MOSFET Schalter

[Öl (Gast)]

Hallo Leute,

ich simuliere gerade einen MOSFET Schalter. Es handlet sich um IRF1404. 
Der MOSFET muss bis zu 20A schalten können, was für ihn auch kein 
Problem ist.

Mein Problem:
Wenn ich den Schalter als Scource-Schaltung aufbau (-> Source an GND und 
Last am Drain) dann fließen 17A wie es sein soll.

Wenn ich aber die last zwischen Source und GND schalte und Drain direkt 
an UBATT (12V) anbschließe, fließen nur noch 1,7A. D.h. der Kack-MOSFET 
"frißt" mir ca. 10,8V!

Ich versteh nicht warum es so einen Unterschied macht, ob ich die Last 
vor dem FET schalte oder nach dem FET. Der IRF1404 wird mit Ugs=5V 
angesteuert. Erhöhe ich Ugs auf 10V, bekomme ich im Lastkreis 8,5A, aber 
immer noch die Hälfte von 17A!

Hmmm. Kramba! Spannugsfolger?

Aber ich würde gerne die LAst ein und ausschalten, ohne dass an der Last 
dauerhaft UBATT liegt. Sprich: ich will die Versorgungsleitung 
unterbrechen, nicht die GND-Leitung.

[jack (Gast)]

Überleg Dir mal in aller Ruhe, auf welchem Potential source liegt,
und wie groß dann Vgs ist.

[jack (Gast)]

>Aber ich würde gerne die LAst ein und ausschalten, ohne dass an der Last
>dauerhaft UBATT liegt. Sprich: ich will die Versorgungsleitung
>unterbrechen, nicht die GND-Leitung.

Dann brauchst Du eben einen P-MosFet.

[Öl (Gast)]

>Dann brauchst Du eben einen P-MosFet.
Habe ich mir auch schon überlegt.
Aber das problem wird doch gleich bleiben. Ich schalte beim P-FET den 
Drain an GND und SOURCE an UBATT?

[jack (Gast)]

>Ich schalte beim P-FET den Drain an GND und SOURCE an UBATT?

Drain natürlich an die Last  -> dann erst Gnd.
Wenn Du mit 5V schalten willst, muß natürlich noch ein pnp-Transistor
dazwischen.

Übrigens:
Hast Du Dein Problem mit dem N-Fet jetzt verstanden?

[jack (Gast)]

>muß natürlich noch ein pnp-Transistor dazwischen.

Muß natürlich npn-T. heißen.

[Öl (Gast)]

Mein Problem mit N-Fet hängt damit zusammen, dass sich das Potential der 
GS-Strecke nicht dem entspricht was ich "einstelle".

Stelle ich Ugs auf 10V, erhöt sich zwangsweise Potential am Source, 
sodass Ugs real keine 10V beträgt. Ugs kann ich max UBATT machen. Ich 
kann am Source nie ca. UBATT erreichen, weil sonst Ugs = 0V ist und der 
FET sperrt..

Beim P-MOSFET ist das Prinzipielle Problem auch dar (Unterschied ob Last 
an Drain oder Source) - aber für meine Applikation irrelevant.
Ich schalte die Last zw. Drain und GND. Und steuere MOSFET mit Ugs. So 
ist keine Entgegenwirkung dar, weil Last nicht am Source liegt.

Danke für gute und faire Hinweise.

[JensG (Gast)]

>kann am Source nie ca. UBATT erreichen, weil sonst Ugs = 0V ist und der
>FET sperrt..

Na da haste ja einen Transistor fast begriffen.

>Ich schalte die Last zw. Drain und GND. Und steuere MOSFET mit Ugs. So
>ist keine Entgegenwirkung dar, weil Last nicht am Source liegt.

ich dachte, du willst volle Pulle an der Last sehen? Da brauchste doch 
keine "Entgegenwirkung" (jedenfalls sprachst Du anfangs von MOSFET 
Schalter). Noch dazu mit Last an Masse, was auch kein Problem ist.
Also P-Kanal-MOSFET, mit npn-Transistor davor als Negierer (weil der 
P-Kanal-MOSFET ja genau andersherum angesteuert wird) und 
Spannungs-Shifter weil Ugs an + liegt bzw auf + bezogen ist. Und noch 
ein R zw. G und S, der im Ausschaltfall das Gate auf S-Potential zieht.