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Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Spannungsabfall beim TC4469?


Autor: Ronald McDonald (Gast)
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Ich verwende einen TC4469CPD (DIP Package) mit 5V.  An den 
Logikeingängen liegen VOH=5V/VOL=0V an.  An den ersten beiden Ausgängen, 
der eine Ausgang(1) ist als +, der andere(2) als - geschaltet, hängt 
eine Last von ~250ohm.  Dabei fällt die Spannung ab.  Hänge ich eine 
weitere Last parallel an die beiden Ausgänge, fällt die Spannung weiter 
ab.  Warum? Im Datenblatt steht, dass 300ma pro Ausgang kein Problem 
sind. Allerdings ist bei nur ~60mA die Spannung schon auf 3V abgefallen.
Ein VOH/Last Diagramm gibt es im Datenblatt nicht, oder ich habe es 
übersehen...
Hier das Datenblatt: 
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/microchi...

Autor: BMK (Gast)
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Dann schau dir mal Figure 2.9 und 2.12 an
Da sieht man den Rdson der Endstufe in Abhängigkeit
von der Versorgungsspannung.
Und bei 5V liegt der Rdson bis über 30 Ohm
Und wenn du 60mA ziehst, gibt das einen Spannungsabfall
von 0,06A * 33R = 2V  und am Ausgang steht noch 3V zur Verfügung.

Wenn man mit dem Treiber nun das Gate eines MOSFET ansteuert,
macht das nix weil die Gatekapazität nach einem Peak im ns-Bereich
umgeladen ist und danach liegen die vollen 5V an.

Zur Entnahme von Dauerströmen kann man z.B. einen komplementären
Emitterfolger nachschalten:
http://www.lautsprechershop.de/theorie/transistor3.htm
der die Spannung (nahezu) 1:1 weiterreicht und den Strom verstärkt.

Autor: Ronald McDonald (Gast)
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Ich möchte damit bi-stabile Relais mit einer Spule umschalten... da 
kommt mir die H-bridge ganz gelegen.
Die verwendeten Relais brauchen ziemlich exakt 3ms lang 5V bei einem 
Widerstand von ~21ohm, damit die Spule wechselt.
Gibt's eine einfachere Variante als einen Motortreiber, hinter den ich 
noch Transistoren schalten muss? Ich bin jetzt ziemlich enttäuscht vom 
TC4469 ;)

Autor: BMK (Gast)
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Ist doch der ideale Einsatzfall für einen MOSFET.

z.B. IRF7413 als N-Kanal, schaltet GND durch
z.B. IRF7416 als P-Kanal, schaltet  +  durch

und eben genügend niederohmig im 0,0xx Ohm Bereich,
da kommen die 5V voll durch.

gibts bei Angelika zum Normalpreis und auch beim C.....

Autor: Ronald McDonald (Gast)
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Wäre wohl die schönste Variante, das Ding diskret mit MOSFETs 
aufzubauen, ich muss aber je nach Ausbaustufe bis zu 8x8 bi-stabile 
Relais steuern (jeweils 8 parallel mit einer H-bridge), das wären dann 
32 MOSFET ICs auf der Platine, viel zu viel.  Aber eine leicht 
verfügbare H-bridge im Bereich von ~300mA mit einer rdson im sub ohm 
Bereich? Da fällt mir die BA6845FS ein, weniger als VCC-0.2V 
Spannungsabfall im Bereich von ~300mA.  Aber die saugt mir ~55mA aus der 
Spannungsversorgung... das sind 220mA für die 4 ICs, um die 8 H-bridges 
zu schalten, und so viel stehen mir nicht zur Verfügung.
TDA7073 wäre eine super Option, aber wenn mich nicht Alles täuscht ist 
die rdson auch nicht besonders (8 ohm?) und daher keine Möglichkeit.
Mehrere h-bridges mit MOSFET arrays zusammenschustern?

Autor: Ronald McDonald (Gast)
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ZXMHC6A07T8

Sieht sehr danach aus...

Autor: Ronald McDonald (Gast)
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Hab mir das SM8 package nun an 8 Kabel gelötet und damit eine H-bridge 
des TC4469CPD ersetzt.  Funktionierte auf Anhieb mit viel besserer 
Performance.

Ausgang des p-Kanal MOSFETs links oben an das Gate des n-Kanal MOSFETs 
rechts unten und Ausgang des rechts oben an das Gate des links unten, 
Steuerung über 2 uC Pins (Pin A High an das Gate des MOSFETs links oben 
und PIN B an das Gate des rechts oben).  Performance: ca 4.7V bei der 
Last von 60mA.  Das ist ok.  Da müsste ich auch mit den 160mA locker 
hinkommen und alle Relais zuverlässig schalten können.

Gibt's bei Reichelt für etwas mehr als einem €.  Super RDS-on für eine 
integrierte, preiswerte und verfügbare p/n H-bridge.  Da sie noch nicht 
bei den h-bridges eingetragen im Artikel eingetragen ist, werde ich das 
noch nachholen.

Ich habe das ganze jetzt nackt angeschlossen; keine Widerstände, keine 
Dioden, keine Kondensatoren.

Könnte ich das ganze noch mit optimieren oder reicht die nackte 
Schaltung?

Autor: BMK (Gast)
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Nettes Teilchen von ZETEX, kann man sich merken.

Die Ansteuerung kenne ich aber etwas anders; nämlich über Kreuz.
Also Port A an G1+G3 und Port B an G2+G4 damit die Gates immer
definiertes Potential haben.

Und jeweils Gate-Widerstand ca. 100 Ohm kann nicht schaden,
weil die Gate-Kapazitäten den µC Ausgang mit Kurzschluss-Peak
im Schaltmoment belasten. Allerdings liegen wir da unter 1nF,
könnte also unkritisch sein.

Autor: Ronald McDonald (Gast)
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Bei dieser H-Bridge müsste es Pin A=G1+G2 und Pin B=G3+G4 sein, da die 
High-Side aus P-Kanal MOSFETs aufgebaut ist.  Einen kleinen Delay beim 
Schalten und dann sollte das klappen, denke ich.

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