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Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Basis mit Emitter zusammengeschaltet


Autor: Maxim S. (maxim) Benutzerseite
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Ich habe in ct 2008/Nr.2 eine Schaltung entdeckt, in der bei einem 
npn-Transistor Basis und Emitter zusammengeschaltet sind. Was bringt 
das?

Autor: Jens Plappert (Gast)
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Hm, vielleicht wird er da als Diode bnutzt? aber genau weiss ichs auch 
nicht

Autor: Falk Brunner (falk)
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@ Maxim W. (maxim)

>Ich habe in ct 2008/Nr.2 eine Schaltung entdeckt, in der bei einem
>npn-Transistor Basis und Emitter zusammengeschaltet sind. Was bringt
>das?

Man damit verschiedene Sachen machen.

- Temperatursensor, wirkt wie eine Diode
- Stromspiegel (Current Mirror)
- Diode mit wesentlich geringerem dynamischen Widerstand

MfG
Falk

Autor: Jörg Wunsch (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite
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Falk Brunner wrote:

> - Stromspiegel (Current Mirror)

Normalerweise aber mit B-C gebrückt.  Wichtig ist ja, dass beide
am Spiegel beteiligten Transistoren die gleiche Geometrie (und
den gleichen Fertigungsprozess) haben, am besten also ein
Doppeltransistor sind.

Autor: Falk Brunner (falk)
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@ Jörg Wunsch (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite

>> - Stromspiegel (Current Mirror)

>Normalerweise aber mit B-C gebrückt.  Wichtig ist ja, dass beide

Ups, da hab ich wohl im Eifer des Gefechts was verwechselt. Meine 
Aussagen beziehen sich natürlich auf einen gebrückten Basis-Kollektor!

Basis und Emitter kurzgeschlossen dürfte relativ sinnlos sein, ausser 
für Testschaltungen (UCE0, maximale Kollector-Emitterspannung wenn die 
Basis auf Masse liegt).

MfG
Falk

Autor: Maxim S. (maxim) Benutzerseite
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Hm, ich mach mal ein Foto und stell es rein.

Autor: Düsentrieb (Gast)
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b-e gebrückt geht auch, gibt spezielle schaltung so, zum erzeugen extrem 
kurzer strompulse (avalanche effekt) , zb 30ns 10A puls
aber nur mit best. transistoren, die das aushalten

Autor: FBI (Gast)
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Hi,

es handelt sich dabei um das Digitalvoltmeter-Modul aus dem c't Lab 
(http://www.heise.de/ct/projekte/ct-lab/). Der Artikel aus 02/08 ist 
zwar noch nicht online, Schaltplan gibt es aber schon (schem_DIV3.pdf 
unter http://www.heise.de/ct/projekte/machmit/ctlab/brow...). 
Ein paar weitere Angaben dazu gibt es hier: 
http://www.heise.de/ct/projekte/machmit/ctlab/wiki/VorSchau.
Die oben erwähnten Transistoren finden sich als Q1/Q2 im Schaltplan und 
dienen in diesem Fall tatsächlich einfach nur als Clampingdioden.
Im übrigen hätte der OP den c't-Artikel einfach nur mal lesen brauchen, 
da steht explizit drin wofür die Dinger da sind und auch warum dafür 
nicht einfach normale Dioden verwendet werden!

CU FBI

Autor: Maxim S. (maxim) Benutzerseite
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FBI wrote:

> Im übrigen hätte der OP den c't-Artikel einfach nur mal lesen brauchen,
> da steht explizit drin wofür die Dinger da sind und auch warum dafür
> nicht einfach normale Dioden verwendet werden!
>
> CU FBI

Ich gebe zu, ich hatte noch keine Zeit zum Durchlesen des ganzen 
Artikels. Hab' den Artikel nur nach Q1 bzw. Q2 durchsucht aber auf die 
Schnelle nichts gefunden.

Autor: FBI (Gast)
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Zugegeben, die Bezeichnungen Q1/Q2 stehen da nicht drin und es ist auch 
nur mit einem einzigen Satz erwähnt.
Zitat c't 02/08 S.171 rechte Spalte:
Zwei als leckstromarme Dioden geschaltete Transistoren verhindern Überspannungen am Eingang.

CU

Autor: Falk Brunner (falk)
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@ FBI (Gast)

>Zwei als leckstromarme Dioden geschaltete Transistoren verhindern >Überspannungen 
am Eingang.

Und warum nimmt man da einen Transistor, mit B-E Kurzschluss? Eine 
1N4148 tut das locker auch.

MfG
Falk

Autor: Andreas K. (a-k)
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Autor: gast (Gast)
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Hat vielleicht was mit dem Sperrstrom zu tun der bei einer Diode um 
einiges größer ist als bei einer Transdiode.

Autor: Falk Brunner (falk)
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OK, wieder was gelernt.

MfG
Falk

Autor: FBI (Gast)
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Mittlerweile ist der komplette c't Artikel auch online verfügbar:
http://www.heise.de/ct/08/02/170/

FBI

Autor: Jupp (Gast)
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Die Japaner verbauen sowas gerne als HF-Diode.

Autor: Peter Dannegger (peda)
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Transistoren sind nur für geringe Anforderungen als Dioden geeignet.

Ich nehm da immer sperrstromarme Dioden:

BAV45: 5pA
BAV170: 3pA


Peter

Autor: Andreas K. (a-k)
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Das dürften jene Typen sein, auf die sich der ELKO-Artikel bezieht: 
schwer zu kriegen. Die BAV45 hat nicht einmal Digikey.

Autor: Jupp (Gast)
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Der Peter geht als Profi ja auch gleich zu den Distributoren der 
Hersteller.

Autor: Peter Dannegger (peda)
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Andreas Kaiser wrote:
> Das dürften jene Typen sein, auf die sich der ELKO-Artikel bezieht:
> schwer zu kriegen. Die BAV45 hat nicht einmal Digikey.

Bürklin:

BAV45: 2,80€
BAV170: 0,06€


Peter

Autor: Kupfer Michi (Gast)
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>BAV45: 2,80€

BAV199: 0.04€, 3pA aber nicht ganz so eng spezifiziert, dafür aber bei 
Reichelt

Autor: Dieter Werner (dds5)
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Früher (tm) gab es von Intersil für diese Anwendungen sogenannte 
Picoamperedioden EPADxx bzw JPADxx, das waren die Gate-Kanal-Dioden von 
J-Fets denen man ein (Kanal-)Bein abgeschnitten hatte.

Autor: Arno H. (arno_h)
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Hallo Dieter,
deshalb sind die wahrscheinlich bei Vishay auch unter FETs gelistet:
http://www.vishay.com/fets-small-signal/SSFsglldP/

Arno

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