www.mikrocontroller.net

Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Mosfet - ptot


Autor: transistorflüsterer (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hallo!

bei Kennlinienfeldern von bipolartransistoren sieht man oft die "Ptot" 
eingezeichnen (beispiel: 
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/de/9/9f/Tran...).
Sieht dies beim Mosfet ähnlich aus? oder kann man bei Mosfets keine 
solche Kennlinie einzeichnen?

Ich interessiere mich im deitail für Mosfets als schalter. Kann ich die 
Schalteigenschaften mit denen eines Bipolartransistors vergleichen? 
(Klar, ein mosfet hat zum beispiel den vorteil leistungsfrei schalten zu 
können. Aber ich meine im bezug auf belastugen, [vgl hier grafiken hier: 
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm].


Danke vielmals!

: Verschoben durch Admin
Autor: mhh (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Mosfets sind weniger universell, entweder sie sind für den Analog- oder 
den Schaltbetrieb optimiert (was auch sinnvoll ist).

Bei für Analogbetrieb ausgelegten Transistoren ist diese Kurve im 
Datenblatt vorhanden. Schaltmosfets dagegen vertragen im Analogbetrieb 
nur einen Bruchteil der im Datenblatt stehenden Werte des angegebenen 
Stromes. Dort hat auch das Aufführen der Leistungskurve keinen Sinn.

Autor: transistorflüsterer (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Ok, danke.

Grundsätzlich stimmen die Strom und Spannugsverläufe in den graphen 
(http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm) aber schon 
oder? Also ich meine, dass zum beispiel beim ausschalten von induktiven 
lasten große leistungen am transistor abfallen, genauso wie beim 
einschalten von kapazitiven lasten.

was hat es mit den kapazitäten auf sich? 
(http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/1/1b...). 
Was sind gegenmaßnahmen? kann ich speed-up kondensatoren wie bei 
bipolartransistoren verbauen?

Autor: mhh (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Die Kennlinien sind vergleichbar, nur das statt Ib dann Ugs an dessen 
Stelle ist. Bei höheren Frequenzen ist die Ansteuerung durch die 
Eingangskapazität dann nicht mehr leistungslos, weil dann größere Ströme 
zum schnellen laden und entladen dieser Kapazität fließen müssen. 
Deshalb wird dann ein Treiber zum Ansteuern benutzt, der diese Ströme 
liefern kann.

Autor: Yalu X. (yalu) (Moderator)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
> Sieht dies beim Mosfet ähnlich aus? oder kann man bei Mosfets keine
> solche Kennlinie einzeichnen?

Du kannst die Ptot-Hyperbel in das I(U)- oder U(I)-Diagramm von jedem
Bauteil einzeichnen, also auch von Widerständen, Dioden, Thyristoren,
Mosfets und was immer du lustig bist.

Da Mosfets für Schaltbetrieb (das sind die meisten) in eingeschaltetem
Zustand im ohmschen Bereich betrieben werden, interessiert aber von der
Ptot-Kurve eigentlich nur ein einziger Punkt, nämlich der Schnittpunkt
mit der RDSon-Geraden. Der Rest der Kurve ist relativ uninteressant.

Interessanter sind die Zeitintervalle während der Schaltvorgänge, wo der
Mosfet kurzzeitig den Abschnürbereich durchläuft und eine wesentlich
höhere Verlustleistung als im Ein-Zustand verkraften muss. Dafür gibt es
in den meisten Datenblättern ein Diagramm namens "Maximum Safe Operating
Area (SOA)", in dem für verschiedene Zeitdauern (z.B. 10µs, 100µs usw.)
der Bereich dargestellt ist, in dem UDS und ID liegen dürfen, ohne dass
der Mosfet Schaden nimmt.

> Ich interessiere mich im deitail für Mosfets als schalter. Kann ich
> die Schalteigenschaften mit denen eines Bipolartransistors
> vergleichen? (Klar, ein mosfet hat zum beispiel den vorteil
> leistungsfrei schalten zu können. Aber ich meine im bezug auf
> belastugen,

Der Mosfet hat noch ein paar weitere Vorteile: Der Spannungsabfall ist
bei ausreichender Dimensionierung kleiner als beim BJT, und er weist
keine Sättigungseffekte auf. Beides wirkt sich vorteilhaft auf die
Verlustleistung aus. In Schaltanwendungen ist deswegen bei Schaltspan-
nungen bis zu wenigen 100V der Mosfet fast immer dem BJT vorzuziehen,
darüber werden wegen ihrer höheren Spannungsfestigkeit IGBTs interes-
sant.

> [vgl hier grafiken hier:
> http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm].

Die Grafiken lassen sich sinngemäß auch auf Mosfets übertragen.

> Grundsätzlich stimmen die Strom und Spannugsverläufe in den graphen
> (http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm) aber schon
> oder? Also ich meine, dass zum beispiel beim ausschalten von
> induktiven lasten große leistungen am transistor abfallen, genauso wie
> beim einschalten von kapazitiven lasten.

Ja.

Antwort schreiben

Die Angabe einer E-Mail-Adresse ist freiwillig. Wenn Sie automatisch per E-Mail über Antworten auf Ihren Beitrag informiert werden möchten, melden Sie sich bitte an.

Wichtige Regeln - erst lesen, dann posten!

  • Groß- und Kleinschreibung verwenden
  • Längeren Sourcecode nicht im Text einfügen, sondern als Dateianhang

Formatierung (mehr Informationen...)

  • [c]C-Code[/c]
  • [avrasm]AVR-Assembler-Code[/avrasm]
  • [code]Code in anderen Sprachen, ASCII-Zeichnungen[/code]
  • [math]Formel in LaTeX-Syntax[/math]
  • [[Titel]] - Link zu Artikel
  • Verweis auf anderen Beitrag einfügen: Rechtsklick auf Beitragstitel,
    "Adresse kopieren", und in den Text einfügen




Bild automatisch verkleinern, falls nötig
Bitte das JPG-Format nur für Fotos und Scans verwenden!
Zeichnungen und Screenshots im PNG- oder
GIF-Format hochladen. Siehe Bildformate.
Hinweis: der ursprüngliche Beitrag ist mehr als 6 Monate alt.
Bitte hier nur auf die ursprüngliche Frage antworten,
für neue Fragen einen neuen Beitrag erstellen.

Mit dem Abschicken bestätigst du, die Nutzungsbedingungen anzuerkennen.