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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Verpolungsschutz mit kleinem Spannungsabfahl


Autor: Dietrich Arndt (Gast)
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Hallo,
Ich glaube irgendwo eine Schaltung mit einem Fet gesehen zu haben die
als Verpollungschutz mit geringem Spannungsabfahl geschaltet ist...
Kann es aber nicht mehr finden. :(
Bitte helfen:)

danke!

Autor: Bernhard S. (bernhard)
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Hallo Dietrich,

und eine Shotky-Diode UF=0,2 V ?

Bernhard

Autor: Werner A. (Gast)
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Das war einfach das Gate (evtl. über einen Widerstand) an die
Versorgungsspannung und den Fet in die Masse Leitung schleifen.

Werner

Autor: crazy horse (Gast)
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Ich nehme Polyfuse + Diode nach Masse. Kostet im normalen Betrieb gar
keinen Spannungsabfall.
Und mit unidirektionalen TVS-Diode (ohne kommt man eigentlich heute gar
nicht mehr aus) ist das nebenbei erledigt.

Autor: Winfried (Gast)
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Schottky Diode: Je nach Strom fallen da auch 0.6 Volt und mehr ab.

Autor: Profi (Gast)
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hier eine antike Methode:
2 Relais mit je 2 Schließern:
eines legt die Versorgung direkt an, das andere mit vertauschter
Polarität
Spule jeweils so mit einer Diode in Reihe, dass nur eines - nämlich
das, das die Spannung richtigherum durchschaltet - anzieht.

Dann ist es egal, wie herum die Versorgung angelegt wird - nur
Wechselstrom geht nicht.
Spannungsabfall nur durch die Kontakte = minimal.

Autor: Unbekannter (Gast)
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Darauf achten, dass die Spannungen am Eingang nicht zu groß werden. Die
meisten Mosfets gehen ab 20 Volt kaputt. Als Abhilfe kann auch ein
Spannungsteiler fürs Gate dienen (aber von der Eingangsseite speisen!).

Autor: Winfried (Gast)
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DAs Problem mit der Mosfet-Variante ist, dass nahezu alle Mosfets eine
Schutzdiode eingebaut haben. Damit funktioniert die Schaltung dann
nicht mehr.

Übrigens funktioniert so eine Schaltung auch mit Bipolaren Transistoren
bei kleineren Eingangsspannungen. Z.B. PNP in die Plusleitung, Emitter
an Spannungseingang, Collector an die Schaltung. Zwischen Emitter und
Basis ein 50K Sperrwiderstand und gegen Masse von der Basis z.B. ein
50K Widerstand.

Autor: Caruso (Gast)
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Zur Schutzdiode:
Man kann ja eine Diode vors Gate schalten, da die GS-Spannung ja nicht
so groß wie die eingangsspannung sein muss.

Kennt jemand einen Mosfet, der bei höchstens 1,3Volt durchschaltet und
bei csd-electronics erhältlich ist?

Autor: Unbekannter (Gast)
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@Winfried:

> DAs Problem mit der Mosfet-Variante ist, dass nahezu alle Mosfets
> eine Schutzdiode eingebaut haben.

;-) Du bist lustig...

a.) Alle Mosfets haben diese "Schutzdiode". Die ist nicht
absichtlich in einem Mosfet drinn, sondern die entsteht von alleine,
wenn so ein Mosfet hergestellt wird. Man kann keinen Mosfet ohne diese
Diode herstellen.

b.) Die parasitäre "Schutzdiode" ist nicht im Schaltplan
eingezeichnet. Wozu auch, sie ist Bestandteil eines jeden Mosfets aber
nicht des (genormten) Schaltzeichens.

c.) Du willst mal nachschauen, wie genau diese parasitäre Diode in
einem N-Kanal bzw. P-Kanal-Mosfet gepolt ist.


> Damit funktioniert die Schaltung dann nicht mehr.

Doch, genau wegen der parasitären Schutzdiode funktioniert die
Schaltung. Ohne diese Diode würde sie nämlich gar nicht funktionieren.
Die Schutzdiode verhindert nämlich die Verpolung.

Der Trick an der Schaltung ist, dass der Mosfet sozudagen verkehrt
herum geschaltet ist.

1.) Ein Mosfet leitet den Strom in beiden Richtungen, wenn er
eingeschaltet ist. Also von Drain nach Source und auch von Source nach
Drain.

2.) Wenn der Mosfet ausgeschaltet ist, leitet er den Strom in nur eine
Richtung, über die Diode. Beim N-Kanal-Mosfet vom Source nach Drain und
beim P-Kanal-Mosfet vom Drain nach Source.


Also, keine Panik. Die Schaltung ist nur eine sehr intelligente
Anwendung eines Mosfets. ;-)

Autor: Unbekannter (Gast)
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Als Ergänzung noch:

Du kannst Dir das so vorstellen:

In der Variante a fließt der Strom von Ein+ über die Mosfet-Diode nach
Aus+. Dann durch die Schaltung und von Aus- zurück nach Ein-. Wenn
genügend Strom durch die Diode geflossen wird, liegt an Aus+ und Aus-
eine genügend hohe Spannung an und der Mosfet überbrückt die Diode.
Somit gibt es keinen Spannungsabfall mehr.

In der Variante b fließt der Strom erst durch die Schaltung, und dann
durch die Mosfet-Diode zurück. Aber auch hier wird die Diode vom Mosfet
sofort kurzgeschlossen, wenn die Spannung zwischen Aus+ und Aus-
ausreichend groß ist.

Wenn die Schaltung verpolt angeschlossen wird, kann kein Strom durch
die Mosfet-Diode fließen. Durch die angeschlossene Schaltung ist das
Gate aber mit dem Source verbunden. Also herscht zwischen Gate und
Source die Spannung 0 Volt. Der Mosfet schaltet nicht ein.

Autor: Unbekannter (Gast)
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So, ich habe Dir nun noch extra eine Simulation gemacht.

Spannungsquelle ist eine Sinus, mit 10 Volt Amplitude und 50 Hz. Der
Verbraucher ist eine Widerstand mit 5 Ohm, so dass der Spitzenstrom 2
Ampere beträgt.

Wie Du siehst, fließt nur während der positiven Halbwelle der Strom
durch den Widerstand.

Wie Du weiter siehst, ist der Spannungsabfall über dem Mosfet nur am
Anfang und Ende der positiven Halbwelle für eine kurze Zeit ca. 0,54
Volt. Das ist die Flußspannung der Mosfet-Diode während die
Eingangspannung noch nicht groß genug ist damit der Mosfet leitet.

Ab einer Eingangsspannung von ca. 1,3 Volt schaltet der Mosfet
ausreichend durch und der Spannungsabfall über den Mosfet fällt auf ca.
15 Millivolt zusammen.

Diese 15 Millivolt Spannungsabfall über den Mosfet sinken bei einer
Eingansspannung von 2,4 Volt auf ein Minimum von ca. 6,5 Millivolt ab.
Beim Spitzenstrom von 2 Ampere beträgt der Spannungsabfall wieder 15
Millivolt.

Die durchschnittliche Verlustleistung des Mosfets in diesen Beispiel
beträgt unter 10 Milliwatt...


Sieht doch ziemlich gut aus, dafür dass das nicht funktionieren soll,
oder? ;-)

Übrigens, diesen Mosfet spendiere ich sehr erfolgreich allen
Schaltungen, die ich mit 12 Volt Blei-Gel-Akkus betreibe. Damit brennt
nix mehr ab, wenn jemand den Akku verkehrt herum anschließt.

Autor: Dietrich Arndt (Gast)
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Danke sehr!

Die Spannungsversorgung ist konstant 5 volt. Der Strom 3 mA.  Wird es
trotzdem funktionieren?

Autor: Unbekannter (Gast)
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Ja, problemlos.

Autor: Winfried (Gast)
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@Unbekannter: Da warst du ja sehr fleißig :-)

Ich hatte auf die Schnelle übersehen, dass Source vom Mosfet am Ausgang
und nicht am Eingang verschaltet ist. Eine eingezeichnete Diode hätte es
auch verständlicher gemacht.

Ansonsten: Interessante Schaltung.

Wegen Bestellung Mosfet bei CSD: Schau doch mal in die neue
Mosfetliste:

http://www.mikrocontroller.net/articles/Mosfet-%DCbersicht

Autor: Jankey (Gast)
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naja das min MOSFET Funktioniert problemlos, Texas hat mal ne Schaltung
entwickelt wo 2 MOSFETs 1xP, 1xN Seriell geschalten sind, und die so
durchschalten wenn die Polarität richtig anliegt, muss durch ein RC
glied geschützt werden ( Parasitäter Thyristor ... )

Autor: Unbekannter (Gast)
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Up... Und lernt etwas!

Autor: matthias (Gast)
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Im Anhang ist ein PDF-Dokument wie man einen Verpolungsschutz aufbauen
kann, auch mit MOSFETs und dazu gibts noch einen Schaltlan und für eine
MOSFET-Schaltung gibt noch ein Messergebnis.

gruß matthias

Autor: Jörg Oe (joerchi)
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Hallo,

ich möchte dieses ältere Thema noch einmal aufgreifen.
Der Verpolschutz mittels einem MOSFET ist für mich eine relativ elegante 
Variante.

Jedoch habe ich dazu noch ein paar Fragen. Vielleicht kann sie mir ja 
jemand von euch beantworten.
Ich habe beide Varianten, die hier mittels MOSFET vorgestellt wurden mal 
im LTSpice simuliert. Die Variante mittels einem p-Kanal FET hat genau 
das gewünschte Verhalten gezeigt.

Jedoch bei der Lösung mit dem n-Kanal FET sieht es schon ein wenig 
anders aus. Bei negativen Spannungen, bei DC wäre dies im 
Verpolungsfall, kommt dennoch eine geringe Spannung durch, in meinem 
Beispiel wären dies sogra knapp 1V.

Habe ich jetzt einen Denkfehler oder woran mag dies liegen?
Würde mich über eine hilfreiche Antwort sehr freuen.
Speziell benötige ich einen Verpolungsschutz für Spannungen bis zu 75V, 
wäre dies damit auch realisierbar?

Vielen Dank im Voraus,

mfg Jörchi

Autor: Fred (Gast)
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Du musst auch in der Simulation die Spannung über dem Widerstand messen, 
da im oberen Bild die 0-Referenz nicht am Widerstand liegt!

Autor: Tcf Kat (tcfkat)
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@Jörg Oehler: Die Schaltung geht auch für höhere Spannung, das Problem 
ist aber, wie bereits oben erwähnt, dass die meisten MOSFETs nicht über 
20V zwischen Gate und Source vertragen.
Spannungsteiler vorsehen finde ich nicht so gut, besser eine 15V Z-Diode 
(beim N-MOSFET mit Kathode am Gate und Anode am Source), und Widerstand 
zwischen zwischen Gate und Versorgung.

Autor: Arno H. (arno_h)
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Hallo Jörg,
wenn du bei dem NMOS S und D vertauscht, geht der auch.
Du musst die FET so verschalten, dass die Inversdiode den 
Verpolungsschutz darstellt. Durch den dann fliessenden Strom wird die 
Spannung an der Schaltung so hoch, dass der FET aufgesteuert wird.
Übrigens: beim N-FET hast du die Spannung am FET gemessen, beim P-FET an 
der Last.

Arno

Autor: Stefan Wimmer (wswbln)
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...die beschriebenen Schaltungen mit MOSFET haben übrigens alle einen 
Nachteil:

Wenn in der verbraucherseitigen Schaltung ein "dicker" Elko ist und die 
Eingangsspannung einbricht oder gar kurzgeschlossen wird, bleibt der FET 
solange leitend, bis die Elkospannung auf die Eingangsspannung gesunken 
ist. War also nichts mit der Pufferung bei kurzen Einbrüchen.

In Schaltungen, wo ich den geringen Spannungsabfall brauchte (also keine 
Diode nehmen konnte) habe ich dann den LTC4412 "ideal diode controller" 
zur Ansteuerung eines P-Kanal MOSFETs genommen.

Autor: Jörg Oe (joerchi)
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Hallo,

vielen Dank erst einmal, für die schnellen und hilfreichen Antworten.
Haben mir echt weiter geholfen.

Ich habe mal aus euren Aussagen alles wichtige herausgefiltert, was ich
bei meiner Variante falsch gemacht habe oder schlicht nicht
beachtet/eingesetzt habe.

Herausgekommen ist die Schaltung in der Simulation, die nun auch
ziemlich gut funktioniert. Meiner Meinung nach.
Den Widerstand R2 habe ich nach folgender Bedingung berechnet. Da die
meisten n-FETS einen Gate-Source Strom von ca. 100mA benötigen, habe ich
die 65V als Spannung angenommen, die über dem Widerstand abfallen sollen
(80V - 15V von der Z-Diode), ergibt bei einem Strom von 0,1A einen
Widerstand von ca. 650 Ohm.

Laut dem Diagramm schaut das Verpolschutzverhalten so aus, wie ich es
auch gewünscht habe. Und der Strom im Widerstand R2 sind auch knappe
100mA.

So, im Prinzip funktioniert das doch so, oder gibt es noch etwas zu
beachten?

mfg Jörg

Autor: Dennis (Gast)
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> "Da die meisten n-FETS einen Gate-Source Strom von ca. 100mA benötigen"

Seit wann fließt bei MosFETs ein Strom durch's Gate? Der Strom fließt in 
deiner Schaltung über die Diode ab. Bei 80 Volt macht das über 6 Watt 
Leistungsabfall am Widerstand und etwa 1,5 Watt an der Diode. Deutlich 
besser funktioniert das mit 47 kOhm und etwa 90mW am Widerstand.

Autor: Jörg Oe (joerchi)
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Ok, habe nochmal genau geschaut. Ich muss mir den den groben Fehler 
eingestehen, dass ich mich verkuckt habe.
Stimmt natürlich, dass der FET keinen Strom am Gate zieht.

Dann werde ich den Verpolungschutz mit einem wesentlich größeren 
Widerstand versehen, um die 50k.
Dann kann ich den Verpolungsschutz ja so verwenden, und kann mir sicher 
sein, dass er auch funktioniert.


Ich bedanke mich für eure Hilfe, echt super.

mfg Jörg

Autor: Jörg Oe (joerchi)
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Apropo Widerstand.

Ist der Wert von 47k einer fundierten Berechnung zurückzuführen oder ist 
das aus langjährigen Erfahrungen entstanden?

Autor: Tcf Kat (tcfkat)
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Jörg Oehler wrote:
> Den Widerstand R2 habe ich nach folgender Bedingung berechnet. Da die
> meisten n-FETS einen Gate-Source Strom von ca. 100mA benötigen, habe ich
> die 65V als Spannung angenommen, die über dem Widerstand abfallen sollen
> (80V - 15V von der Z-Diode), ergibt bei einem Strom von 0,1A einen
> Widerstand von ca. 650 Ohm.

Ich bin GESCHOCKT! ;)

47k ist ok, 10k auch, selbst 100k... ist relativ unkritisch. Es sollte 
nur soviel Strom fließen, dass die Z-Diode öffnet (bei einer 15V reichen 
da schon 0,1mA!), andererseits die Verlustleistung im Widerstand nicht 
zu hoch ist.
Das Gate selber ist leistungslos, den Leckstrom kann man hier getrost 
vernachlässigen.

Autor: Martin S. (panik)
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Am einfachsten ist ein LiIon-Akku. Eine Zelle z.B. 4,2-2,9 V. Die 
Üverwachung per ADC ist aber wichtig. Auch beim Laden entsteht keine 
Überspannung (Zelle kann eingebaut bleiben und Verpolung ist so nicht 
möglich). Die Akku-Zellen gibts ab 1 Euro bei eBay

Autor: Dennis (Gast)
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Problematisch wird die Schaltung mit dem MosFET, wenn da eine größere 
Kapazität am Ausgang hängt. Diese wird dann nämlich bei jeder Halbwelle 
wieder entladen, weil die Gate-Source-Spannung gleich der 
Ausgangsspannung ist. Somit leitet der MosFET, bis die Ausgangsspannung 
unter einen bestimmten Wert gefallen ist.

Wenn man eine Ansteuerung für den MosFET baut, kann man das verhindern. 
Das gibt's allerdings auch als integrierte Schaltung, z.B. LTC4358
(http://www.linear.com/pc/productDetail.jsp?navId=H...)

Gruß

Autor: toni (Gast)
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Habe die Beiträge mit Interesse gelesen.
Dazu folgender Link:
http://www.geofex.com/Article_Folders/mosswitch/mo...
Schaltung habe ich aufgebaut und hat mit R=680k und IRF9530 (P-Kanal) 
funktioniert. Ub=24V.
Nun die Frage:
Im Verpol-Fall wird ja dann der Minus-Zweig unterbrochen - und Plus 
liegt an den Masse-Teilen. Hat das Nachteile in Bezug auf nachfolgende 
Bauteile, d.h. ist es besser bei Verpolschutz den GND abzuschalten?
Die Schaltung speist OPVs im Single-Supply-Mode und DC/DC Wandler 24/5V.
Danke!

Autor: toni (Gast)
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Sorri der MOSFET ist falsch rum gezeichnet - D-G-S ist richtig. Aber 
gelötet wars richtig rum :-)

Autor: Dennis (Gast)
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toni:

Wenn man das Gerät standalone betreibt gibt es keine Probleme.

Wenn man aber noch ein anderes Gerät z.B. per RS232 mit dem Gerät 
verbindet, dann muss man dazu ja beide GNDs miteinander verbinden. Wenn 
man dann ein Gerät verpolt, hat man einen Kurzschluss zwischen 12V und 
GND!
Deswegen halte ich die Variante mit N-MosFET in der GND-Leitung für 
sinnvoller.

Du musst übrigens die Gatespannung auf < 20V begrenzen.

Gruß

Autor: Gast (Gast)
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Was ist ein Spannungsabfahl?

Autor: onix (Gast)
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@Was ist ein Spannungsabfahl?

Ist wahrscheinlich nur falsch geschrieben: Da fehlt ein 'p'.
Muss so eine Art Tiefenerder sein (wichtiges Element bei Blitzschutz)...
;D

Autor: Lothar Miller (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite
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> Schaltung habe ich aufgebaut und hat mit R=680k und IRF9530 (P-Kanal)
> funktioniert. Ub=24V.
Ja, schon, aber wie lange? Aus dem DB:
Absolute Maximum Ratings:
 Gate to Source Voltage . . . VGS ±20 V
Da fährst du schon über dem Limit :-o
Und wenn der Mosfet durchgeht, hilft es dir auch nichts, dass dein 
Widerstand (680k) den Strom schön klein hält.

Autor: Michael (Gast)
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>Wenn man aber noch ein anderes Gerät z.B. per RS232 mit dem Gerät
>verbindet, dann muss man dazu ja beide GNDs miteinander verbinden. Wenn
>man dann ein Gerät verpolt, hat man einen Kurzschluss zwischen 12V und
>GND!
>Deswegen halte ich die Variante mit N-MosFET in der GND-Leitung für
>sinnvoller.

In diesem Falle ist es völlig wurscht ob man die 12V-Leitung unterbricht 
oder GND. Nimmt man statt eines P-Kanals einen N-Kanal dann tritt der 
Kurzschluss halt net in der GND-Leitung sondern im 12V-Strang auf. 
Kurzschluss ist es dann aber immer noch, dagegen hilft nur die 
Kombination aus N- und P-Kanal-Schaltung.

Autor: Falk Brunner (falk)
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@toni (Gast)

Die LED wird sich für 24V Sperrspannung "bedanken" Da muss noch einen 
4148 antiparallel dazu, die begrenzt die Sperrspannugn auf schlappe 
0,7V. Und ne Z-Diode mit 12..20V zwischen Gate und Source.

MFG
Falk

Autor: Lothar Miller (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite
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>Deswegen halte ich die Variante mit N-MosFET in der GND-Leitung für
>sinnvoller.
In der GND-Leitung hat ausser Kupfer gar nichts was zu suchen.
Sonst bekommst du zum Schluss hast du durch die ganzen Halbleiter in der 
GND-Schiene jede Menge unterschiedlicher GNDs (wg. 
Potentialverschiebungen).

Autor: Michael (Gast)
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Naja, Lothar, wenns hier nur drum geht einen Verpolungsschutz zu 
realisieren kann man schonmal einen FET in den "GND" der 
Versorgungsleitung packen, hinter dem FET ist dann der GND für die 
Schaltung und da, da stimm ich dir zu, hat kein Bauteil was verloren.

Autor: Toni (Gast)
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Danke für die Antworten. Soweit klar.

@Lothar Miller - sehe ich auch so daher habe ich die Plus-Leitung 
unterbrochen.
Eine Kombination aus P- und N-Kanal kann ich mir auch deswegen nicht 
vorstellen. Zum 2-poligen Abschalten bleibt wohl nur das gute alte 
gepolte Relais übrig...

Und das mit dem Kurzschluss ist sicher richtig - egal wo - kurz bleibt 
kurz.

Aber an den Reaktionen sehe ich: das Ideal - Spannungsverlustlos, 
Leistungslos, Ultraschnell UND 2-polig ist noch nicht gefunden worden, 
oder? (bitte nicht zu Ernst nehmen - bin mit dem MOSFET zufrieden!)

MfG
Toni

Autor: Der wohl ahnungslose (Gast)
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Wie sähe es mit analog-Switchen aus?
Per Brückengleichrichter den Switch versorgen und mittels Dioden jeweils 
2 Switche ansteuern, welche dann 'den Rest' versorgen.
Wobei ich mich frage, in wie fern ein Verpolschutz ultraschnell sein muß 
... hätte ja sein können, daß die Schaltung eh erst eine Sekunde später 
angestöpselt wird - so hast Du schon eine Sekunde Zeit für den 
Verpolschutz ;)

Autor: Toni (Gast)
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Bzgl. LED ansteuern: Mit der Diode fließt aber immer zusätzlich Strom, 
den ich eigentlich nicht will. Soll für portable Geräte sein. D.h die 
LED soll noch vor den Einschalter.

Würde von http://www.ferromel.de/tronic_16.htm
die Schaltung 2b) bevorzugen, fürchte aber der FET sperrt bei Verpolung 
nicht so dass trotzdem 24V Sperrspannung anliegen? Würde das mit 
Schaltung 2a) auch so sein?

Suche also eine Simple Möglichkeit, die LED im Verpolfall leuchten zu 
lassen und im Normalfall keinen Strom zu verbrauchen, Ub=24V.

Autor: D. (Gast)
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Hallo Zusammen,

ich muss den Beitrag nochmal aufleben lassen. Ich bin noch ziemlich grün 
hinter den Ohren in Sachen Elektronik.

Ich habe ein Problem mit einem Verpolungsschutz zu lösen. Als 
Verpolungsschutzdiode ist damals eine BAS40-05 eingesetzt worden. 
Eingangsspannung etwa 28V, Stromaufnahme etwa 10mA. Die Diode hat einen 
negativen Temperaturkoeffizient. Der allgemeine Spannungsabfall ist 
egal, er sollte nur konstant über die Temperatur bleiben. Kann mir 
jemand sagen wie sich solch eine Mosfet Schaltung über die Temperatur 
verhält? Ich will keine Lösung, nur einen Hinweis ob es sich lohnt, hier 
Energie rein zu investieren.
Würd mich über ne Antwort freuen.

Gruß
D.

Autor: yalu (Gast)
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Wenn du einen einen Mosfet mit einem RDSon von bspw. 1Ω nimmst, ist der
Spannungsabfall bei 10mA nur 10mV. Der RDSon driftet natürlich mit der
Temperatur und steigt bei 150°C vielleicht um 50% auf 1,5Ω. Der Span-
nungsabfall steigt damit ebenfalls, nämlich auf etwa 15mV.

Sind die 5mV Unterschied im Spannungsabfall zuviel? Es gibt auch Mosfets
mit 100mΩ, 10mΩ und noch weniger RDSon.

Wegen der 28V musst du das Gate des Mosfets über einen Spannungsteiler
ansteuern, da die Gate-Source-Spannung bei den meisten Mosfets maximal
20V sein darf. Sonst sehe ich für dein Vorhaben keine Probleme.

Autor: Kai Klaas (Gast)
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Hallo Dietrich,

du mußt dein Problem schon erheblich besser schildern, wenn du eine 
brauchbare Antwort erhalten möchtest: Was mußt du schützen, wogegen, bis 
zu welcher Grenze, warum keine Temperaturabhängigkeit erlaubt, und und 
und.

Kai Klaas

Autor: Kai Klaas (Gast)
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Hallo Yalu,

>Wenn du einen einen Mosfet mit einem RDSon von bspw. 1Ω nimmst, ist der
>Spannungsabfall bei 10mA nur 10mV.

Dietrich hat sich bis jetzt gegen eine solche FET-Lösung entschieden und 
stattdessen lieber eine Diode verwendet. Jetzt soll er erst mal genau 
erklären was er vorhat, sonst raten wir wieder nur herum.

Kai Klaas

Autor: D. (Gast)
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Hallo,

hab in der Zwischenzeit auch ein Datenblatt mit einer passenden 
Kennlinie eines Mosfets gefunden. Deine 1,5 Ohm passen ganz genau :-)

Also: Es ist für mich etwas schwierig, da ich euch nicht die ganze 
Schaltung erklären kann. Die Schaltung dient u.a. zum Kalibrieren eines 
uC und später vergleicht der uC die Eingangsspannung mit seinem 
kalibrierten Wert. Der damalige Entwickler hat aber nicht bedacht, dass 
es zwischen Kalibrieren und späterem vergleichen einen 
Temperaturunterschied geben kann. Die Z Diode habe ich bereits 
rausgeschmissen und den Spannungsteiler mit genauen Widerständen 
angepasst. Ebenfalls habe ich versucht eine Z-Diode einzusetzen, die den 
umgekehrten Temp.-Koeff von der BAS40 hat. Wurde zwar viel besser, aber 
nicht genau genug.
Ich will jetzt in dem uC Zweig nur noch den Spannungsteiler lassen und 
suche jetzt einen Temperaturstabilen Verpolungsschutz.

Die Spannung UB wird ausserdem noch hinter der BAS40 in eine OPAMPstufe 
gegeben und wird dort weiter verrechnet.

Hoffe das reicht an Infos.

Gruß
D.

Autor: Falk Brunner (falk)
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@  D. (Gast)

>Ich will jetzt in dem uC Zweig nur noch den Spannungsteiler lassen und
>suche jetzt einen Temperaturstabilen Verpolungsschutz.

Klemm eine DICKE Diode in Sperrichung an den Eingang. Bei Verpolung 
begrent die auf -0,7V am Eingang.

MFG
Falk

Autor: Geri (Gast)
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Hallo

Also ich habe die Schaltung von "unbekannter" mal mit einem 
P-Kanal-Mosfet ((Uein = 24 V, 10 Hz) simuliert. Mosfet IRF93530 und 
einer Zenerdiode zwischen Gate und Source mit 680K-Widerstand auf Ground 
simuliert.

Als Ausgangssignal erhalte ich für die ersten 5 Sinuswellen jeweils eine 
abgeschnittene Halbwelle. So sollte es meiner Ansicht nach auch 
aussehen. Nach der sechsten Halbwelle stellt sich dann aber wieder ein 
Sinusähnliches Signal ein bei dem UMin = -5 V beträgt.

Gibt es hierzu vielleicht eine Erklärung? :)

Autor: Geri (Gast)
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Beim Mosfet sollte es IRF9530 heissen..

Autor: Jörg Wunsch (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite
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Falk Brunner schrieb:

> Klemm eine DICKE Diode in Sperrichung an den Eingang. Bei Verpolung
> begrent die auf -0,7V am Eingang.

Natürlich noch eine Sicherung davor.  Wenn du eine Transil-Diode
nimmst, dann begrenzt du damit zugleich auch noch die maximale
positive Eingangsspannung.

Autor: yalu (Gast)
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Geri schrieb:
> Also ich habe die Schaltung von "unbekannter" mal mit einem
> P-Kanal-Mosfet ((Uein = 24 V, 10 Hz) simuliert.
> ...
> Gibt es hierzu vielleicht eine Erklärung? :)

Wenn das Einsetzen der negativen Ausgangsspannung nicht so spät oder
nicht so abrupt geschehen würde, hätte ich auf einen fehlenden oder viel
zu großen Lastwiderstand getippt. So sieht es aber eher aus, als ob in
der Simulation irgendwelche unbekannten Dinge im Hintergrund werkeln. Du
kannst ja mal deine Simulationsdatei posten, vielleicht kann damit
jemand das seltsame Verhalten erklären.

Autor: Geri (Gast)
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In welchem Datenformat soll ich die Simulation bitte posten? Ich habe 
hier eine Academic Version von Multisim.

Eine Simulation ist s.w. auch nur so gut wie der Mann/die Frau davor 
sitzt:)

Autor: yalu (Gast)
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Geri schrieb:
> In welchem Datenformat soll ich die Simulation bitte posten?

Ich selber verwende LTSpice und Ngspice, weil's nix kost :)

Falls Multisim LTSpice exportieren kann, wäre das optimal. Wenn nicht:
jedes Spice-Derivat sollte das klassische Spice-Format lesen können.

Für potentielle Multisim-Benutzer kannst du ja auch noch die Multisim-
Datei mit dazulegen, so groß sind die Dateien ja wahrscheinlich nicht.

Autor: Geri (Gast)
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Hallo Yalu

Vielen Dank für die Infos. Exportfunktion habe ich keine gefunden.
Ich lade mir mal LTspice herunter, probiere und melde mich dann 
nochmals.

Vielen Dank

Geri

Autor: Geri (Gast)
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@Yalu

Habe mir LTSpice installiert. Die Bedienung ist etwas 
gewöhnungsbedürftig
Die Simulation hat dafür auf Anhieb geklappt. Danke nochmals für den 
Tipp.

Beste Grüsse

Geri

Autor: Harald B. (haraldino)
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einfach eine BAT60J Schottky mit low forward drop an UB+?

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