Halloechen... Ich benutze einen Serienwiderstand und ein Schottkydiodenpaar (das Diodenpaar in einem Gehause) um einen digitalen Eingang (0V...5V) zu schuetzen. Soweit so gut... Am Engang kommen manchmal Spannungsspitzen vor. Positiver Puls, kein Problem da die Diode gegen 5V leitfaehig wird und somit den empfindlichen Teil der Schaltung schuetzt. Negativer Puls, Diode gegen Masse wird leitfaehig usw... Nun frage ich mich was passiert wenn der Spannungspuls so hoch wird das sie die Reverse Voltage (30V) der Dioden uebersteigt. Im Fall des positiven Pulses sollte die Diode gegen 5V ja leitfaehig werden und somit die negative Diode schuetzen... so weit so gut wenn da nicht die endliche Ansprechzeit waere... Oder denke ich jetzt einfach zu seh um die Ecke... Dankbar fuer jede Idee..
Nimmst Du bidirektionale Transildiode, bist Du fertig und nix Verständnisproblem.
Danke fuer die schnelle Antwort... Das haette ich auch gemacht nur die Schaltung ist nicht von mir... und diese Pulse treten nur sehr selten bei unserem Kunden auf, daher ist es eine eher theoretische Frage...
> Nun frage ich mich was passiert wenn der Spannungspuls so hoch wird > das sie die Reverse Voltage (30V) der Dioden uebersteigt. Im Fall > des positiven Pulses sollte die Diode gegen 5V ja leitfaehig werden > und somit die negative Diode schuetzen... so weit so gut wenn da > nicht die endliche Ansprechzeit waere... Oder denke ich jetzt > einfach zu seh um die Ecke... Da stellt sich natürlich die Frage, ob die untere Diode schneller durchbricht als die obere in Durchlassrichtung zu leiten anfängt. Angenommen, dies wäre tatsächlich der Fall (was ich eher nicht glaube). Dann wäre der Stromfluss durch die untere Diode in Sperrichtung so kurz, dass sie dadurch keinen Schaden nimmt. Natürlich hängt das von der Spannung des Impulses und vom Serienwiderstand ab. Mehr als um die Diode würde ich mir sowieso um den (wahrscheinlich Mosfet-) Eingang des nachfolgenden ICs machen. Aber auch der sollte kein Problem darstellen, wenn der Serienwiderstand so groß gewählt, dass die darüber bis zum Schalten der oberen Diode zugeführte Ladung größtenteils von parasitären Kapazitäten aufgenommen wird. Alles hat natürlich seine Grenzen. Mit vielen kV über längere Zeit kriegst du wahrscheinlich alles kaputt.
Hallo, Daniel Duesentrieb wrote: > Am Engang kommen manchmal Spannungsspitzen vor. Positiver Puls, kein > Problem da die Diode gegen 5V leitfaehig wird und somit den > empfindlichen Teil der Schaltung schuetzt. Was passiert denn, wenn der Strom durch die Diode nach 5V den Strombedarf der Schaltung übersteigt? Bei Low Power-Anwendungen können ja 5mA schon zu viel sein. Vorteilhafter erscheint mir da sowas: http://www.supertex.com/pdf/app_notes/AN-D11.pdf Arno
Also die Dioden sollten schon schnell genug sein, um schützen zu können. Schnell genug heißt, dass selbst bei einem idealen Sprung am Eingang der Anstieg an den Dioden durch induktive/kapazitive Anteile genug gebremst wird. Dioden haben ja selber schon eine Kapazität, Eingänge an Chips ebenso. In der Regel reicht das, wenn nicht, dann musst du noch einen Kondensator zwischen Eingang und Masse vorsehen.
@Arno: > Was passiert denn, wenn der Strom durch die Diode nach 5V den > Strombedarf der Schaltung übersteigt? Das ist kein Problem, wenn eine Z-Diode parallel zur Betriebsspannung liegt. Die braucht man ja nur einmal für die ganze Schaltung, egal, wieviel Eingänge geschützt werden sollen. > Bei Low Power-Anwendungen können ja 5mA schon zu viel sein. > Vorteilhafter erscheint mir da sowas: > http://www.supertex.com/pdf/app_notes/AN-D11.pdf Das mit den FETs macht aber nur bei hochohmigen Einzeleingängen Sinn, da sonst zuviel Aufwand. Übrigens kann man zum ESD-Schutz 2 Schottky-Dioden nehmen. Da gibt es dann keine Probleme mit der Schaltgeschwindigkeit. Außerdem haben sie den Vorteil, dass sie die Spannung tatsächlich auf zulässige Werte begrenzen und z.B. kein Latch-Up-Effekt bei CMOS-Bausteinen zu befürchten ist. Jörg
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