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Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Schaltzeit einer 1N4007


Autor: Heiko Hanickel (daheik)
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Hi Leute,

hab an nem IRF640 N-Kanal Mosfet parallel zu Source und Drain ne 1N4007 
Gleichrichter-Diode in Sperrichtung.

Der iRF640 hat ne parasitäre Diode mit trr = 240ns.

Bei der 1N4007 steht leider nirgends, was für eine Reaktionszeit das 
Bauteil hat.

Ist die 1N4007 umsonst eingebaut oder hat es irgendwelche Vorteile, das 
Bauteil drin zu lassen?
Wenn ich s richtig verstanden hab leitet die parasitäre Diode viel 
schneller und macht die 1N4007 somit arbeitslos ;) oder?


Vielen Dank schon im Voraus.

Gruß Heik

Autor: Düsentrieb (Gast)
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right, 4007 is fürn ar..., wenn schon, dann schnelle (!!!) diode, zb 
schottky MBR20200CT-D , oder MUR820-D

Autor: Heiko Hanickel (daheik)
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Ist die also für gar nix gut?
-> Ne Ausrede wär nich schlecht
   - falls jmd fragt warum die Diode drin is ;)

Hätte da eher an noch schnellere gedacht:
BYV 26D

Passiert meinem IRF640N ohne externe Diode was, wenn Surges 
(KFZ-Bordnetz bei Abschaltung induktiver Last) auftreten?

P.S.: Kennt von euch jmd ne Seite, wo ich Bauformen nachschauen kann?
- Hab immer so Probleme, DO-15 DO-35 DO-7 .... zu unterscheiden.
Ne Auflistung von Größe.. wär da nicht schlecht.

Gruß und thx

Autor: Düsentrieb (Gast)
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Ist die also für gar nix gut? genau.

die interne back --> rtfm

wenn du nur mal ein-oder-aus schalten willst, brauchste gar keine extra 
diode !
für was soll das ganze sein? wie schnell wird geschaltet? plan?

Autor: Heiko Hanickel (daheik)
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was heißt interne back?

Es geht nicht ums schnelle Schalten, sondern um den SChutz des MOSFETs. 
Er ist im KFZ-Bordnetz folgenden Belastungen ausgesetzt:

http://www.st.com/stonline/products/literature/an/3583.pdf

Dafür möchte ich nen passenden Schutz vorsehen. Ich möchte eigentlich, 
dass die Diode so schnell schaltet, dass die parasitäre Diode des 
MOSFETs gar nicht zum Zuge kommt.

Autor: Düsentrieb (Gast)
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interne back? -diode (natürlich :-)
schutz? wovor? ohne plan...glaskugel?

Autor: yalu (Gast)
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Du sprichst von einem IRF640. Falls du damit eine induktive Last
schalten möchtest, muss eine Freilaufdiode parallel zur Last
vorgesehen werden. Die Bodydiode des Mosfets hat dann keine Funktion,
sie sperrt immer.

Anders sieht es bei einer Gegentaktendstufe mit zwei Mosfets
(Highside und Lowside) aus. Da wirkt jede der beiden Bodydioden als
Freilaufdiode zum schutz des jeweils anderen Mosfets. Für eine
H-Brücke, die aus zwei Gegentaktendstufen besteht, gilt dasselbe.
Externe Freilaufdioden brauchst du in diesen Fällen normalerweise
nicht, es sei denn die Sourcen bzw. Drains der Mosfets sind nicht
direkt mit Masse oder der Versorgungsspannung verbunden, weil bspw.
ein Strommessshunt dazwischen liegt. Dann sollte eine externe Diode
von der Last direkt nach Masse oder U+ (je nachdem, auf welcher Seite
der Shunt liegt) gelegt werden.

Diese externe Diode (bzw. die Freilaufdiode parallel zur Last) sollte
schnell einschalten, damit sie ihre Schutzfunktion erfüllt.Das ist
normalerweise kein so großes Problem, zumal sehr kurze
Spannungsspitzen auch mit Kondensatoren unterdrückt werden können. Vor
allem soll sie aber schnell ausschalten, da sonst beim Umschalten
kurzzeitig ein sehr hoher Strom direkt von U+ nach Masse fließen kann
(Kurzschluss).

Die 1N400x-Dioden sind mit das langsamste, was es zu kaufen gibt. Ihre
Erholzeit beim Ausschalten (also die Zeit, während der der Strom nach
dem Umschalten in Sprerrichtung fließt) liegt im ungünstigsten Fall
bei mehreren µs.

Schottkydioden weisen dieses Problem nicht auf, es gibt aber auch
schnelle PN-Dioden, die werden in den Datenblättern dann meist als
"ultra-fast" angepriesen.

Autor: 1N4007 (Gast)
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@Heiko Hanickel

geh' mal bei der 1N4007 von einer trr von 2...20uS aus!

für Dioden-Gehäuseformen guckst Du hier:
http://wonkysweb.de/webelektronik/121.php#

Autor: Heiko Hanickel (daheik)
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@Düsentrieb
Daaaanke :)

@1N4007
THX

@yalu
Die Freilaufdiode befindet sich direkt an der induktiven Last. Jedoch 
kann es ja durch Abschalten anderer induktiver Lasten trotzdem zu einem 
Spannungseinbruch des Bordnetzes kommen (wie in AN3583 beschrieben).
Macht es meinem IRF640 nichts aus, wenn eine negative Spannung um die 
100V kurzzeitig anliegt?
Je schneller diese Spannung abgebaut wird desto besser, oder?

Da ich auf der Platine den Bauraum für die Diode bereits vorgesehen 
habe, werde ich wahrscheinlich auf die BYV26D ausweichen.

Oder soll ich die Diode einfach drauflassen (wenn die BYV26D nix 
bringt).
SChaden tut sie ja sicherlich nicht, oder?

Gruß

Autor: Düsentrieb (Gast)
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Macht es meinem IRF640 nichts aus.. nein. er hat ja seine back..

lass die 4007 eben als zweckfreie zierde drin...

Autor: Heiko Hanickel (daheik)
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Danke!

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