IR2113 Schaltungsreview

OP #695476
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Hallo,

da sich bei mir ein paar Termine verschoben haben muss ich relativ 
kurzfristig eine Schaltung zusammenbauen. Lustigerweise scheint ja Woche 
der IR2113 zu sein.

Die Schaltung ist im Anhang zu finden. Ziel ist es die Spule im 10Hz 
Rhythmus umzumagnetisieren. Also 99ms pause dann 1ms Puls in 1. 
"Richtung" dann wieder 99ms pause und dann 1ms Puls in die andere 
"Richtung".

rein Rechnerisch (und simulatin in LTSpice). Fliesen zu beginn sinniger 
weise 0A  und in der spitze im Abschaltmoment fliesen 110A. Die Spannung 
an den Lade C sinkt dabei von 110V auf 64V während dem Impuls und steigt 
dann beim Abschalten wieder auf  80V an (durch die Freilaufdioden) (sind 
glaube nicht die richtigen Werte aber die Rechnung liegt auf dem anderen 
Rechner und können bei bedarf nachgereicht werden auch die Simulation).

während der verbleibenden 99ms werden die C wieder vom ZK aufgeladen.

so meine frage würde die Schaltung so gehen oder habe ich mich total 
verhauen.

die Bauteile habe ich schon da (vor längerem auf verdacht eingekauft) uU 
sind die mittlerweile nicht mehr ganz passend aber sollten gehen oder?

die DC/DC wandler sind dazu da weil er 2113 nicht so ehwig offen halten 
kann (leckverluste dächte ich) und auch immer nur kurze Momente zum 
laden vorhanden wären daher die Dauerversorgung.


nu da ich warte mal die Antworten ab

vielen Dank

Mischa

ps: also der Trasi kann 200V sperren und 110A Dauer (je stck. so groß 
wie 4stck würfelzucker)
die dioden könne 400V sperren und 60A Dauer
die Kondentsatoren können 250V ab und auch impulsströme von 60A (lt 
datenblatt)

edit: anhang eingefügt / mist geht doch nicht
#695667
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Sieht auf dem ersten Blick Ok aus.
Würde aber noch etwas "schützendes" zum Gate der Fets packen.
Zenerdiode 15-18V mit Kathode ans Gate und Anode an Source, begrenzt 
Ü-Spannung am Gate und verhindert den Treiber Tod durch negative Spikes 
in der Gate Leitung (Transienten).

Mal interessenhalber, was oder wen will man mit diesem starken 
Wechselfeld ärgern ?
;)

Edith:
Würde die COMs von Lowside über den Shunt legen, also direkt an Source.
Sind ja der direkte Bezug für die Gateansteuerung.
Kann sonst Böse ausgehen, wenn sich das Potential strombedingt 
verschiebt, gerade bei solchen Impulsen.
OP #695695
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erstmal danke für die Antwort:

hab das ganze mal geändert und angehängt:

das mit der shunt is mir auch schon ins auge gefallen habe es aber ien 
bissel anders gelöst als du vorgeschlagen.

ich lasse die 15V versorgung mit floaten auf der ZK spannung. der 
negative spannungsabfall lässt sich aus meiner sicht derzeit besser 
verkraften.

eigentlich sollte da noch mehr rein nun wirds ein laufendes 
funktionsmuster. (d.h. die spannung über dem sense wird nur beid er 
inbetriebnahme angeschaut)

ja wofür? ich soll ein wechselndes magnetfeld mit einer stärke von 1 T 
erzeugen. weil sonst alles weg brennt und groß wird eben die kurze zeit. 
das ganz ist für physikalische Untersuchung an Materialproben weil man 
sich so (wenns funktioniert) das kontaktieren von 100µ dicken 
Materialfilmen ersparen könnte und nicht noch die Kontaktierung im 
Messfeld hätte. naja.

ich kann dir sagen ich bin auch gespannt ob das am freitag läuft. 
eigentlich wollte ich mir dafür 2 wochen zeit nehmen aber naja so isses 
halt. anderes projekt zwischen geschoben worden und sieh zu.

mischa
Angehängte Dateien:
OP #695712
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als verdrahtung von treiber zu fet denke ich derzeit so an 10 bis 15 cm 
geht kaum anders wenn ich die würfelzucker dinger auf nem kühlkörper 
verknote.

ich weiß is ne sehr heise sache aber mal sehen uU hat man ja glück 
verdrillen werd ich sie noch. ach gott. irgendwie glaub ich momentan 
nich das es am ende geht
 einen starken einschaltimpuls wird es ja nicht geben durch die 
induktivität  aber das abschalten das wird böse.

das einzige was ich für den aufbau weiß ist das alles am ende in einem 
19" rahmen ist
#695727
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Na gut, aber man könnte die Treiber samt Optokoppler Huckepack drüber 
setzen.
15cm sind äusserst gewagt, dort fängt man sich dann schnell etwas ein, 
gerade bei den auftretenden Spitzenströmen.
Wenn es nun den/die falschen Fet(s) aufreisst gibts Schaden.

In dem Zusammenhang auch ganz nützlich, noch einen Widerstand 470-1k 
zwischen Gate und Source. Somit wird das Gate niederohmiger -> weniger 
empfindlich.
Macht aber nur Sinn, wenn es dicht dran ist.
#695764
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Ja, das dicke SOT Gehäuse...
Von der Sache her dürfte das aber klappen, viel Platz braucht das alles 
nicht.
Hab selber genug "Lehrgeld" mit solchen Experimenten gezahlt, gerade bei 
der Ansteuerung des Gates sollte man ordentlich arbeiten. Das ist 
einfach zu empfindlich.
Weiss ja nicht wieviele von den Fets da sind... ;)
OP #695783
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....

ehm ja also ich hab mich jetzt auch nochmal mit nem bekannten 
unterhalten der meinte auch sieh zu das die gateleitung kurz ist also 
werde ich das mal irgedwie verwirklichen

wird wohl so werden das ich die transistoren mittig auf den kühkörper 
schraube dann die dioden außenherum und dann eben darüber die steuerung


8 stck sind da. sot? sind isotop gehäuse

heir noch n link zum transi
http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/91417/STMICROELECTRONICS/STE110NS20FD.html

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