www.mikrocontroller.net

Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik MOSFET defekt (evtl. durch Ohmmeter)?


Autor: Marc (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hallo, habe mir eine Schaltung mit einigen MOSFET's gebaut (als Schalter 
geschaltet). Die sind für meine Schaltung eigentlich komplett 
überdimensioniert (Ids_max, Uds_max,...), jetzt tat dic Schaltung nicht 
das, was sie sollte, da habe ich den Durchgang einfach mal mit einem 
Ohmmeter gemessen (Rds). Jetzt erhalte ich ein Rds von einigen 100 bis 
1000 kOhm. Der Widerstand müsste aber doch viel größer sein (die nicht 
verbauten liegen bei mehreren 10 MOhm).

Was denkt ihr?

Autor: Willi Wacker (williwacker)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Misst Du auch die externe Beschaltung mit?

Autor: JensG (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
also durch Ohmmeter sicherlich nicht. Aber wenn Du die D-S Strecke mißt, 
dann am besten das Gate mit S verbinden, damit das G einen definierten 
Pegel gegenüber S hat (nämlich 0V).
Auserdem immer richtigherum messen, damit du nicht die parasitäre Diode 
darin mißt (also + an D, when N-Kanal)

Autor: Marc (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Erst ja, habe ihn dann aber wieder herausgelötet und nochmal gemessen, 
mit dem selben Ergebnis.

Habe leider auch einige Male flasch herum gemesssen (also - an D), aber 
davon geht doch der MOSFET nicht kaputt.

Ich habe keine Ahnung, warum die nur solch geringe Rds haben.

Autor: JensG (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Nee, falsch herum gehen die nicht beim Messen kaputt. Was hatten die 
denn zu schalten? Irgendwas induktives? Vielleicht sind die dadurch 
etwas hopps gegangen.
(Schaltplan wäre vielleicht gar net so schlecht, um es einschätzen zu 
können)

Autor: Marc (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Nee, nix wildes, sollte ne Widerstandskaskade werden.

Ganz einfach 5  Widerstände parallel, jeweils pro Strang ein MOSFET 
unterm Widerstand. Jetzt sollten die MOSFET's einfach angesteuert 
werden, um mehrere Widerstände durchzuschalten.

Autor: Christian L. (lorio)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Überbrück mal G-S mit nem 1k Widerstand und mess dann noch einmal...vll 
ist auf dem Gate noch Ladung was dafür sorgt, dass der MOSFET noch ein 
bisschen leitend ist.

Gruß
Christian

Autor: JensG (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Und welche Werte hatten die R's? Vielleicht wurden die Mosfets nicht 
komplett durchgeschaltet, was bei relativ niederohmigen R's dann zu 
relativ hoher Verlustleistung im Mosi führt - irgendwann könnte er dann 
verglühen, wenn Du es zu tolle treibst.

Autor: Marc (Gast)
Datum:
Angehängte Dateien:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
@Christian

Hat leider nicht funktioniert, lasse es aber mal über N8 liegen.

@JensG

Habe 3 V angelegt und die R's waren in der Tat sehr klein (15 Ohm - 180 
Ohm), aber dafür habe ich ja auch extra einen starken Transistor geholt 
(IRLZ34NPBF), der hält bis zu 68 W max. aus. In meinem Falle wäre die 
max. Verlustleistung 15 Ohm / (3 V)² = 0,6 W.

Die muss der locker aushalten.

Ich verstehe es nicht.

Hab mal das Datenblatt noch angehängt, vllt. habe ich was übersehn.

PS.: Rds bei 3 V = 0,2 Ohm, also der schaltet schon genug durch.

Autor: JensG (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
na gut wenn gerade mal 3V überm Mosi liegen, bei R=15Ohm, dann ist wohl 
der Hitzetod relativ unwahrscheinlich. Die Gleichung muß aber lauten (3 
V)² / 15 Ohm  = 0,6 W, und nicht 15 Ohm / (3 V)² = 0,6 W    ;-)

Ansonsten fällt mir aber leider nix weiter ein.

Autor: Dieter Stotz (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Marc,

in der Zeile Drain-Source-Leakage-Current steht ein Wert wie 25 µA. Da 
Leckströme nicht proportional von der angelegten Spannung abhängen, 
sondern bereits bei sehr geringen Spannungen schon ihren Wert erreichen, 
würdest Du bei einer Messspannung von z. B. 1 V einen Widerstand von 40 
kOhm messen. Power-MOSFETs werden leider nicht besonders hochohmig im 
OFF-State.

Gruß

Dieter

Autor: JensG (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Könnte natürlich daran liegen, das ist aber ein max. Wert, und wird wohl 
in der Regel weit unterschritten.
Auserdem erklärt es nicht, daß dieser Durchgang erst nach Einsatz der 
Transis festgestellt wurde.
Aber vielleicht waren die Mosis noch warm vom Einsatz, so daß dieser 
Leckstrom  ohnehin höher ist als im kalten Zustand, und damit vielleicht 
auch in den meßbaren Bereich kommt.
Haste bis jetzt nur den Rds gecheckt? Oder auch mal in einer 
Testschaltung deren Schaltfähigkeit (evtl. bei höheren Spannungen) 
getestet?

Autor: Mike J. (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
@ Marc

Was ist es eigentlich für ein Mosfet?
( N oder P-Kanal? )

Ich hab hier meinen P-Kanal (Rdson = 40mOhm) vermessen, wenn der zu ist 
messe ich ca. 3 Mega Ohm und im Datenblatt steht 1.0 µA Zero Gate 
Voltage.

Sind irgend welche Messfehler ... mit dem Multimeter.

Wie groß sind die Ströme die du schaltest und wie groß sind deine zu 
schaltenden Widerstände?

Gibt es da keine billigen N oder P-Kanal Mosfets in SMD-Form die dafür 
ausreichen?

lg

Autor: JensG (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
also um selbst mal ein Gefühl dafür zu bekommen, habe ich auch mal ein 
paar Mosis vermessen (BUZ12 (42A) und IRF3205 (110A) - keiner zeigt 
unter 20MOhm an (was die Bereichsgrenze meines Digitalmultimeters ist).
Dann habe ich noch mein altes analoges Multimeter rausgeholt (bei denen 
ist der Ohmmeßbereich ja sozusagen unendlich), welches generell eine 
höhere Meßspannung hat (1,5V) - nur beim besten Willen erkenne ich da 
einen hauchfeinen Ausschlag - ich schätze mal mindestens 100MOhm. Beim 
p-Kanal IRF9540 siehts nicht anders aus. Und bei denen werden auch 
einige 10 bis einige 100µA (je nach Temp.) als Leckstrom angegeben.
Wenn deine also plötzlich unter 1MOhm liegen, würde ich diese doch etwas 
als angeschlagen betrachten.

Autor: Realist (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Leute, das ist bestimmt der Typ, der einen mikroprozessorgesteuerten 
Widerstand sucht, mal wieder unter neuem Namen. Da ist jeder 
Erklärungsversuch vergeblich. Er hat keinen Plan von gar nichts.

Leute mit viel Langeweile können sich bestimmt noch lange an Marcs aka 
Peters (vielfrass) Unwissen die Zähne ausbeißen. Habt Spaß dabei!

Antwort schreiben

Die Angabe einer E-Mail-Adresse ist freiwillig. Wenn Sie automatisch per E-Mail über Antworten auf Ihren Beitrag informiert werden möchten, melden Sie sich bitte an.

Wichtige Regeln - erst lesen, dann posten!

  • Groß- und Kleinschreibung verwenden
  • Längeren Sourcecode nicht im Text einfügen, sondern als Dateianhang

Formatierung (mehr Informationen...)

  • [c]C-Code[/c]
  • [avrasm]AVR-Assembler-Code[/avrasm]
  • [code]Code in anderen Sprachen, ASCII-Zeichnungen[/code]
  • [math]Formel in LaTeX-Syntax[/math]
  • [[Titel]] - Link zu Artikel
  • Verweis auf anderen Beitrag einfügen: Rechtsklick auf Beitragstitel,
    "Adresse kopieren", und in den Text einfügen




Bild automatisch verkleinern, falls nötig
Bitte das JPG-Format nur für Fotos und Scans verwenden!
Zeichnungen und Screenshots im PNG- oder
GIF-Format hochladen. Siehe Bildformate.
Hinweis: der ursprüngliche Beitrag ist mehr als 6 Monate alt.
Bitte hier nur auf die ursprüngliche Frage antworten,
für neue Fragen einen neuen Beitrag erstellen.

Mit dem Abschicken bestätigst du, die Nutzungsbedingungen anzuerkennen.