Hallo, Ich habe eine induktive Last, die mittels Mosfet ein und ausgeschaltet wird. Der Strom ist dabei durch ein Labornetzteil auf 500mA begrenzt. Die Last hat eine Induktivität von etwa 1H bei 50Ohm Serienwiderstand. Der Ladevorgang dauert etwa 60ms, was der 3Tau Regel entspricht. Der Entladevorgang allerdings dauert ca 100ms. Warum dauert das so lange? Erwartet hätte ich hier ebenfalls die 60ms. Entladen wird die Induktivität nur über eine Freilaufdiode, was vermutlich das Problem ist? Wie kann man das beschleunigen? Viktor P.S: Bin eigentlich Softwerker :)
Schnellere Diode. Irgendwas in der Art BYV-[irgendwas], ist zwar ueberdimensioniert, mir faellt aber im Moment keine kleiner ein. Ju
Hallo, Jürgen schrieb: "Schnellere Diode" Das ist Quatsch. Eine schnellere Diode bringt garnichts! Es gibt eigentlich keine 3Tau Regel. Die Aufladung/Entladung eines L oder C ist nach 5Tau abgeschlossen. Unter 1% des Anfangswertes. Bei 3Tau bleiben noch etwa 5% Rest. Dann, wie hast Du die Zeit für die Aufladung und Entladung gemessen bzw. erkannt? Um eine Induktivität schnell zu entladen (blödes Wort! richtiger "zu entmagnetisieren"; Kondensatoren entlädt man) muß man die Spannung erhöhen. D.h. anstelle einer einfachen Freilaufdiode einen Widerstand dazu in Reihe, oder eine Z-Diode in Reihe. Dabei aber darauf achten, daß die Spannung uber der Induktivität plus der Betriebsspannung die zulässige Spannung des schaltenden Elementes, meistens ein Transistor, nicht überschreitet. Tschüß
Juergen G. schrieb:
> Schnellere Diode.
Das hilft nichts. Du musst die Energie in Wärme umwandeln. Als in reihe
mit der Freilaufdiode einen Widerstand setzen. Genauso groß wie der
ohmsche Widerstand deiner Spule.
p.s. War zu langsamm
Volker Zabe schrieb: > Du musst die Energie in Wärme umwandeln. Als in reihe > mit der Freilaufdiode einen Widerstand setzen. Genauso groß wie der > ohmsche Widerstand deiner Spule. Die Energie wird in jedem Fall in Wärme umgesetzt, halt am inneren Widerstand. Das Problem ist die Spulengleichung : U = L*di/dt Wenn die Spule durch die Diode "kurzgeschlossen" wird, also nur 0.6 V an der Spule anliegen, dann ist die Änderung des Spulenstroms über die Zeit nur klein. Schaltet man eine Zener-Diode anstelle eine normalen Diode parallel, dann ist die Spannung an der Spule größer, und di/dt ebenfalls. Aber damit bekommt man auch einen größeren Leistungsabfall an der Zenerdiode, diese muss entsprechend dimensioniert sein und den Spulenstrom (500 mA ??) zumindest kurzfristig aushalten. Außerdem steigt die Spannung am Schalttransistor auf U Versorgung + U Zener, wie Harald schon geschrieben hat.
Klaus Falser schrieb: > Schaltet man eine Zener-Diode anstelle eine normalen Diode parallel, > dann ist die Spannung an der Spule größer, und di/dt ebenfalls. hihi, und wenn der Spulenwiderstand*Spulenstrom größer als 0,6V sind, und wenn die Diode "richtig" herum drinnen ist, leitet die Zenerdiode in Durchlassrichtung und raucht ab. Also Diode mit "hoher" Sperrspannung und Zener zusätzlich.
Thomas Klima schrieb: > Klaus Falser schrieb: >> Schaltet man eine Zener-Diode anstelle eine normalen Diode parallel, >> dann ist die Spannung an der Spule größer, und di/dt ebenfalls. > > hihi, und wenn der Spulenwiderstand*Spulenstrom größer als 0,6V sind, > und wenn die Diode "richtig" herum drinnen ist, leitet die Zenerdiode in > Durchlassrichtung und raucht ab. > Also Diode mit "hoher" Sperrspannung und Zener zusätzlich. Stimmt, da hast Du recht, habe ich auf die schnelle übersehen.
Ich weiss nicht ob die Ausfuehrungen dem Poster geholfen haben, mir aber schon. Bin schon eine Weile mit Induktiven Lasten am kaempfen und hier kamen ein paar entscheidende Tips die mir weiterhelfen. Somit ein Dank meinerseits an alle Antworter. Ju
Das Verhalten seiner Schaltung kann aber nur daher kommen, dass die Diode parallel zur Spule geschaltet ist. Läge er die Diode über Widerstand UND Spule ists schon wieder gut, oder er gibt eben eine Zener dazu.
Hi, die Lösung sollte hier "Active Clamping" sein. Einfach von Drain mittels Z-Diode in Sperrichtung über normale Diode in Durchlassrichtung ans Gate vom Mosfet (Reihenwiderstand am Gate nicht vergessen, sonst krachts mit dem Gatetreiber beim Clampen ...). Z-Diodenspannung so wählen, dass Ugs-Threshold + 0,6V + Z-Spannung min. 5V kleiner sind als max. Sperrspannung des Mosfet. Damit erreichst Du die maximal kurze Abstromzeit und zusätzlich geht die Verlustleistung dabei nicht in eine schlecht kühlbare Z-Diode, sondern in den hoffentlich gut gekühlten Mosfet. Gruss Frank
Hallo, Wie ist beim active Clamping dann der Stromkreis? Das ist mir noch nicht ganz klar. Was bewirkt also die Clamping-Schaltung? Viktor
der Stromkreis ist wie folgt: - Versorgung + - Induktivität - Mosfet im Linearbetrieb/einfache Spannungsregelung (durch Clampschaltung) - Masse und wieder zur Batterie ... Ist z.B. eine übliche Schaltung/Vorgehensweise bei Einspritzventilen im Kfz, da hier das max. schnelle Schliessen unbedingt erreicht werden muss. Ausserdem ist diese Prinzip in nahezu allen smarten Mosfets schon integriert. Einfach mal z.B. BTS141 von Infineon nachschlagen. Z-Dioden- oder Transildiodenlösungen haben immer das Problem der schlechten Wärmeanbindung, die dann bei hohen Schaltfrequenzen mit grossem Duty meist die Dioden zerschiesst. Der Mos ist meistens ja sowieso schon sehr gut angebunden und damit ideal dafür. Hoffe ich konnte helfen Frank
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