Tach, ich bin gerade auf den letzten Metern einer Ausarbeitung, die den wohlklingenden Titel "quasi-komplementäre Darlington Leistungsstufe" trägt. So weit so gut. Die Simulationen etc. laufen auch. Das Einzige, was mir bisher nicht gelungen ist, ist die Klärung der Frage warum und wo (klar in Leistungsendstufen, aber in welchem Bereich?) man diesen Aufbau verwendet und was ist der Vorteil zur Standart-komplementären Darlington- Stufe? Tietze & Schenk schreiben ..."Mitunter möchte man in der Endstufe Leistungstransistoren desselben Typs verwenden. ...". In der restlichen Literatur, die ich bis jetzt in die Finger bekommen habe, sieht es nicht besser aus. Ich vermute, das eine Ursache der Aufbau von Transistoren in IC seien könnte. Stichwort: lateraler und Vertikaler Augbau und die bessere Stromverstärkung bei vertikalen Aufbau. Gut das könnte eine Begründung für den integrierten Aufbau sein, welcher Vorteil ergibt sich aber in diskreter Bauweise, wo ich auf komplementäre Transistoren zurück greifen kann, die "künstlich" gleich gemacht werden.... Wäre toll, wenn mir da jemand ein wenig auf die Sprünge helfen könnte. In diesem Sinne Sandynister
Hallo Sandynister es gibt meines erachtens 2 Gründe für Quasi-komplementäre Endstufen: 1. Die beiden Transistoren sind in ihren Eigenschaften absolut identisch, bei Komplementären Endstufen ist dies meist nur näherungsweise möglich. 2. Der Markt für pnp-Transistoren bzw p-Kanal-Mosfets ist offensichtlich schlechter, als der für npn/n-kanal Typen, so daß dieser forcierter vorangetrieben wird. Besonders bei den Hochstrom-Typen oder Hochleistungstypen (bezogen auf die maximale thermische Verlustleistung) ist das Angebot bei pnp-Transistoren deutlich schmäler. Gerhard
Ach ja, nochwas: das größere Angebot bei npn und n-Kanal Typen wirkt sich auch positiv auf den Preis aus. gerhard
Ein weiterer Vorteil ist ja bei T-S genannt: man braucht nur 3 Dioden
D2, d.h. auch, man kommt näher an die Versorgungsspannung ran ("mehr
Rail to Rail").
Es könnte auch thermische Gründe haben.
T-S führt auch noch eine komplimentäre
Komplimantär-Darlington-Schaltung auf, die kommt sogar mit 2 Dioden D2
aus.
Moinsen, vielen Dank für die Antworten! Das hat mich doch einen ganzen Schritt nach vorne gebracht. Sandynister
Es hat hauptsächlich mit der Ladungsträgerbeweglichkeit zu tun, npn erlauben eine höhere Stromdichte bzw. pnp benötigen für den gleichen Strom eine größere Chipfläche. Und da ja bei Darlington der erste Transistor das Gesamtverhalten bestimmt, nimmt man für Leistungsstufen einen kleinen pnp gefolgt von einem stromstarken npn. Peter
Noch mal Danke für die tolle Hilfe! Eine Frage habe ich allerdings noch: Wo steht das im T&S mit den zwei Dioden? Ich bin zu blöde das zu finden... Oder könnte es an der Auflage liegen (10.)? Gruß Sandynister
Das kann sein, ich habe das aus der 3. Auflage von 1976, S. 373, Abb.12.21 Ich habe auch noch die 5. Auflage 1980 da, da ist das ganze nicht mehr so ausführlich erklärt (Kap. 15.2.3 S. 351: Erzeugung der Vorspannung) bzw. es werden bereits ICs genannt (TDA1420).
hmmm 5. Auflage, da hab ich wohl noch Micky Maus gelesen, als die erschienen ist. ;-) Quatsch 1980 konnte ich noch nicht lesen... ;-) Könntest du das in zwei drei Sätzen erklären, oder ist das zu aufwendig? Ansonsten natürlich noch ein dickes Dankeschön für die Hilfe! PS.: In meiner Auflage beginnt Kap. 15 übrigens bei S. 899! Is wohl ein wenig umfangreicher geworden das Buch.
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