JFet Spice Modell, Verständnisfrage

[Tilo (Gast)]

Hallo

Ich will einen JFET verwenden und vorher einige Simulationen 
durchführen. Ich will den MMBFJ113 verwenden. Bei Fairchild habe ich nur 
ein Modell für den 112 gefunden. Hier das Spicemodell:

*************** Discrete Switch N-Channel Electrical Model *********************
* Product: MMBFJ112 / MMBFJ111 / MMBFJ113
* Package: SOT-23 
*-------------------------------------------------------------------------------
.MODEL MMBFJ112 NJF
+ VTO=-1.6800         N=1                   BETA=5.002E-003
+ BETATCE=-0.46       RD=0.334              RS=0.334            
+ LAMBDA=0.00398      IS=181.30E-15         ISR=1.7470E-12
+ ALPHA=2.5430E-6     VK=152.20             CGD=6.9920E-12      
+ CGS=13.267E-12      M=0.49314             PB=1.4440  
+ FC=0.5              KF=16.860E-27         AF=1.1208E-3        
+ VTOTC=-2.10E-3
*-------------------------------------------------------------------------------
* Creation: Dec.-24-2004
* Fairchild Semiconductor

Ich veruche gerade das Modell zu verstehen. Unter 
http://people.ee.duke.edu/~hcc/DEVICE/node12.html habe ich eine 
Erklärung von ein paar Spice-Parametern gefunden. Kennt jemand zufällig 
eine vollständige Liste?

Was mich wundert. Im Datenblatt ist beim 112 Rds(on)=50Ohm angegeben. 
Warum steht im Modell 0,334Ohm?

Der 113 unterscheidet sich zum 112 in: Vgs(off), IDss und Rds(on).
Nach dem ich das Modell verstanden habe, würde ich es gerne auf den 113 
anpassen.

[Helmut S. (helmuts)]

Die Werte Rd und Rs sind ohmsche Bahnwiderstände und Kontaktwiderstände 
von Drain und Soource.

Ron = dId/dVds bei Ugs=0V

In der Simulation mit (LT)Spice kommen da 60Ohm Ron heraus.

[Tilo (Gast)]

Ok, das kommt hin.
Die Unterschiede sind laut Datenblatt:
            112            113
Vgs(off)    -1..-5V        -0,5..-3V
Idss        5mA            2mA
Rds(on)     50Ohm          100Ohm


Rds(on) ist für meine Anwednung relativ egal, allerdings soll Idss nicht 
zu groß werden und für die Bestimmung des Arbeitspunktes macht es schon 
einen Unterschied. Da ich die Modellparameter noch nicht interpretieren 
kann weiß ich noch nicht, ob das Modell vom 112er ohne Änderungen auf 
den 113er übernommen werden kann.

[Helmut S. (helmuts)]

Hallo,
bei deinem Modell ist Idss ca. 14mA in der Simulation.

Die 5mA sind das Minimum laut Datenblatt. Typisch ist das dann doppelte 
und maximal das Vierfache.
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/nationalsemiconductor/DS013067.PDF
Mit direkter Ausnutzung von Idss kann man keine vernünftige Schaltung 
bauen. Da muss schon ein Abgleich hin oder eine Regelung.

[Tilo (Gast)]

Ich will FET nicht als Schlater sondern im ohmschen Bereich betreiben. 
Du hast recht, ich habe Idss ein wenig falsch interpretiert, bin aus der 
Übung :)
In diesem Fall ist für mich der Minimalwert schon relevant.

Hast du deine Ergebnisse nur aus der Simulation oder aus dem 
Modellparametern abgeleitet?
Ich habe bei meiner Simulation ein Ugs(off) von -1,56V erhalten. Für den 
112 scheint das auch zu passen, allerdings wäre der Wert für den 113 zu 
niedrig und der 113 würde schon sperren wähend der 112 noch durchlässig 
wäre.

[Helmut S. (helmuts)]

Ich habe es mit LTspice simuliert.