Hallo, eine Verpoldiode hat pos. Pol beim S und neg. Pol beim D eines Transistors. Schützt die nur den Transistor oder die ganze Schaltung? Wenn die diode leitet, d.h. verpolt, kann die Sicherung gebrannt werden? MfG Hauser
nimm doch bitte Anode und Katode als Bezeichnung für die Diodenanschlüsse... Üblicherweise liegt ein Transistor nicht direkt mit D/S bzw C/E an der Beriebsspannung. Also sag ich mal, die Diode bringt nichts.
Hallo Hauser, ich würde sagen, die Diode die Du beschreibst ist als Freilaufdiode über die Laststrecke des Transistors geschaltet, um diesen vor negativen Spannungsspitzen, wie sie beim Abschalten von allen Induktivitäten auftreten, zu schützen. Eine solche Diode schützt nur den Transistor und hilft auch nicht, wenn die ganze Schaltung verpolt wird. Aber hier werden weiter Aussagen ohne den Schaltplan wirklich sehr spekulativ. Also, wenn Du mehr Infos brauchst, poste mal den Schaltplan. Gruß, Markus_8051
Danke. Kann diese Diode gegen Spitzen beider Richtungen schützen? Eine Diode kann sich nur konstant verhalten, wenn die leitend ist. Gruss Hauser
gegen spitzen beider richtung schützt dich nur n kondensator. wenn du sie zwischen s und d (source und drain?) des transistors klemmen willst, so ist das ja offenscihtlich ein fet. die haben (sofern source mit dem substrat verbunden ist, sie also 3 anschlussbeine haben) schon eine diode eingebaut die antiparallel wirkt... man kann sich eine freilaufdiode also sparen, solange man die eingebaute nicht überlastet
Wieviel Ampere halten eigentlich die internen Freilaufdioden der aktuellen MOSFETs so aus? Ein zwei Ampere? Fällt an dieser Diode auch eine Spannung ab, wie an normalen Dioden oder haben die Hersteller das auch irgendwie in MOSFET-Technik so gemacht, dass diese Diode nur noch einen konstanten und sehr geringen Widerstand hat?
@Kurt: Was auch immer ein "aktueller Mosfet" sein soll, diese Daten finden sich, ebenso wie alle anderen relevaten Daten, im Datenblatt zu einem Mosfet. Ansonsten ist diese Diode eine parasitäre Diode, und sie ist nicht mit Absicht im Mosfet. Sie stört sogar in vielen Fällen. Wie an jedem Halbleiterübergang auf dieser Welt, fällt natürlich auch an der parasitären Diode eine Spannung ab. Wie sollte sonst die Sperrwirkung funktionieren?
In jedem Datenblatt eines Mosfet ist auch ein Abschnitt über die Bodydiode enthalten. Diese Diode wird nicht extra eingebaut, sondern ist als (willkommenes ?) parasitäres Bauelement strukturbedingt immer vorhanden. Jeder Hersteller gibt auch AN zum Gebrauch dieser Diode heraus. Sie hat die gleichen Strom und Spannungsfestigkeit wie der FET auch, sie benutzt ja den gleichen Kanalbereich und ist sogar ziemlich schnell, kann allerdings mit einer Schottkydiode nicht ganz mithalten. Als gesteuerter Gleichrichter besser und billiger als fast alle anderen. Arno H.
Diese Diode sitzt an einem Spannungsregler und hat die Aufgabe, Rückströme in den Regler zu verhindern. Wenn durch widrige Umstände die Spannung am Ausgang größer wird als die Eingangsspannung, wird diese Diode den Spannungsregler schützen, indem sie den Strom auf die Eingangsseite in den Lade-C ableitet. Integrierte Spannungsregler sind in dieser Hinsicht wohl etwas empfindlich. Arno
Was hat denn die Diode über nem FET mit einer Freilaufdiode (Diode über einer Induktivität zur Verhinderungen einer Gegenspannung beim Ausschalten) zu tun? Für mich waren das immer zwei Paar Schuhe. cu
@elektronischer reiter naja, die diode funktioniert so aber recht gut, da sie negative spannungsspitzen einfach kurzschließt. was weiter oben Arno H. angeht: die diode verwendet den steuerkanal des mosfet nicht! sie entsteht durch die verbindung des substrates mit dem source gebiet (auf verdrahtungsebene). schaltbildtechnisch entstehen somit 2 dioden: eine vom substrat zum drain gebiet (die hier besprochene) und einmal eine vom substrat zum source gebiet. letztere ist aber direkt kurzgeschlossen und somit nur theoretisch vorhanden. wir haben uns vorgestern auch nochmal diesbezüglich hier in der gesprächsrunde unterhalten. dabei kam die frage auf, weshalb man das technisch überhaupt verbindet. tut man es nämlich nicht müsste man theoretisch a: potentialfrei und b: wechselspannung schalten bzw regeln können... bei ca 0,2R RDSon (BUZ72) währe sowas nat. ne feine sache.
hallo Lucky Fu, Kanal war falsch ausgedrückt. Sie basiert auf der Sperrschicht zwischen Drain (Substrat) und Source (als Kollektor-Basis-Diode eines parasitären Transistors, dessen Basis und Emitter kurzgeschlossen sind) und wird eben durch diese Sperrschicht in der Spannung und durch die Geometrie des Chips mit seinen Anschlüssen im Strom limitiert. Das ergibt dann eben die gleichen Strom- und Spannungswerte wie beim FET selbst. Was Du mit Verdrahtungsebene meinst, ist dieser Kurzschluß von p und n Region mit der Metallisierung. Arno
@Lucky Fu: Die Verbindung wird gemacht, weil das Substrat auf einem definiertem Pegel liegen muß, ansonsten hängt es ja in der Pampa rum und das macht schwierigkeiten. Afaik gibt es auch Mosfets, bei denen das Substrat als 4. Anschluß herausgeführt wird. Somit kannst Du das Substrat an die nagativste Spannungsquelle in Deiner Schaltung hängen, und kannst dann in der Tat mit nur einem Mosfet Wechselspannungen schalten. Ansonsten nimmt man zum Wechselspannung schalten zwei antiseriell geschaltete Mosfets.
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