Transistor-Kühlfahne löten?

[Marco (Gast)]

Hallo erstmal.

Bin auf der Suche nach Informationen zur Entwicklung eines Ladegerätes.
Mein Ladegerät soll nicht nur laden, sondern auch mit einem hohen Strom
(15 A) entladen können (auch Einzelzellen NiCd). Diese Funktion möchte
ich gerne mit einem Power-Mosfet vom Typ IRFP2907 im TO247 Gehäuse
realisieren. Je mehr Verlustleistung die Entladestufe zulässt, desto
eher kann ich auch mal eine Akkutest fahren (Modellbau). Als Kühlkörper
soll ein 100x100x40mm Kammprofil-Typ mit 1.3 K/W verwendet werden.
Zusätzlich verpass ich dem eine Zwangslüftung. Der IRFP hat eine
maximale RthJC von 0.32 K/W, wobei der RthCS mit typisch 0.24 K/W
angegeben ist. Also habe ich mir überlegt, den IRFP auf einen
Kupferblock aufzulöten, um die 0.24 K/W abzusenken. Dabei wollte ich
zuerst die Transistor-Rückseite und dann den Kupferblock verzinnen.
Hiernach den Kupferblock gerade so erwärmen, daß das Zinn schmilzt, den
Transistor schnell anpressen und das ganze dann Kühlen. Das mit den
aufgelöteten Leistungstransistoren habe ich schon mal in einer
Dynacord-Endstufe gesehen (BDT64/65).

Nun meine Frage:

Weiss irgendjemand, ob der IRFP2907 eine Auflöt-Prozedur überlebt?
Wie stark sinkt der RthSA eines zwangsbelüfteten Kühlkörpers ab?

Danke für Antworten

Gruß
Marco

[Buchmann (Gast)]

Tja.. also ich würde das nicht empfehlen.. wenn du ins datenblatt siehst
ist bei den meisten Power-Mosfets bei ca 200° schluss. damit du aber
eine derart große fläche verzinnen bzw. löten kannst, ist eine höhere
temperatur erforderlich. Kann sein das es funktioniert, ich würde es
aber lassen. Warum montierst du den kühlkörper nicht normal? oder mit
wärmelietpaste bzw. kleber?