Gast
#6624364
Richard K. schrieb: > DTC114, ein Digitaltransistor: Wahnsinn, so ein kleines Fummelteil so gut abzulichten, super!
Johannes S. schrieb: > Richard K. schrieb: >> DTC114, ein Digitaltransistor: > > Wahnsinn, so ein kleines Fummelteil so gut abzulichten, super! Die passende Ausrichtung kostet aber auch immer ein paar Nerven. :)
Richard K. schrieb: > Tesla KD605: > > https://www.richis-lab.de/Bipolar46.htm Diese Analyse musste ich noch ein Stück weit korrigieren: Das Die des KD605 ist nicht gleich groß wie das Die des KD601: 4,5mm Kantenlänge vs. 5,5mm Kantenlänge Der Flächenunterschied erklärt aber nicht vollständig die fast doppelt so große Stromtragfähigkeit und Verlustleistung des KD601. Einen Beitrag könnte das massivere Gehäuse des KD601 liefern. Vielleicht erfolgte auch eine gewisse Sortierung der Dies.
Gast
#6628662
Kannst Du auch was zu Deiner technischen Ausrüstung sagen (Bilder dazu) ? Mich würde speziell interessieren mit welcher Kamera und Technik soche Aufnahmen entstehen. Ich denke, Du wirst auch eine gute Mikroskopkamera haben. Aber wie gelingen solche super scharfen Aufnahmen aus unterschiedlichen Blickwinkel ? Als Hobbyfotograf ist das auch in dieser Hinsicht ein interessantes Thema für mich (alles musst Du ja nicht verraten). viele Grüße Andreas
Andreas S. schrieb: > Kannst Du auch was zu Deiner technischen Ausrüstung sagen (Bilder dazu) > ? Richard hat dazu was auf seiner Homepage geschrieben: https://www.richis-lab.de/Howto.htm
Hallo Andreas, das ist alles hier dokumentiert: https://www.richis-lab.de/Howto.htm Die Doku ist schon etwas älter und müsste mal überarbeitet werden, im Grunde arbeite ich aber immer noch so. Ich komme tatsächlich immer noch mit einer normalen DSLR und dem 10-22mm-Objektiv zurecht. Der Rest ist Erfahrung und Fleiß. Viele Erkenntnisse kommen nur mit Trial and Error. So ist z.B. das knackscharfe 24-70 2.8L für den Retro-Betrieb schlechter geeignet als das 18-135mm-Kit-Objektiv. Eine weit offene Blende erhöht physikalisch gesehen das Auflösungsvermögen des Systems. Das heißt aber nicht, dass das Objektiv X mit einer 2,0er-Blende tatsächlich insgesamt besser ist als das Objektiv Y mit einer 3,5er-Blende. Ich habe mittlerweile auch das Canon 5x Lupenobjektiv. Das macht super Bilder wenn es um nicht zu kleine Strukturen geht, bei den Details ist es aber schlechter, auch wenn man Distanzringe nutzt. Dazu kommt dann Focus-Stacking, Image-Stacking, HDR-Nachbearbeitung. Viele Grüße, Richard
Hier kommt der VN820, ein Highside-Smart-MOSFET der M0-3 Generation: https://www.richis-lab.de/FET13.htm Der VN02H https://www.richis-lab.de/FET02.htm basierte noch auf der M0-1 Generation.
Gast
#6629618
Willst Du auch noch M0-5 und M0-7 haben?
Soul E. schrieb: > Willst Du auch noch M0-5 und M0-7 haben? Das wäre eine schöne Ergänzung. Es wird wie immer zur Zeit etwas dauern bis die Teile online sind, ich würde mich aber sehr freuen die beiden schon mal in der Warteschlange zu haben.
Hier hätten wir den VN88, einen älteren Leistungs-MOSFET von Horst O. (obelix2007): https://www.richis-lab.de/FET14.htm
Gast
#6635306
Richard K. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Tesla KD605: >> >> https://www.richis-lab.de/Bipolar46.htm > > Diese Analyse musste ich noch ein Stück weit korrigieren: Das Die des > KD605 ist nicht gleich groß wie das Die des KD601: 4,5mm Kantenlänge vs. > 5,5mm Kantenlänge > Der Flächenunterschied erklärt aber nicht vollständig die fast doppelt > so große Stromtragfähigkeit und Verlustleistung des KD601. Einen Beitrag > könnte das massivere Gehäuse des KD601 liefern. Vielleicht erfolgte auch > eine gewisse Sortierung der Dies. Offenbar haust Du hier den KD501 mit dem KD601 durcheinander. Pille
Pille schrieb: > Richard K. schrieb: >> Richard K. schrieb: >>> Tesla KD605: >>> >>> https://www.richis-lab.de/Bipolar46.htm >> >> Diese Analyse musste ich noch ein Stück weit korrigieren: Das Die des >> KD605 ist nicht gleich groß wie das Die des KD601: 4,5mm Kantenlänge vs. >> 5,5mm Kantenlänge >> Der Flächenunterschied erklärt aber nicht vollständig die fast doppelt >> so große Stromtragfähigkeit und Verlustleistung des KD601. Einen Beitrag >> könnte das massivere Gehäuse des KD601 liefern. Vielleicht erfolgte auch >> eine gewisse Sortierung der Dies. > > Offenbar haust Du hier den KD501 mit dem KD601 durcheinander. > > Pille Danke für den Hinweis. Du hast natürlich recht, der KD605 hat eine Kantenlänge von 4,5mm und der KD501 hat eine Kantenlänge von 5,5mm. Ich finde die Nomenklatur ist aber auch nicht gerade selbsterklärend...
Mit Grüßen aus Moskau haben wir hier den П217Б (P217B) Germanium-Leistungstransistor: https://www.richis-lab.de/Bipolar47.htm
Ziemlich am Ende des Artikels steht npn, das stimmt wohl nicht ganz.
Danke für den Hinweis! Das findet die Rechtschreibkorrektur natürlich nicht. :)
Ferranti ZTX312: https://www.richis-lab.de/Bipolar49.htm Der Unterschied zum ZTX108C ist schon sehr interessant. Das Teil kam von Manfred.
Gast
#6640616
> Ferranti ZTX312
Dieser Transistor ist mit nur 12 Volt Collector-Emitter Sperrspannung
für Bastelanwendungen kaum einsetzbar. Ungewöhnlich finde ich
allerdings, dass als Collector-Basis Sperrspannung 30 Volt benannt
werden.
Bei diversen BC_irgendwas wird die Collector-Basis Sperrspannung
garnicht angegeben oder, wenn doch, ist sie nur geringfügig höher als
U(CE).
Hat jemand hier diese ZTX31x eingesetzt und eine Erklärung, für welche
Einsatzfälle das Sinn macht?
Ich vermute, dass sich der Unterschied zwischen Uce und Ucb schlicht durch die gewünschten Spezifikationen ergab. Wenn man die Spannungen auf sich wirken lässt, muss es wohl so sein, dass der Emitter und vielleicht auch die Basis übermäßig stark dotiert sind. Das würde erklären, warum die CB-Sperrschicht zwar einigermaßen spannungsfest ist (niedrige Kollektor-Dotierung), die CE-Strecke, genauer die BE-Sperrschicht, dagegen sehr viel weniger spannungsfest ist. Eine hohe Dotierung des Emitters (und vielleicht auch der Basis) war wohl notwendig, um die schnellen Schaltzeiten zu ermöglichen. Soweit meine Interpretation der Dinge, ohne Gewähr.
Richard K. schrieb: > ... Irgendwie ist meine Erklärung nicht wirklich stimmig. Der Emitter ist in jedem Transistor stark dotiert und daher ist die Spannungsfestigkeit der Basis-Emitter-Strecke immer niedrig. Das hat aber wenig mit der Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit zu tun. Vor allem hat es wenig mit dem extremen Verhältnis von Ucb und Uce zu tun. Hier muss es wohl eher um Leckströme gehen. Vielleicht kann ja noch jemand etwas Licht ins Dunkel bringen. Hier haben wir erst mal den KT808, einen verhältnismäßig bekannten Leistungstransistor aus Russland: https://www.richis-lab.de/Bipolar48.htm
Richard K. schrieb: > Hier haben wir erst mal den KT808, einen verhältnismäßig bekannten > Leistungstransistor aus Russland: > > https://www.richis-lab.de/Bipolar48.htm Kleine Korrektur: Iskra war eine jugoslawisches Firma, nicht eine russische.
Richard K. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Hier haben wir erst mal den KT808, einen verhältnismäßig bekannten >> Leistungstransistor aus Russland: >> >> https://www.richis-lab.de/Bipolar48.htm > > Kleine Korrektur: Iskra war eine jugoslawisches Firma, nicht eine > russische. Und ich muss mich nochmal korrigieren: Der KT808 wurde unter anderem von Iskra und von Elektropribor gefertigt, das beides russische Firmen. Iskra gab es auch in Jugoslawien und die Firma existiert heute noch, der KT808 kommt aber von Iskra aus Uljanowsk. Russland hatte/hat so viele Halbleiterhersteller, von denen ich noch nie gehört habe... :)
Heute hätten wir einen BUX42 von STMicroelectronics: https://www.richis-lab.de/Bipolar50.htm Der BUX42 kam von Stephan D. (50plus).
Hier haben wir den Motorola ENI-1B: https://www.richis-lab.de/Bipolar51.htm Das scheint ein kundenspezifischer, zumindest ein speziell beschrifteter Transistor zu sein.
Ich habe zu den BC550/BC560 von Philips noch die entsprechenden Varianten von CDIL (Continental Device India Ltd.) ergänzt: https://www.richis-lab.de/Bipolar39.htm https://www.richis-lab.de/Bipolar52.htm
Hier hätten wir den ersten Flächentransistor der DDR, den OC811: https://www.richis-lab.de/Bipolar53.htm
Gast
#6673171
Cooles Teil! Wie heißt das Package? Würde man das auch als HC (hermetic can?) wie bei Quarzen bezeichnen?
Puh, keine Ahnung... Hatten diese ganz alten Packages schon standardisierte Namen? Ich weiß es nicht...
Heute wieder mal aus der Kategorie Kleinsignaltransistor, der BC546: https://www.richis-lab.de/Bipolar54.htm Es sollten ON Semiconductor Transistoren sein. Hier ist die Quelle aber weniger sicher. Ob es nun wirklich ON Semiconductor Transistoren sind lässt sich schwer sagen. Die kleinen Packages und Dies geben nur wenig Anhaltspunkte das zu bewerten. Mich hat es etwas irritiert, dass der Zinnüberzug der Beinchen nicht bis zum Package geht und so ein kleiner Bereich des Kupfers blank bleibt. Ich kann aber nicht sagen, ob das normal ist.
Und zum BC546 kommt hier noch der Komplementärtyp BC556: https://www.richis-lab.de/Bipolar55.htm
Ich habe die Erkenntnisse zum BUX42 aus meinen Experimenten mit Salzsäure zusätzlich in die BUX42-Analyse eingefügt. Da gehören sie sich ja eigentlich hin: https://www.richis-lab.de/Bipolar50.htm Und dann habe ich mir noch einmal den gefälschten BUX66 genauer angesehen. Ohne Metalllage ist die (aus meiner Sicht) ungewöhnliche Strukturen auf dem Basisbereich noch besser zu erkennen: https://www.richis-lab.de/Bipolar42.htm
Von Carsten S. (dg3ycs) hatte ich noch einen RCA 2N3375, das leistungsfähigere Modell neben dem 2N3553: https://www.richis-lab.de/Bipolar56.htm
Gast
#6703648
Richard K. schrieb: > Von Carsten S. (dg3ycs) hatte ich noch einen RCA 2N3375, das > leistungsfähigere Modell neben dem 2N3553: > > https://www.richis-lab.de/Bipolar56.htm Deine Vermutung ist richtig, ich habe in der Afu Literatur mal gelesen das der 2N3632 2 Dies des 2N3375 enthält. Gruß, Pille
Heute V. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Von Carsten S. (dg3ycs) hatte ich noch einen RCA 2N3375, das >> leistungsfähigere Modell neben dem 2N3553: >> >> https://www.richis-lab.de/Bipolar56.htm > > Deine Vermutung ist richtig, ich habe in der Afu Literatur mal gelesen > das der 2N3632 2 Dies des 2N3375 enthält. > > Gruß, > Pille Sehr schön, danke für den Hinweis! Grüße, Richard
Hier haben wir einen Motorola MJ802, der einen massiven Schaden davon getragen hat: https://www.richis-lab.de/Bipolar57.htm
Hier hätten wir mal wieder einen Germanium-Leistungstransistor, einen 2N257 von Clevite: https://www.richis-lab.de/Bipolar58.htm
Von Marek N. hatte ich auch einen STP3NB100FP bekommen, einen weiteren Leistungs-MOSFET: https://www.richis-lab.de/FET15.htm
Gast
#6717027
Guten Morgen, vielen lieben Dank! Die Gate-Strukturen könnten sein: a) Z-Diode zur Spannungsbegrenzung b) zusätzliche Gatekapazität Ich habe vor kurzem für ein berufliches Projekt diverse Hochspannungs-MOSFETs ausgemessen bzgl. Gate-Leckstrom und Gate-Ladung und konnte feststellen, dass es signifikante Unterschiede gibt über mehrere Größenordnungen. Auch die selben Typen des selben Herstellers schwanken so stark zwischen den Chargen, dass sie unbrauchbar sein können für unsere Anwendung (auch wenn sie natürlich noch ihre Datenblatt-Spezifikation einhalten). Typen mit hohem Gate-Leckstrom haben auch eine kürzere Haltezeit des Kanals und umgekehrt. Dabei variierten die Gate-Leckströme von ca. 1 µA bis 10 nA (@ 20 V_GS) bei verschiedenen Typen und die Haltezeiten des Kanals von 15 Sekunden bis über 300 Sekunden*) **). Dabei hatten hier die Typen mit einem hohen Leckstrom die küzere Haltezeit, aber auch den absolut niedrigeren R_DSon -- vermutlich weil mehr Transistor-Zellen parallel geschaltet werden. Außerdem ist der Leckstrom stark nichtlinear: Bei 10 V_GS ist er nur noch ein Bruchteil dessen, wie bei 20 V. Beste Grüße, Marek *) Gemessen wurde bei einem konstanten Drainstrom I_D = 1 mA die Haltezeit bis zur Verdopplung des Kanalwiderstands. **) In der Testschaltung. Ich hatte auch schon Typen, die wenn man sie "nackt" liegen lassen hat, sie selbst am nächsten Tag noch die Gateladung gehalten haben und ich zu nächst dachte, sie seien defekt, weil der Kanal noch leitfähig war.
Marek N. schrieb: > Ich hatte auch schon Typen, die wenn man sie > "nackt" liegen lassen hat, sie selbst am nächsten Tag noch die > Gateladung gehalten haben und ich zu nächst dachte, sie seien defekt, > weil der Kanal noch leitfähig war. Eine Kiste dieser Dinger und man hat ein handprogrammierbares EEPROM für Retro-Projekte. Bit für Bit per Kabel ans Gate. ;-)
Marek N. schrieb: > Guten Morgen, > > vielen lieben Dank! Sehr gerne! Marek N. schrieb: > Die Gate-Strukturen könnten sein: > a) Z-Diode zur Spannungsbegrenzung > b) zusätzliche Gatekapazität Eine Z-Dioden-Struktur könnte es sein, aber eine zusätzliche Gatekapazität? Die will doch jeder möglichst klein halten? Oder gibt es wirklich Leute die daraus einen Power-MOSFET-RAM aufbauen? :D Marek N. schrieb: > Ich habe vor kurzem für ein berufliches Projekt diverse > Hochspannungs-MOSFETs ausgemessen... Interessant! Man darf den Datenblättern wirklich nie zu 100% glauben... Viele Grüße, Richard
Richard K. schrieb: > Von Marek N. hatte ich auch einen STP3NB100FP bekommen, einen weiteren > Leistungs-MOSFET: > > https://www.richis-lab.de/FET15.htm BD522 und VN88 sind doch keine Trench-Fets...
N. A. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Von Marek N. hatte ich auch einen STP3NB100FP bekommen, einen weiteren >> Leistungs-MOSFET: >> >> https://www.richis-lab.de/FET15.htm > > BD522 und VN88 sind doch keine Trench-Fets... Danke für den Hinweis. Den Absatz habe ich vor dem ersten Kaffee wohl ein paar mal zu oft geändert und umgebaut. BD522 und VN88 sind natürlich noch die alte Generation mit einem V-Gate, keine Trench-FETs. Genau genommen konnte ich das beim VN88 nie 100%ig klären, aber ich gehe davon aus, dass der auch noch ein V-Gate besitzt.
Gast
#6717277
|keine Trench-FETs. Genau genommen konnte ich das beim VN88 nie 100%ig archive.org/details/VMOSSiliconixOCR "vmos power fets design catalog" siliconix 1977
Super, dann ist das auch bestätigt. Danke!
Uns fehlen noch ein paar Darlington-Transistoren. Also lasst uns beginnen mit dem SU111 aus dem Gleichrichterwerk Stahnsdorf: https://www.richis-lab.de/Bipolar59.htm Mit den Rückschlüssen auf den Aufbau des Transistors wird auch der geätzte Graben auf den Dies der Darlington-Halbbrücke SU510 verständlicher: https://www.richis-lab.de/Bipolar24.htm
Zum SU111 passt sehr gut der MJ3001 (von Manfred): https://www.richis-lab.de/Bipolar60.htm Interessant...
Gast
#6725596
Gerade zufällig hierüber gestolpert, was es doch alles so gibt... Besteht Interesse an diversen IRF7430 TrenchFETs, welche sich mit Blitz,Knall und Gestank verabschiedet haben? Verschiedene Baureihen, allesamt vom selben ebay-Händler. In mehreren Audioforen wird er verdächtigt, nicht nur keine Originalware zu liefern, sondern ausschließlich gefakte, sprich umgelabelte. Ich kann auch noch einen unbenutzen dabei legen ;)
Angehängte Dateien:
-
DSC04081.JPG
(250 KB)
Bei Teilen die sich so verabschiedet haben ist nichts mehr zu sehen, das können wir uns sparen. Ein Fake-Teil ist grundsätzlich schon immer interessant. Dann braucht es aber auch ein Original-Teil zum Vergleich.
Von Dieter W. (dds5) hätten wir hier ein Bauteil, das wahrscheinlich nicht alle kennen, eine Thyristortetrode (Silicon Controlled Switch / SCS), einen 3N84 von General Electrics: https://www.richis-lab.de/Bipolar61.htm In diesem Zusammenhang habe ich mit "Thyristoren und Varianten" eine neue Rubrik eröffnet: https://www.richis-lab.de/Thyristoren.htm Erwähnen werde ich die Teile aber weiterhin hier. Außerdem habe ich den 2N6027 aktualisiert, der ist erstaunlich ähnlich: https://www.richis-lab.de/Bipolar14.htm Bei dem Aufbau ist es ja eigentlich eher nicht erstaunlich. :)
Richard K. schrieb: > Zum SU111 passt sehr gut der MJ3001 (von Manfred): > > https://www.richis-lab.de/Bipolar60.htm > > Interessant... Ich haben noch ein neueres Modell des Motorola MJ3001 ergänzt: https://www.richis-lab.de/Bipolar60.htm
Gast
#6732220
Richard K. schrieb: >> Zum SU111 passt sehr gut der MJ3001 (von Manfred): >> Interessant... > Ich haben noch ein neueres Modell des Motorola MJ3001 ergänzt: > https://www.richis-lab.de/Bipolar60.htm Also der gleiche Aufbau vom Die, hätte ich nicht unbedingt erwartet. Ich könnte spekulieren, dass Motorola die Dinger lediglich in zwei verschiedenen Werken eingehaust hat. Jetzt fehlen noch Datenblätter verschiedener Jahre, ob der neuere evtl. mit einem geringeren Wärmewiderstand angegeben ist.
Gast
#6732232
bianchifan schrieb: > Gerade zufällig hierüber gestolpert, was es doch alles so gibt... > Besteht Interesse an diversen IRF7430 TrenchFETs, welche sich mit > Blitz,Knall und Gestank verabschiedet haben? > Verschiedene Baureihen, allesamt vom selben ebay-Händler. > In mehreren Audioforen wird er verdächtigt, nicht nur keine Originalware > zu liefern, sondern ausschließlich gefakte, sprich umgelabelte. > Ich kann auch noch einen unbenutzen dabei legen ;) Ist ziemlich sicher eine Fälschung. Zeig doch mal einen unbeschädigten. Und miss Rds(on).
Manfred schrieb: > Richard K. schrieb: >>> Zum SU111 passt sehr gut der MJ3001 (von Manfred): >>> Interessant... >> Ich haben noch ein neueres Modell des Motorola MJ3001 ergänzt: >> https://www.richis-lab.de/Bipolar60.htm > > Also der gleiche Aufbau vom Die, hätte ich nicht unbedingt erwartet. > > Ich könnte spekulieren, dass Motorola die Dinger lediglich in zwei > verschiedenen Werken eingehaust hat. > > Jetzt fehlen noch Datenblätter verschiedener Jahre, ob der neuere evtl. > mit einem geringeren Wärmewiderstand angegeben ist. Ich könnte mir vorstellen, dass Motorola schlicht auf ein günstigeres Package umstellen wollte. Vielleicht sind die Wärmewiderstände sogar recht ähnlich. Neben den theoretischen Werten müsste man dann auch noch die tatsächlichen Wärmewiderstände bestimmen. Das wäre schon interessant.
H. H. schrieb: > Und miss Rds(on). Es ist kein FET.
Gast
#6732813
Jochen F. schrieb: > H. H. schrieb: >> Und miss Rds(on). > > Es ist kein FET. Du bist auf dem anderen Dampfer. Beitrag "Re: Transistoren - Die-Bilder"
Gast
#6732814
Jochen F. schrieb: > H. H. schrieb: >> bianchifan schrieb: (...) >>> Besteht Interesse an diversen IRF7430 TrenchFETs, (...) >> >> Und miss Rds(on). > > Es ist kein FET. Infineon ist der Ansicht, es wäre einer. https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRFP7430-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562ca5682025
Gast
#6732819
Soul E. schrieb: > Jochen F. schrieb: >> H. H. schrieb: >>> bianchifan schrieb: > (...) >>>> Besteht Interesse an diversen IRF7430 TrenchFETs, (...) >>> >>> Und miss Rds(on). >> >> Es ist kein FET. > > Infineon ist der Ansicht, es wäre einer. > https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRFP7430-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562ca5682025 Es ging da um den IRF*B*7430, aber der ist natürlich auch ein FET, hat sogar das gleiche Die.
Hier ein TRIAC, ein TIC246: https://richis-lab.de/Bipolar62.htm
Gast
#6738290
Richard K. schrieb: > Die Doku ist schon etwas älter und müsste mal überarbeitet werden, im > Grunde arbeite ich aber immer noch so. Bin da grad auf was 'lustiges' gestoßen. KA ob das hierfür evtl. tauglich wäre. Ist aber dennoch ne interessante Sache. https://www.scinexx.de/news/technik/selbstbau-mikroskop-aus-lego-und-handy-linsen/
Das Auflösungsvermögen ist schon echt imposant. Das mag man gar nicht so recht glauben. Ich müsste das Ganze noch irgendwie an meine Kamera anbinden...
Ich habe mir den MJ3001 noch einmal vorgenommen und ein bisschen leuchten lassen, das hatten wir bei einem Darlington-Transistor noch nicht und es haben sich durchaus ein paar interessante Bilder ergeben. Der Übersicht halber haben der MJ3001 von 1979 und der MJ3001 von 1980 jetzt eigene Seiten: https://www.richis-lab.de/Bipolar60.htm https://www.richis-lab.de/Bipolar64.htm
Hier haben wir noch einen etwas größeren Triac, einen TIC263: https://www.richis-lab.de/Bipolar63.htm
Gast
#6743688
Great Thanks für die Aufnahmen mit dieser super Auflösung :-) ... und falls jemand eigene Ic erstellen möchte ... https://hackaday.com/2021/06/29/garage-semiconductor-fab-gets-reactive-ion-etching-upgrade/ http://sam.zeloof.xyz/first-ic/
Carlo schrieb: > Great Thanks für die Aufnahmen > mit dieser super Auflösung :-) > > ... und falls jemand eigene Ic erstellen möchte ... > https://hackaday.com/2021/06/29/garage-semiconductor-fab-gets-reactive-ion-etching-upgrade/ > http://sam.zeloof.xyz/first-ic/ Freut mich, wenn die Bilder gut ankommen! Sam Zeloof ist schon wirklich ein Freak! :)
Gast
#6744192
Über das Bild bin ich heute gestolpert. Da sieht man mal, wie die Strukturen von der Seite aussehen.
Angehängte Dateien:
Hier habe ich mal wieder etwas interessantes, die komplementären Germaniumtransistoren GD609 / GD619 von Tesla: https://www.richis-lab.de/Bipolar65.htm Im Gehäuse scheinen sich Zinn-Whisker gebildet zu haben. Leider habe ich das erst auf den Übersichtsbildern gesehen, nachdem ich das Gehäuse gesäubert hatte. Sonst hätten wir jetzt auch noch schön Nahaufnahme der Whisker...
Die NASA hat eine eigene Website zu dem Thema: https://nepp.nasa.gov/whisker/ In den Beiträgen ist neben Fotos auch Ursachenforschung enthalten. Du musst dich also nicht wegen der versäumten Bilder grämen. Arno
Arno H. schrieb: > Die NASA hat eine eigene Website zu dem Thema: > https://nepp.nasa.gov/whisker/ > In den Beiträgen ist neben Fotos auch Ursachenforschung enthalten. Du > musst dich also nicht wegen der versäumten Bilder grämen. > > Arno Danke Arno, die Seite kenne ich schon. Ich hätte halt gerne eigene Bilder gehabt. Aber es liegen noch ein paar Bauteile hier. Vielleicht finden sich da noch weitere Whisker. :)
Valvo BTY92, ein älterer Leistungs-Thyristor: https://www.richis-lab.de/Bipolar66.htm Spender war Heute V. (it_depends).
Wir hatten hier den KT808AM (neue Generation): https://www.richis-lab.de/Bipolar48.htm Dazu konnte ich jetzt einen KT808AM der älteren Generation ergänzen: https://www.richis-lab.de/Bipolar67.htm
Richard K. schrieb: > Zum SU111 passt sehr gut der MJ3001 (von Manfred): > > https://www.richis-lab.de/Bipolar60.htm > > Interessant... Und hier noch der zugehörige PNP-Typ, der MJ2501: https://www.richis-lab.de/Bipolar68.htm
Von Dieter J. (fossi) (Beitrag "Re: Transistoren - Die-Bilder") haben wir hier einen 2N369: https://www.richis-lab.de/Bipolar69.htm Ein Glasgehäuse im Blechgehäuse habe ich da nicht gefunden. Das war ein ganz normales Blechgehäuse.
Heute habe ich bei den BC550C / BC560C, noch zwei Transistoren eingereiht, die angeblich von Fairchild produziert wurden: https://www.richis-lab.de/Bipolar39.htm https://www.richis-lab.de/Bipolar52.htm
Erstaunlich, bei Fairchild ist eigentlich immer das stylisierte f drauf.
Bei der Größe wahrscheinlich nicht. In (Standard-)Transistoren scheinen die Hersteller allgemein mit Markings sehr sparsam zu sein.
Richard K. schrieb: > Heute habe ich bei den BC550C / BC560C, noch zwei Transistoren > eingereiht, die angeblich von Fairchild produziert wurden: Hey Richi Danke :-) Cool. Nur solltest du auf dem Vergleichsbild mit der CR2032 fast ein Pfeil zum Die machen mann muss ihn ja Suchen :-)
Abdul K. schrieb: > Erstaunlich, bei Fairchild ist eigentlich immer das stylisierte f drauf. Ach du meintest auf dem Gehäuse? Wie schon mal geschrieben, kann ich nicht mit letzter Sicherheit garantieren, dass es sich um Fairchild-Transistoren handelt. Aber mein "Lieferant" war sich recht sicher. Patrick L. schrieb: > Hey Richi Danke :-) Cool. > Nur solltest du auf dem Vergleichsbild mit der CR2032 fast ein Pfeil zum > Die machen mann muss ihn ja Suchen :-) Gerne! :) Manchmal habe ich schon die Pinzette dazu gelegt, aber wenn man etwas suchen muss macht es noch mehr Eindruck. :D
Meinte das Gehäuse, genau.
Richard K. schrieb: > Von Dieter J. (fossi) > (Beitrag "Re: Transistoren - Die-Bilder") > haben wir hier einen 2N369: > > https://www.richis-lab.de/Bipolar69.htm > > Ein Glasgehäuse im Blechgehäuse habe ich da nicht gefunden. Das war ein > ganz normales Blechgehäuse. Für mich sah von außen halt die Grundplatte mit den 3 Beinchen so aus, als ob sie in Glas eingeschmolzen wurden. Wie Deine Analyse aber zeigt, handelt es sich dabei um eine glasähnliche Vergußmasse (Kunststoff,Kunstharz oder dergl.) Trotzdem Danke für die Richtigstellung. Gruß fossi
Ach daher kam die Annahme! Na jetzt wissen wir wie es darin aussieht. :) Grüße, Richard
Hier habe ich noch einen weiteren KT808, einen KT808AT in einem runden Gehäuse: https://www.richis-lab.de/Bipolar70.htm Weiß jemand was das T bedeutet? Die KT808A findet man manchmal mit und manchmal ohne T.
Der BF862 ist ein recht bekannter FET: https://www.richis-lab.de/FET17.htm Hier sieht man gut die Grenzen meines Auflösungsvermögens. Zeptobars hat den BF862 auch dokumentiert und da kann man die Gateelektrode noch gut erkennen: https://zeptobars.com/en/read/BF862-low-noise-N-Channel-JFET-J-FET-AM-preamp-2Ap
Und hier hätten wir dann auch einen gefälschten BF862: https://www.richis-lab.de/FET18.htm Die findet man anscheinend öfter.
Im NS-FET-Datenbuch von 1977 ist ein Prozess 92 beschrieben. Ähnlichkeiten scheinen beabsichtigt zu sein, ausser dass das Gate nicht angeschlossen ist. Download: bitsavers.informatik.uni-stuttgart.de/components/national/_dataBooks/197 7_National_FET_Databook.pdf Arno
Angehängte Dateien:
-
Prozess_92.jpg
(210 KB)
Super! Danke Arno! Das habe ich gleich noch ergänzt.
Unverständlich wenn die nicht mehr hergestellt werden. Bei dem VK wird der Produzent ja steinreich. Was denkt sich Philips dabei?
Mittlerweile ist es NXP. Ich habe gehört, dass die Fertigungslinien nicht mehr existieren. Meine Vermutung ist folgende: Der BF682 an sich würde vielleicht noch relevant zum Gewinn beitragen. Der Herstellungsprozess wird aber etwas spezieller gewesen sein und dafür gibt es nicht mehr genug Nutzer, so dass sich der BF682 alles in allem doch nicht mehr rentiert.
Gast
#6797947
Abdul K. schrieb: > Unverständlich wenn die nicht mehr hergestellt werden. Marktwirtschaft. > Bei dem VK wird der Produzent ja steinreich. Stückzahlen zu klein. > Was denkt sich Philips dabei? Schon lange nicht mehr deren Sache.
Gast
#6797962
H. H. schrieb: >> Was denkt sich Philips dabei? > > Schon lange nicht mehr deren Sache. Valvo hiess erst Philips Semiconductors, dann NXP, und jetzt Nexperia. Das Werk in Hamburg-Lokstedt existiert m.W. aber immer noch. Wieviele von den steinalten Prozessen sie dort noch am Leben erhalten wollen ist eine andere Frage. Vor 15 Jahren hiess es, das Equipment läuft weiter solange es läuft, verlagern lohnt sich nicht.
Der war doch schon immer ein Exot. Kennt jemand ein Großstückzahlengerät, wo der drin war? Ich kenn nur den für sehr spezielle Anwendungen. lowNoise Zeug für Freaks.
Gast
#6797970
Soul E. schrieb: > Valvo hiess erst Philips Semiconductors, dann NXP, und jetzt Nexperia. > Das Werk in Hamburg-Lokstedt existiert m.W. aber immer noch. > > Wieviele von den steinalten Prozessen sie dort noch am Leben erhalten > wollen ist eine andere Frage. Vor 15 Jahren hiess es, das Equipment > läuft weiter solange es läuft, verlagern lohnt sich nicht. Erinnert mich an den NE555, nach dem Brand in der Fab in Caen hat Philips die Produktion eingestellt.
Dieter J. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Von Dieter J. (fossi) >> > (Beitrag "Re: Transistoren - Die-Bilder") >> haben wir hier einen 2N369: >> >> https://www.richis-lab.de/Bipolar69.htm >> >> Ein Glasgehäuse im Blechgehäuse habe ich da nicht gefunden. Das war ein >> ganz normales Blechgehäuse. > > Für mich sah von außen halt die Grundplatte mit den 3 Beinchen so aus, > als ob sie in Glas eingeschmolzen wurden. Wie Deine Analyse aber zeigt, > handelt es sich dabei um eine glasähnliche Vergußmasse > (Kunststoff,Kunstharz oder dergl.) > Trotzdem Danke für die Richtigstellung. > > Gruß > fossi Ein Glasgehäuse im Blechgehäuse ist mir auch nicht bekannt, aber Glasdurchführungen schon. Viele Grüße Bernd
Passend zum BF862 haben wir hier noch den BF861: https://www.richis-lab.de/FET19.htm
Hier mal wieder etwas außergewöhnlicheres, ein Transistor, der bei der Entwicklung von Hybridschaltkreisen eingesetzt wurde, ein K1NT291: https://www.richis-lab.de/Bipolar71.htm
Hier hätten wir dann noch einen schnellen Leistungsthyristor von Tesla, einen KT110: https://www.richis-lab.de/Bipolar72.htm
Für Zwischendurch etwas kleines, einfaches, den 2N3700: https://www.richis-lab.de/Bipolar73.htm
Richard K. schrieb: > etwas außergewöhnlicheres, ein Transistor, der bei der Entwicklung von > Hybridschaltkreisen eingesetzt wurde, ein K1NT291. Sehr interessantes Bauteil, so etwas habe ich noch nie gesehen. Die Fassung erinnert nicht nur an Röhrenfassungen, ich denke da haben sie als Basis tatsächlich etwas (bestehendes) aus der Röhrenproduktion verwendet. (Leider hast Du keine Abmessungen angegeben). Erstaunlich auch: so viel Sockel für so ein winziges Bauteil. Weißt Du, von wann etwa dieses Entwicklungsmuster stammt?
Mohandes H. schrieb: > Richard K. schrieb: >> K1NT291. > > Sehr interessantes Bauteil, so etwas habe ich noch nie gesehen. > > Die Fassung erinnert nicht nur an Röhrenfassungen, ich denke da haben > sie als Basis tatsächlich etwas (bestehendes) aus der Röhrenproduktion > verwendet. (Leider hast Du keine Abmessungen angegeben). Erstaunlich > auch: so viel Sockel für so ein winziges Bauteil. > > Weißt Du, von wann etwa dieses Entwicklungsmuster stammt? Ich gehe auch davon aus, dass das ein Röhrensockel ist. Der Außendurchmesser der Pins beträgt 13mm. Bezüglich des Jahrgangs könnte ich beim Spender (und damaligen Einsetzen) anfragen, ich gehe aber schwer davon aus, dass das 72 für 1972 steht.
Den vorläufigen Abschluss der KT808-Reihe bilden zwei KT808BM, die "mittelschlechte" Sortierung der KT808-Transistoren: https://www.richis-lab.de/Bipolar74.htm
Gast
#6825114
Richard K. schrieb: > Den vorläufigen Abschluss der KT808-Reihe bilden zwei KT808BM, die > "mittelschlechte" Sortierung der KT808-Transistoren: Bei dem zweiten Modell war wohl die Maske ein Stück verschoben?!? Eine faszinierende Leuchterscheinung.
Ja, das wäre plausibel. Kürzere Strecken bis zur Sperrschicht stellen geringere Widerstände dar und lassen dort mehr Strom fließen.
Hier mal wieder etwas kleines, der Hochfrequenztransistor SF137 aus dem HFO: https://www.richis-lab.de/Bipolar75.htm
Ich habe noch ein paar Internas erfahren: Der SF137 war 1967 der erste Silizium-Epitaxial-Planar-Transistor des HFO. Die weite Streuung der Stromverstärkungsfaktoren hat sich ergeben, weil man möglichst viele Transistoren verkaufen wollte. Ab 1970 waren es dann eigentlich nur noch D und E Transistoren. Und es muss sich um eine verbesserte Version handeln, da das ursprüngliche Design 1mm2 Silizium benötigte.
Richard K. schrieb: > Die weite Streuung der Stromverstärkungsfaktoren B von 18 .. 1120, ist schon eine ziemliche Streuung. Bei anderen Herstellern wäre alles <50 oder 100 Ausschuß geworden. Hätte man eigentlich durch einen besseren (moderneren) Fertigungsprozeß die Streuung kleiner halten können?
Gast
#6829019
Mohandes H. schrieb: > Hätte man eigentlich durch einen besseren (moderneren) Fertigungsprozeß > die Streuung kleiner halten können? Die Aussage " Ab 1970 waren es dann eigentlich nur noch D und E Transistoren." impliziert doch, dass man den Prozess nach drei Jahren deutlich besser im Griff hatte. Die Streuung ging von 18..1120 auf 112..560 runter.
So habe ich das verstanden. Man wurde besser und die Streuung ging zurück. Nun wäre es natürlich noch interessant wo genau das Problem lag. Schichtdicken oder Dotierungen? Global oder lokal?
2N2915, ein alter Doppeltransistor: https://www.richis-lab.de/Bipolar76.htm Danke an Horst O. (obelix2007)!
Etwas kleineres, älteres, ein BC149B von Arno H. (arno_h): https://richis-lab.de/Bipolar77.htm
Gast
#6838089
Danke! 👍 Interessant, dass das Gehäuse "SOT" heißt, aber trotzdem noch THT ist. Solche Gehäuse kenne ich sonst nur von Kapazitätsdioden.
Gast
#6838112
Marek N. schrieb: > Danke! �� > > Interessant, dass das Gehäuse "SOT" heißt, aber trotzdem noch THT ist. > > Solche Gehäuse kenne ich sonst nur von Kapazitätsdioden. Lockfit. Obacht 3Seiten, ~50MB http://www.kevinchant.com/uploads/7/1/0/8/7108231/philips_hendon_transistor_production_part_a.pdf
Gast
#6838139
Marek N. schrieb: > Interessant, dass das Gehäuse "SOT" heißt, aber trotzdem noch THT ist. Ich dachte eigentlich, dass ich von diesen Dingern noch ein paar habe und nur Philips dieses seltsame Gehäuse gebaut hätte. Nee, nur noch einer und da steht Siemens drauf. Ich habe dann direkt gezweifelt, ob ich zu dumm bin, den zu knipsen - nein, das Bild ist nicht verwackelt, die Stempelung ist so mies.
Angehängte Dateien:
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BC149C.jpg
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Gast
#6838158
Manfred schrieb: > > Ich dachte eigentlich, dass ich von diesen Dingern noch ein paar habe > und nur Philips dieses seltsame Gehäuse gebaut hätte. Die dem Richard überlassenen würde ich Philips zuordnen wollen. --- > Marek N. schrieb: >> Interessant, dass das Gehäuse "SOT" heißt, aber trotzdem noch THT ist. achso, seh grad auf THT bezog sich das TO92 ~ SOT54 ; nicht exakt https://alltransistors.com/packs/sot-54.gif https://alltransistors.com/packs/to-92.gif
Gast
#6838220
### schrieb: > Marek N. schrieb: >> Danke! �� >> >> Interessant, dass das Gehäuse "SOT" heißt, aber trotzdem noch THT ist. >> >> Solche Gehäuse kenne ich sonst nur von Kapazitätsdioden. > > Lockfit. Obacht 3Seiten, ~50MB > > > http://www.kevinchant.com/uploads/7/1/0/8/7108231/philips_hendon_transistor_production_part_a.pdf nochmal 70MB der Rest. :/ http://www.kevinchant.com/uploads/7/1/0/8/7108231/philips_hendon_transistor_production_part_b.pdf thanks kevinchant.com ;) Kondensat im Anhang. Miniwatt Digest Vol.7 No.2 February 1968 Cover, pg 18-23
Gast
#6838223
### schrieb: > Miniwatt Digest Nanu, Miniwatt war doch die Philips-Marke für Röhren aus dem Ostblock - die übrigens qualitativ keinerlei Probleme machten.
Marek N. schrieb: > Interessant, dass das Gehäuse "SOT" heißt, aber trotzdem noch THT ist. Damals dachten sie noch nicht an SMT. :) Manfred schrieb: > Ich dachte eigentlich, dass ich von diesen Dingern noch ein paar habe > und nur Philips dieses seltsame Gehäuse gebaut hätte. Auf die Schnelle hätte ich noch Unitra Cemi: https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/97154/ETC/BC149.html Und Telefunken: https://www.web-bcs.com/pdf/Tf/BC/BC149.pdf
Damit der BC149B nicht so alleine steht, haben wir hier noch einen passenden PNP-Partner, den BC158: https://www.richis-lab.de/Bipolar78.htm ...auch von Arno H. (arno_h)
Schöne Bilder wie immer. Danke Richard. Planst du wieder einen Kalender? Arno
Gerne! Ja, ein Kalender ist wieder geplant. Das muss ich demnächst mal angehen, das Jahr neigt sich überraschenderweise schon wieder dem Ende zu.
Gast
#6838839
Richard K. schrieb: > Marek N. schrieb: >> Interessant, dass das Gehäuse "SOT" heißt, aber trotzdem noch THT ist. > > Damals dachten sie noch nicht an SMT. :) Doch, SMD gabs damals auch schon. Siehe Apollo Guidance Computer mit Chips von Fairchild.
Stimmt! ...wobei das nicht unbedingt Industriestandard war... :)
Preisfrage, wer kennt diesen Hersteller: https://www.richis-lab.de/temp/2N3055.jpg Ein 2N3055 von 1978...
Gast
#6841318
Richard K. schrieb: > Preisfrage, wer kennt diesen Hersteller: > > https://www.richis-lab.de/temp/2N3055.jpg SGS-ATES. Später SGS Thompson, heute ST Microelectronics.
Soul E. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Preisfrage, wer kennt diesen Hersteller: >> >> https://www.richis-lab.de/temp/2N3055.jpg > > SGS-ATES. Später SGS Thompson, heute ST Microelectronics. Klar! Besten Dank! Bei einem etwas besseren Druck hätte ich es vielleicht erkannt...
Gast
#6841325
Soul E. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Preisfrage, wer kennt diesen Hersteller: >> >> https://www.richis-lab.de/temp/2N3055.jpg > > SGS-ATES. Später SGS Thompson, heute ST Microelectronics. Genial! Genau dieses Logo ist mir vor ein paar Tagen auf einem 2N2219 begegnet, allerdings fast komplett verblichen. Es kam mir gleich etwas "griechisch" vor. Danke!
Soul E. schrieb: > SGS-ATES. Später SGS Thompson, heute ST Microelectronics. Bitte SGS Thomson - ohne "P".
Gast
#6841433
Richard K. schrieb: > Preisfrage, wer kennt diesen Hersteller: > > https://www.richis-lab.de/temp/2N3055.jpg > > Ein 2N3055 von 1978... BDX10, 60, 61, ...
Hier ein schönes Transistorarray der britischen Firma Plessey Semiconductors, ein SL3127: https://www.richis-lab.de/Bipolar79.htm
Gast
#6843095
Richard K. schrieb: > SL3127: > > https://www.richis-lab.de/Bipolar79.htm Die Layoutsoftware konnte wohl keine schrägen Leiterbahnen? Oder gibt es einen anderen plausiblen Grund, warum da Treppen für die Anschlüsse verwendet werden?
Das ist tatsächlich nicht so einfach. Auf die Schnelle habe ich dazu nur dieses PDF gefunden: https://spie.org/Documents/Membership/BacusNewsletters/BACUS-Newsletter-January-2015.pdf (Seite 5 bzw. 6) Verkürzt zusammengefasst: Selbst um einen einfache 90Grad-Ecke zu bekommen reicht es oft nicht eine 90Grad-Ecke in die Maske zu "ritzen". Viele Prozesse würden daraus eine recht unschöne Kurve machen. Das kann man kompensieren, indem man bei der Maske Teile der Ecke ausnimmt und an anderen Stellen etwas ergänzt. Die Maske sieht dann eigenartig aus, die Form auf dem Die nähert sich so aber der idealen Ecke an. Wenn man nun nicht-90Grad-Ecken hat muss man sich das natürlich wieder neu überlegen. Da war es wahrscheinlich einfacher gleich nur 90Grad-Ecken zu verwenden.
Nachdem sich die beiden auf dem gleichen Datenblatt befinden kommt hier auch gleich das Transistorarray SL3145: https://www.richis-lab.de/Bipolar80.htm
Richard K. schrieb: > Nachdem sich die beiden auf dem gleichen Datenblatt befinden kommt hier > auch gleich das Transistorarray SL3145: > > https://www.richis-lab.de/Bipolar80.htm Mir ist gerade erst aufgefallen, dass der Schaltplan im Datenblatt falsch ist. Im Datenblatt ist das Substrat mit dem gemeinsamen Emitteranschluss der Transistoren 1 und 2 verbunden. Auf dem Die ist das Substrat aber mit dem Emitter des Transistors 5 verbunden. Die tatsächliche Umsetzung ist wahrscheinlich für viele Anwender nützlicher, da so der Transistor 5 als Stromsenke arbeiten kann (negativstes Potential). Schon verwunderlich, dass die Realität und das Datenblatt derart unterschiedlich sind. Der Anwender wundert sich dann warum nichts funktioniert. Darauf, dass das Substrat an einem anderen Pin hängt muss man erst mal kommen. Das fällt nicht unbedingt sofort auf.
Fällt wohl erst auf, wenn man die berühmten 6,8V überschreitet.
Das kommt auf die Verschaltung an. Sobald der Emitter von T5 (und damit das Substrat) auf einem im Vergleich zu den anderen Transistoren hohen Potential liegt, dann fließt sofort ein Strom von dort zu den Kollektoren die ein niedrigeres Potential führen.
Schau mal in DB. Vielleicht war dort T5 immer ganz unten in den Beispielschaltungen eingezeichnet und daher fiel es niemanden auf, weil es alle genau so nachbauten.
Das wäre eine Möglichkeit. Die Datenblätter, die ich gefunden habe, enthalten aber keine Beispielschaltungen. Immer noch sehr eigenartig die Geschichte...
Da gab's doch noch ähnliche anderer Hersteller.
Abdul K. schrieb: > Da gab's doch noch ähnliche anderer Hersteller. Ich hätte nur das Datenblatt des SL3045 parat: https://www.datasheetarchive.com/pdf/download.php?id=a3525a182d942a45d57edcaa2f3f915488d2b5&type=M&term=SL3045 Das Datenblatt des SL3145 verweist darauf, dass er pinkompatibel zum SL3045 ist. Beim SL3045 ist die Verbindung des Substrats noch richtig eingezeichnet. Viel besser macht es das nicht. :)
MJ3001 aus dem Gleichrichterwerk Stahnsdorf: https://www.richis-lab.de/Bipolar81.htm Das Die erinnert stark an den SU111 aus dem Gleichrichterwerk Stahnsdorf.
Von Dieter J. (fossi) hatte ich hier noch einen Honeywell 2N1262, einen richtig alten Germanium-Leistungstransistor. Der ist jetzt hier ausgestellt: https://www.richis-lab.de/Bipolar82.htm
Heute hätten wir hier den SMY60, einen Dual-MOSFET aus dem Funkwerk Erfurt: https://www.richis-lab.de/FET20.htm Bei diesen alten Bauteilen kann man noch schön den Aufbau analysieren.
Gast
#6860556
WOW! DIP10 und dann auch noch mit diesem Aufsteck-Kühlkörper. Das habe ich noch nicht gesehen. Richard K. schrieb: > Dual-MOSFET Hatten Sie schon einen Dual-Gate-MOSFET untersucht?, BF981 oder so?
Marek N. schrieb: > WOW! > DIP10 und dann auch noch mit diesem Aufsteck-Kühlkörper. Das habe ich > noch nicht gesehen. > > Richard K. schrieb: >> Dual-MOSFET > > Hatten Sie schon einen Dual-Gate-MOSFET untersucht?, BF981 oder so? Das ist kein Aufsteckkühlkörper, das ist ein Kurzschlussbügel, um das Teil vor ESD zu schützen. Der SMY60 besitzt keine Schutzdioden. Der MFE122 ist ein Dual-Gate-MOSFET: https://www.richis-lab.de/FET11.htm Leider ist der nicht ganz so übersichtlich.
Vielen Dank für den Kalender 2022. Sieht toll aus in A3.
Danke, das freut mich! :)
Hier hätten wir dann mal wieder einen Dual-JFET, einen 2N6485 von Harris Semiconductor (von Dieter W. (dds5)): https://www.richis-lab.de/FET21.htm
Wir hatten schon lange keine 2N3055 mehr. Hier kommt der Siemens 2N3055H, im Vergleich zum älteren Siemens 2N3055 ein "recht modernes Design": https://www.richis-lab.de/2N3055_14.htm
Kanntet ihr schon den Hersteller "Solid State"? Versucht mal Informationen zu einem Hersteller finden, der Solid State heißt! :D Der 2N3752 kommt von Solid State: https://www.richis-lab.de/Bipolar83.htm Danke an V. (Firma: diverse Abhängikeiten) (it_depends)!
Gast
#6886670
Richard K. schrieb: > Kanntet ihr schon den Hersteller "Solid State"? Versucht mal > Informationen zu einem Hersteller finden, der Solid State heißt! :D vielleicht Solid State Devices Inc. (SSDI) https://www.ssdi-power.com/
Armo schrieb: > Richard K. schrieb: >> Kanntet ihr schon den Hersteller "Solid State"? Versucht mal >> Informationen zu einem Hersteller finden, der Solid State heißt! :D > > vielleicht Solid State Devices Inc. (SSDI) > > https://www.ssdi-power.com/ Die haben aber ein anderes Logo. Vielleicht hat sich das im Laufe der Zeit geändert. Dagegen spricht aber, dass man einige Halbleiter mit dem S-Logo findet, die Solid State Inc. zugeordnet werden.
Gast
#6886679
Das Logo gehört zu Solid State Inc, Bloomfield New Yersey https://www.solidstateinc.com/ Das ist eine fabless company, die nicht selber produziert, aber fremdproduzierte Transistoren unter eigenem Label vertreibt.
Gast
#6886681
Das ist deren 2N3752 https://www.solidstateinc.com/product/2n3752/
Bernd schrieb: > Richard K. schrieb: >> SL3127: >> https://www.richis-lab.de/Bipolar79.htm > Die Layoutsoftware konnte wohl keine schrägen Leiterbahnen? > Oder gibt es einen anderen plausiblen Grund, warum da Treppen für die > Anschlüsse verwendet werden? Richard K. schrieb: > Das ist tatsächlich nicht so einfach. > Auf die Schnelle habe ich dazu nur dieses PDF gefunden: > https://spie.org/Documents/Membership/BacusNewsletters/BACUS-Newsletter-January-2015.pdf > (Seite 5 bzw. 6) > Verkürzt zusammengefasst: Selbst um einen einfache 90Grad-Ecke zu > bekommen reicht es oft nicht eine 90Grad-Ecke in die Maske zu "ritzen". > Viele Prozesse würden daraus eine recht unschöne Kurve machen. Das kann > man kompensieren, indem man bei der Maske Teile der Ecke ausnimmt und an > anderen Stellen etwas ergänzt. Die Maske sieht dann eigenartig aus, die > Form auf dem Die nähert sich so aber der idealen Ecke an. > Wenn man nun nicht-90Grad-Ecken hat muss man sich das natürlich wieder > neu überlegen. Da war es wahrscheinlich einfacher gleich nur > 90Grad-Ecken zu verwenden. Was Richard da beschreibt, nennt sich Optical Proximity Correction OPC. Wenn Strukturen sehr klein werden (Strukturgrößen im Bereich der Wellenlänge des Lichts zur Belichung oder kleiner), wird alles etwas unscharf. Deswegen werden zusätzliche, kleine, ebenfalls unscharfe Strukturen an die Ecken gesetzt, um diese stärker auszubilden. Das Bild bei Wiki zeigt das ganz gut: https://de.wikipedia.org/wiki/Optical_proximity_correction Das ist aber nicht der Grund, weshalb besonders bei alten Chips nur 90°, manchmal auch 45° Ecken zum Einsatz kommen. (In dem gezeigen Chip sind übrigens 45° Ecken zu sehen. Eine 45° Leiterbahn wäre mMn möglich gewesen.) Wenn die Kamera die Strukturen noch so deutlich zeigt, braucht es auf der Maske ganz sicher keine OPC Strukturen. Der Grund liegt in den Tools, die die Masken herstellen. Auch das geschieht mittels Fotolithographie (Substrat ist Quarzglas mit Chromschicht, die strukturiert wird). Das heißt, mit einem Elektronenstrahl früher, heute oft Laserstrahl wird eine sensitive Schicht entweder Polymierisiert oder Polymerketten zerlegt. Da gibt es im wesentlichen drei Möglichkeiten. 1.) Mit dem Elektronenstrahl die ganze Maske Zeilenweise abtasten. Dort, wo nicht belichtet werden soll, wird der Strahl ausgetastet. (Raster-Scan) Genau wie beim Röhrenbildschirm. 2.) Mit dem Elektronenstrahl nur die Strukturen, die zu belichten sind, abfahren. (Vector-Scan) Ähnlich wie Oszis. (Das gibt es noch abgewandelt mit einstellbarer Strahlbreite. Weiß nicht genau, wie das in der Praxis genutzt wird.) Beide Varianten haben den Nachteil, dass sie einen sehr feinen Elektronenstrahl benötigen. (Für kleine Strukturen! --> viele "Pixel") Das heißt, dass nur wenig Strom fließen darf, sonst weitet sich der Strahl automatisch auf. (Elektronen stoßen sich ab, viel Strom heißt, dass die Elektronen nahe beieinander sind und sich stärker abstoßen.) Wenig Strom heißt aber, dass der Strahl entsprechend lang auf jeden Punkt leuchten muss, um ausreichend Energie für die Belichtung einzubringen. --> Dauert alles lang, und umso länger, je größer die Maske und umso feiner die Strukturen. *** Ausweg aus dem Dilemma ist Variante 3.) Optical Pattern Generators: Eine starke Strahlenquelle, die einen großen Fleck macht. Und dann vier Metallplatten, die je von den vier Seiten (oben, unten, rechts, links) Richtung Mitte geschoben werden. Eine Art rechteckige Blende. Damit lassen sich beliebige Rechtecke erzeugen. (Lang, hoch, quadratisch, ...) Die Maske für den Chip lässt sich typischerweise aus einer kleinen Menge Rechtecke zusammensetzen. Das kann viel schneller gehen. Aber erlaubt eben nur 90° Strukturen. Weitere 4 Platten um 45° gedreht erlauben dann auch 45° Ecken. Variante 3 kommt meines Wissens aber schon ewig nicht mehr zum Einsatz. Alle heutigen Tools zur Masken Herstellung dürften Vector-Scan Tools mit Elektronenstrahl oder Laser sein. (Aktuell ganz groß: Direct E-Beam Litho ohne Maske für Prototypen.) Vielleicht hält man auch nur an einem antiquierten Quasistandard fest. Denn selbst heute sind eigentlich nur 45° und 90° Ecken auf den Masken zu sehen. Z.B. typische integrierte Spulen sind achteckig. **** Bei den ganz kleinen Strukturen könnte auch Richard mit seiner Vermutung wieder richtig liegen. Die Masken sind unheimlich kompliziert geworden. Man überlege sich, dass mit 193 nm Wellenlänge (ArF-Excimerlaser) * Strukturen bis zu 10 nm ** erzeugt werden. Da braucht es viele Tricks, wie OPC, Immersions-Litho, Phase-Shift-Masks, off-axis illumination, multi-patterning, große Blende der Optik, ... -- Nachtrag *) Eine einfache Möglichkeit, kleiner Strukturen zu erzeugen, ist eine kürzere Wellenlänge. Das Problem ist, dass es auch Material braucht, aus dem sich Linsen herstellen lassen. Es gibt nicht viele Materialien, die dann noch transparent sind. Und die, die es gibt, werden relativ schnell blind durch das energiereiche Licht. Bei Extrem-UV-Litho (EUV) sind keine Linsen mehr möglich, sondern nur noch Spiegel. Die nächste große Hoffnung ist Röntgenstrahlung... Nachtrag **) Die ganz kleinen Strukturen werden zum Teil gar nicht direkt mit einer Maske belichtet, sondern mithilfe größere Strukturen hergestellt. (über sogenannte Spacer) Siehe Abbildung hier: https://en.wikipedia.org/wiki/Multiple_patterning und https://en.wikipedia.org/wiki/File:Spacer_Patterning.JPG Nachtrag ***) Kann auch sein, dass die Mechanik für die Pattern Generatoren besser beherrscht wurde, als die elektronische Strahlablenkung. Da müssten sich mal alte Hasen aus der Branche melden. Nachtrag ****) https://zeptobars.com/en/read/Espressif-ESP32-Wi-Fi-Bluetooth-2.4Ghz-ISM
Elias K. schrieb: >... Danke für die Korrektur/Ergänzung! Ich dachte OPC kommt bereits bei längeren Wellenlängen zum Einsatz.
Gast
#6889579
Ebenfalls vielen Dank für den erhellenden Einblick!
Heute hätte ich einen diffusionslegierten Transistor für euch, den ГT906 (GT906): https://www.richis-lab.de/Bipolar84.htm Bei der Gelegenheit habe ich gleich noch den 2N1561 (https://www.richis-lab.de/Bipolar17.htm) und den AU103 (https://www.richis-lab.de/Bipolar03.htm) aktualisiert und erweitert.
Mal wieder ein 2N3055, dieses Mal von SGS ATES: https://www.richis-lab.de/2N3055_15.htm Danke an Arno H. (arno_h)!
Hier haben wir noch den 2N3055VT von SGS ATES (von Arno H. (arno_h)): https://www.richis-lab.de/2N3055_16.htm
Der erste, den du veröffentlicht hast, hatte bestimmt eine schlimme Kindheit. Die Korrosion der Anschlüsse deutet auf Dauerbetrieb im Grenzbereich hin, oder gibt es andere Ursachen dafür? Arno
Entweder es war ein Dauerbetrieb im Grenzbereich oder es war eine thermische Überlastung kurz vor oder nach einer Zerstörung des Transistors. Die Kontaktbleche haben auf jeden Fall eine harte/heiße Zeit hinter sich.
Gast
#6903736
Man sieht es nicht auf deinen Bildern die ATES hatten wenigstens teils ein recht dünnes Bodenblech 0,8mm u. weniger. Hier liegt noch ein einer ATES MP / 2N3055 / 6 N der ist genauso angegammelt. Der Chip wird dem von RCA entsprechen, waren Lizenznehmer. SGS kahm Ende 1972. https://www.radiomuseum.org/dsp_hersteller_detail.cfm?Company_Id=12025
Stimmt, beim Ersten messe ich 1,6mm, beim Zweiten nur 0,9mm.
HFO GD170, ein eher gewöhnlicher Germanium-Transistor: https://www.richis-lab.de/Bipolar85.htm
Hier hätten wir nochmal einen Germaniumtransistor, einen Motorola 2N3614: https://www.richis-lab.de/Bipolar86.htm
Gast
#6921402
Ja sehr instruktive Bilder. Sehr interessant. Vielen Dank für diese Arbeit und Alles Gute.
Danke, sehr gerne!
Heute hätte ich noch einen KD616, ein PNP-Leistungstransistor von Tesla: https://www.richis-lab.de/Bipolar87.htm
OC45, ein "Hochfrequenztransistor": https://www.richis-lab.de/Bipolar88.htm :)
BDY92, mit ft=70MHz ein weiterer "Hochfrequenztransistor" in seiner Klasse: https://www.richis-lab.de/Bipolar89.htm Was sagt ihr welcher Hersteller das ist? Ich würde auf Philips tippen...
Heute haben wir den Sescosem 391HT2: https://www.richis-lab.de/Bipolar90.htm
Und hier ein SC206 aus dem Halbleiterwerk Frankfurt Oder: https://www.richis-lab.de/Bipolar91.htm
Gast
#6953683
Das Gehäuse das SC206 hieß nicht "Plastgehäuse" sondern "Miniplastgehäuse" und ist kleiner als TO92, läßt sich im 2,5mm Raster auf einer Platine unterbringen. Gruß, Pille
Moin Ich habe kürzlich wasergekühlte IGBT (?) Module aus Audi e-Tron Fahr-Umrichter ausgebaut. Ich habe kürzlich Umrichter aus Schrott bekommen. Magste du es für deine Seite haben ? (ich werde dich 2 Stück geben) Module aufmachen -> warscheinlich Flex&Säge notwendig. Grüss Matt
Pille schrieb: > Das Gehäuse das SC206 hieß nicht "Plastgehäuse" sondern > "Miniplastgehäuse" und ist kleiner als TO92, läßt sich im 2,5mm Raster > auf einer Platine unterbringen. > > Gruß, > Pille Danke für den Hinweis! Ich habe das entsprechend korrigiert. M. K. schrieb: > Moin > > Ich habe kürzlich wasergekühlte IGBT (?) Module aus Audi e-Tron > Fahr-Umrichter ausgebaut. Ich habe kürzlich Umrichter aus Schrott > bekommen. > Magste du es für deine Seite haben ? (ich werde dich 2 Stück geben) > Module aufmachen -> warscheinlich Flex&Säge notwendig. > > Grüss > Matt Sehr gerne! Da würde ich mich auf jeden Fall drüber freuen. Sowas bekommt man ja nicht jeden Tag. Bis jetzt habe ich noch alles aufbekommen. Grüße, Richard
Aufpassen, wegen Industriespionage... gerade bei aktuellen Technologien!
Christian M. schrieb: > Aufpassen, wegen Industriespionage... gerade bei aktuellen Technologien! Da gibt es nicht viel zu spionieren. Wenn sich jemanden für die Technik interessiert hat, dann hat er sich das Auto vor drei Jahren gekauft und zerlegt/vermessen. Vor allem bei den Leistungshalbleitern des Umrichters sind die Innovationszyklen (noch?) verhältnismäßig kurz. Da ist das schon Technik von gestern.
https://www.systemplus.fr/reverse-costing-reports/hitachi-double-side-cooling-power-module-from-audi-e-trons-inverter/ Das Bild von aufgesägte (gerenderte) IBGT Module stimmt optisch mit meine Exemplare drüber. Dieser Fahr-Umrichter ist nicht neuste, (0EF 907 080 E (Teilenummer von Audi)) und wurde von Hitachi gebaut. Richard, schickt einfach Nachrichten mit deine Adresse drüber, dann schicke ich es raus, mitsamt (halbe) Elektronik. (andere Hälfte mit Infineon TriCore µC,etc möchte ich behalten) Grüss Matt
PN ist raus. Dankeschön! :) Grüße, Richard
Richard K. schrieb: > PN ist raus. > Dankeschön! :) > > Grüße, > > Richard Packerl verschickt ! Grüss Matt
Sescosem BDX18: https://www.richis-lab.de/Bipolar92.htm Nichts außergewöhnliches...
Hier haben wir nochmal einen kleinen Miniplast-Transistor, einen SF216: https://www.richis-lab.de/Bipolar93.htm
Tesla OC26: https://www.richis-lab.de/Bipolar94.htm
Tolles Ding der OC26. Auf der Arbeit grüßt jeden Tag dein Jahreskalender - jetzt mit dem Fluke Chip.
Richard K. schrieb: > Heute haben wir den Sescosem 391HT2: > > https://www.richis-lab.de/Bipolar90.htm Die Bezeichnung hatte ich immer für russisch gehalten und hiese 391NT2 Viele Grüße Bernd
Pille schrieb: > Das Gehäuse das SC206 hieß nicht "Plastgehäuse" sondern > "Miniplastgehäuse" und ist kleiner als TO92, läßt sich im 2,5mm Raster > auf einer Platine unterbringen. > > Gruß, > Pille Zetex hat ein ähnliches Gehäuse. Das nennt sich E-Line Viele Grüße Bernd
Bernd M. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Heute haben wir den Sescosem 391HT2: >> >> https://www.richis-lab.de/Bipolar90.htm > > Die Bezeichnung hatte ich immer für russisch gehalten und hiese 391NT2 > > Viele Grüße > Bernd
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Thomas W. schrieb: > Tolles Ding der OC26. > Auf der Arbeit grüßt jeden Tag dein Jahreskalender - jetzt mit dem Fluke > Chip. Sehr schön! :) Bernd M. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Heute haben wir den Sescosem 391HT2: >> >> https://www.richis-lab.de/Bipolar90.htm > > Die Bezeichnung hatte ich immer für russisch gehalten und hiese 391NT2 > > Viele Grüße > Bernd Das ist ja interessant. Also "mein Transistor" ist ja eindeutig von Sescosem. So ganz kann ich mir das nicht erklären.
Richard K. schrieb: > Bernd M. schrieb: >> Richard K. schrieb: >>> Heute haben wir den Sescosem 391HT2: >>> >>> https://www.richis-lab.de/Bipolar90.htm >> >> Die Bezeichnung hatte ich immer für russisch gehalten und hiese 391NT2 >> >> Viele Grüße >> Bernd > > Das ist ja interessant. > Also "mein Transistor" ist ja eindeutig von Sescosem. > So ganz kann ich mir das nicht erklären. Ich auch nicht , Richard. Vollständig heist der K391NT2. Das K wird aber oft weggelassen. Ich habe schon bei Russen nachgefragt, aber keiner hat Daten. Das Logo auf Meinem kann ich auch nicht deuten. Ach so. Eigentlich ist das nach der Bezeichnung kein Einzeltransistor. Aber vom Ausmessen her ist es ein Einzeltransistor. Viele Grüße Bernd
Eigenartig, eigenartig... Ich habe auch in den verfügbaren Sescosem-Katalogen nichts zu dem Transistor gefunden. Den Hersteller auf deinem Bild konnte ich ebenfalls nicht herausfinden. Ich habe ein paar Quellen angezapft, vielleicht kommt doch noch etwas Licht ins Dunkel. Viele Grüße!
Das NT besagt integrierte Transistoren , also Transistorarray. Vielleicht eine Parallelschaltung mehrerer Transistoren. Denn ein Darlington ist es nicht. Darlington werden auch nicht so bezeichnet. Ich hoffe, daß bei deinen Informationszuläufen , deiner hervorragenden Arbeit,doch mal was kommt. Viele Grüße Bernd
>Das NT besagt integrierte Transistoren , also Transistorarray
genau, das HT steht für „набор трансисторов“ und das sind immer mehrere
. Z.B. Matched Pairs oder Dinge wie CA3046.
Dieser Transistor und auch das Logo stammen nicht aus der UdSSR!
Christoph Z. schrieb: >>Das NT besagt integrierte Transistoren , also Transistorarray > > genau, das HT steht für „набор трансисторов“ und das sind immer mehrere > . Z.B. Matched Pairs oder Dinge wie CA3046. > Dieser Transistor und auch das Logo stammen nicht aus der UdSSR! Das würde erklären warum man keinen sowjetischen Hersteller mit diesem Logo findet. Aber zu wem gehört das Logo dann?
>Aber zu wem gehört das Logo dann? wenn ich das wüsste...! Ich bin derzeit gerade daran, meine Transistoren zu inventarisieren (einige hundert Typen, insgesamt über 40000 Stück!) Da sind auch Logos darunter, welche ich trotz einiger Detektivarbeit nicht herausfinden konnte! Zudem gab es da einige Überaschungen. Wer hätte gedacht, dass in der Schweiz bei Favag (eine Uhrenfirma) 2N708 produziert wurden oder bei Tadiran in Israel ein anderer 2N im TO-39 Gehäuse!?
Gast
#6968290
Hast du eigentlich eine IC Wunschliste?
Christoph Z. schrieb: > Wer > hätte gedacht, dass in der Schweiz bei Favag (eine Uhrenfirma) 2N708 > produziert wurden oder bei Tadiran in Israel ein anderer 2N im TO-39 > Gehäuse!? Es kommt erschwerend hinzu, dass es Firmen gab, die nur die Dies entgegen nahmen und in die Gehäuse integriert haben. Das taten teilweise Firmen, die man überhaupt nicht mit Halbleitern verbinden würde. user schrieb: > Hast du eigentlich eine IC Wunschliste? Ich habe noch so viel im Lager, ich darf mir nichts wünschen. :) Aber ich habe durchaus eine Liste mit Dingen, die ich mir noch anschauen will. Manchmal sind es Reihen, die ich vervollständigen will (CH32F103), manchmal sind es Teile mit besonderen Eigenschaften (Zetex super e-line) und manchmal ist der Wunsch eher diffus (aktuelle High-End-Opamps). Manche Teile muss man erst mal auftreiben können (CH32F103), manche Teile packe ich einfach in den Mouser-Warenkorb, wenn ich dringend Bauteile benötige und der Mindestbestellwert noch nicht erreicht ist.
Also nach den bisherigen Rückmeldungen ist die wahrscheinlichste Erklärung, dass das Logo auf deine Transistor, Bernd, ein verunglücktes Thomson-Logo ist. Das würde gut zu meinem Sescosem-Transistor passen. Auf der anderen Seite passt die Bezeichnung des Transistors nicht in die UdSSR Nomenklatur, einen sowjetischen Hersteller mit diesem Logo findet man nicht und irgendeine Art der Zusammenarbeit in diesem Gebiet scheint unwahrscheinlich. Viele Grüße!
Richard K. schrieb: > Also nach den bisherigen Rückmeldungen ist die wahrscheinlichste > Erklärung, dass das Logo auf deine Transistor, Bernd, ein verunglücktes > Thomson-Logo ist. Das würde gut zu meinem Sescosem-Transistor passen. > > Auf der anderen Seite passt die Bezeichnung des Transistors nicht in die > UdSSR Nomenklatur, einen sowjetischen Hersteller mit diesem Logo findet > man nicht und irgendeine Art der Zusammenarbeit in diesem Gebiet scheint > unwahrscheinlich. > > Viele Grüße! Hallo Richard, den Transistor fand ich in einem Sammelsorium von DDR-Bauelementen. Darunter waren auch Welche aus dem RGW, was natürlich nichts bessagren muß. Die Aufschrift ähnlich der russdischen brachte mich auf die Idee. NSW- Bauelemente waren nicht darunter - deshalb meine Vermutung auf russische Herstgellung. Da ich keinerlei Infos im Netz und auf Anfragen in Rußland fand , bin ich nun nach dem Erscheinen deines Transistors unsicher. Es ist aber durchaus möglichl,das es irgendwo eine ähnliche Bezeichnung gibt. Ich habe auch schon im Netz angefragt, leider ohne Erfolg. Möglicherweise ist das eine Kundfenwunschbrezeichnung. Viele Grüße Bernd
Mir schien die russische Herkunft durchaus auch plausibel. Gut möglich, das es eine kundenspezifische Beschriftung ist. Vielleicht löst ja noch jemand das Rätsel endgültig auf. Viele Grüße!
Gast
#6970387
Ich habe in den mir verfügbaren russischen Unterlagen nachgesehen, eine Serie 391 gibts wohl nicht, das bestätigt auch ein Blick auf 155la3.ru unter "актив", aber der Aufbau der Bezeichnung ist identisch zu einer russischen Bezeichnung für ein Transistorarray. Das ist vom Logo her wirklich ein Secosem Ding mit ulkiger Bezeichnung. Gruß, Pille
Danke Pille! Ich denke das haben wir dann mit ausreichender Sicherheit geklärt. Grüße!
Der Transistor wurde auch in russischen Foren diskutiert. Die Bezeichnung, insbesondere die Schreibweise der Zahl 3 mit geradem Strich oben spricht dafür, das es eine kyrillische Bezeichnung ist. Drei (3) so wie wir es schreiben ist im Kyrillischen der Buchstabe für das stimmhafte „S“. Laut den Foren ist die Machart des Gehäuses eindeutig nicht sowjetischen Ursprungs. Das deckt sich auch mit meiner Erfahrung. Ev. wurde der Transistor im Westen für einen Abnehmer in der Sowjetunion hergestellt (sowas kann durchaus vorgekommen sein). Das Logo ist aber kaum ein missratenes Thomson-Logo. Ich habe das Thomson-Logo niemals auf einem Produkt 90 Grad gedreht zur Schrift gesehen.
"Mein" 391HT2 hat aber eine geschwungene 3. :) Ein bisschen mysteriös bleibt der Transistor...
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