Fototransistor messen über Spannungsteiler - wie dimensionieren

[Peter I. (pe-ir)]

Hallo,

ich möchte mit einem Fototransistor SFH309FA die IR-Transmission einer 
Folie (genauer: einer Markierung auf der Folie) messen. Dazu ist dem 
Transosistor wie bei einer Gabellichtschranke eine IR-LED gegenüber 
angebracht, die Folie liegt dann dazwischen. Mit einem Multimeter messe 
ich einen Emitter-Kollektorwiderstand von 5,33 kΩ mit Markierung auf der 
Folie und 4,66 kΩ ohne Markierung. Zur Auswertung mit einem 
Mikrocontroller wollte ich einen Spannungsteiler aus Messwiderstand und 
Fototransistor aufbauen.

Meine Frage ist: wie dimensioniere ich den Spannungsteiler am bessten? 
1:1 mit dem Widerstandwert der Markierung (die ich letztendlich erkennen 
möchte) oder in einem anderen Verhältnis? Das ganze soll später mit 
Batterien betrieben werden - also möchte ich den Spannungsteiler doch 
insgesamt sehr hochohmig damit kein großer Strom fließt. Gibt es da 
irgendwelche 'Faustformeln' für die Dimensionierung des Spannungsteilers 
außer dem bekannten

$$Ut = \frac{U}{R_{m} + R_{t}} *R_{t}$$

?

[JojoS (Gast)]

hier ist etwas Info drin: 
http://www.mikrocontroller.net/articles/Lichtsensor_/_Helligkeitssensor
und auch in dem Link zur AppNote von Fairchild. Das Ausmessen mit dem 
Multimeter bringt nicht viel weil die neg. Vorspannung fehlt.
Die Suche auf der Homepage hier nach 'Fototransistor' liefert aber auch 
jede Menge Treffer.