Hallo zusammen, für ein Projekt muss ich eine Simulation mit Leistungshalbleitern aufbauen. Im Moment gibt es ein Problem, wenn das weiter besteht komm ich zu keinem Ergebnis. In den Datenblättern bei IGBTs stehen Kurven für Eon & Eoff bei 25 und 125 Grad. Nun muss in die Aufbauten auch mit MOSFETs machen. Dort gibt es keine solchen Kurven im Datenblatt. Wie komme ich an die Schaltverluste in Abhängigkeit des fließenden Stromes und der zu schaltenden Spannung. Bzw. übersehe ich etwas, weswegen ich dann das ganze als Unabhängig annehmen kann? Es würd mir auch schon helfen wenn mir jemand sagt wo ich das nachlesen kann, bzw. welche Annahme ich vergessen hab. Berechnen kann man ja die Schaltverluste über eine Formel. Allerdings ist das dann ausschließlich Abhängig von der Gate/Source Ladung.
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