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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik n-kanal mosfet treiber diskret mit npn und pnp


Autor: typ (Gast)
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ich brauche nur kurz eine gedankenstütze, sonst bekomm ich's nicht auf 
die reihe..find's auf die schnelle nicht in den millionen von beiträgen.


ich hab hier bc847 npn und bc857 pnp transistoren, aber ich brings 
durcheinander..

der npn zum entladen des gates nach masse, also basisstrom fließt nach 
masse und nimmt die ladung vom gate mit..

sprich basis logisch an heisst mosfet aus.

der pnp an die versorgungsspannung, basistrom fliesst in den µc und 
damit wird das gate bestromt. logisch 0 ist fet an

richtig so, oder genau falsch?

Autor: Klaus Falser (Gast)
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Wenn Du noch Widerstände zum Strombegrenzen zwischen Basis und uC 
schaltest, kann klappen.

Autor: Reinhard Pölzleithner (carnival)
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den NPN nach oben und den PNP nach unten und davor ein 
Kleinsignalmosfet.

Folgender Grund: wenn man einen Bipolartransistor in die Sättigung 
treibt wird er langsam. Wenn man den NPN zwischen Versorgung (Emitter) 
und Gate (Collector) sowie den PNP mit seinem Emitter auf das Gate und 
Collector gegen  Masse klemmt dann erhält man eine schöne 
komplementärstufe. Die Basisanschlüsse der beiden Bipolaren verbindet 
man nun über einen Pullup mit der Versorgung.
                           +V           +V
                            |           |
                            _           |
                           | |          |
                           |_|          |
                            |           |
                            |         |/
                         |--------+---|NPN
        EIN/AUS    ------| n-ch   |   |\
                         |--      |     |
                            |     |     |-------->to Power N-CH Fet
                            |     |     |
                           GND    |   |/
                                  +---|PNP
                                      |\
                                        |
                                       GND

Autor: typ (Gast)
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Danke für die Erklärung! Ich hab's leider noch nicht so raus.. kommt 
hoffentlich noch. Wenn ich die Hälfte nicht immer vergessen würde..

Autor: XXX (Gast)
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Ich empfehle noch einen Widerstand jeweils vor dem Basisanschluß (z.b. 
1k) zu legen, denn sonst wird eine zu hohe VBE angelegt im Aktivzustand. 
Die Schaltung kann direkt ohne FET mit Pullup betrieben werden!

Autor: Marius S. (lupin) Benutzerseite
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Wo liegt denn der unterschied ob ich die Komplementärstufe per µC oder 
FET ansteuere? "In die Sättigung" wird der Transistor ja sowieso 
getrieben (das hängt ja nur vom Basisvorwiderstand ab).

Bei der aufgezeichneten Schaltung raucht einer der Transistoren 
irgendwann ab, da du per FET fest GND rauf haust. Ganz abgesehen davon, 
dass in der Zeichnung glaube ich NPN und PNP vertauscht sind.

Oder blicke ich was nicht?

Autor: Düsentrieb (Gast)
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du blickst was nicht ...
zeichnung o.k.

Autor: Pieter (Gast)
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moin moin,

anbei noch ein FET-Treiber.

mfg
Pieter

Autor: Peter Roth (gelb)
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Beim Schaltplan von Reinhard sind die Emitter der beiden Transistoren 
als Schaltungsausgang verbunden. Also kann keine Sättigung auftreten, 
der Emitter geht einfach mit der Steuerspannung mit, darum heißt es auch 
Emitterfolger.
Die Ausgangsspannung geht von 0,7 bis +V -0,7V.

Was aber der Kleinsignalfet da soll (außer invertieren :-), verstehe ich 
nicht, die Basen können doch auch direkt (über einen Angstwiderstand) 
angesteuert werden.

Grpße,
Peter

Autor: yalu (Gast)
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Marius Schmidt schrieb:
> Bei der aufgezeichneten Schaltung raucht einer der Transistoren
> irgendwann ab, da du per FET fest GND rauf haust. Ganz abgesehen
> davon, dass in der Zeichnung glaube ich NPN und PNP vertauscht sind.

Wenn du sie vertauschen würdest, dann würde der PNP abrauchen ;-)

So wie in der Schaltung gezeigt, werden die beiden Tranistoren in
Kollektro-, nicht in Emitterschaltung betrieben. Da sind keine
Basiswiderstände nicht erforderlich, sondern eher hinderlich.

@Marius Schmidt und Peter Roth:
Der kleine FET wird dann benötigt, wenn +V größer als VCC des µC ist,
was oft der Fall ist. Sonst kann man ihn weglassen.

Autor: Marius S. (lupin) Benutzerseite
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Ich denk mir den emitter immer unten... angewohnheit... jetzt ist's 
klar.

Das mit den FET ist auch klar. Da könnte man aber auch einen PNP nehmen 
oder?

Autor: yalu (Gast)
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> Das mit den FET ist auch klar. Da könnte man aber auch einen PNP
> nehmen oder?

Einen NPN. Der würde aber im Gegensatz zum FET wieder in die Sättigung
gehen, was in der Schaltung ja gerade vermieden werden soll.

Autor: Wolfgang (Gast)
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Hallo zusammen,

was macht der zweite Transistor in Pieters Schaltplan?!?
Kann das nicht nachvollziehen!

danke

Autor: Pieter (Gast)
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moin moin,

@Wolfgang

die Schaltung war für eine P-N-FET Ansteuerung.
Welche Transistorfunktion ist unklar?

mfg
Pieter

Autor: JensG (Gast)
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die beiden BC368-Transistoren bilden eine Art Gegentaktendstufe. Bei 
einer LH-Flanke am C des unteren BC368 wird der obere Transistor 
angesteuert über den 1k-R an seiner Basis, und über dessen 
Stromverstärkung kann dieser das Gate  mit viel mehr Dampf hochziehen. 
Der 1k-R erscheint sozusagen viel niederohmiger (FET wird damit 
schneller durchgesteuert).
Ist auch eine typische Schaltung in Videoendstufen - der Widerstand wird 
relativ hochohmig gewählt, womit relativ geringe Verlustleistung erzielt 
wird (und trotzdem relativ schnell)

Autor: JensG (Gast)
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mit Videoendstufen meine ich die Endstufen zum Ansteuern von 
Bildröhrenkatoden

Autor: warze (Gast)
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Wenn ich die Schaltung von Reinhard mal nach seiner Beschreibung 
aufzeichne siehts wie im Bild aus. Also der NPN falschrum, daher sicher 
die Irritationen bei einigen.
Dreht man den NPN, also Kolektor an + und Emitter an Gate passts.
Mitunter kann ein Widerstand zum PowerFET Gate (10 - 47 Ohm) als 
Strombegrenzung nützlich sein.

Autor: Kupfer Michi (Gast)
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>Dreht man den NPN, also Kolektor an + und Emitter an Gate passts.

Ja, nennt sich "Totem Pole" Schaltung.
Ist im Prinzip nichts anders als zwei gegeneinander geschaltete 
Emitterfolger, bitte dort nachlesen da es ein wichtiges 
Schaltungskonzept ist.
Die beiden Transistoren verriegeln sich quasi gegenseitig so das ausser 
beim Umschalten kein Strom fliesst.
Die Ausgangsspannung ist Vin +- V.BE.

Nur zur Sicherheit nochmal die richtige Schaltungsvariante, (ist ein 
Ausschnit aus einem Step Down Wandeler mit N-MOSFET)

Autor: Reinhard Pölzleithner (carnival)
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Guten Abend,

nur so aus Neugier ... wie sieht die Schaltung weiter links aus??

mfg Reinhard

Autor: Kupfer Michi (Gast)
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>wie sieht die Schaltung weiter links aus??

... ähh, wollte ich eigentlich vermeiden da ich mit ihr noch nicht 100% 
zufrieden bin.

Wollte damit einfach mal eine High Side Ansteuerung für einen N-FET 
ausprobieren, läuft auch so im Einsatz, aber die Level Shifter 
Ansteuerung von Q4 würde ich beim nächsten mal ändern.

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