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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik MOSFET passend?


Autor: Lukas R. (Gast)
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Hab mal die H-Brücke entworfen. Angesteuert wird ein 300W Getriebemotor 
24V.
Bin mir nicht ganz sicher, ob der eingesetzte MOSFET passend ist bzw bin 
ich für Kritik an der Schaltung jederzeit offen.

: Verschoben durch Admin
Autor: Lukas R. (Gast)
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sry mein doofer Kolege neben mir hats auch raufgeladen

Autor: MaWin (Gast)
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Es fehlen Bauteile, um Störungen zu vermeiden, am Motor und an den 
Versorgungsspannungen der ICs.
So sieht die Schaltung danach aus: Wir haben das drauf getan was nötig 
war und wissen gar nicht warum andere Platinen immer so voll sind.

Autor: Lukas R. (Gast)
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Sry hab ich vergessen dazuzuschreiben... Die Entstörer für die IC's 
sitzen hinter dem Stecker zum uC.
R und L für den Motor sitzen auch hinter dem Stecker Motor.

Lukas

Autor: Lukas R. (Gast)
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ähhh nicht R sondern C und L un mir hinter dem Stecker ist direkt am 
Motor gemeint.

sry

Autor: MaWin (Gast)
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Schrieb nicht mal jemand der es wissen müsste, daß die üblichen 100nF 
Entkoppelkondensatoren "so nah wie möglich" an die ICs sollten ?


Bei Beschleunigung oder Abwürgen bemerkt wer?, dass der Strom des Motors 
ansteigt? Eine Strommessung sehe ich nicht, eine Überstromabschaltung 
machen dann wohl die MOSFETs mit magischem Rauch. Denn die 25A des 
Transistors (bei Montage auf geeignetem Kühlkörper) sind nicht so weit 
von den 12.5A des Dauerstroms entfernt, als dass der Blockier-Strom 
nicht drüber liegen würde.

150V MOSFETs speziell für Audio-Anwendungen mit eher hohem RDSon haette 
man nicht unbedingt auswaehlen muessen, aber vielleicht habt ihr ja eine 
Stange davon überflüssig rumliegen.

Autor: Lukas R. (Gast)
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Gut ok die C's werden versetzt und keine Sorge ne Strommessschaltung ist 
vorhanden und nur im gezeigten Plan nicht eingezeichnet.

Und ja genau darum gings haben ca 30 Stück von denen geschenkt bekommen.

Und ich war nicht sicher ob eben der RDSon wert passend ist.

Danke auf jedenfall. Falls du willst kann ich ja mal die ganze Schaltung 
posten.

Lukas

Autor: Lothar Miller (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite
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> haben ca 30 Stück von denen geschenkt bekommen.
Dann schalt besser jeweils 2 von denen parallel.

Autor: Lukas R. (Gast)
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Würde auch gehn aber dann sollte ja noch ein kleiner Widerstand (< 1 
Ohm)zu jedem Gate?

Achja und für die Stromüberwachung wird ein MAX4372 verwendet (stolzer 
Preis aber leicht zu integrieren).

Autor: Lukas R. (Gast)
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Sodala bitte nochmals um Verbesserungsvorschläge kritik etc.

PS: Es ist ziemlich schwierig nen CS-IC zu finden, der nicht SMD ist.


Lukas

Autor: Jens G. (jensig)
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@Lukas R. (Gast)

>Würde auch gehn aber dann sollte ja noch ein kleiner Widerstand (< 1
>Ohm)zu jedem Gate?

Nöö - wozu?

Autor: Lukas R. (Gast)
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Ka Wurde uns so beigebracht... steht aber nirgendswo
Der Professor meinte wegen irgendeiner Verteilung aber naja...
Ich meinte das passt so er meinte nein Resultat nen 4er statt nen 1er..

Wollte es nur nochmal bestätigt haben.

Sonnst müsste v on meiner Sicht her alles passen oder?

Autor: Jens G. (jensig)
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man kann generell einen Gate-R reinmachen, um die Schaltflanken zwecks 
besserer EMV weicher zu machen, oder um zu große Gate-Ströme zu 
vermeiden (schont evtl. den Treiber), aber es muß nicht jeder Mosfet in 
einer Parallelschaltung derselben einen separaten R da dran haben. Und 
<1Ohm hat sowieso keinen echten Effekt - oder?

Autor: Michael (Gast)
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Die Schaltung funktioniert so NICHT!!!

Es fehlt die Bezugsleitung für den Highside MOSFET! Laut Datenblatt ist 
VS mit dem Halbbrückenausgang zu verbinden.

Autor: Peter Roth (gelb)
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Bei der direkten Kopplung der Gates ohne Widerstände entsteht ein 
parasitärer Schwingkreis aus den Leitungsinduktivitäten und den internen 
Kapazitäten der Mosfets.

Dadurch können beim Schalten der FETs heftige Schwingungen (klingeln) 
auftreten, die EMV verursachen und auch den Wirkungsgrad verschlechtern.

Ein paar Ohm in Serie zum Gate helfen.

Grüße, Peter

Autor: Lukas R. (Gast)
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Bloß die Frage wieviel? Das einzig was ich gefunden hätte wären 220Ohm 
Sry die referenzleitung wurde leider beim austausch von 1 auf 2 fets 
vergessen.

und Widerstände pro gate oder gesamt?

Autor: Peter Roth (gelb)
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Lukas R. schrieb:
> Bloß die Frage wieviel? Das einzig was ich gefunden hätte wären 220Ohm

Zum Testen ok, aber später vom Gefühl her so 4,7 .. 22 Ohm einbauen.

(Grob überschlagen: Gate-Charge ist wahrscheinlich 50nC (Schau im 
Datenblatt), also dauert das Umschalten mit 220 Ohm bei 10V (im Mittel 
5V an 220 Ohm, also 23mA) etwa 2µs)

> und Widerstände pro gate oder gesamt?

Jedes Gate ein Widerstand. Die FETs sollen nicht unterschiedlich schnell 
schalten und wenns EMV-Störungen gibt bist du dankbar um die 
Widerstande.

Grüße, Peter

Autor: Lukas R. (Gast)
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Ok danke erstamal. ich werd mal die Sachen bei Farnell bestellen. Ich 
überleg
aber noch, ob ich nicht doch noch nen MOSFET mit geringerem RDSon finde. 
Naja mal sehn danke auf  jedenfall.

Autor: Lukas R. (Gast)
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Hatte so an IRF 1404 gedacht Hat aber leider 131nC.
Besser geeignet wäre der IRF3103.

Was meint ihr? hab immerhin ca 13A dauer.

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