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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Floating Potential beim floating MOSFET


Autor: divB (Gast)
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Hi,

Hat jemand vom floating MOS Speicher (=Flash Memory) eine Ahnung?

Das ist ja ein MOSFET mit zwei Gates: 1x fix, 1x floating. Dazwischen 
gibts jeweils die Kapazitaeten C1 und C2.

Das Potential am Floating gate
 ist gegeben mit:

wobei V_G die Gatespannung ist und Q_F die Ladungen im Floating gate. 
Die Frage ist nur: Wieso?!

Mittels kapazitivem Spannungsteiler erhalte ich (wenn man Q_F weglaesst) 
genau obige Formel. Wenn ich dann Q_F dazu addiere passt das, auch die 
Dimensionen stimmen.

Aber wieso? Ich verstehs irgendwie nicht. Ist der Ansatz mit dem 
Spannungsteiler mal richtig (was ich denke)?

LG
divB

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