Hallo Leute, ich suche eine gute und genaue Erklärung zum Schaltvorgang von MOSFETs. Vielleicht hat ja jemand ein PDF oder einen guten Link. Würde mich sehr freuen wenn es jemanden gibt der mir helfen kann. http://www.semikron.com/skcompub/de/deu_1_2_3.pdf Insbesondere geht es mir um die Erklärung des Bildes 11.1a. Die Erläuterungen die dort stehen sind für mich zu wenig und nicht zu 100% nachvollziehbar. Ich werd jetzt einfach mal versuchen das Ganze so zu erklären, wie ich es verstanden habe und stelle gleich, an den für mich unverständlichen Stellen, meine Fragen. Meine Erklärung bezieht sich auf das Bild in dem folgenden Link - Seite 5: http://www.semikron.com/skcompub/de/deu_1_2_3.pdf Schaltintervall: 0 ... t1 - zunächst wird eine Steuerspannung UDrive zugeschalten - anschließend fließt der Gatestrom IG der zunächst die Gatekapazität CGS auflädt - da die Gate-Source-Spannung UGS kleiner als die Schwellspannung UGS(th) ist fließt noch kein Drainstrom ID --- Wieso wird nur die Gatekapazität aufgeladen? Schaltintervall: t1 ... t2 - UGS hat die Schwellspannung überschritten, sodass der Transistor einschaltet - da UGS über die Steilheit gfs mit ID = gfs * UGS verbunden ist steigt die bis auf UGS = ID / gfs an --- Hier verstehe ich nicht warum die Drain-Source-Spannung nicht zeitgleich mit abfällt?! Die Begründung in dem PDF ist mir zu ungenau. Schaltintervall: t2 ... t3 - Freilaufdiode schaltet aus - UDS sinkt bis auf UDS(on) ab - der MOSFET ist voll durchgesteuert und der Strom hat sein Maximum erreicht - bleibt konstant - woraus folgt, dass UGS konstant bleibt --- Unklar ist jetzt wieso der Gatestrom aufeinmal die Millerkapazität umlädt. Wie ist das überhaupt gemeint? Und warum lädt er sie erst jetzt um? Welche Rolle spielt hier der Miller- Effekt? Klar ist, dass durch den Miller-Effekt die Gate-Drain- Kapazität CGD sehr groß wird und auf diese erst einmal Ladungen drauf geschaufelt werden müssen. Doch woher kommen diese? Schaltintervall: t3 ... t4 - hier steigt die Spannung Gate-Source-Spannung UGS auf die Steuerspannung UGG an. Ich habe noch eine Erklärung in dem folgenden Buch Seite 153 gefunden. Jedoch wirft diese auch nur Fragen auf. Dort steht zum Beispiel geschrieben, dass eine geringe erhöhung der Gate-Source-Spannung eine große Änderung der Drain-Source-Spannung nach sich zieht. Demzufolge sei eine große Ladungsmenge erforderlich um die Miller-Kapazität umzuladen. Häää? http://books.google.de/books?id=imLWQxC ... et&f=false Ich hoffe es gibt hier jemanden der mir bei meinem Problem weiterhelfen kann. Habt vielen Dank im Voraus.
Sorry, hab mich da bei der Formatierung vertan. Und das ist der korrekte Link zum Buch: http://books.google.de/books?id=imLWQxCEkEUC&pg=PA153&lpg=PA153&dq=miller+effekt+mosfet&source=bl&ots=vMjKbuiBLg&sig=oOshA2dnaErt5w7cf8x0InyKdE8&hl=de&ei=RXQXTe7qHMKb8QPlpPiABw&sa=X&oi=book_result&ct=result&resnum=9&ved=0CFsQ6AEwCA#v=onepage&q=miller%20effekt%20mosfet&f=false Gruß
Hallo Bambam08, schau mal hier auf Seite 12. Dort wird Dir anschaulich etwas über das "miller plateau" erläuert. http://focus.tij.co.jp/jp/lit/an/slua560b/slua560b.pdf Dieser Artikel beantwortet nicht alle Deine Fragen aber zumindest erklärt er einen wichtigen Punkt. Gruss Klaus.
Hallo Klaus, hab vielen Dank für den Link. Inzwischen kann ich mir das Miller-Plateau ungefähr erklären. Aber vielleicht gibt es ja doch noch einem MOSFET-Spezialisten. Ich bin dankbar für jede Hilfe. Gruß
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