Hallo, ich will einen P-Kanal MOSFET als Schalter betreiben, leider verträgt mein FET als Gate-Source Spannung max. 20V. Ich suche nach einer Schutzbeschaltung die Ugs auf 20V begrenzt, ginge dass mit einer Z-Diode parallel (siehe Anhang)?
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Geht, muß dann aber noch ein kleiner Vorwiderstand vor die Z-Diode, der den Strom begrenzt, sonst geht die Z-Diode in Rauch auf.
muss ich da dann noch beachten dass der Spannungsabfall über RV + Uz nicht größer als 20V wird?
Nö, allerdings bei zu viel Eingangsspannung kocht dann irgendwann der Widerstand... Die Z-Diode wird, gemessen an ihrer Leistungsfähigkeit, die Spannung nicht wesentlich höher als -15V (für die im Bild angegebene) gegenüber der Source steigen lassen.
Der Widerstand muss nicht vor die Z-Diode, sondern die Z-Diode direkt an G/S und der Widerstand vors Gate nur so funktioniert das zuverlässig Gruß, Christian
So meinte ich das auch - sorry wenn´s anders rüber kam.
Die Z-Diode in "p-mos.png" kann man auch durch einen Widerstand ersetzten. Man rechnet Ihn so aus, dass der Spannungsteiler fuer das Gate noch eine vertraegliche Spannung ergibt. Damit schaltet der FET auch einigermassen schnell ab. Das On/Off Signal wird man ja durch einen Open Kollektor/Drain Schalter erzeugen. Beim Abschalten mit wuerde die Gate-ladung nur hochohmig entladen.
@ Falk Diese Schaltung ist aber ziemlich kontraproduktiv bezüglich der Schaltzeit... Gruß
@Uwe Widerstand alleine is nich da die Spannung die ich schalten will variabel ist (+5V ... +35V)
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JAIN. Ich hatte unbewusst angenommen, dass die Schaltspannung VCC/GND hat. Hier nochmal beide Versionen. MfG Falk
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