Diskussion:FET

Was ist das denn da mit dem Temperaturabhängigen RdsON? In dem einen Beispiel im Text ist da von einem Anstieg des Widerstands mit der Temperatur die Rede, in der Tabelle steht genau das Gegenteil!

--Nitnelav 17:54, 7. Apr. 2011 (UTC)

Welche Tabelle? Tabelle 1 "Erklärung der wichtigsten Datenblattwerte " ? Dort steht genau das richtige drin, passend zum Text.

R_DS_on 0,01Ohm Widerstand des eingeschalteten FETs bei 25°C, V_GS = 10V und ID = 30A

R_DS_on 0,021Ohm Widerstand des eingeschalteten FETs bei 175°C, V_GS = 10V und ID = 30A

Hier: Positiver Temperaturkoeffizient (TK), der RDS,on ist stark temperaturabhängig und steigt von 25°C (Datenblattangabe) auf 150°C ungefähr um den Faktor 2. Dadurch steigen auch die Verluste und damit die Erwärmung des Bauteiles.

Daraus schließe ich: Wenn die Verluste steigen, dann muss auch der Widerstand gestiegen sein. Da aber in der Tabelle bei steigender Temperatur der Widerstand sinkt, kann etwas nicht stimmen.

--Nitnelav 20:09, 7. Apr. 2011 (UTC)

Bist du blind?

25°C 0,010 Ohm sprich 10 mOhm

175°C 0,021 Ohm, sprich 21 mOHm, eine Verdopplung

Jetzt hab ich's gesehen! Danke nochmal für die Klarstellung, ich hab da immer 0.100 Ohm gelesen.

--Nitnelav 14:30, 8. Apr. 2011 (UTC)

Im Arbeitspunkt ist die Gatekapazität ungefähr 5x größer als der im Datenblatt für Ciss angegebene Wert. Daher berechnet sich die Treiberleistung wie folgt.

Gibt es dafür einen Beleg? --Simon 05:23, 11. Jul. 2011 (UTC)

Mhhh ich rechne immer 2,1W in der Beipielrechnung für die Verluste beim abschalten... ist es hier zu warm zum denken, oder ist da ein Fehler drin? --91.67.204.20 12:07, 25. Jul. 2013 (CEST)

Stimmt, ich rechne auch 2,1W aus ;-)

Satz: Weiterhin muss man beachten, dass die Toleranzen von U_{GS(thr)} sehr groß sind, im Bereich von Volt! Das kann man sinnvoll nicht mehr mit Gatewiderständen symmetrieren

Sollte es nicht Sourcewiderstände heißen? Gatewiderstände machen im DC Betrieb wenig Sinn.