Grenzwerten entfällt hält, dann kann es
> auch so funktionieren, aber ordentlich ist diese Lösung trotzdem nicht.


Es ist sowohl eine ordentliche Lösung, als auch funktionsfähig  wenn man 
sich nicht sehr weit von den Grenzwerten entfernt hält.

Du kannst aber gerne weithin Deine These vertreten, Peter und ich 
antworten dann  gerne mit dem Zitieren aufgebauter Schaltungen.

Autor: Andrew Taylor (marsufant)
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Mr.Bean schrieb:
> Um mich selber zwischendurch mal kurz zu konkretisieren: Meine
> Vorstellung von der Last ist, dass sie alle möglichen Betriebsbereiche
> zwischen CIRCA 5V/500mA und 15V/10A sicher abdecken können sollte...
>

Solch ein U/I-Bereich geht eindeutig mit 4 Stück BUZ11 parallel 
einwandfrei, hier erprobt und sicher.

> Ansonsten nehme ich momentan glaube ich lieber eher LESEND an eurem
> disput teil ;)


Ist eh die alte langweilige Disputklopferei zwischen Benedikt und dem 
Rest der Entwickler.




>
> Ich versuche zwar, mir parallel dazu das eine oder andere zumindest
> teilweise anzulesen, aber ich vertraue da viel euren Erfahrungswerten.

Bau es einfach mal so auf, und Du wirst sehen: Es funktioniert.

> Ich hoffe, dass ich aus diesem Projekt in Analogtechnik gestärkt
> hervorgehe (Wo doch schon diese "simple" Schaltung Tücken ohne Ende
> birgt).

Die Schaltung hat eher wenige Tücken. Auch wenn einige das hier als 
aufwendiger darstellen möchten als denn in Wirklichkeit ist. Das übliche 
uC-net Geschwafel halt.

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Andrew Taylor schrieb:

>
> Ist eh die alte langweilige Disputklopferei zwischen Benedikt und dem
> Rest der Entwickler.

Wieso mir? Ich habe nicht mit dem Thema angefangen und ich bin nicht der 
einzige der diese These vertritt! Les dir mal den kompletten Thread 
durch.

Hier wurden übrigens schon einige Fakten genannt, die für 
Sourcewiderstände sprechen. Letztendlich ist es mir egal, was ihr 
verbaut, ich baue Sourewiderstände ein und bin damit auf der sicheren 
Seite. Verkehrt sind diese auf jedenfall nicht.

Autor: Helmut Lenzen (helmi1)
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Hiermal die Schaltung einer Elektroischen Last von einem grossen 
Messgeraetehersteller.

Endstufe Seite 31:
http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/60503-90009.pdf

Hier bekommt jeder Mosfet seinen eigenen Regler. So werden die alle 
individuell angesteuert.

Gruss Helmi

Autor: Andrew Taylor (marsufant)
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Benedikt K. schrieb:
> Andrew Taylor schrieb:
>
>>
>> Ist eh die alte langweilige Disputklopferei zwischen Benedikt und dem
>> Rest der Entwickler.
>
> Wieso mir?

Weil Du mir geantwortet hast, antworte ich Dir. Solltest du eigentlich 
kapiert haben


> Ich habe nicht mit dem Thema angefangen und ich bin nicht der
> einzige der diese These vertritt!

Wird dadurch auch nicht richtiger wenn es mehrere meine..

> Les dir mal den kompletten Thread
> durch.

Hatte ich, und darum kannst Du Dr derartige Empfehlung sparen. Sondern 
Dich selbst daran halten.

>
> Hier wurden übrigens schon einige Fakten genannt, die für
> Sourcewiderstände sprechen.

Und genauso viel dagegen. So what.

>  Letztendlich ist es mir egal, was ihr
> verbaut, ich baue Sourewiderstände ein


Soweit sind wir dann immer wenn dies Thema angesprochen wurde.

>  und bin damit auf der sicheren
> Seite.

Nein. Eben weil Du das Problem nicht verstanden hast, bist Du nur 
"irgendwo". Aber garantiert nicht auf einer sicheren Seite.

> Verkehrt sind diese auf jedenfall nicht.

Sie nutzen nix in dieser Anwendung und reduzieren die minimal mögliche 
Spannung die eine solche Stromsenke haben darf, um einwandfrei zu 
arbeiten.

Das sind IMHO zwei wesentliche Gründe gegen solche sinnfreien 
"Angsteinbauten"


Aber da wir ja sowieso wieder an dem Punkt sind "

> Letztendlich ist es mir egal, was ihr
> verbaut,
"

hat die Diskussion eh jegliche Basis verloren.
Mach also wie Du meinst,
es ist Dir gerne gegönnt.

Autor: MaWin (Gast)
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> Hiermal die Schaltung einer Elektroischen Last von einem grossen
Messgeraetehersteller.

Es hat schon seinen Grund, warum es mit dem deutschen Know How in der 
aktuellen Generation so dramatisch bergab geht, so arrogant 
lernresistent wie die sind. Jeder Chinese ist 10 x begieriger auf 
Wissen.

Autor: oszi40 (Gast)
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Zusammengefasst: Ihr habt alle Recht, solange es funktioniert.
Wir sollten nur daran erinnern, daß es VERSCHIEDENE Transistoren und 
Anwendungsfälle gibt!

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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MaWin schrieb:
>> Hiermal die Schaltung einer Elektroischen Last von einem grossen
> Messgeraetehersteller.
>
> Es hat schon seinen Grund, warum es mit dem deutschen Know How in der
> aktuellen Generation so dramatisch bergab geht, so arrogant
> lernresistent wie die sind. Jeder Chinese ist 10 x begieriger auf
> Wissen.

MaWin, falls Du den Spruch für mich gekloppt hast, - geschenkt. Ich 
steig aus dieser "Debatte" eh aus. Das Thema wird mir zu "HOCH".

Wenn ich schon Sprüche höre wie: >> die Schaltung mag zwar 
funktionieren,ist aber trotzdem nicht ORDENTLICH aufgebaut <<,(obwohl 
sie seit über 20 Jahren tadellos arbeitet) da schwillt mir der Kamm! 
Aber so sind sie nun mal die typisch deutschen OBERLEHRER.

Und der ganze Aufwand für 'ne 150W Pippisenke.

Nein Danke, ich muss noch fahr'n


Grüsse Peter

Autor: Jens G. (jensig)
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@Peter Koller
40 BUZ12 for 2KW/20V/100A (50W/2,5A pro Mosi) - bei einem 125W-Transi 
auch kein Wunder, daß deine 2KW-Senke über Jahre läuft, wenn die 
Grenzwerte per Design erstmal nicht mal annähernd erreicht werden (ja - 
ich habe jetzt einfach Ptot angenommen). Da haste noch genügend Luft für 
große Schwankungen in der Stromverteilung - das heist aber nicht das das 
Design sauber ist - ist halt nur großzügig dimensioniert, um sowas 
abfangen zu können.


Grundsätzlich ist es aber so, daß im Linearbetrieb die Schwellspannung 
mit größerer temp. abnimmt, somit eben mehr Strom von diesem Mosi 
übernommen wird als von den kühleren Artgenossen. Ergo er wird noch 
heiser. Der Rdson hat hier dagegen gar nix zu sagen (ist für 
Schaltbetrieb interessant).
Source-R's helfen dem ein bißchen ab, weil damit die Unterschiede etwas 
reduziert werden.

Autor: Michael (Gast)
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Was spricht eigentlich dagegen, sich das Ganze mal in Spice und co 
anzuschaun? Da könnte man ja mal untersuchen wie sinnig oder unsinnig 
Source-Widerstände für ne Stromgegenkopplung sind bei entsprechender 
Anwendung. Dann muss sich hier auch niemand zerfleischen.

Autor: Mitlesender (Gast)
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Mein Eindruck: Mit dem Zerfleischen haben ja die Gegner der Widerstände 
angefangen. Von dem der alles hat, alles kennt, alles zu Bestätigung 
nachbaut, gern FS12/73 und Quoka schreibt, habe ich im Forum noch keine 
Bilder zu den entsprechenden Sachen gesehen. Nur immer Verweise auf 
andere Beiträge und Personen. Zitat von diesem Thread:
>Danke für die Bestätigung durch Deine Versuche, Peter.

Wenn Mr.Bean (Gast) das dann mal aufbaut, wäre das die Gelegenheit für 
Messungen. Simulationen sind nicht immer real.

Autor: Michael (Gast)
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Nein, Simulationen sind nicht immer Real aber doch recht preiswerte 
Alternativen zum Versuchsaufbau und sie schicken einen immer in die 
richtige Richtung sofern man weiß was man tut.

Autor: Mitlesender (Gast)
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Berücksichtigt eine Simulation z.B., daß Transistor Q1  Ugs=4,2 Volt bei 
Ids=1 Ampere und Transistor Q2  Ugs=4,35 Volt bei Ids=1 Ampere hat?

Autor: Michael (Gast)
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Bei richtiger Modellwahl, ja. Das ist gar kein Problem. Da kann man 
mehrer Transistoren mit unterschiedlichster Kennlinie simulieren lassen. 
Man kann z.B. jedem Transistor seine eigene Temperatur mitgeben. Alles 
nur eine Frage des Modellaufbaus.

Autor: stiller Mitleser (Gast)
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die MOSFET im linear Betrieb Diskussionen sind immer wieder toll :-)

Mr. Bean solls mit paar MOSFET probieren und wenns geht hat er Glück 
gehabt und wenn nicht dann wurde die Erklärung hier schon geliefert bzw. 
kann bspw. hier nachgelesen werden: Tieze und Schenk
(zB 11. Auflage, Kapitel 3.1.7 'Temperaturabhängigkeit der 
Fet-Parameter' Seite 211)

Autor: Fralla (Gast)
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Wieso wird in Lasten immer die ganze Leistung in linearbetriebenen 
Mosfets verbraten.
Meine Idee wäre einen großen niederohmigen Widerstand zu nehmen und 
diesen mit einem FET per PWM anzusteuern. Die Impedanz des widerstands 
würde so transformiert werden. Jedoch würde ein Pulsförmiger Strom 
gezugen werden, dh man müsste ihn glätten, LC Glied. Das würde aber 
Träge auf Sprünge reagieren. Für eine schnellere Regelung könnte man 
davor Mosfets im Linearbetrieb setzen. Im Prinzip wie ein Buck Konverter 
der einen Widerstand speist, nur das das LC Filter davor sitzt (ob der 
Widerstand gepuls wird weis ich nicht.
Ist klar das man mit dieser Art keinen so großen Bereich abdecken kann, 
aber man weis ja was man braucht.

Ich verwende Chroma Lasten, die scheinen alles in Fets zu verbraten, 
jedoch hab ich eine 20kW Last gesehen wo dicke Drahtwiderstände 
eingebaut waren.

Nur mal zu überlegen...

Autor: Falk Brunner (falk)
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@  Fralla (Gast)

>Wieso wird in Lasten immer die ganze Leistung in linearbetriebenen
>Mosfets verbraten.

Weil man damit den grösstmöglichen Freiheitsgrad in der Einstellung und 
Regelung der Last hat.

>Meine Idee wäre einen großen niederohmigen Widerstand zu nehmen und
>diesen mit einem FET per PWM anzusteuern.

Das ist aber keine lineare Last. Und viele Versuche brauchen eine 
lineare Last.

> Die Impedanz des widerstands
>würde so transformiert werden.

Keine Sekunde.

> Jedoch würde ein Pulsförmiger Strom
>gezugen werden, dh man müsste ihn glätten, LC Glied.

Eben.

>Ich verwende Chroma Lasten, die scheinen alles in Fets zu verbraten,
>jedoch hab ich eine 20kW Last gesehen wo dicke Drahtwiderstände
>eingebaut waren.

Ist halt die Frage in welchem Bereich man die Last regeln will.
0..20kW oder nur 15..20kW?

MFG
Falk

Autor: MaWin (Gast)
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> Wieso wird in Lasten immer die ganze Leistung in linearbetriebenen
Mosfets verbraten.


Nicht unbedingt, eine Last zum Endladen von Akkus in einem Akkulader 
kann die Energie ins Stromnetz zurückspeisen, das spart jede Menge 
richtig dicker Kühlkörper.

Nur kann so was halt nicht jeder Elektroniker entwickeln.

Autor: Jens G. (jensig)
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um die Sache noch mal anhand eines Datenblatts zu belegen:
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/44...
S.7 o. re.
Da sieht man wunderbar, wie beim BUZ12 die Ugs(th) runterfällt bei 
Konstantstrom, je heiser er wird. Oder anders gesagt - bei konstanter 
Ugs zieht er mehr Strom. Und bei der dargestellten Spanne von ΔUgs=1V 
über 200K Temp-Differenz (ich weis - irrelevant) ändert sich der Strom 
schon um ein paar Ampere entsprechend seiner Steilheit.

Autor: Fralla (Gast)
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> Die Impedanz des widerstands
>würde so transformiert werden.

Wenn ich einen 1 Ohm widerstand mit 10V d=0.5 belaste. Dieser gepluslste 
strom wird mit LC sagen wir gefiltert, wieviel Strom fließt rein? Und 
jetzt mach U/I.

>Weil man damit den grösstmöglichen Freiheitsgrad in der Einstellung und
>Regelung der Last hat.
Nur braucht man für manche anwendungen nicht jeden Lastfall

>Das ist aber keine lineare Last. Und viele Versuche brauchen eine
>lineare Last.

Lineare Last?

Für große Leistungen nimmt man auch selten Lienarregler, eher 
Schaltregler. Wiso keine Last nach diesem Prinzip?
Ein Buck-Schaltregler "pulst" ja im prinzip auch nur ein LC-Glied.

Es gibts sicher Gründe warum man dies nicht macht, aber nicht die von 
dir genannten...

Autor: Fick_The_Redegle (Gast)
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@Fralla
Du hast den Sinn der linearen Stromsenke wohl nicht verstanden.
Sonst käme nicht dieser dämliche Vorschlag der geschalteten Senke.

Autor: Jens G. (jensig)
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naja, so dämlich ist die geschaltete Senke vielleicht gar nicht. Nur was 
macht es für einen Unterschied, ob ich die Leistung in einem R (bei 
geschalteter Senke) oder in einem Mosfet (linear) verbrate? Dein 
Elektroniklabor tust du so oder so damit heizen.
Sinnvoller wäre die geschaltete Senke meiner Meinung nach nur, wenn die 
Leistung z.B. ins 230V-Netz zurückspeist wird - dann kann die Energie 
noch irgendwie nutzbringend irgendwelche Arbeit verrichten. Aber wie 
schon irgendwo angedeutet - da musste bißchen mehr Grips reinwerfen 
dafür ....

Autor: Fralla (Gast)
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>Du hast den Sinn der linearen Stromsenke wohl nicht verstanden.
>Sonst käme nicht dieser dämliche Vorschlag der geschalteten Senke.

Wenn ich hinreichend schnell Schalte und hinreichend stark Filtere dann 
merkt die Quelle keinen unterschied. Genause ist es bei Schaltnetzteilen 
vs Linearnetzteil. Was die Regelung betrifft, ja da kann man 
diskutieren.

>Nur was macht es für einen Unterschied, ob ich die Leistung in einem R
>(bei geschalteter Senke) oder in einem Mosfet (linear) verbrate?
Ich denke ein Widerstand ist billiger, andereseits muss der FET dann 
auch die Leistung schalten können, schnell damit Filter klein. Nur frißt 
der Fet dann auch schon genung (schalten)


>Dein Elektroniklabor tust du so oder so damit heizen.
>Sinnvoller wäre die geschaltete Senke meiner Meinung nach nur, wenn die
>Leistung z.B. ins 230V-Netz zurückspeist wird - dann kann die Energie
>noch irgendwie nutzbringend irgendwelche Arbeit verrichten.
Das dachte ich mir auch schon oft. Bei mir im Labor sind viele Lasten 
mit so 2kW  bis 6kW im Einsatz. Auf den Vorschlag Rückspeisende Lasten 
einzusetzen kam von oben nur: "zu teuer". Der Effekt ist, das im Sommer 
die Klimaanlage permanent auf Volllast läuft...

Rückspeisen? Man müsste eine DC/DC Wandler mit großem Eingangsbereich 
bauen der auf auf eine Zwischenkreisspannung wandelt, daran hängt man 
einen Wechselrichter. Ist wohl aufwendig und wie du sagts verlangt mehr 
Gripps...

Autor: MaWin (Gast)
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> Wenn ich hinreichend schnell Schalte und hinreichend stark Filtere dann
merkt die Quelle keinen unterschied.

Na ja, allerdings sind viele elektronische Lasten vor allem zur 
Simulierung des transient response von den zu testenden Schaltungen 
gedacht, und da wird es auf deine Art schwierig mit sauberen 
Belastungsänderungen in unter 1us.

Autor: Fralla (Gast)
Datum:

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Ja das ist schon klar, deshalb sagte ich, Diskussion über die regelung 
ist anderes Thema. Nicht jeder muss Lastsprünge messen, deslhalb denke 
ich kann auch eine geschaltete Last Sinn machen.

Für Lastsprünge bei der geschalteten könnte eine Lineare dvor setzen um 
schnelle transienten auszugleichen. Große schnelle Sprünge wirden 
schwierig, vl gar nicht möglich.

MFG

Autor: oszi40 (Gast)
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1.Eure Diskussion ist gut, da sie auch zu neuen Lösungen führen kann! 
Nur wirtschaftlich gesehen ist ein Gerät für > 1000€ zeifelhaft, wenn am 
Tag 2kW Rückspeisung anfallen.

2.Ob eine geschaltete Last sinnvoll ist, muß der Anwender von Fall zu 
Fall entscheiden.  Wer nur eine einfache Überstromsicherung einstellen 
möchte, wird wohl oft statische Bedingungen lieben?

Autor: Jens G. (jensig)
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generell ist eine geschaltete Senke ein interessanter Ansatz, aber ich 
sehe da keinen ernsthaften Nutzen (abgesehen von der Möglichkeit der 
Rückspeisung ins Stromnetz, was aber eher als kompliziert und teurer zu 
betrachten ist). Soweit es sich in diesem Thread bereits darstellt, kann 
man schon mal fast nur Negativpunkte für die geschaltete Variante 
zusammenfassen:

- Leistung mußt Du so oder so verbraten, und zwar üblicherweise in Form 
von Wärme
- reine Fet-Regelung ist viel flexibler (kannst im Grunde die Last von 
0-100% einstellen, was mit einem Last-R kaum (einfach) geht)
- die Regelungsdynamik ist schlecht(er) bei geschalteten Dingern
- @Fralla: du sagts, Widerstände sind billiger. Wohl kaum. Du darfst 
nicht 1/10W-R's mit einem Leistungsmosfet vergleichen, sondern wenn 
schon, dann einen 50W-R mit einem 50W Mosfet (wobei ich nicht Ptot 
meine, sondern die damit praktisch verheizbare Leistung) - und da sind 
Last-R's nicht gerade mehr billig. Guck mal in den aktuellen 
Conrad-Katalog rein, da bekommst Du 100W-Mosis schon teilweise für unter 
2,-, während 50W-R's (höher geht's da nicht) mit um die 10,- bezahlt 
werden wollen. Kühlkörper brauchst Du bei beiden.
Dazu kommt die Induktivität bzw. Kondi, die entsprechend der Leistung 
auch recht teuer werden können.
ich sehe hier also fast nur Nachteile.

Autor: 5volt (Gast)
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Ich würde auch die TO247-Mosfets empfehlen. Die Verlustleistung sollte 
max. so 60-70W pro Mosfet betragen.
Ich habe bei einer selbstgebauten elektronischen Last auch schon mal 90W 
mit einem einzigen TO247-Mosfet (Typ IRFP450) abgeführt.
Den habe ich dafür allerdings auch auf einen großen Kühlkörper 
(200*100*25mm) montiert und einen starken 120*120*38mm-Lüfter dahinter 
gestellt. Der Lüfter ist übrigens auch nicht gerade leise. Dieses Modell 
wird wohl oft zur Kühlung von Servern eingesetzt und braucht bei 12V 
über 600mA...
Jedenfalls war der Kühlkörper war im Umkreis zum Mosfet auf so 43°C. Das 
Mosfet-Gehäuse hatte 80°C, die Sperrschicht dürfte also bei gut 140°C 
gewesen sein. Das ist hart am Limit: 150°C sind max. zulässig.
Ich habe allerdings auch keine Wärmeleitpaste benutzt: Die elektronische 
Last war nur ein Steckbrett-Aufbau und war sowieso nur 20 Min. in 
Betrieb. Da wollte ich mir die Schmiererei mit Wärmeleitpaste nicht 
antun. Damit könnte man aber (in meinem Fall) die Sperrschichttemperatur 
um schätzungsweise 15°C senken.
Trotzdem sind 90W für einen TO247-Mosfet eigentlich zu viel. So 60-70W 
dürften aber ok sein.

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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Hallo Entwickler u. Spezialisten,

ich möchte doch noch etwas Öl ins Sourcewiderstands-Für u. Wider gießen.

Jens G. wrote:

>> ….Grundsätzlich ist es aber so, daß im Linearbetrieb die Schwellspannung
mit größerer temp. abnimmt, somit eben mehr Strom von diesem Mosi
übernommen wird als von den kühleren Artgenossen. Ergo er wird noch
heiser. Der Rdson hat hier dagegen gar nix zu sagen (ist für
Schaltbetrieb interessant).
Source-R's helfen dem ein bißchen ab, weil damit die Unterschiede etwas
reduziert werden. <<<

Das ist, wie so oft hier von den Fachleuten zu hören, viel zu kutz 
gegriffen, denn:

Punkt 1: Werden die parallel geschaltenden Fets auf dem KK im 
entsprechenden Abstand zu einander platziert, wird jeder heissere Fet 
seine Hitze über den KK zu mehr o. weniger gleichen Teilen, an die 
benachbarten Fets, wie auch über den KK, an die Umgebungsluft abgeben. 
Folglich kühlt der heisse Fet ab, während der „kalte“ sich etwas 
aufheizt, wodurch letztlich eine Wärmekonvektion unter allen Fets 
entsteht, die sehr schnell für „normale“ Verhältnisse in der 
Stromverteilung sorgt. (kann man natürlich nur bei praktischer 
Anwendung, - nicht bei der Simulation, - verifizieren).

Punkt  2: Hierdurch, bzw. ab jetzt, kommt wieder der allseits 
umstrittene RDSon  ins Spiel, der seinerseits zum Wohlfühlklima aller 
Fets auf diesem KK, beiträgt.
Über dessen Wirkung im Gesamtsystem haben wir schon lang u. breit 
debattiert, von mir aus kanns weiter gehen.

Allerdings interessieren mich nur Meinungen u. Antworten der Fachleute, 
die solche Schaltungen auch schon mal praktisch aufgebaut haben. Die 
Meinung der„Experten“, die ihr vermeintliches Fachwissen ausschließlich 
aus Büchern gelöffelt, u. aus Simulationen geschöpft haben, sollten sich 
mit ihresgleichen unterhalten, - da können sie von mir aus glänzen. – 
Gilt übrigens auch für Helmut Lenzens (helmil) Beitrag vom : 08.07.2009 
13:56

Grüsse Peter

Autor: Ich (Gast)
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30V/100A Last mit 0,62 Ohm Widerständen. 12 OPVs (TDA2030) mit jeweils 6 
Mosfets (BUZ100). War ein Auftragswerk und bis jetzt kein Ausfall (vor 
ca. 10 Jahren gebaut).

Wenn man die Widerstände weg läßt, ist das Sparsamkeit an der falschen 
Stelle. Aber soll halt jeder machen wie er denkt.

Autor: Kevin K. (nemon) Benutzerseite
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ich habe bei meiner last gerade ein problem. der aufbau ist folgender: 
eine referenzspannung wird über ein poti heruntergeteilt, damit wird der 
sollstrom gestellt. ein stromsensor misst den summenstrom durch alle 
fets, ein opamp verstärkt das entsprechend. zusammen mit der 
heruntergeteilten referenzspannung geht das an den ersten opamp. dieser 
gibt eine spannung aus, die an 2 weitere operationsverstärker an den 
+eingang geführt wird. diese operationsverstärker treiben je einen 
leistungsmosfet. jeder mosfet ist am netzteil am positiven ausgang 
angeschlossen und geht dann über eine sicherung und einen 30mohm shunt 
an einen gemeinsamen sternpunkt und von da zurück an masse. sinn der 
30mohm shunts ist die gleiche verteilung über den mosfets (sind derzeit 
nur zwei angeschlossen, es sollen am ende aber 8 fets werden).
mein gedanke war folgender: jeder der mosfet treibenden opamps versucht 
ja, die differenz seiner eingänge zu 0 auszuregeln. beide opamps 
bekommen eine gleiche referenzspannung und steuern am ausgang den mosfet 
so weit durch, dass die über den shunt zurückgeführte spannung die 
referenzspannung ausgleicht. da diese referenzspannung von dem 
allerersten opaml so geregelt wird, dass der summenstrom dem sollstrom 
entspricht, müsste über jeden fet der gleiche strom fließen.
das passiert aber nicht. ich habe vorhin eine verteilung von 3,3 zu 0,9 
ampere gemessen. der gesamtstrom entsprach dem eingestellten wert, 
jedoch soll die verteilung 50:50 sein. die spannung über den shunts habe 
ich mit 230mV und 70mV vermessen. diese lag auch an den jeweiligen 
eingängen der opamps an. seltsamerweise ergab sich folgendes:
der erste opamp gibt eine spannung von 2,8v aus. somit sollten sich die 
beiden opamps ja so ausregeln, dass an deren eingang 2,8v zurückkommt. 
tat es aber nicht, wie gesagt, da lag viel weniger spannung an. der 
ausgang war dabei auch nur auf einmal ca. 2,5, der andere auf gut 3v 
ausgeregelt. die opamps waren also weit von irgendeiner begrenzung 
entfernt. 14v maximal wären möglich. das netzteil ist auch nicht in die 
strombegrenzung gegangen.
jetzt frage ich mich, woher dieses verhalten der opamps kommen kann, die 
einzige sonstige beschaltung ist noch ein 47k ohm widerstand zwischen 
+15v und dem ausgang der opamps.
schließe ich nur einen fet an, fließt durch ihn exakt der eingestellte 
strom.
bei bedarf kann ich noch einen schaltplan anhängen, den müsste ich nur 
noch aus mehreren seiten zusammenkopieren.

Autor: Ich (Gast)
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Schaltplan wäre gut.

Autor: MaWin (Gast)
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Keine Kondensatoren zur Kompensation der zusätzlichen Verstärkung der 
MOSFETs ? Nicht gmessen, ob's oszilliert ?

Autor: MaWin (Gast)
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30mohm und der resultierende geringe Spannungsabfall (nicht 230mV bei 
3.3A) wirklich praezise beherrscht von den OpAmps und deinem Aufbau?

Autor: Kevin K. (nemon) Benutzerseite
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Angehängte Dateien:

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Hier das Bild.
einige meines Erachtens nicht wichtigen Dinge habe ich herausgelöscht, 
das waren im Wesentlichen Dinge, die ich einzeln getestet habe, oder 
einfach nur für spätere Zwecke vorgesehen sind. Die Opamps hängen alle 
an +-15V. Dieser Kasten zwischen Shunts und Leitungswiderständen ist ein 
Stromsensor, der 1mA je Ampere ausgibt, über dem 100Ohm-Widerstand 
ergibt das dann 0,1V/Ampere. Das Netzteil hängt zwischen 24V und DGND 
(ist derzeit aber auf nur 10V gesetzt).
noch kurz: Der positive Eingang von IC9B wird auf ca. 0,4V eingestellt. 
IC9B stellt sich auf ca. 2,8V am Ausgang ein, an IC1 messe ich an Pin 2 
220mV und an Pin 5 70mV. Der Stromsensor liefert die korrekte 
Ausgangsspannung an Pin 6 von IC5. Dies ist per Stromzange kontrolliert.
IC1 ist derzeit noch ein billiger LM358, soll später ein NE5532 werden, 
der hat aber 2 dioden zwischen den Eingängen, denen solche 
Differenzspannungen nicht gefallen. Jeder Opamp hat 10nF nahe an der 
Versorgung, keine Kapazitäten am Ausgang. Auf Oszillation konnte ich das 
Ganze noch nicht prüfen.

Autor: MaWin (Gast)
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> billiger LM358, soll später ein NE5532 werden

LOL.

NE5532 kann um 130mA und LM358 um 230mA daneben liegen.

Beide treiben keine kapazitive Last im 3nF Bereich, die IFR350 sind 
wirklich steinalt und hochkapazitiv.

Beide (NE/LM) sind nicht stabil, wenn zuätzliche Verstärkung kommt, aber 
keine zusätzliche Kompensation.

Und ein Vorwiderstand vor dem - Eingang wäre nicht verklehrt, falls mal 
die Spannung nicht dort liegt, wo man sie vermutet.

Aber vor allem find ich's von der Logik her verdreht, R1 liegt nach 
Masse, die MOSFETs an 24V, können aber höchstens 11V liefern weil ihr 
Gate nur mit 15V angesteuert werden kann und es N-Kanal MOSFETs sind. 
Man überschreitet ja schon Ugsmax mit deiner Schaltung.

Autor: MaWin (Gast)
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Eher so:

 +24V
   |
Leistungswiderstände
   |
Stromsensor
   |

und 2x parallel

   |
Sicherung  (eh egal)
   |
   I|------+--------+
   |       C        |
   +--10k--+--|-\   |
 Shunt        |  >--+
   |       +--|+/
  GND      |
           |
     Steuerspannung (bezogen auf GND)


Aber wieso kommt die Steuerspannung aus dem Stromsensor ? Das beisst 
sich doch. ENTWEDER du regelst den Strom mit dem Stromsensor (Vorsicht: 
langsam) ODER du regelst ihn mit den Shunts. Sonst weiss doch der eine 
nicht was der ander tut und es schwingt muter zwischen beiden 
Auffassungen hin und her.

Mir scheint hier ein massives Logikproblem vorzuliegen (und eine 
steinalte Bastelkiste).

Autor: Lukas B. (lukas-1992) Benutzerseite
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Wie wäre so ein Aufbau: siehe Anhang

Müsst ja relativ leicht realiesierbar sein oder?

Autor: Ich (Gast)
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Das die Schaltung ziemlich "vergurkt" ist, naja. Da Du für jeden Mosfet 
einen OPV hast, ist es eigentlich keine Parallelschaltung wegen Deiner 
angesprochenen Symmetrierung mit den 30 mOhm-Widerständen.

Gehe in Richtung Vorschlag  MaWin, wobei Du den Leistungswiderstand 
unterhalb der 24 Volt eigentlich nicht brauchst, er setzt nur die 
minimale Spannung, die zu belasten möglich ist, herauf.

Autor: Kevin K. (nemon) Benutzerseite
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@mawin: ich habe vergessen zu erwähnen, dass der Stromsensor 
berührungslos ist. Es werden einfach alle Kabel durchgesteckt und der 
misst auf halleffektbasis den Summenstrom. Daher ist die Platzierung im 
Stromkreis unkritisch.
1k an den -Eingängen macht Sinn, das stimmt. aber was meinst du von 
wegen "kann bis zu 130mA und 230mA daneben liegen"?
Okay, an den Ausgängen sollte noch zwischen Ausgang und Gate ein 
Widerstand. Ist 100 Ohm ein brauchbarer Wert?
Und wieso sollte ich bei Uds von 24V und Ugs von unter 15V keinen Strom 
treiben können?

Autor: Fralla (Gast)
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>du sagts, Widerstände sind billiger. Wohl kaum. Du darfst
>nicht 1/10W-R's mit einem Leistungsmosfet vergleichen, sondern wenn
>schon, dann einen 50W-R mit einem 50W Mosfet (wobei ich nicht Ptot
>meine, sondern die damit praktisch verheizbare Leistung).

Ich meine nicht solche Leistungswiderstände wie beim C, sondern 
gewickelte auf einem Keramikkörper, im Prinzip wie eine Heizspirale. 
Oder eher wie die Bremswiderstäne alter Straßenbahnen In der besagten 
20kW Last waren solche in Massen eingebaut.
Doch du hast einerseits recht, ich hab nachgefragt, diese Widertände 
sind  teuer und meist spezielle Anfertigungen. Ich geb dir Recht, 
schlecht Schaltbare, alte Leistungsmosfets sind wirklich günstig. Doch 
wie siehts aus bei höheren Leistungen?

Rpckspeisende Lasten sind für Burn in Tests unverzichtbar, wenn da zb 20 
3kW Netzteile 1Woche Volllast laufen. Doch bald wird man sie auch in den 
Entwicklungslabor finden. Bei laufen ständig mindestens 2-3 von den 
kleinen 2kW Last, und die Klimaanlage... toll oder?

MFG

Autor: MaWin (Gast)
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> Stromsensor halleffektbasis. Daher ist die Platzierung im
Stromkreis unkritisch.

Aber du regelst einerseits den Strom mit Hilfe des Stromsensors und 
andererseits mit Hilfe der Shunts.

Wie kommst du auf die Idee, daß du mit 2 Uhren weisst, wie spät es ist? 
Die gehen doch immer verschieden.

> 1k an den -Eingängen macht Sinn, das stimmt.

Ich sagte zwar 10k, aber egal. Letztlich so viel oder wenig, dass der 
Strom durch die Eingänge auch im Fehlermoment (Einschaltmoment) nicht zu 
hoch werden kann, um etwas zu beschädigen, und etwa in dem Bereich, in 
dem der OpAmp niedrigen Fehler zeigt.

> aber was meinst du von wegen "kann bis zu 130mA und 230mA daneben liegen"?

Na, OpAmps sind nicht genau, sondern haben eine Offsetabweichung von ein 
paar Millivolt. Und das sind bei deinen extrem niederohmigen Shunts 
schon ganz schöne Fehler. Statt 0mA (eingestellt) könnten 230mA 
fliessen, oder statt 230mA (eingestellt) könnten 0 fliessen, so ungenau 
ist der LM358, und der NE5532 ist nicht viel besser. Trotzdem empfehle 
ich nicht, wesentlich präsizere OpAmps zu nehmen, sondern lieber den 
Shunt zu erhöhen.

> Okay, an den Ausgängen sollte noch zwischen Ausgang und Gate ein
Widerstand. Ist 100 Ohm ein brauchbarer Wert?

Wer hat das wo geschrieben ?
Was fehlt, ist ein Kompensationskondensator, eingezeichnet als C in 
meinem Schaltplan, der auf beste Reaktion aus Belastungsaenderungen 
angepasst werden muss, damit die schnell aber ohne Schwingneigung beim 
Überschwinger erfolgt.

> Und wieso sollte ich bei Uds von 24V und Ugs von unter 15V keinen Strom
treiben können?

Wozu tust du 24V rein, wenneh nicht mehr als 11V aruskommen können ? Du 
ahst noch wirkliche Verständnisprobleme mit der Funktion eines MOSFETs, 
vermtulich auch mit der Funktion eines normalen bipolaren Transistors 
(denn bei dem wäre es hier nicht besser).

Und: Wenn dein OpAmp an -15V haengt, und der MOSFET an +24, kann 
zwischen D und G eine Spannung von 39V entstehen, das ist weit mehr als 
nach Datenblatt erlaubt.

Die Schaltung ist völlig vergurkt, hänge den Lastwiderstand (und 
Stromsensor und ügberflüssige Sicherungen) in die Leitung nach +24V, 
nicht nach Masse. Und überlege dir, wer denn nun den Strom misst, der zu 
regeln ist. 2 sind sich nie einig.

Autor: Kevin K. (nemon) Benutzerseite
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aaaaaalso: ich beziehe mich hier auf das unter 
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/irfp350.pdf einsehbare 
Datenblatt.
Bei den -15V, die an der Gate anliegen, bin ich noch von den maximalen 
+-20Vgs entfernt. Dass du die Differenzspannung zwischen Drain und Gate 
nimmst, lasse ich hier nicht gelten. Uds ist bis 400V zugelassen, 
demnach ist auch Ugsd bis 400V erlaubt. Davon bin ich ja sehr weit 
entfernt.
Schau dir mal Fig1 aus dem Datenblatt an, dies ist das stinknormale 
I/Uds Ausgangskennlinienfeld eines N-KanalMosfet. Wenn Uds durch das 
Netzteil vorgegeben ist, kann ich über Ugs den Strom stellen. Mehr 
Gatespannung = mehr Strom. Ich weiß jetzt echt nicht, was du mit "Wozu 
tust du 24V rein, wenneh nicht mehr als 11V rauskommen können ?" meinst. 
Ich möchste an dieser Stelle darauf hinweisen, dass die Schaltung 
funktioniert, wenn nur ein Mosfet angeschlossen ist, undzwar auch, wenn 
Uds 36V ist. die Gatespannung liegt dann im Bereich von etwa 5V für eine 
Hand voll Ampere.
Ich habe hier noch zwei Scripte über Halbleitertechnik durchgesehen und 
ein weiteres Fachbuch, um auf irgendwelche parasitären Effekte zu 
stoßen, die du vielleicht meinst, aber da ist mir nichts aufgefallen.

Die Sicherungen sollten durchaus vor die Drain, das stimmt. Wenn diese 
aus welchem Grund auch immer auslösen, wird dann der FET von der Quelle 
getrennt. Ließ sich in diesem Fall leider noch nicht realisieren, wird 
aber nachgeholt. Und überflüssig sind die Sicherungen sicherlich nicht, 
hat aber noch weitere Gründe

Die "doppelte" Regelung ist vermutlich echt nicht so toll, wie anfangs 
gedacht. Jedoch habe ich diese Regelung mal in ähnlicher Form 
schoneinmal aufgebaut, damals mit 8 Fets und 82mOhm 10% Shunts. Da lag 
zwischen größtem und kleinsten Strom eine Differenz von ca. 15%, was ich 
auf die Toleranz der Shunts schiebe. Die hier verwendeten 30mOhm haben 
1% Toleranz, daran soll es nicht liegen. Damals habe ich auch die ach so 
schlechten LM358 verwendet. Was hier mich vor Allem so verwundert, ist 
ja das Verhalten der Opamps am Ausgang, da liegt eine Differenzspannung 
von 2,8V an den Eingängen an und das Teil macht keine Anstalten, das 
auszuregeln. Naja, morgen schmeiße ich mal das Oszi an. Ich schaue mal, 
ob es nicht auch geht, alle Fets an einen Opamp zu hängen, also die 
Shunts nur zum Symmetrieieren zu verwenden und dann im gepostete 
Schaltplan den Ausgang von IC9B direkt an die Gate hänge. Davon werde 
ich berichten.

Autor: MaWin (Gast)
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> Dass du die Differenzspannung zwischen Drain und Gate nimmst, lasse ich hier 
nicht gelten.

Da hast du recht, es sind keine PMOSFETs mit Source an +24V, wie es der 
Schaltplan suggeriert.

> Da lag zwischen größtem und kleinsten Strom eine Differenz von ca. 15%, was ich 
auf die Toleranz der Shunts schiebe.

Schieb's ruhig auf die Offsetspannungstoleranz der OpAmps.

> Jedoch habe ich diese Regelung mal in ähnlicher Form schoneinmal aufgebaut

Deshalb hat der Peter Koller in diesem Thread so oft gehört, daß man es 
richtig aufbauen soll, damit es nicht nur manchmal funktioniert.

> Die "doppelte" Regelung ist vermutlich echt nicht so toll, wie anfangs
gedacht

Sie macht dir vor allem Schwierigkeiten bei der Stabilität. Der LT1001 
gibt den Summen-Strom vor, und wenn ein MOSFET weiter aufdreht, könnte 
der zweite weniger weit aufdrehen. Oder umgekehrt? Das ist instabil, 
denn die Vorgabe "Spannung an +In definiert welche Spannung am Shunt 
anliegen wird" passt ja nicht, weil, so bald der OpAmp den 
MOSFET-Stromfluss ändert um ihn an die Vorgabe anzupassen, schon der 
LT1001 wieder einen anderen Strom sieht und die Vorgabe an In+ ändert.

>  also die Shunts nur zum Symmetrieieren zu verwenden

Kannst du vergessen. bei MOSFETs wären viel grössere Werte und 
Spannungsabfälle notwendig, damit das ausreicht. Das Verstärken ist 
schon in Ordnung (siehe Schaltplan des Agilent weiter oben) aber man 
muss kompensieren um ein oszillieren zu verhindern.

Ausserdem darf man nicht den Spannungsabfall am Lastwiderstand, den 
Sicherungen und dem Stromsensor mitmessen, wenn man eigentlich nur den 
Strom durch einen der beiden Transistoren regeln will.

Und du hast keinen einzigen Kondensator weit und breit, schon gar nicht 
an der richtigen Stelle. Schau mal auf die 47pF und 1000/1800pF 
Kondensatoren in der Agilent Schaltung. Die haben ihren Sinn.

Autor: MaWin (Gast)
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> Ich weiß jetzt echt nicht, was du mit "Wozu tust du 24V rein, wenneh nicht mehr 
als 11V rauskommen können

Also: Der OpAmp wird mit 15V versorgt. An seinen Ausgang kommen nicht 
mal 15V maximal raus. Das geht ans Gate des MOSFETs. Der leitet, aber 
nur so lange wie das Source nicht positiver ist als Spannung am Gate - 
Uthreshold von ca. 3V. Der MOSFET liefert also niemals mehr als 15V - 3V 
-Spannungsabfall an Shunt und Sicherung, somit 11V, an den 
Lastwiderstand.

Der Lastwiderstand, durch den dein Strom fliesst, kann also nur mit 
Spannungen zwischen 0V bis 11V betrieben werden.

Aber du steckst 24V rein.

Die verbleibenden 13V werden IMMER im MOSFET verheizt. Sinnlos verheizt. 
Es täte auch, den MOSFET mit nur 12V zu versorgen. An der Funktionalität 
der Schaltung würde sich nichts ändern, aber der MOSFET bliebe kühler.

Deine Schutung kann niemals 24V "Komplianz der Stromquelle" an den 
Lastwiderstand liefern.

Dazu wäre meine notwendig, wo die Last im Drain-Zeig nach +24V liegt.

Das hat auch noch weitere Vorteile, so wird der Spannungsabfall am 
Lastwiderstand nicht mit den Shunts mitgemessen.

Autor: Jens G. (jensig)
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@Peter Koller

Sorry, wenn ich hier noch mal reinplatze, aber ich habe es nun explizit 
ausgemessen, sprich, die unsymmetrische Stromverteilung im Versuch 
nachgewiesen (jo - keine Kommentare - kann ja alles gefaked sein von 
mir).

wie bereits auch in anderen Threads gesagt: daß etwas schon länger ohne 
Probleme läuft, heist nicht, daß es optimal/gut/effizient läuft.

Klar, die Teile sind thermisch miteinander gekoppelt, aber wie in 
elektrischen Systemen auch, haste auch in thermischen Systemen einen 
Widerstand zw. den Wärmespendern (Wärmewiderstand), der Unterschiede 
nicht komplett ausbügelt, sprich die Kopplung ist nicht 100%. Somit 
wirst Du immer je nach Unterschiede der Mosis und Kopplung, eine mehr 
oder weniger unterschiedlich hohe Temp. und damit Strom, somit Temp. im 
Si-Chip haben. Und ist die Kopplung zu lose (Extremfall wären getrennte 
KK), können Dir die Mosis ziemlich auseinanderlaufen, wenn deren 
Kennlinien zu unterschiedlich sind.
Letzterer Fall ist sicherlich seltener in der Praxis zu sehen, aber daß 
die Stromverteilung nicht unbedingt ideal ist (wenn Mosis nicht 
ausgemessen, bzw. zu sehr unterschiedlich), sollte klar sein.

Ich habe hier mal mit 2 BUZ12 auf einem schönen KK (26*8.5*4cm³ 
incl.Kühlrippen) die Stronmverteilung/Temp. gemessen. Unglücklicherweise 
waren die sehr paarig, also deren Ugsth waren gerade mal 10mV 
auseinander.
Damit konnte ich also nix gewinnen. Waren leider auch die einzigen BUZ12 
in meiner Schublade.
Nächster Versuch: zwei IRF3205. Die waren glücklicherweise keine 
Zwillinge.
Soll also heisen, der eine wurde besonders schön warm, während der 
andere relativ kühl blieb. Erstens habe ich es gemessen auf der 
Sourceleitung (je 15cm 1.5Cu - Spannungsmessung), zweitens mit einem 
IR-Thermometer direkt die Oberfläche der Mosis, und den KK in deren 
Nähe. Ich habe auch beide mal getauscht, damit beide in den Genuß 
kommen, evt. ein kühleres Plätzchen zu ergattern (weil die Mosis nicht 
wirklich 100%ig symmetrisch auf dem KK waren), aber es blieb dabei - 
Mosi A wollte immer mehr heizen als Mosi B - also sein Id war nach 
kurzer Anheizzeit deutlich höher. Erst nach einer gewissen Zeit haben 
die sich ein klein wenig angeglichen in der Temp., aber strommäßig 
hatten die trotzdem rund 25% Differenz.
Id (A+B) etwa 8A, Uds etwa 7,4V. Ugs(th)@8A beider Mosis lagen auch 
gerade mal 30mV auseinander - hat aber offensichtlich gereicht zum 
Auseinanderdriften.
Heist auf gut Deutsch: du kannst je nach Kennlinien der Mosfet ziemliche 
Unsymmetrien reinbekommen zw. den Mosis.
Gute Nacht :-)

Autor: Kevin K. (nemon) Benutzerseite
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MaWin schrieb:
> Die verbleibenden 13V werden IMMER im MOSFET verheizt. Sinnlos verheizt.
> Es täte auch, den MOSFET mit nur 12V zu versorgen. An der Funktionalität
> der Schaltung würde sich nichts ändern, aber der MOSFET bliebe kühler.
>
ich WILL ja die Leistung im FET verheizen, darum geht es in der ganzen 
Schaltung und dem ganzen Thread. Ich wüsste auch nicht, was ein FET mit 
einer sicherung und einem Widerstand in Reihe sonst noch alles tolles 
könnte, höchstens getaktet den Widerstand voll durchschalten, das soll 
aber nicht passieren, die Verlustleistung soll im FET auftreten. Für 
das, was du beschreibst ist klar, dass der FET gegen Masse geschaltet 
werden muss und der Widerstand "nach oben" zwischen positiver Spannung 
und FET. Pbrigens ist das Symbol in der Schaltung das eines N-KanalFETs.

Autor: MaWin (Gast)
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> ich WILL ja die Leistung im FET verheizen

Das soll heissen, die 24V sind keine feste Betriebsspannung und der 
Lastwiderstand das Objekt der Begierde der vom Strom durchflossen werden 
soll,

sondern die 24V sind irgendeine (nicht unbedingt 24) per elektronischer 
Last zu belastende Spannung ?


> Für das, was du beschreibst ist klar, dass der FET gegen Masse geschaltet
werden muss und der Widerstand "nach oben" zwischen positiver Spannung
und FET.

Nein, es ist im Stromkreis egal, wo was hängt, der Strom muss überall 
durch und erzeugt überall dieselbe Verlustleistung

Aber für die Auslegung der Schaltung wäre es halt besser, den 
Spannungsabfall an diesem Lastwiderstand nicht mit den IC1 mitzumessen.

Da du mir jetzt aber sagst, der Lastwiderstand R1 wäre gar nicht die 
Last, frage ich mich, was er soll, er dient ja nicht mal als Shunt zum 
Strom messen, dafür spendierst du ja noch einen Hallsensor. Lass R1 doch 
einfach weg (0 Ohm).

Autor: Kevin K. (nemon) Benutzerseite
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die 24v sind das zu belastende netzteil. das müssen nicht unbedingt 24v 
sein. ich dachte eigentlich, das würde aus dem plan eindeutig 
hervorgehen. asche auf mein haupt. wenn ich die version mit im 
widerstand wird die leistung umgesetzt, der mosfet schaltet nur nehme, 
dann muss ich den fet unter den widerstand setzen, sonst müsste die 
gatespannung über der netzteilspannung liegen, was das ganze vermutlich 
aufwändiger macht. so, wie ich es hier mache, geht das, da über der 
sicherung und dem shunt nur eine kleine spannung abfällt.

Autor: MaWin (Gast)
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> unter den widerstand setzen, sonst müsste die gatespannung über der 
netzteilspannung liegen, was das ganze vermutlich aufwändiger macht. so, wie ich 
es hier mache, geht das, da über der sicherung und dem shunt nur eine kleine 
spannung abfällt.

Wenn R1 am Drain der FETs gelegen hätte, hätte ich das verstanden, aber 
was macht R1 und warum lässt du den nicht einfach weg ?

R1 führt doch genau zu dem Problem mit der Gate-Spannung, welches du 
selber siehst.

Autor: Kevin K. (nemon) Benutzerseite
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an R1 steht extra "Leitungswiderstände", das sollte erklären, wieso ich 
die nicht weglasse.

Autor: Michael (Gast)
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>Da hast du recht, es sind keine PMOSFETs mit Source an +24V, wie es der
>Schaltplan suggeriert.

Was bitte schön suggeriert daran, dass es PMOS sind? Der Pfeil, der zum 
Kanal zeigt (is ja so typisch für PMOS :rolleyes:)?

Autor: MaWin (Gast)
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> an R1 steht extra "Leitungswiderstände",

An R1 steht in deinem geposteten Schaltplan "tungswiderstände", was ich 
als Belastungswiderstände (von 'Last') interpretiert habe, weil sonst im 
ganzen Stromkreis zwischen 24V und DGND nirgends ein sinnvolles Bauteil 
gewesen wäre.

Kann ja nicht ahnen, dass deine 24V ein zu belastender Eingang ist.

Autor: Kevin K. (nemon) Benutzerseite
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ups, das hat eagle beim bildexport glatt abgeschnitten. ich habe die 
ganze zeit in den "echten" schaltplan geschaut, da ist das natürlich 
ausgeschrieben ;)

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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Jens G. schrieb:
> @Peter Koller
>
> Sorry, wenn ich hier noch mal reinplatze, aber ich habe es nun explizit
> ausgemessen, sprich, die unsymmetrische Stromverteilung im Versuch
> nachgewiesen (jo - keine Kommentare - kann ja alles gefaked sein von
> mir).
  Hallo Jens, da bin ich mal gespannt.

> wie bereits auch in anderen Threads gesagt: daß etwas schon länger ohne
> Probleme läuft, heist nicht, daß es optimal/gut/effizient läuft.

Fehlt noch, daß es nicht der Norm entspricht. Soll also heissen, eine 
Senke die 20 Jahre ausfallfrei arbeitet, u. zwar im Dauerbetrieb bei 
Tets von, Hochleistungsakkus, - ist weder optimal/gut noch effizient. 
Warum o. besser wie soll eine Senke ihre Arbeit effizient gestalten beim 
Leistung verbraten (eventuell die Werkstatt heizen)?

> Klar, die Teile sind thermisch miteinander gekoppelt, aber wie in
> elektrischen Systemen auch, haste auch in thermischen Systemen einen
> Widerstand zw. den Wärmespendern (Wärmewiderstand), der Unterschiede
> nicht komplett ausbügelt, sprich die Kopplung ist nicht 100%. Somit
> wirst Du immer je nach Unterschiede der Mosis und Kopplung, eine mehr
> oder weniger unterschiedlich hohe Temp. und damit Strom, somit Temp. im
> Si-Chip haben.
> Und ist die Kopplung zu lose (Extremfall wären getrennte
> KK), können Dir die Mosis ziemlich auseinanderlaufen, wenn deren
> Kennlinien zu unterschiedlich sind.
> Letzterer Fall ist sicherlich seltener in der Praxis zu sehen, aber daß
> die Stromverteilung nicht unbedingt ideal ist (wenn Mosis nicht
> ausgemessen, bzw. zu sehr unterschiedlich), sollte klar sein.
Soweit okay

> Ich habe hier mal mit 2 BUZ12 auf einem schönen KK (26*8.5*4cm³
> incl.Kühlrippen) die Stronmverteilung/Temp. gemessen. Unglücklicherweise
> waren die sehr paarig, also deren Ugsth waren gerade mal 10mV
> auseinander.
> Damit konnte ich also nix gewinnen. Waren leider auch die einzigen BUZ12
> in meiner Schublade.

Wo sind die Messwerte? Mal einen Gedanken darauf verschwendet, dass es 
Transis gibt, die sich durch geringere Exemplarstreuungen auszeichnen?

> Nächster Versuch: zwei IRF3205. Die waren glücklicherweise keine
> Zwillinge.
> Soll also heisen, der eine wurde besonders schön warm, während der
> andere relativ kühl blieb. Erstens habe ich es gemessen auf der
> Sourceleitung (je 15cm 1.5Cu - Spannungsmessung), zweitens mit einem
> IR-Thermometer direkt die Oberfläche der Mosis, und den KK in deren
> Nähe. Ich habe auch beide mal getauscht, damit beide in den Genuß
> kommen, evt. ein kühleres Plätzchen zu ergattern (weil die Mosis nicht
> wirklich 100%ig symmetrisch auf dem KK waren), aber es blieb dabei -
> Mosi A wollte immer mehr heizen als Mosi B - also sein Id war nach
> kurzer Anheizzeit deutlich höher. Erst nach einer gewissen Zeit haben
> die sich ein klein wenig angeglichen in der Temp., aber strommäßig
> hatten die trotzdem rund 25% Differenz.
> Id (A+B) etwa 8A, Uds etwa 7,4V. Ugs(th)@8A beider Mosis lagen auch
> gerade mal 30mV auseinander - hat aber offensichtlich gereicht zum
> Auseinanderdriften.

Schön beschrieben, doch wo ist die genaue Schaltungsbeschreibung? Wurden 
die Gates vom gleichen Treiber angesteuert, waren die Sourcesableiter 
wirklich parallel verschaltet,- hast Du in jeden Sourceableiter etwa ein 
15 cm langes 1,5mm²Cu Kabel nach Masse eingefügt, oder nur eins für 
beide.

Egal da hättes Du zwischen 1,5 u. 2,5 mOhm als Sourceshunt. Bei dem von 
Dir angegebenen Gesamtstrom von 8A fallen hier also I²xR 96mV...160mV 
ab.
Fehlen nur noch die Spannungsangaben Uds, die Du so nebenher mit etwa 
7,4V ,- warum nicht genauer, - angegeben hast. Ebenso hast Du, obwohl 
mit IR-Temp. gemessen, zu den tatsächlichen Temperaturen bzw. 
Temp.-Unterschieden keinerlei Angaben gemacht.
Sollen ich und andere damit zum "Nachgraben" aufgefordert werden, oder 
sind  die Messungen nicht erwähnenswert, da sie Deine These der 
"ordentlich" aufgebauten Schaltung, die auch optimal/gut/effizient 
arbeitet, widerspricht?


> Heist auf gut Deutsch: du kannst je nach Kennlinien der Mosfet ziemliche
> Unsymmetrien reinbekommen zw. den Mosis.
P.K. oder auch nicht.
> Gute Nacht :-)

Genau das stelle ich bis zun Gegenbeweis in Frage. Dann aber bitte mit 
allen relevanten Messwerten, und nicht so "unauffällig" nur auf eigene 
Behauptungen spezifierte Daten "zeigen".

Grüsse Peter

Autor: Kevin K. (nemon) Benutzerseite
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Peter Koller schrieb:
> Egal da hättes Du zwischen 1,5 u. 2,5 mOhm als Sourceshunt. Bei dem von
> Dir angegebenen Gesamtstrom von 8A fallen hier also I²xR 96mV...160mV
> ab.
hust *HUUUUUST*

Autor: Michael (Gast)
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Da hat einer V mit W vertauscht, Watt?

However, ich weiß echt nicht warum man sich immer noch wegen der 
Source-Widerstände hier kloppt. Sourcewiderstände sind sinnvoll wenn man 
eine gleichmäßige Strombelastung der FETs wünscht und alle vom gleichen 
Treiber aus angesteuert werden. Ist mir die Strombelastung wurscht gehts 
auch ohne. Das ist dann preiswerter und arbeitet genauso gut. Mittels KK 
kann man die FETs auch recht angenehm koppeln, ok es ist nicht auf 0.1K 
gleich aber selbst 30/40K  hauen eine dermaßige Unsymetrie rein, wie sie 
hier gern von den Sourcewiderstandsfanatiker propagiert wird. Oh, ich 
habs ja nur simuliert und sollte von daher hier gar nicht mitreden...ich 
hab ja keine Ahnung und Spice ist ja eh nur Mist...:/

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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Kevin K. schrieb:
> Peter Koller schrieb:
>> Egal da hättes Du zwischen 1,5 u. 2,5 mOhm als Sourceshunt. Bei dem von
>> Dir angegebenen Gesamtstrom von 8A fallen hier also I²xR 96mV...160mV
>> ab.
> hust *HUUUUUST*

Na bravo Kevin,
wenigstens einer der mitdenkt.
Sorry, aber Fehler sind sich selbst im Weg. Kommt davon wenn man 
nebenher noch andere Sachen erledigt. Muss natürlich richtig heissen 
U=IxR also 12mV...20mV, wodurch den oben von Jens per Messung erhobenen 
"Beweis-Daten", trotz besagter Exemplarstreuung, jede Grundlage entzogen 
ist.

Grüsse Peter

Autor: Ich (Gast)
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@ Peter Koller (akkumulator)

Sei doch einfach mit Deinem funktionierenden Gerät zufrieden. Andere 
machen eben andere Erfahrungen. Bedauernswert, wenn Du nichts anderes zu 
tun hast als hier rumzusticheln. Du hast es gemacht wie Du es für 
richtig gehalten hast. Gesteh das doch auch anderen zu.

Sch... Diskussion geworden.

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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Michael schrieb:
> Da hat einer V mit W vertauscht, Watt?
>
> However, ich weiß echt nicht warum man sich immer noch wegen der
> Source-Widerstände hier kloppt. Sourcewiderstände sind sinnvoll wenn man
> eine gleichmäßige Strombelastung der FETs wünscht und alle vom gleichen
> Treiber aus angesteuert werden. Ist mir die Strombelastung wurscht gehts
> auch ohne. Das ist dann preiswerter und arbeitet genauso gut. Mittels KK
> kann man die FETs auch recht angenehm koppeln, ok es ist nicht auf 0.1K
> gleich aber selbst 30/40K  hauen eine dermaßige Unsymetrie rein, wie sie
> hier gern von den Sourcewiderstandsfanatiker propagiert wird. Oh, ich
> habs ja nur simuliert und sollte von daher hier gar nicht mitreden...ich
> hab ja keine Ahnung und Spice ist ja eh nur Mist...:/

Michael

Du kannst dir auch en Knopf an die Backe nähen. Aber wenn Du 
beispielsweise mit 4 T0247 Leistungsfets 100A verbraten musst u. 
möchtest unbedingt "wirksame" Sourcewiderstände einfügen, so dürfen die 
nicht wesentlich kleiner als 0,1 Ohm sein, um wenigstens eine 
Spannungsabfall von 2,5V zu erzwingen.

Allerdings müssten die dann wiederun je 62,5W (I²xR) verbraten, werden 
somit,- obwohl ihre Funktion nach wie vor zweifelhaft bleibt,- zur 
teuersten Investition der Senke.
Da kannst Du solange simmulieren wie Du willst(oder musst?!)

Grüsse Peter

Autor: Gerd (Gast)
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Ich verwende gerne BUZ12. Die Streuung ist bei denen nicht besonders 
groß und es gibt da selten Schwierigkeiten mit Parallelschaltungen.

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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Ich (Gast)schrieb:
> @ Peter Koller (akkumulator)
>
> Sei doch einfach mit Deinem funktionierenden Gerät zufrieden. Andere
> machen eben andere Erfahrungen. Bedauernswert, wenn Du nichts anderes zu
> tun hast als hier rumzusticheln. Du hast es gemacht wie Du es für
> richtig gehalten hast. Gesteh das doch auch anderen zu.
>
> Sch... Diskussion geworden.

Hallo Ich-Gast,

bist Du davon überzeugt, das solch sinnfreies Geschwafel uns hier 
irgendwie weiterbringt? Falls Dir dieser Thread nicht gefällt o. gar 
stresst, - es gibt noch genug andere Themen.- Du bist offensichtlich 
nicht "Debattenfest".

Grüsse Peter

Autor: Ich (Gast)
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@ Peter Koller (akkumulator)
Irgendwie kannst Du es nicht lassen, oder?

>Aber wenn Du beispielsweise mit 4 T0247 Leistungsfets 100A verbraten musst >u. 
möchtest unbedingt "wirksame" Sourcewiderstände einfügen, so dürfen die
>nicht wesentlich kleiner als 0,1 Ohm sein, um wenigstens eine
>Spannungsabfall von 2,5V zu erzwingen.

Bei 100A nimmt man mehr als 4 Transistoren.

Dann mal zu Deinem Aufbau:

>Meine Senke arbeitet seit 20 Jahren mit 20 BUZ12 störungsfrei, kann
>locker 2 KW verbraten.

Du verkachelst pro TO220-Transistor 100 Watt (der 125 Watt Ptot hat). 
Das ohne Sourcewiderstände. Was für einen KK verwendest Du, um die 
Sperrschichttemperatur von jedem Transistor unter 50° zu halten?


>sinnfreies Geschwafel

Das kommt von Dir.

Autor: Michael (Gast)
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>Michael
>
>Du kannst dir auch en Knopf an die Backe nähen. Aber wenn Du
>beispielsweise mit 4 T0247 Leistungsfets 100A verbraten musst u.
>möchtest unbedingt "wirksame" Sourcewiderstände einfügen, so dürfen die
>nicht wesentlich kleiner als 0,1 Ohm sein, um wenigstens eine
>Spannungsabfall von 2,5V zu erzwingen.
>
>Allerdings müssten die dann wiederun je 62,5W (I²xR) verbraten, werden
>somit,- obwohl ihre Funktion nach wie vor zweifelhaft bleibt,- zur
>teuersten Investition der Senke.
>Da kannst Du solange simmulieren wie Du willst(oder musst?!)
>
>Grüsse Peter

Hallo Peter,

wie ich oben schon schrieb kommt es drauf an womit man Leben kann. Darf 
einer deiner Transistoren auch wesentlich mehr als 100A verbraten und 
eine anderere dafür wesentlich weniger dann gehts auch ohne 
Sourcewiderstände. Dürfen die Transistoren nicht wesentlich mehr als 
100A abbekommen kommste um Sourcwiderstände nicht drum rum.

Deine Mathematik versteh ich allerdings nicht. Wie kommst du bei deinem 
Beispiel (0.1Ohm, 2.5V, 100A) darauf, dass die Widerstände "nur" 62.5W 
verheizen müssen? Also 2.5V mal 100A gibt bei mir 250W...so also 
schonmal net. 100A zum Quadrat mal 0.1Ohm gibt 1000W...so auch net? Was 
haste denn da gerechnet? Taschenrechner kaputt? Aber mal Spass beiseite, 
wenn man sieht, dass man mit 4 FETs, die alle nur so 100A haben sollen, 
bei den Sourcewiderständen ohne Ende Leistung verbraten muss dann 
empfiehlt sich eigentlich immer statt teurer Leistungswiderstände 
einfach mehr Zweige zum verheizen aufzubauen, also statt 4 FETs zum 
Leistung verheizen 10 Fets nehmen. Dann kommt man vielleicht an eine 
Lösung, die gar keine Sourcewiderstände braucht weil man Welten weit von 
den Leistungsgrenzen der FETs weg ist. Man muss halt abwägen.

Autor: Jens G. (jensig)
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@Peter Koller (akkumulator)
>Fehlt noch, daß es nicht der Norm entspricht. Soll also heissen, eine
>Senke die 20 Jahre ausfallfrei arbeitet, u. zwar im Dauerbetrieb bei
>Tets von, Hochleistungsakkus, - ist weder optimal/gut noch effizient.
>Warum o. besser wie soll eine Senke ihre Arbeit effizient gestalten beim
>Leistung verbraten (eventuell die Werkstatt heizen)?

ich meine nicht den Wirkungsgrad, sondern Ausnutzung der Teile (wenn 
deine Transistoren nur mit paar 10% von Ptot ausgelastet sind, hast Du 
ja noch reichlich Reserve, kannst Dir die Unsymmetrien leisten - aber 
man könnte es auch mit weniger Mosis in parallel machen, wenn die Dinger 
entweder getrennt geregelt werden, oder zumindest auf Paarigkeit 
ausgesucht werden.

>Wo sind die Messwerte? Mal einen Gedanken darauf verschwendet, dass es

Wozu Meßwerte - wie ich schon sagte, mit den zwei Exemplaren konnte ich 
keine größeren Unterschiede feststellen (allerdings habe ich mit den 
IRF's festgestellt, daß je nach Last sich unterschiedliche Ugsth, 
Steilheit unterschiedlich auf die Balance auswirken.

>Transis gibt, die sich durch geringere Exemplarstreuungen auszeichnen?

was heist geringer? 10mV ist für einen Mosi schon recht gering - daß es 
noch geringer geht, ist klar.

>Schön beschrieben, doch wo ist die genaue Schaltungsbeschreibung? Wurden
...

Na gut - hier mal ein Foto im Anhang. Mosfets sind einfach mit 
Minischraubzwingen festgeklemmt mit Wärmeleitpaste drunter. Und ich habe 
die mit Absicht rel. weit auseinandergesetzt, um mal den Effekt etwas zu 
verstärken (ist ungefähr derselbe Effekt, wie wenn man Glimmerscheiben 
drunter macht - sind dann auch loser gekoppelt, oder wenn die Mosidaten 
recht unterschiedlich sind). Wie man sieht, ist da nicht viel 
Elektronik, denn die Mosis regelns sich selbst durch die 
Spannungsrückkopplung (1,5k zw. D und G, und ein zweiter 1,5k zw. G und 
S - also Verstärkung 2, macht 2*Ugsth am D). Spannung wird also von den 
Mosis bestimmt - je nach Strom/Temp (deswegen meine Aussage, daß es um 
7,4V sind - genauer gehts eben nicht, was ja auch egal ist)
Unten die Massezuführung, wo alles sternförmig zusammenhängt, Die rote 
Klemme am Kühlkörper Mitte ist +. Und die rote Strippe quer rüber ist 
die Gateleitung.
Die zwei gelben sind die "Sourcewiderstände" (3mOhm, 5% Differenz)

>Egal da hättes Du zwischen 1,5 u. 2,5 mOhm als Sourceshunt. Bei dem von
>Dir angegebenen Gesamtstrom von 8A fallen hier also I²xR 96mV...160mV
>ab.

Seltsame Rechnung - ich komme (mit 3mOhm) auf 12mV - nicht 24mV, weil 
pro Strippe sinds ja nur 8/2A (Deine Formel ist die Leistungsformel ;-)

>Fehlen nur noch die Spannungsangaben Uds, die Du so nebenher mit etwa
>7,4V ,- warum nicht genauer, - angegeben hast. Ebenso hast Du, obwohl

die 7,4V habe ich gerade begründet.

>mit IR-Temp. gemessen, zu den tatsächlichen Temperaturen bzw.
>Temp.-Unterschieden keinerlei Angaben gemacht.

Ich hatte noch nix genaues gemessen, was die Absolutwerte angeht, weil 
je nach Last/Temp. dies schwankte, und die Mosis dann sogar ihre Rollen 
tauschten (habe ich erst heute bemerkt, als ich mal mit 10A loslegte). 
Ich habe aber heute nochmal den Test gemacht:
bis etwa 5A (Summe) hatte der linke mehr Strom (auch wenn er noch kalt 
war, hatte er immer etwas mehr Last zu tragen - so etwa 55-60% der 
Gesamtlast). Richtung 7-9A herrschte etwa Gleichstand. Drehte ich aber 
auf Volllast (mehr als 10A habe ich net), ging plötzlich der rechte in 
Führung - und zwar nicht zu knapp - bei einem Stromverhältnis von rund 
1:2 (also an die 7A rechts, 3A links - ebenso das Leistungverhältnis) 
habe ich dann abgebrochen, denn lt. Temp.-Messung hatte der KK rechts 
vor dem Mosi (an schwarzer Vorderseite) 105°C erreicht (und stieg noch), 
links so 95°C.
Hinterm Mosi (also von unten gemessen - näher am Mosi dran) rechts 128°C 
(stieg noch), links "nur" 105°C (relativ konstant).
Ich denke, über die Wärmewiderstände gerechnet war wohl der rechte so 
langsam am Maximum angekommen (175°C).
Wäre es ausbalanciert gewesen, hätten wir noch reichlich Luft (das meine 
ich mit effizient)
Jetzt kann man sich streiten (ohne die Dinger mal auszumessen), warum 
der rechte plötzlich bei 10A in Führung ging. Kann sein, er hat eine 
größere Steigung, oder doch etwas mehr Wärmewiderstand zw. ihm und dem 
KK? Wer weis.
Wären die Mosis in ihren Daten noch weiter auseinander gewesen, wäre die 
Unsymmetrie auch entsprechend größer gewesen (Ugs hatte bei den IRF3205 
zwar 30mV difference bei 5A, ist aber eigentlich immer noch nicht viel, 
wenn man bedenkt, daß lt. DB Ugs(th) zw. 2 und 4V liegen kann !!! Hätte 
ich solche unterschiedliche Mosis, wäre es bestimmt noch interessanter 
geworden.

>Genau das stelle ich bis zun Gegenbeweis in Frage. Dann aber bitte mit
>allen relevanten Messwerten, und nicht so "unauffällig" nur auf eigene
>Behauptungen spezifierte Daten "zeigen".

Sorry, daß ich immer nur mit ungefähren Angaben gedient habe, aber was 
sollen auch genauere Angaben - wenn es ein anderer macht, oder ich 
andere Mosis, siehts mit Sicherheit wieder anders aus mit den Meßwerten. 
Mir ging es nur darum, das abdriften zu zeigen.

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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Hi Michael,
you wrote:

Hallo Peter,

wie ich oben schon schrieb kommt es drauf an womit man Leben kann. Darf
einer deiner Transistoren auch wesentlich mehr als 100A verbraten und
eine anderere dafür wesentlich weniger dann gehts auch ohne
Sourcewiderstände. Dürfen die Transistoren nicht wesentlich mehr als
100A abbekommen kommste um Sourcwiderstände nicht drum rum.

Deine Mathematik versteh ich allerdings nicht. Wie kommst du bei deinem
Beispiel (0.1Ohm, 2.5V, 100A) darauf, dass die Widerstände "nur" 62.5W
verheizen müssen? Also 2.5V mal 100A gibt bei mir 250W...so also
schonmal net. 100A zum Quadrat mal 0.1Ohm gibt 1000W...so auch net? Was
haste denn da gerechnet? Taschenrechner kaputt?

<<<Meine Rechnug stimmt schon, denn ich gehe von 100A Gesamtstrom aus, 
<<<haste wohl überlesen,- also ergibt sich zunächstmal ein angenommener 
<<<Einzelstrom von 25A pro Fet. Folglich ergibt sich aus I²xR = 25A²x 
<<<0,1Ohm = 62,5W!für jeden Sourcewiderstand. Mein Rechner 
funktioniert.>>

 Aber mal Spass beiseite,
wenn man sieht, dass man mit 4 FETs, die alle nur so 100A haben sollen,
bei den Sourcewiderständen ohne Ende Leistung verbraten muss dann
empfiehlt sich eigentlich immer statt teurer Leistungswiderstände
einfach mehr Zweige zum verheizen aufzubauen, also statt 4 FETs zum
Leistung verheizen 10 Fets nehmen. Dann kommt man vielleicht an eine
Lösung, die gar keine Sourcewiderstände braucht weil man Welten weit von
den Leistungsgrenzen der FETs weg ist. Man muss halt abwägen.

<<< Da setzt sich Dein Lesefehler fort, - habe nie gesagt das jeder Fet 
<<<100A verbraten soll, sondern 4 sollen die 100A verbraten.(Dieses 
<<<Beispiel hab ich hier aus dem Tread übernommen). Ich würde ganz 
gewiss <<<nicht versuchen 100A mit nur 4 Fets zu verbraten,- ich nehm 20 
wie Du <<<weisst.

<<<Aber zurück zum Thema Du bist immernoch die Messwerte 
<<<(Temp.-Unterschiede, Spannungen, Einzelströme der Fets) aus Deinen 
Tests <<<mit den Buz12 u. den irf 3205 schuldig. Oder hast Du das 
zufällig <<<überlesen.

Grüsse Peter

Autor: Jens G. (jensig)
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> <<<Aber zurück zum Thema Du bist immernoch die Messwerte
> <<<(Temp.-Unterschiede, Spannungen, Einzelströme der Fets) aus Deinen
> Tests <<<mit den Buz12 u. den irf 3205 schuldig. Oder hast Du das
> zufällig <<<überlesen.

Galt sicherlich mir - wie auch immer - siehe oben ...

Autor: Michael (Gast)
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><<<Meine Rechnug stimmt schon, denn ich gehe von 100A Gesamtstrom aus,
><<<haste wohl überlesen,- also ergibt sich zunächstmal ein angenommener
><<<Einzelstrom von 25A pro Fet. Folglich ergibt sich aus I²xR = 25A²x
><<<0,1Ohm = 62,5W!für jeden Sourcewiderstand. Mein Rechner
>funktioniert.>>

Das hatte ich mir schon gedacht aber fällt was auf? So schnell kann man 
falsch verstanden werden ;)

><<< Da setzt sich Dein Lesefehler fort, - habe nie gesagt das jeder Fet
><<<100A verbraten soll, sondern 4 sollen die 100A verbraten.(Dieses
><<<Beispiel hab ich hier aus dem Tread übernommen). Ich würde ganz
>gewiss <<<nicht versuchen 100A mit nur 4 Fets zu verbraten,- ich nehm 20
>wie Du <<<weisst.

Da setzt sich der Lesefehler nicht fort sonder ich bin konsequenter 
Weise bei der Sicht geblieben, die ich oben hatte. So ähnlich wie du bei 
der Sicht bleibst, dass Sourcewiderstände in jedem Fall Schwachsinn sind 
obwohl schon mehrfach gesagt wurde, dass sie durchaus Sinn machen können 
(aber nicht müssen). Ebenso wie keine Widerstände Sinn machen können 
oder auch nicht. Je nach Anforderung halt.

Autor: Jens G. (jensig)
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Ha - habe jetzt mal explizit zwei unterschiedliche IRF3205 rausgesucht, 
bei denen Ugs bei 2A um rund 130mV differiert (um 3,8V)

Nachfolgend eine kleine Meßreihe mit dem Gesamtstrom und die beiden 
Rs-Spannungen (Sourcewiderstände, durch 3mOhm kann jeder selbst 
ausrechnen, wo die Teilströme stehen)
Der Gesamtstrom ist nicht sehr genau, da ich mich hier auf das recht 
ungenaue Amperemeter im Netzteil verlasse

2A  macht 4,2 + 1,1mV
5A macht 11,8 (noch leicht ansteigend) + 1,9mV (entsprechend sinkend)
7,5A macht 21,5 (ebenfalls noch ganz sachte ansteigend) + 1,5mV (Temp. 
jetzt 73°C und 51°C).

Mehr traue ich mich schon nicht mehr, weil schon jetzt der linke auf dem 
Gehäuse über 100°C zeigt (eigentlich noch mehr, weil das Ir-Thermometer 
z.T. auch die relativ kalte Zwinge mit im Visier hat)

Hier sieht man schön, daß selbst im kalten zustand eine höchst ungleiche 
Stromverteilung vorliegt (da kannste die Mosis thermisch koppeln, wie du 
willst).
Damit bin ich eigentlich nur bis rund 50W gekommen (weil nur einer fast 
die gesamte Last trägt), während vorhin mit den "gleicheren" Mosis um 
die 75W möglich waren. wzbw.
Interessant finde ich, daß bei 7,5A der rechte sogar weniger Strom zieht 
als bei 5A (der hält sich also schon praktisch komplett raus, weil er so 
schön kalt bleibt).

Autor: Jens G. (jensig)
Datum:

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Ach ja - man könnte eigentlich folgende Schlußfolgerungen daraus ziehen:
- mist man die Mosis relativ genau auf Gleichheit aus, und die werden 
thermisch relativ gut gekoppelt, könnte man sogar auf Source-R's 
verzichten ohne größere Nachteile.
- wenn man es nicht so genau nimmt, sollten Source-R's rein
- mist man gar nix aus, sondern nimmt einfach 'ne Handvoll aus der Tüte 
und baut die ein, müsste man entweder größere Source-R's nehmen (was 
aber die Sache nicht besonders gut ausbügelt, es sei denn, man nimmt 
richtig große R-Werte), oder besser gleich separate Regelungen vorsehen

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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Sorry Jens,

hab wohl die Namen verwechselt.
Ausserdem Deinen Beitrag mit Foto des Messaufbaus erst gerade gelesen.
Auf dem Foto weichst Du aber sehr stark von dem von mir erwähnten 
Vorschlag zur thermischen Kopplung ab. Die beiden Fets liegen doch min. 
20cm auseinander.
Zur Erinnerung:Punkt 1: Werden die parallel geschaltenden Fets auf dem 
KK im
entsprechenden Abstand zu einander platziert, wird jeder heissere Fet
seine Hitze über den KK zu mehr o. weniger gleichen Teilen, an die
benachbarten Fets, wie auch über den KK, an die Umgebungsluft abgeben.
Folglich kühlt der heisse Fet ab, während der „kalte“ sich etwas
aufheizt, wodurch letztlich eine Wärmekonvektion unter allen Fets
entsteht, die sehr schnell für „normale“ Verhältnisse in der
Stromverteilung sorgt. (kann man natürlich nur bei praktischer
Anwendung, - nicht bei der Simulation, - verifizieren).
Punkt  2: Hierdurch, bzw. ab jetzt, kommt wieder der allseits
umstrittene RDSon  ins Spiel, der seinerseits zum Wohlfühlklima aller
Fets auf diesem KK, beiträgt.
Noch weiter oben habe ich gesagt, dass der KK meiner Senke entsprechend 
dimensioniert u.mit 8 stück 120mm Bläsern bestückt ist, das die KK-Temp. 
40° nicht übersteigt.
Das hast Du bei Deinem Test aussen vorgelassen, um das driften 
drastischer darstellen zu können. Okay, verstehe ich ja.
Doch das eben, gilt es schon beim Gesamtkonzept zu bedenken, um einen 
komplexen, bauteilintensiven und auch teuren Aufbau zu "umschiffen".

Wenn Du Bock hast, kannst ja den Test unter meinen Bedingungen 
wiederholen.
Also die Fets ohne Glimmer nur Wärmeleitpaste, Abstand 2..3cm,auf dem KK 
montieren (richtig anschrauben, nicht festklemmen, die Praxis grüsst) u. 
per Bläser die KK-Temp.nicht über 40° kommen lassen. Wichtig, beide Fets 
vom gleichen Treiber ansteuern. Dann können wir uns wieder unterhalten.

Grüsse Peter

Autor: Falk Brunner (falk)
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@  Peter Koller (akkumulator)

>aufheizt, wodurch letztlich eine Wärmekonvektion unter allen Fets
>entsteht,

Nix Konvektion, dort gibt es AUF dem KK reine KONDUKTION, also 
Wärmeleitung. Konvektion beschreibt den Wärmetransport durch ein 
bewegliches Medium, hier Luft.

> die sehr schnell für „normale“ Verhältnisse in der
>Stromverteilung sorgt.

Mehr oder weniger.

>Punkt  2: Hierdurch, bzw. ab jetzt, kommt wieder der allseits
>umstrittene RDSon  ins Spiel, der seinerseits zum Wohlfühlklima aller
>Fets auf diesem KK, beiträgt.

Keine Sekunde, denn der spielt wie bereits mehrfach gesagt im 
Linearbetrieb KEINERLEI Rolle.
Denn hier wird RDS (ohne ON) zwischen dem Minimalwert (RDS-ON) und 
"Unendlich" geregelt, je nach Strom.

>Noch weiter oben habe ich gesagt, dass der KK meiner Senke entsprechend
>dimensioniert u.mit 8 stück 120mm Bläsern bestückt ist, das die KK-Temp.
>40° nicht übersteigt.

Hmm, das ist ziemlich kühl. Hier wird also durch massive 
Überdimensionierung eine Reserve geschaffen. Im Prinzip OK, aber aus 
technisch ökonomischen Gesichtspunkten würde man für ein Serienprodukt 
das weniger so machen.

>montieren (richtig anschrauben, nicht festklemmen, die Praxis grüsst)

Es gibt Leute, die behaupten das Gegenteil.

http://sound.westhost.com/heatsinks.htm#13

MfG
Falk

P S  Mir stellt sich die Frage, was an einer Handvoll OPVs und Shunts so 
aufwendig sein soll, dass man um Teufel komm raus die nicht einbauen 
will?
Und 100W mit einem TO220 zu verbraten ist schon SEHR sportlich. AFAIK 
liegt die empfohlene thermische Grenze je nach Hersteller bei 50..75W.

P P S Wir wollen ja glauben, dass deine Senke seit langer Zeit gut 
läuft. Aber das heisst dennoch NICHT zwangsläufig, das sie prinzipiell 
richtig dimensioniert ist. Das KANN sein, muss aber nicht. Bestest 
Beispiel der immer wieder gern zitierte UART mit RC-Oszillator. Das KANN 
funktionieren, tut es aber im Allgemeinen NICHT. Denn sowas zeigt sich 
erst in einer grösseren Serienprodukton, wo Toleranzen voll zu schlagen. 
Man kann prinzipiell NICHT schlussfolgern, dass wenn es im Einzelfall 
funktioniert, es dann prinzipiell IMMER funktioniert. Das muss 
theoretisch UND praktisch NACHGEWIESEN werden. In Stückzahlen. Geht 
nicht gegen dich Peter, ist allgemein so.

Autor: Jens G. (jensig)
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@Peter Koller (akkumulator)

>Auf dem Foto weichst Du aber sehr stark von dem von mir erwähnten
>Vorschlag zur thermischen Kopplung ab. Die beiden Fets liegen doch min.
>20cm auseinander.

Ich habe auch schon eindeutig erwähnt, daß ich es mal extra so gemacht 
habe, um den Effekt deutlicher hervortreten zu lassen. Ich kann auch das 
ungleiche Paar aus dem letzten Versuch auch ordentlich miteinander 
koppeln - der eine wird grundsätzlich mehr ziehen, und hat der auch noch 
eine rel. hohe Steigung, dann verschlimmert sich das ganz noch mit 
zusätzlichem Strom.
Sind die nicht so ideal miteinander gekoppelt, dann laufen die erst 
recht auseinander.

>Punkt  2: Hierdurch, bzw. ab jetzt, kommt wieder der allseits
>umstrittene RDSon  ins Spiel, der seinerseits zum Wohlfühlklima aller
>Fets auf diesem KK, beiträgt.

wie schon Falk, ich und andere sagten - nix Rdson. Wir sind im 
Linearbetrieb !!! Da gelten andere Regeln (du scheinst permanent zum 
Modus "Schaltbetrieb" zurückzufallen).

>Das hast Du bei Deinem Test aussen vorgelassen, um das driften
>drastischer darstellen zu können. Okay, verstehe ich ja.

Freud mich ;-)

>Doch das eben, gilt es schon beim Gesamtkonzept zu bedenken, um einen
>komplexen, bauteilintensiven und auch teuren Aufbau zu "umschiffen".

>Wenn Du Bock hast, kannst ja den Test unter meinen Bedingungen
>wiederholen.
>Also die Fets ohne Glimmer nur Wärmeleitpaste, Abstand 2..3cm,auf dem KK
>montieren (richtig anschrauben, nicht festklemmen, die Praxis grüsst) u.
>per Bläser die KK-Temp.nicht über 40° kommen lassen. Wichtig, beide Fets
>vom gleichen Treiber ansteuern. Dann können wir uns wieder unterhalten.

Was hast Du gegen das festklemmen? Ich wette, meine Zwingen halten das 
Ding besser auf dem KK als die übliche Einlochmontage (meine Methode 
zwingt ja regelrecht den Si-Kristall auf den KK).

40°C am KK ist unwichtig - wenn Du 100W bei Rtj-kk=1K/W drüberjubelst, 
dann sieht der Mosi in seinem innersten 140°C - kleine Schwankungen im 
Rt, den ein Mosfet sieht, lassen dessen Die-Temp. schonmal 
unterschiedlich aussehen - schon beste Voraussetzung also.

Übrigens: sind deine Mosis ausgemessen? Oder einfach nur aus der 
Bastelkiste geholt, und auf KK gepappt? In dem Falle kann man schon fast 
wetten, daß da paar taube Mosis mit drunter sind, die aufgrund erhöhter 
Ugs nur herumlümmeln, und nicht sehr zum Strom beitragen

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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Hallo Jens u. Falk,

Meine Senke habe ich wie schon erwähnt vor gut 20 Jahren (auf die 
Schnelle) aufgebaut. War auch nur für 50A/1KW konzipiert. Die Fets waren 
nicht selektiert. Sie wurde u.wird ausschlielich zur Akkumessungen im 
Modellbau gebraucht. Vor 20 Jahren gabs noch keine NC-Zellen die 50Acc 
über ihre Kapazität bei annehmbare Spannungslage schafften, 20..30Acc 
war schon super.

Mittlerweile sind fast alle Modellbauer auf Lipos umgestiegen. Am Markt 
sind z.B. (5000mAh Packs) die lt. Hersteller 20..35C-Raten, also 
100...175Acc vetragen(sollen).
An der Senke testen wir diese Zellen nur mit Impulslast, soll 
z.B.heissen 50s 10C(50Acc), 5s 25C(125Acc)im wechsel.(s.Anhang)
Hintergrund,die Zellenpacks sollten sich nicht über 60° erwärmen. Das 
macht meine Senke gerade noch mit.
Es aber auch F5B-Speedflieger, die auf die Herstellerspezifikationen 
sch...n, u. mal 5s lang 300A ziehen, mit 30s Pausen, trotzdem 100 Zyklen 
schaffen.(s.Anhang)

Das schafft meine Senke nicht.

Mittlerweile habt ihr mich auch soweit gar gekocht, dass ich für die 
geplante neue 4KW Senke (deren Endstufen übrigens auf dem gleichen KK 
aufgebaut werden) T0247er Fets nehme, 30..40 Stück. Und wie ich 
zwischenzeitlich eingesehen habe, mit dem nötigen Hühnerfutter, 
Einzeltreiber, Sourcewiderstände usw. versorge. Wird aber teuer, damals 
war'ns nur um die 100D-Mark.
Damit haben wir diese Debatte hoffentlich vom Tisch

Grüsse Peter

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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Sorry, der 2. Anhang wollte nicht.

Vieleicht klappst nun.

Grüsse Peter

Autor: Jens G. (jensig)
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Naja, wir wollten Dich ja nicht weichklopfen, aber ich denke, wer die 
Dinger einigermaßen ausnutzen will, sollte schon mal da ein bißchen mehr 
ins Detail gehen. Wenn Du Pech hast, und Du hast nichsts ausgemessen, 
dann liegen einiger deiner eingebauten Mosis auf der faulen Haut, und 
lassen sich nur mitheizen. Oder, wenn Du ganz großes Pech hast, haben 
nur einige wenige Mosis eine niedrige Ugs, während der größere Teil eine 
hohe Ugs hat - und dann haste den Spaß, daß vielleicht nur 30% aller 
Mosis effektiv was machen (die anderen kannste ausbauen, ohne das System 
schlechter zu machen ;-) Gerade in so einem Falle wäre dann eine 
separate Regelung angebracht - zumindest wenn es Serienproduktion mit 
nicht ausgemesenen Teilen werden soll.

Achja, Du sagtest, normalerweise setzt man die Mosis nur wenige cm 
auseinander. Das mag in Deinem Falle stimmen, wo der KK einen recht 
niedrigen Rth hat (wegen der Lüftung), und somit recht viel Leistung auf 
kleinem Raum konzentrieren kann.
Würde man wie ich einen passiven Kühler nehmen, dann kannste damit 
vielleicht an die 100W abführen. Dazu reichen die zwei Mosis (evtl auch 
vier, womit das interne Temp.-Gefälle bis zum KK von schätzungsweise 
50°C halbiert wird), die aber sicherlich nicht nur paar cm auseinander 
liegen, sondern vielleicht so 15cm, um die Leistung sinnvoll auf dem KK 
zu verteilen.

Habe grad noch mal einen Test laufen - diesmal die zwei gleichern IRF's 
in der Mitte des KK geklemmte - rund 4cm Abstand. Die laufen zwar nicht 
mehr extrem auseinander bei 10A, trotzdem etwa noch 20% Differenz. Ist 
nicht viel, bzw. nicht besorgniserregend, aber andererseit dadurch, daß 
die in der Mitte des KK angebracht sind, und dort einen ordentlichen 
Hotspot bilden, wird der KK natürlich nicht optimal ausgenutzt (in der 
Mitte z.Zt. 112°C, an den Rändern um die 80°C)

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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Hallo Jens,

you wrote: Naja, wir wollten Dich ja nicht weichklopfen
<<war von mir auch mit "augenzwinker"gemeint.

aber ich denke, wer die
Dinger einigermaßen ausnutzen will, sollte schon mal da ein bißchen mehr
ins Detail gehen. Wenn Du Pech hast, und Du hast nichsts ausgemessen,
dann liegen einiger deiner eingebauten Mosis auf der faulen Haut, und
lassen sich nur mitheizen. Oder, wenn Du ganz großes Pech hast, haben
nur einige wenige Mosis eine niedrige Ugs, während der größere Teil eine
hohe Ugs hat - und dann haste den Spaß, daß vielleicht nur 30% aller
Mosis effektiv was machen (die anderen kannste ausbauen, ohne das System
schlechter zu machen ;-) Gerade in so einem Falle wäre dann eine
separate Regelung angebracht - zumindest wenn es Serienproduktion mit
nicht ausgemesenen Teilen werden soll.

<<< War nie für Profizwecke gedacht, nur musste schnell was brauchbares 
her.
<<< Warscheinlich habe ich mit den verwendeten Fets, dem gedrängten 
Aufbau, <<< und der super Zwangskühlung, einfach nur Glück gehabt. Sonst 
hätte das <<< Teil während der 100A/2KW-Entladungen Rauchzeichen 
gegeben.
<<< Ich würde gerne mal mit dem IR-Therm. mal die Temp. der einzelnen 
Fets <<< kontrollieren, aber der Aufwand ist mir zu groß.

Habe grad noch mal einen Test laufen - diesmal die zwei gleichern IRF's
in der Mitte des KK geklemmte - rund 4cm Abstand. Die laufen zwar nicht
mehr extrem auseinander bei 10A, trotzdem etwa noch 20% Differenz. Ist
nicht viel, bzw. nicht besorgniserregend, aber andererseit dadurch, daß
die in der Mitte des KK angebracht sind, und dort einen ordentlichen
Hotspot bilden, wird der KK natürlich nicht optimal ausgenutzt (in der
Mitte z.Zt. 112°C, an den Rändern um die 80°C)

<<< Soweit stimme ich zu, mich würde aber mal interessieren wie hoch die 
Drift, sowie die Temp.-verhältnisse sich bei Zwangskühlung 
(KK-Temp.kleiner 50°) ist.

Grüsse Peter

Autor: Falk Brunner (falk)
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@  Peter Koller (akkumulator)

http://www.afaik.de/usenet/faq/zitieren/

Autor: Peter Koller (akkumulator)
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Falk Brunner schrieb:
> @  Peter Koller (akkumulator)
>
> http://www.afaik.de/usenet/faq/zitieren/

Und sonst, wie geht's gesundheitlich Herr "LEHRER"?

Ich wünsche wohl zu ruhen.

Autor: Jens G. (jensig)
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Hi Peter,

>Und sonst, wie geht's gesundheitlich Herr "LEHRER"?

naja - er mag sehr auf die Etikette achten, aber Dein Zitiermodus ist 
wirklich reichlich gewöhnungbedürftig (und er hat auch wirklich recht). 
Ich muß wirklich manchmal überlegen - ist es von mir, oder von Dir ....

>Soweit stimme ich zu, mich würde aber mal interessieren wie hoch die
>Drift, sowie die Temp.-verhältnisse sich bei Zwangskühlung
>(KK-Temp.kleiner 50°) ist.

kann ich nicht sagen - da wäre schon größerer Aufwand nötig, das zu 
testen (habe jetzt keinen Lüfter hier rumliegen, den ich mal packen 
könnte).
Aber das Problem wäre, daß Du dann (wenn dein KK wirklich auf 40°C 
gedrückt wird), vom Si-Chip bis zum KK rund 100°C Diff. hast (wenn der 
Mosi so einigermaßen ausgelastet wäre) - jeder kleine Unterschied im Rth 
zw. Si und KK würde dann schon reichlich Temp.-Unterschied ergeben, und 
damit Strom(Leistungs)unterschied .....

Ich habe den Test bis jetzt immer noch laufen (115°C im Zentrum)- es ist 
interessant, daß sich da eine Art Oszillation ausbildet. Also die 
Stromverteilung schwankt immer ein bißchen zw. li. und re. (nicht viel, 
aber so 7-8% sind's halt). Sind immer noch 4cm Abstand)
Ich kann mir vorstellen, daß es bei mehr Abstand auch mehr Oszillation 
geben könnte.
Daß Oszillation nicht unmöglich ist, ist klar, weil es dauert halt eine 
Weile, bis die Überleistunng des einen beim anderen anderen ankommt.

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