Hallo erstmal, also, von Reichelt habe ich jetzt hier einen IRF 4905 der ja wohl LL Mosfet ist. Ich würde nun gerne mal etwas "dickere" Lasten schalten. Also denke ich mir erstmal Versuchsweise 5V Vcc an Source anzulegen, an drain Ground und an das Gate ebenfalls 5V. Es fliesst wohl kein Strom und der Transistor sperrt(Hatte ich auch so erwartet). Wenn ich dann auf das Gate einfach GND lege, fliessen gute 1,5 Ampere von Source nach Drain. Der Mosfet macht genau das, was ich möchte, nämlich schalten. Nun denn, manchmal mächte man ja auch etwas höhere Spannung an Source anliegen haben. Also lege ich an das Gate 5V, an Dran Ground und an Source kommt ein 12V PC lüfter. Minus des Lüfters schliesse ich an Source und an den Pluspol 12V. Der Lüfter dreht bei 5V an Gate leicht. Bei Gnd an Gate entfaltet er volle Leistung und es fliessen 180mA. (Soviel, wie auch draufsteht). Ich dachte mit LL Mosfets habe ich bei 0 Pegel am Gate einen Unendlich hohen Widerstand und bei LL high (also ca. 5 V) einen durchschaltenden Transistor? Achja, die Schwelle bei der er bei Gate 5V und Drain Gnd trotzdem durchschaltet beträgt ca. 10 V. Ist nun das Problem, das ich am Gate nicht das gleiche Potential habe wie an Source um den Mosfet dann zu sperren? Oder wo ist mein Denkfehler ;)
1. So wie ich das verstanden habe liegt jetzt am Gate +5V und an der Source ueber den Lufter +12V. Also hast du jetzt zwischen Gate und Source schon mal 7V anliegen.Das reicht schon um den MOSFET etwas durchzusteuern. Mit der schwelle beim MOSFET ist gemeint das er bei einer Spannung von 10V voll durchgeschaltet ist. Auch bei Spannungen darunter faengt er bereits zu leiten an . Um den Mosfet zu sperren muss du die Spannung zwischen Gate und Source auf 0V halten. Achte bitte darauf das die Spannung zwischen Gate und Source nicht > 20V wird sonst wird das Gate zerstoert. Gruss Helmi
Hmm, nur wie soll ich die Spannung zwischen Gate und Source auf 0 V halten, wenn ich am uC max. 4,9 V habe und an Source z.V. 12V? Das ist ja der Gedanke beim LL Mosfet als Schalter. Achja, die Spannungen währe dann ja ca. -7V und nicht +7V. Ist ja ein P Kanal. Jetzt kann ich zwar bei 5V im Gegensatz zu meinem BS250 mehrere Ampere schalten, aber eben nur bei 5V und das ist zu wenig :(
Du musst zwischen CPU Ausgang und Mosfet noch einen Treiber schalten der dir ersten einen Spannungshub von 10V erzeugt und die auch noch in bezug auf die 12V versorgung. Also aus = +12V am gate ein = <2V am gate. Oder du nimmst einen N-Channel Mosfet dann sind alle Spannungen auf GND bezogen. Als Treiber gibt es sogenante "MOSFET-Treiber" die setzen dein TTL pegel in den Spannungsbereich fuer das Gate um oder du nimmst einen normalen Transistor als Treiber. ps. N-Channel Mosfet's sind besser 1. mehr auswahl 2. niederiger RON Widerstand. Gruss Helmi
Ach ja der MC34152 von ON-Semiconductor ist so ein treiber. http://www.onsemi.com/pub/Collateral/MC34152-D.PDF Gruss helmi
Hier noch eine Schaltung fuer einen Treiber mit Transistor wenn nicht allzu schnell geschaltet werden soll. R3 und D1 dienen zum schutz des Gates.
Ah ok. Also geht es ohne Trickserei bei P Kanal LL Mosfets nicht? Und bei N Kanal funktioniert das dann auch ohne Trickserei, oder wie? Denn dann tu ich mir erst garnicht den Schaltungs Bohei an ;)
Bei den Mosfet gibt es auch sogennante Logik Kompatible Mosfet. Meisten sind das denn N-Channel Typen. Bei denen liegt dann die Schwellen Spannung im bereich von 5V. Nur die kannst du direkt ansteuern. Anstatt des Transistor's kannst du auch ein 7407 (oder aenliche) Open Kollektor Treiber nehmen. Die Schutzdiode kannst du auch weglassen wenn sichergestellt ist das keine Spannungsspitzen das Gate erreichen. Gruss Helmi
Ok, und P Kanal Mosfest die mit LL arbeiten kann man nicht direkt betreiben oder wie?
Doch, wenn Source auf dem gleichen Potenzial ist, wie das HIGH-Level am Gate.
Doch nur darfst du die Source nicht an 12V anschliessen sondern nur an +5V so ist dann wenn der CPU-Ausgang auf High(+5V) liegt die Spannung zwischen Gate und Source = 0V.
Also nochmal für dumme. Wenn ich jetzt z.B. einen IRL 540N nehme, welcher einen N Kanal hat, dann kann ich an Gate mein uC steckern, an Source 12V und an drain ground? Wenn ich nämlich an das Gate 5v und an source 5v sowie an drain GND lege, dann schaltet er. Ebenso wenn ich an Gate GND an source 5 v und dran GND lege, schaltet er in beiden fällen. Irgendwie bin ich gerade verwirrt ;)
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>dann kann ich an Gate mein uC steckern, an Source 12V und an drain >ground? Nein, Source an GND, Drain an Minus vom Verbraucher, Verbraucher-Plus an 12V. (für N-Fet).
Ah cool danke. Ich habe mir auch mal bei sprut.de die eigenschaften zu Nkanal und P kanal mosfet durchgelesen.... Jetzt verstehe ich das erst komplett. Eindeutig übertragbar vom normalen Transistor auf Mosfet ist also nicht alles. Wer lesen kann ist klar im vorteil.
Guten Abend, Tut mir leid, dass ich einen sehr alten Thread ausgrabe, aber er trifft mein Problem genau... Helmi schrieb: > Doch nur darfst du die Source nicht an 12V anschliessen sondern nur an > +5V so ist dann wenn der CPU-Ausgang auf High(+5V) liegt die Spannung > zwischen Gate und Source = 0V. Ich habe mir eben das Sheet (direkt von der Hersteller Seite) zu diesem Fet angesehen und er ist eigentlich genau was ich suche, nur leider nicht ganz. Ich möchte 5V Last (ohmsch) bei 60A schalten (auf der high Seite). Würde ja laut Helmi gehen, Sheet und sprut sagen auch 74A verträgt er. Aber weiter im Sheet gelesen sieht man, wenn ich es richtig lese: Fig.1 VGS=5V, Drain-to-Source 5V => gerade einmal 20A Lese ich richtig? Wenn ich richtig lese, kann ich den FET ja vergessen. GIbt es einen, der meinen Anforderungen gerecht wird? Danke Benni
Tja - Mosfets sind ja keine Relais. Soll heisen, die schalten nicht einfach an und aus, sondern haben einen linearen Übergangsbereich von ganz gesperrt bis ganz leitend. "Normale" Mosfets sind erst bei recht hohen Gate-Source-spannungen (10 oder 15V oder so) sehr niederohmig, so daß die eben relativ viel Spannung brauchen, damit die voll leiten, und den vollen Strom abkönnten. "Abkönnten" deshalb (und nicht "abkönnen"), weil die Stromangaben nur für den Chip selber gelten, aber die Gehäuse bei den Hochstromtypen dies idR. nicht aushalten. Steht auch oft im DB, daß der Strom in der Realität durch das Geäuse bzw. dessen Beinchen/Bonddrähte begrenzt wird, und nicht durch den Chip. LL-Typen dagegen vertragen üblicherweise bei Ugs=5V bereits ihren max. spezifizierten Strom (wieder unter der Maßgabe, daß das Package des Transistors dies mitmacht). Entweder du findest einen Mosi, der die 75A auch vom Gehäuse her kann, oder du schaltest einfach mehrere parallel. Auserdem - wenn 74A im DB drin stehen, heist das nicht, daß du den mit 74 belasten kannst (auch wenn das Gehäuse dies könnte), denn das sind nur die max.-Werte unter idealisierten Bedingungen. Die Hälfte davon wäre schon eher machbar.
Die MOSFET-Übersicht hilft dir bestimmt. Persönlich kenne ich nur den SUP75N03-04, der bei 4,5V Gatespannung 120A kann. Grüße, Peter
Peter Roth schrieb:
> Die MOSFET-Übersicht hilft dir bestimmt.
Nachtrag: die Artikel-Links könnten hier im Forum ruhig mit einem
besseren Konrast zum normalen Text formatiert sein. Oder werde ich schon
langsam farbenblind?
Grüße, Peter
Also das DB vom IRF4905 sagt, wenn ich das Gehäuse auf unter 50°C halten kann, dass knappe 70A drin sind. Ok, verstehe, also müsste ich mir 10V ans Gate legen, damit meine Last bei der Leistung betrieben werden kann? Der SUP75N03-04 ist ja leider wieder ein N-Kanal, aber der "SUP75P03-007" sollte können was ich will?
Benni schrieb:
> "SUP75P03-007" sollte können was ich will?
Tolles Teil, dieser SUP75P03-07. Hat etwa 12mOhm bei 60A und 4,5Vgs und
kann was du brauchst. Bei Dauerstrom 60A musst du aber kühlen, was das
Zeug hält.
Grüße, Peter
Peter Roth schrieb: > Tolles Teil, dieser SUP75P03-07. Hat etwa 12mOhm bei 60A und 4,5Vgs und > kann was du brauchst. Bei Dauerstrom 60A musst du aber kühlen, was das > Zeug hält. Leider ist er gerade nicht zu bekommen... der in der Übersicht angegebene Lieferant hat "derzeit kein Bestand", und an sich ist er recht teuer. Kühlung ist unabdingbar, im schlimmsten Fall eben aktiv.
Hallo habe auch den IRF4905 und ebenso eine Frage zur Beschaltung. Wenn ich an das Gate +12VDC anlege zum Schalten, an Source ebenso und an Dran die + für zB ein 5m LED Stripe und dessen GND eben an GND. Der FET schaltet dann nicht durch, weil zwischen Gate und Source 0V anstehen. Er braucht mindestens 10V Unterschied. Ist das bei allen Mosfets so, dass die Spannung an Gate und Source nicht gleich groß sein dürfen, damit er durchschalten würde?!
Hallo Oliver, dein Problem ist das Verständnis wie NPN/PNP oder hier N-Channel/P-Channel arbeiten. Beim N-Channel brauchst du doch auch einen Spannungsunterschied zwischen Gate und Source. Source auf Masse und ans Gate 5V. Er schaltet. Hier hast du zwischen Gate und Source deine 5V notwendigen Spannungsdifferenz. Beim P-Channel funktioniert das genauso nur umgekehrt. Dein Bezugspunkt ist wieder die Source. Nicht! deine gewohnte Masse. Source hängt hier am (+) der Versorgungsspannung oder Schaltspannung. Wenn er sperren soll muß die Differenz zwischen Gate und Source 0V betragen. Also muß am Gate die gleiche Spannung wie an Source anliegen. Soll er schalten, muß die Spannung am Gate um 5V oder 10V niedriger sein im Bezug zur Source. Umgekehrt weil P-Channel. Die Masse ist hier nicht! der Bezugspunkt. Um die höhere Gatespannung zuschalten, nimmste einfach einen NPN als Schalter und greifst zwischen R und Kollektor die Gatespannung ab. Das sind auch keine Tricks. Ist auch beim PNP notwendig.
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Ok, also so wie in der Skizza ja? Wie groß sollte ich den R2 wählen (Collector Widerstand), einen wirklichen Strom benötige ich ja nicht für einen Mosfet. 1k? 10k?
Hallo, 10k R2 sind okay. Größer würde ich nicht nehmen. An R1 kommt der µC Pin.
Ne möchte ja nicht mitm uC arbeiten, sondern nur mit 12V an oder 0V aus.
Hallo, What? Wie dann? Mit Taster oder Schalter? Wenn ja, kannste dir den NPN sparen. Dann bleibt R2 mit 10k bestehen, NPN weg, Taster/Schalter an Knotenpunkt R2/Gate und Masse.
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