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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Suche IGBT MOSFET ohne Bodydiode


Autor: Berny (Gast)
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Hallo Leut's,

ich suche einen IGBT oder MOSFET <N> so 40... A 60.... V ohne Bodydiode 
oder Ähnliches. Die Transistoren sollen zwischen verschiedenen Akkus, 
eines Ladegeräts schalten. Gibt es Excel Tabellen für Halbleiter??

Gruß Berny

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Sowas gibt es nicht. Da musst du 2 Bauteile antiseriell verwenden.

Autor: Berny (Gast)
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Könntest Du antiseriell etwas weiterführend erläutern.

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Source an Source, Gate an Gate, die beiden Drains sind Ein und Ausgang.

Autor: Peter X. (vielfrass)
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Sorry, die Antwort kommt etwas spät.
Hoffentlich wirf man mir nicht Thread-Nekrophylie vor.

Also IGBT's gibt's auch ohne die Reverse-Diode.
Heisst dann zum Bleistift STGP10NC60K
ok, dieser hat nicht die geforderten 40A.

SCR

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Peter X. wrote:

> Also IGBT's gibt's auch ohne die Reverse-Diode.
> Heisst dann zum Bleistift STGP10NC60K

Im Datenblatt steht aber was anderes:
Very soft ultra fast recovery antiparallel diode

Autor: Bernd Wiebus (Gast)
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Hallo Peter.

Je nach dem was er macht, wäre er die Bodydiode auch "los", wenn er den 
FET
umdreht, d.h. Source und Drain vertauscht. Das Teil wirkt dann wie eine
"normale" Diode (über die Bodydiode). Im Leitfalle der Diode kann er 
dann durch passendes synchromes Ansteuern des FETs die Diode niederohmig 
mit dem FET überbrücken, was den Wirkungsgrad enorm verbessert.

Für das zusammenschalten von Akkus könnte das eine passable Lösung sein.

Mit freundlichem Gruß: Bernd wiebus alias dl1eic

http://www.dl0dg.de

Autor: Rolf Heindorf (Firma: AERAS GmbH) (rolf-heindorf)
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Ich denke, der geht.
http://ixdev.ixys.com/DataSheet/L337.pdf
Gruß

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Geht das denn überhaupt? Ich finde in dem Datenblatt jetzt keine Angabe 
über die maximale EC Spannung, aber wenn ich mir den Aufbau eines IGBTs 
anschaue, dann bekommt die Emitter-Basisstrecke des Transistors die 
volle Spannung ab. Bei normalen Transistoren verkraftet die maximal 
5-10V. Keine Ahnung wie das bei IGBTs ist, aber ich kann mir nicht 
vorstellen, dass das bei denen anderst ist.

Autor: Rolf Heindorf (Firma: AERAS GmbH) (rolf-heindorf)
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Hallo,
NPT-IGBTs sollen das können. Wie ich das sehe, wird ja bei Vce<0 der 
Collector-Übergang in Sperrichtung gepolt,sodaß sich die Sperrschicht 
von der anderen Seite in die Driftregion ausdehnt.
Scheint aber keine große Anwendung zu finden.
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGL60N100BNTD.pdf
Im Datenblatt Fig.16 wird die VR angegeben, obwohl das Teil auch eine 
Diode besitzt?!
Na ja im Prinzip scheint's zu gehen.

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Rolf Heindorf wrote:

> Im Datenblatt Fig.16 wird die VR angegeben, obwohl das Teil auch eine
> Diode besitzt?!

Da sich Fig 13-17 auf die Diode beziehen, wird das der Sperrstrom der 
Dioden sein.

Autor: Rolf Heindorf (Firma: AERAS GmbH) (rolf-heindorf)
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Ja , klar hab's nur überflogen.
Wenn ich Zeit habe, werde ich das Thema weiterverfolgen.

MfG

Autor: Rolf Heindorf (Firma: AERAS GmbH) (rolf-heindorf)
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Hallo,
finden tut man eine ganze Menge ohne Diode.Aber ich habe kein Datenblatt 
gefunden, wo die -Vce auch angegeben wird.
http://www.srt.tu-darmstadt.de/fileadmin/general/p...
Auf Seite 4 ist ein entsprechendes Diagramm.
Habe auch gelesen, daß an so einem Teil verstärkt gearbeitet wird. Wird 
wohl demnächst auch verfügbar sein.

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