Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik MOSFET identifizieren bzw. ausmessen


von Andreas B. (loopy83)


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Hallo zusammen,

ich bin auf der Suche nach Angaben zu einem MOSFET im SO8 Powerpak.

Er ist auf einer Grafikkarte in einem mehrphasigen Schaltreglersystem 
verbaut. Er arbeitet als push-pull vor der Spule.

Nun sind pro Phase drei MOSFETs verbaut und einer ist defekt (das 
Package ist abgeplatzt, keine Ahnung wie und warum).

Ich habe den hier vor mir liegen und die MOSFETs an der gleichen Stelle 
der anderen Phasen sind mit K0392 0B3 61A1 beschriftet.

Wo finde ich nun heraus, um welchen MOSFET es sich handelt?
Habe bisher kein Datenblatt gefunden.

Ist es ein P- oder N-Channel? Ist er sperrend oder leitend?

Wie kann ich vielleicht die anderen MOSFETs an der gleichen Stelle ohne 
sie auszulöten ausmessen, um etwas darüber zu erfahren?

Einfach zwischen D und S messen ob Durchgang oder nicht... damit hätte 
ich schon mal leitend oder sperrend gemessen. Ich tippe ja 
typischerweise auf sperrend... aber sicher bin ich mir nicht.

Wäre für Hinweise sehr dankbar!

MfG Andi

von Ben _. (burning_silicon)


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Ja wo ist er denn hin? Da hat die übertaktete und wassergekühlte CPU 
bestimmt etwas viel Strom gebraucht... "Ich muß hier weg!!" hat er 
gesagt! ;)

Nee Spaß beiseite: Das sind meistens alles ganz normale N-Kanal-FETs mit 
möglichst geringem Rds(on).

Ich denke aber da ist auch weiterer Schaden an der Grafikkarte 
entstanden, der FET ist mit Sicherheit nicht ohne vorherigen Durchschlag 
gestorben.

von Andreas B. (loopy83)


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Ich habe bei einer GTX480 schon einen FET getauscht, nachdem dieser in 
Flammen aufgegangen war... die Karte lief dann wieder wie am ersten Tag.

Also meinst du es sind alle drei FETs pro Phase N-Channel?

Werden die dann einzeln angesteuert, oder wie wird dann die 
push/pull-Topologie realisiert? Kann mir nicht denken, dass es einfach 
nur drei parallele FETs sind.

Vielen Dank!
Andi

von Ben _. (burning_silicon)


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Das ist in der Regel ein mehrphasiger Step-Down-Wandler (Buck Converter) 
mit Synchrongleichrichtung. Da sind oft mehrere FETs parallel geschaltet 
um den hohen Strömen möglichst wenig Widerstand entgegenzusetzen. An den 
oberen FETs wird gerne mal gespart, aber die unteren für die 
Synchrongleichrichtung müssen für einen hohen Wirkungsgrad schon sehr 
gut sein.

von MaWin (Gast)


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> Das sind meistens alles ganz normale N-Kanal-FETs mit
> möglichst geringem Rds(on).

Eher nicht.
Meist hat der Hersteller das beste ausgesucht, was zur damaligen
Zeit verfügbar war, denn neben dem Rdson zählt unbedingt auch
die Gate-Charte Qg und die Baugrösse dazu.

Allerdings ist da nun wirklich nicht schwierig, den verbauten MOSFET 
rauszufinden, schliesslich steht die Typennummer ja drauf.

K0392

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/349059/RENESAS/RJK0392DPA.html

Schwieriger wird es sein, so ein Teil oder ein vergleichbares zu 
bekommen, schon das Gehäuse ist eine Sonderkonstruktion

von axelr (Gast)


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>..schon das Gehäuse ist eine Sonderkonstruktion

naja wohl eher nicht, sondern Industriestandard
Vishay semiconductor hat da auch einiges im Programm
Bei irf heisst das Gehäuse nur anders

https://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/ir?cmd=eneNavigation&N=0+4294841672+4294835149+4294873517

von Bernd K. (bmk)


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