Transistoren - Die-Bilder

Hallo Manfred!

Danke für das Lob und den Hinweis. Ich habe den Text angepasst.
Ein solches TO3-Package hatte ich bisher noch nicht gesehen, daher ging 
ich davon aus, dass es sich um eine Eigenart von Tesla handelt.

Neue Anschauungsobjekte nehme ich gerne. Du kannst mir hier oder über 
info@richis-lab.de schreiben.

Grüße,

Richard

Nachtrag:
Ich wurde darauf aufmerksam gemacht, dass die Stufe im Die des KD501 
darauf hinweisen könnte, dass es sich um einen MESA-Transistor handelt. 
(Danke Wolfgang!)
Für mich klingt das äußerst plausibel! Bei MESA-Transistoren muss man 
den Rand des Dies ein Stück weit zurück ätzen, da die Schnittfläche mit 
den vielen Störstellen ansonsten die Basis-Emitter-Grenzfläche, die sich 
bis zum Rand erstreckt, negativ beeinflussen würde.

Hallo Richard,
das Logo auf dem Keithley Fet könnte von Micro Power Systems sein.

Marek N. schrieb:
> Cool!
> Da ist es wieder, das mysteriöse Leuchten.
>
> Eigentlich(TM) darf ja Silizium nicht im sichtbaren Bereich
> rekombinieren, da es ein indirekter Halbleiter ist, wo also die
> Niveaus von Leitungs- und Valenzband nicht übereinander sondern versetzt
> ist im Energie-Impulsdiagramm.
> Der Energieaustausch bei Rekombination erfolgt also nicht nur über
> Photonen, sondern auch mittels Phononen, also Wärmeschwingungen.
> Gibt es weiterführende Literatur zu diesem Thema?
>
> Richard, könntest du bitte eine Kennlinie zu der Leuchterscheinung
> nachholen?
> Wäre interessant zu sehen, wann das Leuchten einsetzt und in welchem
> Arbeitspunkt sich die einzelnen Frames der Animation befinden.
>
> Noch eine Frage: der 2N3055 ist ja ein Darlington, ich hätte ja
> eigentlich einen kleinen und einen großen Transistor auf dem Die
> erwaret. Welchen Trick hat man hier angewendet?

Hallo Marek,

Bezüglich Literatur zur Rekombination kann ich aus dem Stand nicht 
dienen, aber die Erklärung für das Leuchten ist der Lawinendurchbruch. 
Dabei kommt es nicht nur zur "normalen" Rekombination, sondern auch zur 
Rekombination von Ladungen, die per Stoßionisation auf bedeutend höhere 
Energieniveaus gehoben wurden.

Messungen kann ich noch machen. Mal sehen wie ich das zusammenführe. 
Hoffentlich raucht mir der Transistor dabei nicht ab. :)

Und wie hier bereits geschrieben wurde: Der 2N3055 ist kein Darlington.

Grüße,

Richard

Dieter W. schrieb:
> Hallo Richard,
> das Logo auf dem Keithley Fet könnte von Micro Power Systems sein.

Sieht gut aus, danke!
Allzu viel findet man über die Firma ja nicht (auf die Schnelle)... :(

Marek N. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Messungen kann ich noch machen. Mal sehen wie ich das zusammenführe.
>> Hoffentlich raucht mir der Transistor dabei nicht ab. :)
>
> OK, bin mal gespannt. Dachte, vielleicht hast du dir bei den
> "Leucht-Bildern" notiert, bei welcher Spannung und Strom das Bild
> aufgenommen wurde.
>
> 2N3055 kein Darlington? Huch, dann war ich fast 25 Jahre im Irrglauben!
> Zumal die V_BE von rund 1,5 V dafür sprach. So lernt man doch immer
> wieder was neues. Danke!

Ungefähr kann ich es dir sagen: Der Durchbruch erfolgt zwischen 9V und 
10V (eher 10V). Das geringste Leuchten dürfte bei 10-20mA aufgenommen 
worden sein. Hochgedreht habe ich bis 0,8A oder 1A, da bin ich mir nicht 
mehr ganz sicher. In den Arbeitspunkten wird es schnell warm. :)
Aber eine kleine "Messreihe" wäre schon mal interessant.

Marek N. schrieb:
> 2N3055 kein Darlington? Huch, dann war ich fast 25 Jahre im Irrglauben!
> Zumal die V_BE von rund 1,5 V dafür sprach.

OK 1,5V Vbe (bei ~7A is das normal für ne Si-Diode) aber ein hFE von 
~40-200 MUSS doch stutzig machen! Für einen Darlington fehlen da doch 
2-3 Nullen.

Archive schrieb:
> ... Datenblatt gibt maximal -7V für die Basis-Emitter-Strecke an. In
> diesem Transistor tritt der Durchbruch bei ungefähr -12V auf. Der Strom
> muss natürlich begrenzt werden, um die Strukturen nicht sofort zu
> zerstören....
>
> ... Das gleiche Experiment lässt sich mit dem großen von Siemens
> gefertigten 2N3055-Transistor durchführen. Der Durchbruch der
> Basis-Emitter-Strecke erfolgt hier erst bei enormen -70V.
>
> Bei welchem Strom sollen sich die 70V einstellen?
>
> Vermutlich weit jenseits der Prüfbedingungen. Das der Durchbruch erst ab
> etwa dieser Spg. erfolgen soll mag ich nicht so recht glauben.
>
>
> Bei KleinsignalTrans. sind das üblicherweise 100-300μA wie das bei den
> Elefanten war müßte man ggf. mal alte Datenbücher durchforsten. Auch ein
> z.B. BC547 läßt locker 10-20mA revers vom Emitter zur Basis zu dann sind
> es ~ 10-12V bei höherem Strom bspw. 50mA verabschiedet er sich nat. weil
> er eben mehr als die ~500mW nicht los wird. Die Angabe im Datenblatt
> bezieht sich aber auf die 100μA. Das ein ? ~125-150W Elefant mehr
> verträgt ist jetzt nicht so sehr verwunderlich.

Was genau ist nun deine Frage oder was genau irritiert dich?

Den Strom habe ich meist im ersten Moment auf 10-20mA begrenzt, ohne auf 
den genauen Wert zu achten. Es geht mir ja nur darum nicht zu viel 
Verlustleistung zu erzeugen, schließlich betreibe ich die Transistoren 
immer freifliegend.
Der Ablauf ist folgendermaßen: Strombegrenzung am Netzteil auf 
unkritischen Wert einstellen und dann die Spannung hochfahren bis die 
Strombegrenzung zuschlägt.
Dass die Durchbruchspannung bei niedrigeren, spezifizierten Strömen 
etwas geringer ist, ist schon klar, da bewegen wir uns aber bei einem 
2N3055 sicher nicht im V-Bereich.

Dass die alten weniger hoch dotierten 2N3055 erst später durchbrechen 
erscheint mir logisch.
Dass ich auch wirklich die Basis-Emitter-Strecke gequält habe kann ich 
sicher sagen, da sie mich in der Zeit angeleuchtet hat. :)

Dass ein 120W-Transistor mehr Verlustleistung verträgt ist in der Tat 
keine große Erkenntnis. Dass der alte 2N3055 erst bei 70V durchschlägt 
ist schon interessanter.


Marek N. schrieb:
> Kannst du eigentlich auch TO92-Gehäuse öffnen?
> Da gäbe es auch sicher was Interessantes: LM35, LM234, TL431, DS1821...

Ich kann alles aufmachen. Entweder Dremel oder Brennofen. :)
Bei Epoxidpackages ist der Verlust etwas höher, bewegt sich aber 
üblicherweise auch nur bei 5%...

Archive schrieb:
> Richard K. schrieb:
>
>
>> keine große Erkenntnis. Dass der alte 2N3055 erst bei 70V durchschlägt
>> ist schon interessanter.
>
>
> Na genau das glaube ich nicht so recht.
>
> Nehme ein Netzteil 20V werden schon reichen, minimal möglichen Strom
> einstellen, Spannung auf Null dann langsam hochdrehen. Jede Wette der
> geht im Bereich 7V in den Durchbruch.


Aber genau das hab ich den Test durchgeführt:
1. Strombegrenzung des Netzteils auf Minimal einstellen.
Im Detail: Das ist ein billiges Netzteil bei dem ich die Strombegrenzung 
von 0A einfach soweit hochdrehe bis es aus CC in CV rein kommt. In 
dieser Einstellung begrenzt es (falls notwendig) auf ungefähr 10-20mA.
2. Spannung von 0V aus langsam hochfahren. (ok, meistens stand es schon 
bei 1-3V, aber nicht höher)

Der Test lief genau so ab wie du es dir jetzt wünscht und dann kam ich 
bei 70V raus.
Wie gesagt: Die niedrigere Dotierung, die damals üblich war, würde das 
Verhalten erklären.
Ich musste das Doppel-Netzteil erst mal noch seriell schalten weil eines 
nur bis 40V hoch kommt und in dem Bereich kein Durchbruch auftrat.

Übrigens: Auch die enorme Erwärmung sprach für eine Durchbruchspannung 
bei 70V. Der SIEMENS-2N3055 wurde bei gleichen Strömen sehr viel wärmer 
als die anderen. 70V und 20mA sind eben auch schon über 1W.

Archive schrieb:
> Und wir reden hier auch von E-B?
>
>
> Die Kollektor - Emitter (base-open ?)   Durchbruchspg. läge wimre bei
> 70V

Wie gesagt: Ich hatte die direkte Rückmeldung der Basis-Emitter-Strecke 
in Form eines hübschen Leuchtens... :)

Archive schrieb:
> Bei welchem Strom sollen sich die 70V einstellen?

Lies es nochmal. Durchbruch

Auch bekannt als Avalanche-Effekt oder deutsch Lawinendurchbruch. Da 
steigt der Strom über ein paar Zehntel Volt sehr schnell an. Ob das bei 
1mA oder bei 10mA oder bei 100mA gemessen wird, spielt für die Höhe der 
Spannung fast keine Rolle mehr. Für die Verlustleistung und die damit 
einhergehende Gefahr der Zerstörung allerdings schon.

> Vermutlich weit jenseits der Prüfbedingungen. Das der Durchbruch erst
> ab etwa dieser Spg. erfolgen soll mag ich nicht so recht glauben.

Das sei dir unbenommen. Aber nachdem Richard den Test durchgeführt 
hat, ist das etwas albern. Wiederhole den Test halt selber.

Nachdem der Wert so weit von den abs. max. Spezifikationen liegt (das 
Siemens Datenblatt bei alldatasheet.com sagt 7V) darf man da auch eine 
größere Exemplarstreuung erwarten. Allzuviele Exemplare dürfte Richard 
nicht für den Test gehabt haben. Wahrscheinlich nur das eine. Zumal 
2N3055 von Siemens an sich schon Oldtimerstatus haben. Die findet man im 
ehesten, wenn man alte Geräte schlachtet.

Ich wollte gerade mal testen wie sich der Kollektor-Emitter-Durchbruch 
darstellt. Diese Grenzfläche ist ja nicht oder kaum sichtbar.
(Dazu muss man erst mal das Gehäuse kontaktieren, so leicht vergreift 
man sich in diesem Fall nicht).

Beim KD501 (40V spezifiziert) komme ich mit meinen maximal erreichbaren 
78V nicht in den Durchbruch. (Übrigens auch bemerkenswert. Die Streuung 
war damals sicherlich recht hoch) Es ist folglich mit diesem Test noch 
einmal unwahrscheinlicher, dass ich die Kollektor-Emitter-Strecke des 
2N3055 (60V spezifiziert) erwischt hatte.

Danke! :)

Meine Meinung zum Thema "Kleinserien-Neuproduktion" von alten 
Transistoren/ICs ist folgende:

"Es ist eine faszinierende Idee per reverse engineering alte 
Transistoren und ICs wieder zum Leben zu erwecken.
Ich fürchte nur, dass man dafür etwas mehr Know-How braucht, wenn man 
nicht sehr viel Lehrgeld bezahlen will.
Dazu kommt, dass sich wahrscheinlich mit so manchen neuen Prozessen die 
alten Aufbauten gar nicht mehr darstellen lassen.
Dennoch, die Idee ist es wert noch ein bisschen darüber nachzudenken."

Marek N. schrieb:
> Richard, könntest du bitte eine Kennlinie zu der Leuchterscheinung
> nachholen?
> Wäre interessant zu sehen, wann das Leuchten einsetzt und in welchem
> Arbeitspunkt sich die einzelnen Frames der Animation befinden.


So, ich habe noch einmal "das Leuchten" aufgezeichnet und die Bilder mit 
mehr Abstufungen und mit Stromwerten beschriftet hochgeladen:

https://www.richis-lab.de/Bipolar02.htm

Viele Bilder... :)


Mir ist dabei auch noch der positive Temperaturkoeffizient der 
Durchbruchspannung aufgefallen:
Stellt man am Netzteil eine Spannung ein, die knapp für den Durchbruch 
der Basis-Emitter-Strecke reicht und erhöht dann den Strom, so sperrt ab 
einem gewissen Punkt die Emitter-Basis-Strecke wieder. Der Grund dafür 
ist die mit steigender Temperatur steigende Durchbruchspannung.
Schön wie sich wieder die physikalischen Gesetzmäßigkeiten zeigen: Eine 
"Z-Diode" mit einer Durchbruchspannung von 10V hat einen positiven 
Temperaturkoeffizienten. Stimmt!

Ich danke! :)

Ich hab hier auch noch so an die 20 schon abgedeckelte ICs, alles 
mögliche durcheinander. Sind schon laaange offen und daher kräftig 
eingestaubt.
Alles entweder Keramik DIP oder TO99 Blechdosen.
Bei vielen ist die Typbezeichnung noch erkennbar, aber einige sind auch 
echte Rätsel.

Kleiner Auszug: AD574, MC14433, MK5005, ICL7134, MEM1056, INA101, 
LH0042, OPA111, e1109 und ein APEX Power OP auf BeO Substrat.

Trantoren: 2N1671 UJT und ein durchgeschossener 150W Darlington im TO3, 
2N6unbekannt.

Dieter W. schrieb:
> Ich hab hier auch noch so an die 20 schon abgedeckelte ICs, alles
> mögliche durcheinander. Sind schon laaange offen und daher kräftig
> eingestaubt.
> Alles entweder Keramik DIP oder TO99 Blechdosen.
> Bei vielen ist die Typbezeichnung noch erkennbar, aber einige sind auch
> echte Rätsel.
>
> Kleiner Auszug: AD574, MC14433, MK5005, ICL7134, MEM1056, INA101,
> LH0042, OPA111, e1109 und ein APEX Power OP auf BeO Substrat.
>
> Trantoren: 2N1671 UJT und ein durchgeschossener 150W Darlington im TO3,
> 2N6unbekannt.

War das ein Angebot? :)
Wenn die Teile schon offen sind fehlt immer ein bisschen der Reiz. :) 
Dazu kommen dann noch oftmals ungenügende Vorher-Bilder und nicht selten 
kleinere Schäden.
Der APEX wäre interessant, da habe ich aber gerade schon einen PA88 in 
Bearbeitung.
Trotzdem danke!

Richard K. schrieb:
> War das ein Angebot? :)

Hast du irgendwo eine Wunschliste? :)

Teo D. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> War das ein Angebot? :)
>
> Hast du irgendwo eine Wunschliste? :)

Ich bin offen für alles. :)
Es ist immer wieder überraschend wie interessant selbst scheinbar 
unauffällige Teile sind:
- Den KD501 hat man schon offen gesehen und die ineinander greifenden 
Strukturen von Basis und Emitter kennt man auch. Trotzdem findet sich 
(für mich) wieder etwas neues, unerwartetes darin: Die 
MESA-Treppenstruktur am Rand des Dies.
- Der SS109 ist ein Kleinsignaltransistor. Was will man erwarten. Aber 
siehe da: Eine Struktur wie im Lehrbuch und dazu die Maskensätze, die 
ich bei einfachen Transistoren noch nicht gesehen habe.

Aber ich muss jetzt erst mal den Stapel abarbeiten. Der Posteingang ist 
doch recht voll. Sobald ihr merkt, dass ich nichts mehr hochlade könnt 
ihr mich gerne wieder mit interessanten Teilen beliefern! :)

So, heute haben wir einen Germanium-Transistor, einen Philips AU301. Es 
handelt sich um einen Legierungstransistor. Sieht man als 
Leistungstransistorvariante auch nicht jeden Tag:

https://www.richis-lab.de/Bipolar03.htm

So sieht mein geschlachteter Apex Power Op ohne Makroausrüstung aus.
Natürlich sind alle Bonddrähte abgerissen und zwei geklebte 
Keramikkondis fehlen auch.

Ja der hat schon ein bisschen was mitgemacht. Trotzdem schön zu sehen.
Mit zwei großen Darlingtons...

Hier noch ein anderer Exot, 2N1671B Unijunction von TI, Datecode 6919.
Da geb ich aber nur den auf dem Foto her, die Broker verlangen 80 bis 
200$ für die Dinger.

Schick mir bitte mal eine PN mit deiner Adresse, dann mach eine kleine 
Transistorsammlung fertig.

Richard K. schrieb:
> So, ich habe noch einmal "das Leuchten" aufgezeichnet und die Bilder mit
> mehr Abstufungen und mit Stromwerten beschriftet hochgeladen:

Jetzt auch als animated GIF:
https://www.richis-lab.de/images/Transistoren/02x12.gif

Nachdem ich all diese faszinierenden Bilder gesehen habe (und gehörig 
gestaunt ob der Qualität!) stellt sich mir eine Frage:
In einem Buch der Elektor-Schaltungsreihe "30X Schaltungen" war ein 
2N3055 aufgesägt und als Solarzelle in Gebrauch, sogar mit Tabelle der 
erreichbaren Spannungen und Ströme. Nun frage ich mich, ob das damals 
wirklich echt war, denn ab und zu waren in den Büchern auch ganz bewußt 
Unsinnsschaltungen drin (heute würde man es Fake nennen), die aber nicht 
extra als solche gekennzeichnet waren.
Ist es realistisch, 6 mA aus einem aufgesägten älteren 2N3055 im prallen 
Sonnenlicht zu erhalten?
Die Bilder mit dem Licht lassen ja eventuell auch den Schluß zu, daß es 
tatsächlich auch anders herum geht, also Licht zu Strom.
Oder bin ich komplett auf dem Holzweg und dem Elektor-Verlag auf den 
Leim gegangen?

Grundsätzlich funktioniert das schon.
6mA bei prallem Sonnenlicht klingt mir aber auch nach etwas viel.
Ich kann es beim KD501 mal ausprobieren sobald ich wieder davor sitze...

Jochen F. schrieb:
> als Solarzelle in Gebrauch

Ich kann mich nur an einen Lichtsensor (Phototransistor) erinnern!?
...
Hab dazu was gefunden, leider nicht für lau:
https://www.elektormagazine.de/magazine/elektor-198407/47862

Guten Abend!

Heute habe ich einen 2N2222A für euch:

https://www.richis-lab.de/Bipolar04.htm

Auch die kleinen Transistoren können leuchten. :)
Ich habe den 2N2222 dann auch gleich mal zerstört und ein paar 
interessante Bilder davon gemacht.


Teilespender war Marek.
Danke!

Manfred schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Heute habe ich einen 2N2222A für euch:
>
> 2N2222A habe ich da und setze die auch aktuell noch ein!
>
> Ich glaube, ich muß Dir noch ein paar TO-18 wie BC10x / BCY59 andrehen
> :-) TO-5 / TO-39 sind auch noch da.

Die kann man durchaus noch verwenden!

...hat jemand Zeit übrig, die er abgeben kann? :)

Richard K. schrieb:
> So, heute haben wir einen Germanium-Transistor, einen Philips AU301. Es
> handelt sich um einen Legierungstransistor. Sieht man als
> Leistungstransistorvariante auch nicht jeden Tag:

Das ist ja schon eine modernere Ausführung :)
Die Älteren wurden noch richtig zusammengebastelt, siehe AUY21K.

Arno

Arno H. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> So, heute haben wir einen Germanium-Transistor, einen Philips AU301. Es
>> handelt sich um einen Legierungstransistor. Sieht man als
>> Leistungstransistorvariante auch nicht jeden Tag:
>
> Das ist ja schon eine modernere Ausführung :)
> Die Älteren wurden noch richtig zusammengebastelt, siehe AUY21K.
>
> Arno

Hallo Arno!

Stimmt, das sieht schon sehr wild aus! :)

Grüße,

Richard

Marek N. schrieb:
> Mein einziger Ge-Transistor, den ich geöffnet habe, war ein AC107(?) imi
> länglichen, silbernen Metallgehäuse.
> Gefüllt war er mit einer weißen Masse. War das Wärmeleitpaste?

Ich hatte das ja mal bei dem alten Siemens-2N3055:

https://richis-lab.de/2N3055.htm

An der Stelle würde Wärmeleitpaste keinen Sinn ergeben. Ich vermute, 
dass das eine Art Trocknungsmittel war...

äxl schrieb:
> SU111 SU311 hab ich n paar hier.
> DDR-Darlington TO3 /TOP3 aus Stahnsdorf.
> 2N5160 auch, (nein, nicht aus Stansdorf :) )
> desweiteren n paar KP303, SMY50, U105 und sowas...

Danke, aber ich muss jetzt erst mal abarbeiten was in meinem Posteingang 
zu liegt. Ich bekomme sonst ein schlechtes Gewissen. :)
Ich melde mich auf jeden Fall wenn mir wieder langweilig wird!

äxl schrieb:
...
> 2N5160 auch, (nein, nicht aus Stansdorf :) )

Du weißt, dass das der PNP zum 2N3866 ist und deswegen häufig gesucht 
wird?
R&S hat den oft verbaut. Der Erkenntnisüberschuss gegenüber anderen 
ähnlichen HF-Transistoren wäre mager, also besser in die Rubrik Markt 
damit (einen 2N3866 könnte ich ersatzweise spenden).

Arno

Richard K. schrieb:
> Heute habe ich einen 2N2222A für euch:

Ganz toll! 2N2222 leuchtet - sowas wußte ich nicht. Gerne mehr davon!

Jochen F. schrieb:
> ...
> Ist es realistisch, 6 mA aus einem aufgesägten älteren 2N3055 im prallen
> Sonnenlicht zu erhalten?
> ...

Also der KD501 macht 3mA wenn ich meine Handy-LED direkt darüber halte. 
(Meine Handy-LED ist verdammt hell.)
Interessanterweise ist der Strom zwischen Basis und Emitter ungefähr 
gleich dem Strom zwischen Basis und Kollektor.
Die Leerlaufspannung beträgt ungefähr 0,55V. Zwischen Basis und 
Kollektor evtl. 0,05V mehr. Messen kann ich zwar genau genug, aber die 
LED halte ich natürlich nicht jedes Mal reproduzierbar gleich.

Bei den Germaniumtransistor sind es ungefähr 0,8mA und nicht ganz 0,1V.

Wenn ich aus dem Homeoffice wieder im Job vor Ort erscheinen muß, dann 
kann ich auch mal so einen alten 2N3055 aufdremeln. Dann teste ich das.
Es war also tatsächlich etwas dran an dem Eintrag im Elektor-Buch. Die 
Werte kommen in etwa hin. Ich bin beeindruckt!

Hier ein eher billiger Leistungstransistor:

3DD15D
https://www.richis-lab.de/Bipolar05.htm

Der Aufbau erinnert an die 2N3055-Fälschungen. Ich könnte mir gut 
vorstellen, dass da gewisse Parallelen sind...

Die Bilder sind dir gut gelungen richi123. Sind schön anzusehen.

Danke! :)

Heute nur eine Kleinigkeit: eine alte BAV45-Low-Leakage-Diode

https://richis-lab.de/Diode01.htm

Nachdem eine Diode ein halber Transistor ist, darf die BAV45 in diesen 
Thread. :)


(Danke Marek!)

Zeigen diese Dioden bei Stromfluß oder im Bereich des Breakdowns 
ebenfalls Leuchterscheinungen?

Gute Frage! Die habe ich mir natürlich auch gestellt. :)

Es hat sich aber herausgestellt, dass die Diode bis 80V nicht 
durchbricht. Das Datenblatt gibt eine Durchbruchspannung von 35V an.
Physikalisch klingt das logisch für mich: 1V Flussspannung => geringe 
Dotierung => hohe Spannungsfestigkeit. Vielleicht bricht die BAV45 bei 
mehr als 35V noch nicht durch, degeneriert aber langsam... Vielleicht...

(Die Flussrichtung habe ich nicht getestet, da darf bei einem 
Siliziumhalbleiter eigentlich nichts leuchten.)

Ich hatte noch ein paar Bilder eines SS109 im Durchbruch, sind jetzt 
hier zu sehen:

https://www.richis-lab.de/Bipolar01.htm

Marek N. schrieb:
> Cool, was so einfache Bauteilchen für beeindruckende Geheimnisse haben
> können!?

Das war unter anderem möglich weil in deiner Sammlung mehr als ein SS109 
war. :)


Ich habe wild spekuliert warum der Bereich über dem Emitteranschluss bei 
geringem Strom dunkel bleibt:

- Einfluss des Emitterpotentials?
Dagegen spricht das Leuchten unterhalb der Emitteranbindung.

- Einfluss der fehlenden Basis-Metallisierung (höherer Widerstand zum 
aktiven Bereich)?
Dagegen spricht ebenfalls das Leuchten unterhalb der Emitteranbindung.

- Zufall mit einem der beiden Punkte von oben?
Wer weiß...

???

Aber schön, dass man wie beim 2N2222 wieder erahnen kann wie der Ausfall 
wahrscheinlich ablief.

Hallo Richard,

schöne Bilder...wie immer??

Ich hatte Dir ja auch noch ICs wie den CA3161 bzw. CA3162 versprochen. 
Das habe ich nicht vergessen, und die kommen auch noch.

An was hast Du noch Interesse? Ich habe z.B. auch noch einen Uhrenchip 
ICM7045, Gehäuse DIL28, um nur ein Beispiel zu nennen. Mein Fundus ist 
recht umfangreich und ich stelle Dir gerne einiges kostenlos zur 
Verfügung. Darunter sind auch Epromms und vieles anderes. Halt was sich 
in 35 Jahren ansammelt??

Wie sieht es mit Led-Displays aus? Besteht hier Interesse? Sind die 
überhaupt interessant?

Danke! :)

Interesse hab ich grundsätzlich an allem. Je ausgefallener desto 
interessanter. Moderne ICs haben oft so geringe Strukturbreiten, dass 
ich nicht mehr viel auflösen kann. Dennoch helfen Bilder von solchen 
Teilen manchmal. So konnte ich zum Beispiel zeigen, dass die 
Mikrocontroller der CH55x-Serie zum Großteil das gleiche Die enthalten:
https://richis-lab.de/CH55x.htm
LEDs habe ich auch schon mal freigelegt:
https://richis-lab.de/LED_02.htm
Das Material ist da meist schwieriger, das zieht sich wie flüssiger 
Kunststoff und wird nicht spröde unter Hitze. Oder meintest du ganze 
LED-Bildschirme? Sowas wie hier:
https://richis-lab.de/tcm_rg.htm
Nicht ganz uninteressant aber man sieht nicht allzu viel...

Ich freue mich über dein Angebot, aber lass dir ruhig noch ein bisschen 
Zeit. Mein Posteingang ist mittlerweile echt sehr gut voll. Das muss ich 
erst mal abarbeiten, sonst bekomme ich ein schlechtes Gewissen.

Hi Richard,

Interessante Bilder,
einigen davon kann man definitiv auch aus ästhetischer Sicht das 
Prädikat "gelungen" zusprechen.

Da du jetzt auch Transistoren "bearbeitest" mal die Frage ob du an ein 
paar älteren Exoten aus meinem Fundus interessiert bist.
Ich hätte da z.B.

* 2N2081 im lange ausgestorbenen TO36 Gehäuse anzubieten.
Germanium PNP Leistungstransistor mit wahnsinnigen 10kHz als 
Transitfrequenz.
(NOS)

* 2N1561 - Ge- HF Transistor im TO-107 Gehäuse
(Noch in OVP)

* 2N3375 - Si-NPN HF Leistungstransistor im TO-60 Gehäuse
(Ich habe NOS und Ausgelötete. Der Gehäuseboden besteht aus 
Keramikmaterial. Die NOS Bauteile haben weißes Material, mit hoher 
Wahrscheinlichkeit BeO, gebrauchte habe ich aber auch mit 
rosa-Keramikboden, also mit chance auf etwas unkritisches, zum öffnen 
sicher besser - trotzdem vorsicht)

An IC habe ich leider, zumindest dem Wissen nach, leider nichts so 
wirklich spannendes. Was vielleicht interessant sein könnte wäre ein 
SO42P, ein symetrischer HF Mischer
https://www.box73.de/file_dl/bauelemente/SO42.pdf

Falls interessant hätte ich auch noch HF Endstufenmodule in 
Hybridtechnik. (z.B. BGY38) Diese enthalten BeO, allerdings nur in Form 
von zwei kleinen Plättchen unter den beiden Leistungstransistor-Die
(Die sind als Inseln mit umlaufendem "Wassergraben" in das Modul 
eingelassen. Mit etwas wissen gefahrlos zu öffnen, könnte dir aber auch 
ein bereits geöffnetes Schicken. (das ganze Modul ist innen aber mit 
einem klarem weichen Schutzüberzug überzogen)

Einfach mit Adresse melden Falls Interesse vorhanden, dann mache ich ein 
Päcken fertig.

Gruß
Carsten

P.S. Was mir gerade noch einfällt: Ich hätte auch noch frühe Eproms vom 
Typ CDP18u42 die sich elektrisch anders verhalten als die typischen 
27er.
GGF interessant ob da auch im Aufbau unterschiede sind.
Dann noch Bipolar Proms vom Typ Fujitsu MB7128 (Ich weiß da aber nicht 
op die intern Eprom sind oder mit Fuse-Strecken arbeiten)
Und noch Siemens S353, eine art Prom mit sehr geringer Dichte die 
tatsächlich nach dem fuse Prinzip programmiert wird.
(Alles Bausteine die zur Kanalprogrammierung in Betriebsfunkgeräten aus 
der Zeit ende 70er bis Ende 80er Jahre verwendet wurden)

Sehr schön! :)

@Carsten: Ich habe dir eine PN geschrieben.

Marek N. schrieb:
> Gratuliere! Jetzt hat unser Richard es sogar auf die Startseite
> geschafft!
> Beitrag "Das Innenleben von Transistoren und Operationsverstärkern"

Zurecht!?

Ein klasse Projekt was Richard da macht. Meinen Respekt hat er??

Hallo Leute,

heute habe ich einen Siemens ASY25 für euch, einen 
PNP-Kleinsignal-Germanium-Legierungstransistor. :)

https://www.richis-lab.de/Bipolar06.htm

Das waren noch Zeiten...

Danke an Roland!

Viele Grüße,

Richard

Hallo,
Richard K. schrieb:
> heute habe ich einen Siemens ASY25 für euch, einen
> PNP-Kleinsignal-Germanium-Legierungstransistor. :)

Faszinierend! Die Strukturen wirken gegenüber der heutigen Technik doch 
ziemlich grobschlächtig, das sieht ja teilweise aus wie gedengelt. :-)
Man kann deutlich sehen das es sich um Fertigungsverfahren aus den 
Anfängen der Halbleitertechnik handelt.
Und wieder musste ich sofort bei den Bildern mit dem eingefügten 
200µm-Massstab an die heute möglichen Strukturgrößen denken. Was für 
eine Entwicklung von den Anfängen bis heute!

rhf

P.S.
Die Bildqualität ist wieder exzellent und zeigt das solche 
Dokumentationen alter Technik auch ihren ästhetischen Reiz haben. Einige 
Aufnahmen könnte ich mir gerahmt gut an der Wand vorstellen.

Hallo,
Marek N. schrieb:
> ...und auch heute noch ist der Legierungstransistor mit
> Indiumpille Prüfungsstoff:
> https://www.darc.de/der-club/referate/ajw/lehrgang-te/e13/

Unglaublich...

> Denn wir alle wissen: "Der Funkamateur ist fortschrittlich. Er hält
> seine Station stets auf dem Stand der Technik" [1], [2] -- Auf dem Stand
> von 1928 wohlgemerkt, denn aus genau diesem Jahr stammt das Zitat ;-)

Naja, stimmt ja irgend wie. Immerhin beschäftigt man sich schon mit 
Transistoren statt nur mit Röhren.

rhf

Vielleicht muss ich doch mal einen Kalender oder einen Bildband 
rausbringen... :)

Zum Thema Tomatensoße: Probiert habe ich das Zeug nicht, also wer weiß. 
:)

Ajvar könnte es auch sein, stimmt! :)

Danke für das Lob!

Anregungen sind immer willkommen. Solange sie mit für mich vertretbaren 
Aufwand umsetzbar sind baue ich sie gerne ein.
Das "nächste Leuchten" ist "leider" schon dokumentiert, das werde ich 
heute Nacht wahrscheinlich noch hochladen. Sehr interessant mal wieder. 
:)
Ich habe gerade mal schnell das Oszilloskop angeschlossen (1/10, 100MHz, 
20mV/div). Da sehe ich auf den ersten Blick nur das Rauschen von 
Netzteil, Oszilloskop und dem ganzen Aufbau. Muss mal ausprobieren wie 
das mit einem besseren Aufbau aussieht...

Heute habe ich ein BUX22 für euch, einen recht eindrucksvollen 
Leistungstransistor:

https://richis-lab.de/Bipolar07.htm

Neben dem imposanten Aufbau an sich bietet dieser BUX22 noch eine 
Überraschung und eine Erkenntnis:
1. Es handelt sich zwar um ein Originalteil, allerdings um ein Altes, 
das einen neuen Deckel erhielt. Das habe ich auch noch nicht gesehen.
Meine Vermutung: ST hat alte Teile requalifiziert (oder requalifizieren 
lassen) und dann mit einem neuen Deckel als Neuteile deklariert.
2. Im Rahmen der Analyse der LTZ1000 wurde schon mal spekuliert, ob 
unregelmäßige Leuchterscheinungen im Lawinendurchbruch durch nicht 
homogene pn-Grenzflächen entstehen oder ob an Unregelmäßigkeiten neben 
den pn-Grenzflächen freie Ladungsträger leichter rekombinieren und es 
daher dort zu einzelnen Leuchtpunkten kommt.
Dank des BUX22 kann man die Frage jetzt beantworten. Auf einem Die 
befinden sich mehrere Störstellen. In diesem Bereichen tritt das 
Leuchten des zweiten Durchbruchs zuerst und heller auf. Im Detail 
betrachtet leuchten aber nicht die Störstellen, sondern der Bereich 
daneben. Das bedeutet das punktuelle Leuchten tritt an Stellen mit 
höherer Feldstärke auf.

Danke an Stephan D. für den BUX22!

Ganz tolle Bilder Richard, wie üblich! Besonders hat mir der 
ASY25 gefallen. Gerne mehr, auch ältere Typen.

Das mit dem Leuchten der BE-Strecke hatte ich letztens auf Deiner Seite 
erstmals gesehen. Ist das eine Wellenlänge oder mehrere. Und welcher 
Effekt findet da eigentlich im Detail statt (habe ich evtl. überlesen)?

Mohandes H. schrieb:
> Ganz tolle Bilder Richard, wie üblich! Besonders hat mir der
> ASY25 gefallen. Gerne mehr, auch ältere Typen.
>
> Das mit dem Leuchten der BE-Strecke hatte ich letztens auf Deiner Seite
> erstmals gesehen. Ist das eine Wellenlänge oder mehrere. Und welcher
> Effekt findet da eigentlich im Detail statt (habe ich evtl. überlesen)?

Danke, freut mich!

Bei den Bauteilen arbeite ich mich quer durch die Bank. Technik, Alter, 
Bauform, ich versuche alles abzudecken. :)

Zum Thema "Leuchten":
Rekombinieren in einem Siliziumhalbleiter Ladungsträger, so kommt es 
erst mal zu keinem sichtbaren Leuchteffekt. Die Energieniveaus der 
Ladungsträger sind so niedrig, dass die abgestrahlte Wellenlänge im 
Infraroten liegt (SiC-Halbleiter leuchten übrigens im Normalbetrieb 
blau).
Betreibt man einen pn-Übergang allerdings im Lawinendurchbruch, so kommt 
es zu Stossionisationen. Das heißt die im elektrischen Feld 
beschleunigten Elektronen schlagen andere Elektronen aus den Atomen. Das 
ist ein eher undefinierter Prozess, bei dem die Elektronen auf 
verschiedene und auch höhere Energieniveaus gehoben werden. Von da aus 
führen Rekombinationen zur Abstrahlung von diversen Wellenlängen, auch 
im sichtbaren Bereich.

So kann man dann ja auch die Qualität der Masken checken.

Richard, machst du gut!

NE602 und TDA7396 würden mich interessieren.

Mit dicken Backen oder wie?

Danke!

Ein LM3886 hat letztens lieber das zeitliche gesegnet als sein Inneres 
zu offenbaren. Ich hoffe, dass ich mit diesen Packages keine Pechsträhne 
erwischt habe... :)

Den NE602 habe ich mal auf die Liste genommen, aktuell liegt aber noch 
zu viel rum. :)

Achso, wegen dem Metallflansch. hm


Den NE602 hatte ich mal auf Offsetspannung untersucht. Da gabs krasse 
Offsets aus einer Tüte gutgemischter Jahrgänge. Vielleicht offenbart ja 
das Chipfoto, wieso das so ist. Die Struktur müßte ja dann extrem 
asymmetrisch sein.

Normalerweise habe ich mit einem Metallflansch kein Problem. Schließlich 
habe ich auch den Sanken-Brocken gut aufbekommen:
https://www.richis-lab.de/2SC2922.htm
Das Die des LM3886 zerbröselte irgendwie absolut grundlos... :( Naja, 
muss nichts heißen. So schnell wird nicht aufgegeben. Die Erfolgsquote 
liegt eben "nur" bei 85-95%...

"Nach einem Überstreichen des Chips mit Kreide lässt sich die 
Beschriftung relativ gut ablesen."
Gute Idee, muß ich mal ausprobieren.

@Richard: Besteht Interesse an einem HF-Power-MOSFET (1.8-2GHz)?
Ist allerdings im Keramikgehaeuse.

https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/MRF18060A.pdf

Joerg B. schrieb:
> @Richard: Besteht Interesse an einem HF-Power-MOSFET (1.8-2GHz)?
> Ist allerdings im Keramikgehaeuse.
>
> https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/MRF18060A.pdf

Hallo Jörg,

da besteht auf jeden Fall Interesse!
Nachdem ich so ein Schätzchen noch nicht aufgemacht habe kann ich nichts 
versprechen, aber ich würde es gerne versuchen.

Grüße,

Richard

@Jörg
An so einem Transistor hätte ich eher Interesse, um den seinem 
ursprünglichen Verwendungszweck zuzuführen. Den zu schlachten wäre 
irgendwie schade.

Ben B. schrieb:
> @Jörg
> An so einem Transistor hätte ich eher Interesse, um den seinem
> ursprünglichen Verwendungszweck zuzuführen. Den zu schlachten wäre
> irgendwie schade.

...aber dennoch interessant... :)

Ich kann jeden verstehen, der bei der Zerstörung eines solchen, 
funktionsfähigen Teils einen gewissen Schmerz oder vielleicht sogar 
etwas Ärger verspürt.
Andererseits denke ich mir, dass es nur ein Teil ist, das ich zerlege. 
Dabei generiere ich mindestens interessante Bilder, teilweise auch ein 
paar Erkenntnisse. Das alles ist ja nicht für die Tonne. Wenn der eine 
oder andere etwas lernt oder etwas hilfreiches mitnehmen kann, dann hat 
das Opfer schon einen Sinn.

Hmm Ärger ist das falsche Wort. Es ist eben nur irgendwie schade um 
funktionsfähige Teile. Bei Teilen, die eine Beschädigung haben oder 
außerhalb ihrer Specs sind, ist's mir völlig egal, da sehe ich auch 
lieber Bilder vom Inneren **gg**, aber bei hochwertigen voll 
funktionsfähigen Teilen finde ich es irgendwie "unnnötig" würde ich 
sagen.

Oder auch bei sehr alten Teilen, die sowieso niemand mehr einsetzt weil 
es weit bessere gibt oder bei billigen Teilen ist's mir auch egal.

Gibt aber eben Teile, die teuer sind oder die generell außergewöhnliche 
Werte haben (z.B. 150V/30A OPVs) und da finde ich es nicht sinnvoll, 
intakte Exemplare nur für Bilder zu schlachten.

Solange die Teile noch einigermaßen verfügbar sind sehe ich es weniger 
kritisch. Dann geht es nur noch um Geld, das für den Besitzer mehr oder 
weniger real ist. Und wenn jemand "das Geld" für ein paar schöne Bilder 
und gewisse Erkenntnisse spenden will, so nehme ich es dankend an.
Natürlich könnte der Besitzer das Bauteil auch für ein nettes Projekt 
stiften, das wollte er aber anscheinend nicht. Gerade bei besonderen 
Bauteilen habe ich die Erfahrung gemacht, dass sie gerne von Leuten (die 
sie durchaus wertschätzen) eingelagert werden und nie wieder das Licht 
zu sehen bekommen. Es gibt natürlich auch Ausnahmen...

Richard K. schrieb:
> Gerade bei besonderen Bauteilen habe ich die Erfahrung gemacht, dass sie
> gerne von Leuten (die sie durchaus wertschätzen) eingelagert werden und
> nie wieder das Licht zu sehen bekommen.

Finde ich auch: besser ein (seltenes) Bauteil wird im Dienst der 
Wissenschaft und der Allgemeinheit 'geschlachtet' als daß es auf ewig in 
den Untiefen eines Kellers liegt und nie wieder ans Licht kommt!

Bei Röhren wäre ich da zurückhaltender, es gibt aber auch welche die man 
einigermaßen gut fotografieren kann ohne den Glaskolben zu zerstören. 
Z.B. die russische 2SH27L bei der man sehr schön Steuer-, Schirm- & 
Bremsgitter sehen kann. Oder eben defekte Röhren nehmen.

Mir fehlt allerdings das richtige Equipment um da schöne Bilder zu 
machen.

Richi, weiter so! Ganz tolle Bilder und gute Erklärungen dazu (vor allem 
die farblich unterlegten Blöcke samt Erläuterungen gefallen mir).

Ich unterstelle mal, dass die wenigsten einen konkreten Anwendungszweck 
fuer Spezialteile wie meinen 60W-Transistor fuer das GSM-Band, oder 
einen 150V/30A-OPV haben. Spieltrieb gildet nicht, DAS faende ich schade 
um die Teile :)
Ich finde die Arbeit von Richard sehr unterstuetzenswert, da ist der 
Transistor schon an der richtigen Stelle - und wir koennen alle etwas 
davon lernen.

@Richard: Post ist auf dem Weg.

Dankeschön! :)

So, heute habe ich einen anderen BUX22 hochgeladen:

https://richis-lab.de/Bipolar08.htm

Hier handelt es sich anscheinend wirklich um ein neueres Bauteil im 
Gegensatz zum ersten, nur neu eingehausten BUX22 
(https://richis-lab.de/Bipolar07.htm).

Und siehe da, der neue BUX22 ist auf Halbleiter-Niveau anders aufgebaut! 
Er besitzt einen sogenannten perforated emitter wie er auch im Sanken 
2SC2922 eingesetzt wurde (https://richis-lab.de/2SC2922.htm).

Ich gehe davon aus, das beide, der alte und der neue BUX22, 
Originalteile aus verschiedenen Generationen sind.

Ein einzelner Chip mit der gleichen Fläche hätte gerade so noch Platz.
Ich habe früher auch gerne Gehäuse geöffnet, um zu sehen was da drin 
ist.
Da gab es durchaus so riesige Chips. Einer davon war der BDY57.
Welchen Grund gibt es, zwei Transistoren in einem Gehäuse parallel zu 
schalten?

Ich könnte mir vorstellen, dass es mehrere Gründe für zwei Dies gibt.
Ein Punkt ist die Ausbeute bei der Herstellung: Je größer die Fläche der 
einzelnen Chips desto höher der Ausschuss bei gleicher Fehlerverteilung 
auf einem Wafer.
Dazu kommt dann noch die Variabilität: Mit einem Die macht man den 
"kleinen Transistor", mit zwei Dies macht man den "großen Transistor". 
Mehr Teile, weniger Variationen => weniger Stückkosten

Zwei Dies passen doch auch besser in die runde Form des Gehäuses. 
Bestimmt wären sowieso doppelte Bondierungen notwendig gewesen, bei den 
Strömen.

Ein Nachtrag zum älteren BUX22:
https://www.richis-lab.de/Bipolar07.htm

Ich habe die Bücher gewälzt. Mir ist ja schon aufgefallen, dass die 
Metallage die Emitterfläche nur in einem auffällig dünnen Streifen 
kontaktiert. Dieser Aufbau hat einen Namen: "wide-emitter 
narrow-contact". Der dadurch leicht erhöhte Widerstand im Emitter sorgt 
dafür, dass sich der Stromfluss gleichmäßig über den Transistor 
verteilt. Wahrscheinlich ist das auch ein Grund warum man ohne Weiteres 
zwei Dies parallel schalten konnte.
Ich habe den Text entsprechend aktualisiert.

Dieter W. schrieb:
> Hier noch ein anderer Exot, 2N1671B Unijunction von TI, Datecode 6919.
> Da geb ich aber nur den auf dem Foto her, die Broker verlangen 80 bis
> 200$ für die Dinger.

Warum auch immer.
Den 2N2646 gibts sogar bei Reichelt für 1,99€

Richard K. schrieb:
> Zum Thema "Leuchten":
> Rekombinieren in einem Siliziumhalbleiter Ladungsträger, so kommt es
> erst mal zu keinem sichtbaren Leuchteffekt. Die Energieniveaus der
> Ladungsträger sind so niedrig, dass die abgestrahlte Wellenlänge im
> Infraroten liegt (SiC-Halbleiter leuchten übrigens im Normalbetrieb
> blau)

Doch, auch in Flussrichtung leuchten Si-Sperrschichten - wenngleich mit 
sehr miserablem Wirkungsgrad. Das ist, wie vieles in der Quantenwelt, 
eine Frage von Wahrscheinlichkeiten, die für ein Leuchten beim Übergang 
hier sehr gering sind. Natürlich kann man das emittierte IR-Licht auch 
nicht mit blossem Auge sehen, und Lichtdetektoren oder Kameras, die auf 
Si-Technologie beruhen, werden auch nicht darauf ansprechen.
Immerhin hat man dieses Restleuchten schon vor langer Zeit benutzt um 
die Funktion von oder Fehler in ICs zu analysieren.
Da die Strukturen moderner ICs aber viel kleiner als 1µm sind, hat sich 
dieses Thema aber wohl weitgehend erledigt.
Heute gibt es ja auf dem Surplus-Markt für kleines Geld APD der 1550nm 
Glasfasertechnik. Vielleicht bastelt trotzdem mal jemand einen Scanner 
damit?

Hp M. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Zum Thema "Leuchten":
>> Rekombinieren in einem Siliziumhalbleiter Ladungsträger, so kommt es
>> erst mal zu keinem sichtbaren Leuchteffekt. Die Energieniveaus der
>> Ladungsträger sind so niedrig, dass die abgestrahlte Wellenlänge im
>> Infraroten liegt (SiC-Halbleiter leuchten übrigens im Normalbetrieb
>> blau)
>
> Doch, auch in Flussrichtung leuchten Si-Sperrschichten - wenngleich mit
> sehr miserablem Wirkungsgrad. Das ist, wie vieles in der Quantenwelt,
> eine Frage von Wahrscheinlichkeiten, die für ein Leuchten beim Übergang
> hier sehr gering sind. Natürlich kann man das emittierte IR-Licht auch
> nicht mit blossem Auge sehen, und Lichtdetektoren oder Kameras, die auf
> Si-Technologie beruhen, werden auch nicht darauf ansprechen.
> Immerhin hat man dieses Restleuchten schon vor langer Zeit benutzt um
> die Funktion von oder Fehler in ICs zu analysieren.
> Da die Strukturen moderner ICs aber viel kleiner als 1µm sind, hat sich
> dieses Thema aber wohl weitgehend erledigt.
> Heute gibt es ja auf dem Surplus-Markt für kleines Geld APD der 1550nm
> Glasfasertechnik. Vielleicht bastelt trotzdem mal jemand einen Scanner
> damit?

Dann war meine Aussage
"Rekombinieren in einem Siliziumhalbleiter Ladungsträger, so kommt es 
erst mal zu keinem sichtbaren Leuchteffekt"
aber schon richtig. IR sehe ich nicht. :)

Mit IR-sensitivem Equipment kann man natürlich auch dieses Leuchten 
sichtbar machen.

Marek N. schrieb:
> Also eine Art Emitter-Gegenkopplung.

Genau!


Hp M. schrieb:
> Unijunction

Wenn mich gerade nicht alles täuscht liegt sowas schon in der Inbox. :)

Arno H. schrieb:
> äxl schrieb:
> ...
>> 2N5160 auch, (nein, nicht aus Stansdorf :) )
>
> Du weißt, dass das der PNP zum 2N3866 ist und deswegen häufig gesucht
> wird?
> R&S hat den oft verbaut. Der Erkenntnisüberschuss gegenüber anderen
> ähnlichen HF-Transistoren wäre mager, also besser in die Rubrik Markt
> damit (einen 2N3866 könnte ich ersatzweise spenden).
>
> Arno

Sicher weiss ich das. ich stelle hier aber nichts mehr ein.
Am Ende wird's eh wieder komplett zerrissen. Hab ich keine Lust drauf 
und auch nicht nötig.
Aussderdem gibts die Dinger günstig beim e b a y. Da kann ich mir gut 
vorstellen, was hier wieder abgeht, wenn ich auch nur "Pfümpf Euro" für 
einen haben wöllte...

Gruß, Äxl

N´Abend!

Heute habe ich die BUX22-Trilogie mit einem gefälschten BUX22 
komplettiert:

https://richis-lab.de/Bipolar09.htm

Dieser BUX22 kann mich den Originalen sicherlich nicht mithalten. 
Interessant ist aber seine MESA-Struktur.

"Wie beim 3DD15D wurde auch hier eine halbdurchsichtige, gelbliche Masse 
verwendet, um das Die auf dem Heatspreader und den Heatspreader auf der 
Grundplatte zu befestigen. Vermutlich handelt es sich um eine Art 
Wärmeleitkleber. Der Wärmeleitkleber vereinfacht die Montage im 
Vergleich zu einer Lötverbindung, die Wärmeleitfähigkeit ist allerdings 
schlechter."
Gold und darüber Silikonpampe evtl?
Gold bildet mit Silizium ein Eutektikum, das schon bei 370°C schmilzt 
und öfter zum Hartlöten der Dice verwendet wird.
https://en.wikipedia.org/wiki/Eutectic_bonding

Gold mit einer durchsichtigen Silikonschicht halte ich für 
unwahrscheinlich.
Sind Dies mit Gold gebondet, so ist das außerhalb des Dies noch zu 
sehen. Davon sehe ich hier aber nichts.
Beim vorletzten Bild ist diese Pampe besser zu sehen. Das scheint mir 
durchaus ein von sich aus leicht gelblicher Kleber zu sein.

Richard K. schrieb:
> Heute habe ich die BUX22-Trilogie mit einem gefälschten BUX22
> komplettiert:

Sehr geil Richard. Tolle Bilder und tolle Erkenntnisse, die wir hier 
durch dich gewinnen.

Richard K. schrieb:
> Beim vorletzten Bild ist diese Pampe besser zu sehen. Das scheint mir
> durchaus ein von sich aus leicht gelblicher Kleber zu sein.

Dann könnte es sich um ein Polyimid-Harz (Kapton) handeln, wie es wohl 
auch die Dice auf den linken Transistor im letzten Bild bedeckt. Dieser 
Kleister hält kurzzeitig auch 400°C aus. Ich habe ihn bisher aber nur 
bei manchen DRAMs im Keramikgehäuse gesehen, wo er als Schutz vor 
Entladung der Speicherkondensatoren durch die Alpha-Teilchen aus dem 
Gehäuse dient. Andere Hersteller verwenden an der Stelle glasklares 
Silikon.
K.A. ob die Materialwahl technische Gründe hat oder nur zur 
Patentumgehung dient.

Polyimid nutzt man auch bei Speicherbausteinen im Epoxid-Package.
Der verzicht auf eine Lotverbindung dürfte auf jeden Fall in der 
Fertigung günstiger sein.

Dank Manfred haben wir jetzt mal ein paar Bilder eines RCA 2N3055H:

https://richis-lab.de/2N3055_05.htm

Ich werde hier nicht alles noch einmal schreibe, lest selbst. :)

Die 2N3055-Seite habe ich allgemein überarbeitet:

https://richis-lab.de/2N3055.htm

Der RCA 2N3055 (ohne H) folgt demnächst, dann haben wir da auch endlich 
bessere Bilder. Die bisherigen Bilder des RCA 2N3055 sind halt doch 
schon "recht alt".

Manfred schrieb:
> Danke!

Gerne!

Manfred schrieb:
>> Der RCA 2N3055 (ohne H) folgt demnächst,
>> dann haben wir da auch endlich bessere Bilder.
>
> Einen RCA 2N3055 hast Du, ich sehe da am Die keinen Unterschied zu dem
> 2N3055H. Da könnte die Erklärung greifen, dass RCA den Prozess
> umgestellt hat und die H eigentlich die ursprüglich alten 3055 waren.
>
> https://de.wikipedia.org/wiki/2N3055#Entwicklungsgeschichte
>
> Ich kann nicht nachvollziehen, wann ich die 2N3055 eingesackt habe, in
> der Fertigung hatte ich etwa 1973..75 damit zu tun.

Wie gesagt, die Bilder des 2N3055(ohne H) sind relativ alt und daher 
nicht so gut. Der RCA 2N3055 passt daher sehr gut in die Reihe. Danke! 
:)
Die Oberflächen scheinen anders zu sein. Das wird die nächsten Tage noch 
besser zu sehen sein. Die Oberfläche des 2N3055 mit H scheint gröber 
strukturiert zu sein als die Oberfläche des 2N3055 ohne H. Das würde 
meines Erachtens zu den Herstellungsprozessen passen: Die Oberflächen 
der hometaxialen Transistoren entstehen durch mechanische Prozesse, die 
Oberflächen der epitaxialen Transistoren kristallisieren auf dem 
Kollektor und könnten so durchaus feinere Strukturen aufweisen.

Richard K. schrieb:
> Die 2N3055-Seite habe ich allgemein überarbeitet:

Irgend wie fehlt da noch ein Leichtgewicht von Motorola?!

Teo D. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Die 2N3055-Seite habe ich allgemein überarbeitet:
>
> Irgend wie fehlt da noch ein Leichtgewicht von Motorola?!

Kommt noch! Es ist noch viel zu tun... :)

Sehr richtig, die 24 Stunden schränken schon extrem ein. :)

Manfred schrieb:
> Ich bin mir sicher, dass der noch kommt.

Sicherheitshalber schick ich im einen... und noch 2-3 andre Teile. :)

Manfred schrieb:
> Die hat er schon, und noch drölf andere Halbleiter.

Wenn du das sagst.... Dann bekommt er halt nicht von mir und spar mir 
die 1,90!

Ich hab Richard auch schon meine Bauteil-Listen geschickt, mit dem 
Hinweis auf freie Auswahl ;-).

Was 3055er angeht, kann ich noch die Folgenden bieten :-)

Schönen Abend!

Lasst mich noch ein paar Teile abarbeiten, dann können wir den Stapel 
gerne wieder aufstocken. :)

Jetzt erst mal der RCA 2N3055 von Manfred:

https://richis-lab.de/2N3055_02.htm

Mit den neuen, besseren Bildern bin ich mir ziemlich sicher, dass man 
bei genug Vergrößerung hometaxial und epitaxial über die 
Oberflächenstruktur unterscheiden kann. Über die 
Basis-Emitter-Durchbruchspannung lässt sich das Fertigungsverfahren 
anscheinend nicht sicher bestimmen (15V vs. 19V).

Interessant... :)

Manfred schrieb:
> Hat jemand eine Idee zu dem 2N3055 rechts unten mit dem inversen S, wer
> der Hersteller war?

Ich mag irgendwie nicht glauben, dass die Jahrgang 69 sind. Die hätten 
ja damals sicher auch ein Vermögen gekostet!

Fabian H. schrieb:
> Ich hab Richard auch schon meine Bauteil-Listen geschickt, mit dem
> Hinweis auf freie Auswahl ;-).
>
> Was 3055er angeht, kann ich noch die Folgenden bieten :-)
>
> Schönen Abend!

Die finde ich aber nicht alle in den Bauteil-Listen, oder? :)
Ja ich muss den Vorrednern zustimmen, die Teile hätte ich schon gerne.
Also wenn dir etwas Wartezeit nichts ausmacht und auf die Gefahr, das 
ich später nochmal nach anderen Teilen frage:
Magst du mir einen der alten RCA links, einen ITT, einen mit dem S (Das 
dürfte Siliconix sein, siehe auch hier: 
https://www.richis-lab.de/IC_04.htm) und vielleicht noch den untersten 
Motorola (der sieht anders aus) zuschicken?
Würde mich freuen. :)

Manfred schrieb:
> Ich sehe dort ein Bild vom Innenleben, was mich erheblich an der
> Echtheit des Transistors zweifeln lässt:
> https://de.wikipedia.org/wiki/Datei:Power_transistor.jpg

Der hat immerhin noch einen Heatspreader, es gibt auch diese "kleinen 
2N3055" ohne Heatspreader. :)
https://www.richis-lab.de/2N3055_04.htm

> Die finde ich aber nicht alle in den Bauteil-Listen, oder? :)

Doch, die stehen drin. Hab ich eben nochmal nachgesehen. Nach Hersteller 
sind die Bauteile jedoch nicht sortiert. Solltest Du also Typen finden, 
die von Interesse sind und eine größere Stückzahl drinnen steht, schicke 
ich gerne vorab ein Foto wie oben.

Ich hab Zeit, meld dich einfach, wenn Du wieder welche hast ;-)

Richard K. schrieb:
> Magst du mir einen der alten RCA links, einen ITT, einen mit dem S (Das
> dürfte Siliconix sein, siehe auch hier:
> https://www.richis-lab.de/IC_04.htm) und vielleicht noch den untersten
> Motorola (der sieht anders aus) zuschicken?
> Würde mich freuen. :)

Bist du sicher das es ein Doppel-MOSFET ist? Nicht ein PNP- oder 
JFET-Paar?
https://electronix.ru/forum/index.php?app=forums&module=forums&controller=topic&id=152186

Abdul K. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Magst du mir einen der alten RCA links, einen ITT, einen mit dem S (Das
>> dürfte Siliconix sein, siehe auch hier:
>> https://www.richis-lab.de/IC_04.htm) und vielleicht noch den untersten
>> Motorola (der sieht anders aus) zuschicken?
>> Würde mich freuen. :)
>
> Bist du sicher das es ein Doppel-MOSFET ist? Nicht ein PNP- oder
> JFET-Paar?
> 
https://electronix.ru/forum/index.php?app=forums&module=forums&controller=topic&id=152186

Ja, bin ich. :)

Ich kenne den Foren-Beitrag. Und siehe da, der Übersetzer liefert:

"... Ich habe es herausgefunden ... Der Ladungsverstärker hat 
funktioniert ...
Ich habe die Dokumentation nicht gefunden, ABER:
[…]
MD5034 von der Eingangsstufe des Ladungsverstärkers - Zusammenbau von 
zwei angepassten P-Kanal-MOS-Transistoren mit einem induzierten Kanal 
und einer kombinierten Quelle."

Ich finde das Logo für Siliconix nur seltsam. Vielleicht doch z.B. 
Signetics? Siliconix hatte früher ein verschachteltes Doppel-S.

Abdul K. schrieb:
> Ich finde das Logo für Siliconix nur seltsam. Vielleicht doch z.B.
> Signetics? Siliconix hatte früher ein verschachteltes Doppel-S.

Wie man an dem Screenshot sieht war auch meine erste Interpretation 
Signetics, der russische Kollege hatte aber meines Erachtens Recht:
"Dies ist definitiv keine Signetik, sie haben den Buchstaben "S" 
quadratischer."

Kannst ja in einer amerikanischen Markennamen-Datenbank nach den Logos 
suchen gehen. Lohnt doch nicht.

Besser 2SC1971 und dann davon einen finden, der echt ist. Oder die 
berühmten Reichelt 7805.

Ich hatte Siliconix angezweifelt. Bitte lese richtig und zitiere dann 
auch richtig.

Hm... Ich meinte noch einen Hinweis auf Siliconix gehabt zu haben, finde 
den aber nicht mehr. Nachdem ich nicht (mehr) nachweisen kann, dass 
Siliconix das Teil hergestellt hat, habe ich den Text etwas relativiert.
=> Hinweise auf einen möglichen Hersteller sind willkommen!

Ein ähnliches "S" gab es auch von Solitron, die haben aber m.W. nur 
Transistoren gefertigt.

Guter Tipp!
Siehe auch hier:
https://www.radio741.com/en/sdf460je-n-channel-mosfet-sdf460jecehsn-solitron/14901-sdf460je-n-channel-mosfet-sdf460jecehsn-solitron.html

Heute ein FET, ein V-MOSFET: BD522

https://richis-lab.de/FET01.htm

Spender war Roland.

Heute etwas moderneres, ein TIP3055 von ST:

https://richis-lab.de/Bipolar10.htm

Ich hätte ja auch noch den TIP3055 von Manfred, da ist mir aber der 
erste von den zweien abgetreten. Dieses ältere Mold-Material ist wie 
Teer im Ofen. Schmilzt, wirft lustige Blasen aber verbrennt nur sehr 
langsam. Nachdem ich mechanisch nachgeholfen habe, war das Die dann 
ziemlich tot. Beim zweiten dieser älteren TIP3055 werde ich mal eine 
längere Backzeit probieren. Irgendwann scheint das Material nämlich 
durchaus zu veraschen, es braucht aber enorm Zeit.

Der obige TIP3055 ist ein sehr neuer Vertreter und stammt direkt von 
Mouser, dürfte also ein Originalteil sein.

Das Die blieb nicht perfekt erhalten. Da ist es dann immer von Vorteil, 
wenn man einen zweiten Kandidaten hat. Hatte ich hier leider nicht...

Habe gerade eine lustige Assoziation zu den Bahnen auf den Transistoren.
Wenn man die Gänge der Pyramiden so sieht, da sind auch solche 
Strukturen.
Vielleicht waren das ja riesige Transistoren?
(Bitte nicht all zu ernst nehmen)

So, heute habe ich nochmal einen neueren Transistor für euch, nämlich 
den Komplementärtyp zum TIP3055, den TIP2955:

https://richis-lab.de/Bipolar11.htm

Sehr ähnlich zum TIP3055 das Teil. Jetzt wäre es noch interessant warum 
die perforated emitter Struktur minimal unterschiedlich ist. Da müsste 
man wahrscheinlich die Details der Fertigungsprozesse kennen.

Manfred schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> den TIP2955
>
> Und jetzt bitte den Kollegen von Texas zum Vergleich daneben.

Wenn ich das nächste Mal den Ofen anheize habe ich hoffentlich mehr 
Glück mit diesen "Teer-Packages".
I´ll do my very best...

Hier noch ein TIP2955 von OnSemi (ebenfalls von Mouser):

https://richis-lab.de/Bipolar11.htm

Es handelt sich um eine klassische Struktur. Das Die ist größer als das 
Die des TIP2955 von ST. Das würde dazu passen, dass der perforated 
Emitter allgemein als leistungsfähiger angenommen wird.
Außerdem besitzt der OnSemi TIP2955 eine MESA-Struktur.


Kleine Info am Rande, falls sich mal jemand wundert in welcher 
Reihenfolge die Teile kommen.
Grundsätzlich versuche ich first-in-first-out zu bieten. Es gibt aber 
einige Punkte, die das oftmals durcheinander würfeln:
Ich arbeite mittlerweile Blockweise.
Ist der Ofen an, dann gehen da gleich eine Hand voll Bauteile durch. 
Muss ein Bauteil noch ein zweites Mal in den Ofen, so muss es auf den 
nächsten Slot warten.
Wenn ich Fotos mache, dann sind es gleich mal 10GB. Stelle ich beim 
Aufarbeiten fest, dass mir noch etwas fehlt, dann kommt das erst beim 
nächsten Foto-Slot.
Es ist immernoch ein Hobby. Fällt mir etwas vor die Füße, wo ich 
unbedingt reinschauen will, dann wird das auch mal vorgezogen.
Große Lieferungen werden aufgeteilt, ansonsten würde ein 100-Teile-Block 
dazu führen, dass ein halbes Jahr kein anderer mehr dran kommt.
Hab ich gerade nur Zeit für eine kleine Doku ist ein Transistor 
natürlich eher geeignet als ein komplexer DAC.
Nur damit ihr wisst was sich so im Hintergrund abspielt. :)

Nach dem Reparaturbericht gestern 
(https://www.richis-lab.de/beka-max.htm) konnte man es sich fast denken, 
dass ich einen Blick in einen solchen SMART-MOSFET geworfen habe. :)

Somit habe ich heute einen VN02H für euch:
https://richis-lab.de/FET02.htm

Wie üblich meiner Meinung nach recht interessant, aber lest selbst...

Hey, wieder sehr schöne Bilder, auch von der Kernschmelze. Schön, daß Du 
Dir bei dem ebenfalls die Mühe für ein gutes Foto gemacht hast.

Ich würde aber sagen, daß die Bonddrähte nicht generell als Sicherung 
fungieren, sondern bei satten Kurzschlüssen nach der Zerstörung des 
Halbleiters einfach das schwächste Glied sind, was dann die meiste Hitze 
abbekommt.

Bei Leistungstransistoren mit beispielsweise TO220- oder TO247-Gehäuse 
sieht man es auch recht häufig, daß bei massivem Überstrom das Gehäuse 
zwischen Pin 2 und 3 großzügig zerstört wird, weil dort der Bonddraht 
des Lastkreises liegt. Kommt gerne bei Audio-Endstufen vor wenn der 
Stromverstärker stirbt, dann brennt der 50Hz-Ringkerntrafo des Netzteils 
so richtig schön die Scheiße da raus. Oder bei Netzteilen von 
KFZ-Endstufen, wenn der Bastelprofi beschlossen hat, es geht auch ohne 
Sicherung. Um den Gegenbeweis kümmert sich dann die Autobatterie, 
mitunter werden sogar Kerben in den Alu-Kühlkörper gebrannt... oder die 
Platine verbrennt in dem Bereich der FETs richtig, so daß manchmal gar 
keine Reparatur mehr möglich ist weil alles zerbröselt.

Gerade ausgefallene Teile finde ich sehr interessant. Leider sind 
Schäden oft nicht sichtbar oder gleich so massiv, dass nichts mehr übrig 
bleibt.

Bonddrähte fungieren nicht grundsätzlich als Sicherung, da hast du schon 
recht. Das wollte ich damit auch nicht sagen. Wie du schon schreibst 
sind sie eben meist das schwächste Glied.

Kerben im Kühlkörper von Auto-Endstufen habe ich noch nicht gesehen, 
aber kann ich mir gut vorstellen! :)

Wird nicht mehr lange dauern, da findest du einen Bonddraht als 
Induktivität eines Schwingkreises. Das gibts auch.

Schöne Bilder, dachte erst, jetzt zeigt er einen Fake High-Side Treiber, 
aber er war wohl echt.

Abdul K. schrieb:
> Wird nicht mehr lange dauern, da findest du einen Bonddraht als
> Induktivität eines Schwingkreises. Das gibts auch.

Das hab ich noch nicht gehört. Na mal sehen...

> Schöne Bilder, dachte erst, jetzt zeigt er einen Fake High-Side Treiber,
> aber er war wohl echt.

Danke!

z.B. https://ieeexplore.ieee.org/document/267214

Kann ich machen. :)

Soweit ich weiß kommt das vom ewigen Sparen. Teststrukturen und 
Beschriftungen hat man mittlerweile großteils in den Bereich geschoben, 
in dem später gesägt wird. So kann man weiterhin alles testen und 
dokumentieren muss aber dafür keine kostbare Siliziumfläche spendieren.

So, endlich hat ein Kollege den Dremel zurückgegeben.
Ein OC24 und 2 Stück 2N3055 hatten dann "Kirmes", einer von ST und ein 
RCA.
Der OC ging erst bei 80 Volt Ube reverse "durch" und sieht doch sehr 
"basic" aus.
Das Leuchten der 2 Stück 3055 war dann aber einfach nur gut! Das Ganze 
bei etwa 13 Volt.
Echt beeindruckend!

Schön!
Das bestätigt noch einmal, dass es Transistoren mit "unnatürlich" hoher 
Basis-Emitter-Durchbruchspannung gibt.

Die alten Ge-Transistoren hatten meines Wissens ziemlich hohe zulässige 
UEB im 20V-Bereich.

Arno

So, heute einen BD911:

https://richis-lab.de/Bipolar12.htm

Die Spezifikationen des BD911 sind dem TIP3055 sehr ähnlich. Die 
Sperrspannung ist etwas höher und die Verstärkung ist im Mittel auch 
etwas höher. Es zeigt sich allerdings, dass das Die etwas kleiner ist 
als das des TIP3055.
Die grundsätzliche Architektur ist ähnlich, beide besitzen einen 
perforated Emitter. Die Metalllage ist engmaschiger. Anscheinend wurde 
die innere Struktur optimiert. Vermutlich trägt die engmaschigere 
Kontaktierung einen Teil zu den besseren Spezifikationen bei.

Udo K. schrieb:
> Ein Vorschlag für neuere Technik:
>
> Der UF3C120040K4S ist ein 1200Volt (65A, 0.05 Ohm) Silicum-Carbide JFET,
> bei dem ein SiC Mosfet mit einem SiC JFET eine Kaskode bilden:
>
> 
https://www.digikey.com/product-detail/en/unitedsic/UF3C120040K4S/2312-UF3C120040K4S-ND/12083419
>
> Wäre sicher interessant, was sich die letzen Jahre  getan hat.


SiC hatte ich schon im Auge, sind halt noch hübsch teuer.
Ich hätte wahrscheinlich gleich einen SiC-MOSFET eingeplant (noch 
teurer), aber die "alte" Variante als JFET mit steuernden MOSFET ist 
vielleicht sogar interessanter.

Hat der LM723 nun diese Buried Zener oder doch nicht? Oder nur manche 
nicht? Habs versucht auf deiner Seite zu finden, aber ich bin wohl zu 
doof.

Wenn du nichts findest ist auch keine da. :)

Spaß beiseite:
Ich habe die LM723 nicht bis ins letzte Detail analysiert, aber ich habe 
bisher keine Struktur gefunden, die zu einer buried zener gepasst hätte. 
...und ich habe mittlerweile schon so manche buried zener gesehen. :)
Der etwas bessere LM723J (https://www.richis-lab.de/LM723_02.htm) 
arbeitet mit einer Bandgap-Referenz. Davon habe ich noch besser Bilder 
gemacht, die ich demnächst mal hochladen werde. Man kann die Struktur 
aber auch so finden: Mittig (oberhalb der zwei runden Transistoren) 
befinden sich nebeneinander zwei Transistoren, der linke besteht aus 
einem Emitter und der rechte besteht aus zehn Emittern. Der klassische 
Bandgap-Referenz-Aufbau, in diesem Fall mit einem Faktor 1:10.

Manfred schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Wenn ich das nächste Mal den Ofen anheize
>> habe ich hoffentlich mehr Glück mit diesen "Teer-Packages".
>
> Bitte nicht alle drei verheizen ...


Das Gehäusematerial dieser alten TIP3055/2955 ist weiterhin äußerst 
hartnäckig, aber ich habe es geschafft ein paar brauchbare Bilder zu 
machen (erst mal der TIP3055):

https://www.richis-lab.de/Bipolar10.htm

Er enthält ein einfaches Design, das aber nicht direkt altbacken ist. Im 
TIP2955 von OnSemi sieht es ähnlich aus.

Richard K. schrieb:
> Wenn du nichts findest ist auch keine da. :)
>

Danke danke :-))


> Spaß beiseite:
> Ich habe die LM723 nicht bis ins letzte Detail analysiert, aber ich habe
> bisher keine Struktur gefunden, die zu einer buried zener gepasst hätte.

Also doch nur ein Gerücht von wegen Grund des niedrigen Rauschens, hm.

Ganz sicher ausschließen kann ich es nicht, dass manche LM723 eine 
buried zener besitzen. Schließlich versteckt sich eine buried zener per 
definition unter der Oberfläche.
Aber wie gesagt habe ich schon so manche buried zener Struktur gesehen 
und in den LM723 findet sich in meinen Augen nichts derartiges.
Dazu kommt, dass es Applications Notes gibt, bei denen der Einsatz einer 
buried-zener-Referenz in Kombination mit einem LM723 vorgeschlagen wird.
Mit dem Hintergrund, dass der bessere LM723J eine Bandgap-Referenz 
besitzt, fände ich es auch nur logisch, dass die einfacheren LM723 nicht 
mit einer buried zener sondern eher mit einer einfachen Zenerdiode 
arbeiten.

Ich stimme Manfred zu (ohne es beweisen zu können): Die Bezeichnung 
lässt vermuten, dass TI als erstes den TIP3055 produziert hat.
Da ist die Formulierung auf meiner Seite vielleicht etwas irreführend. 
Das ändere ich noch...

Hallo Richard und Interessenten,

inspiriert von deinen Bildern habe ich das mit dem leuchtenden 
pn-Übergang ebenfalls testen wollen. Zur Verfügung stand ein BU208. Da 
ich bei dir noch keine Bilder von dem gefunden habe, erlaube ich mir, 
die hier beizutragen.

Das öffnen mit der Säge ging ausreichend gut. Dabei habe ich die 
Bonddrähte verbogen. Egal. Auf dem Die war so eine weiße Paste drauf, 
wie Kaugummi. Nicht einfach abzubekommen. Dabei habe ich die Oberfläche 
ordentlich zerkratzt. Funktioniert aber noch.

Interessant ist bei dem Transistor, dass eine Ecke nicht richtig 
metallisiert ist. Es scheint, als wäre das ein Die vom Waferrand. Dort 
kenne ich es, dass einige Schichten, untere anderem Metallisierungen, 
einige Milimeter Abstand vom Waferrand haben. Und genauso sieht das hier 
aus. Das erstaunlich ist, dass dadurch einige Bereiche vom Transistor 
nicht richtig angeschlossen und somit kauf aktiv sind. Das der 
Transistor immer noch als "in Specification" verkauft wurde, ist 
beachtlich.

Wir hatte noch einen Test gemacht, ob die Farbe des Leuchtens vom Strom 
abhängt. Durch angepasste Belichtung und gleichem Weißabgleich lässt 
sich das ganz gut vergleichen. Wir konnten mit dem bloßen Auge aber 
keine Abhängigkeit feststellen. Nur eine Veränderung der Helligkeit.

VG

Und falls es interessiert, zeige ich meinen Aufbau mit Objektiv in 
Retrostellung und Balken. Ist vieles zusammengebastelt. Vor allem 
bräuchte ich mal ein paar dritte Hände, um DUT und Beleuchtung 
ordentlich aufzubauen. Aber die Bücher haben den Vorteil, dass man die 
Höhe ganz gut einstellen kann. Die Feineinstellung geht mit ein paar 
Blatt Papier. :-)

Durch den Balken ist das Objektiv fast genau auf der Naheinstellgrenze 
vom Objektiv. Die Abbildungsleistung ist sehr gut. (Hatte ich in einem 
anderen Thread schonmal gezeigt.) Das Bild von der Transistorecke ist 
mit der geringsten Vergrößerung bei 85 mm aufgenommen. Bei 16 mm ist die 
Vergrößerung enorm.

Die genzen Adapter zu bekommen, war nicht trivial. Da sind ein paar 
ungewöhnliche Sachen dabei. Aber die Platte mit der Mikrometerschraube 
ist richtig gut für den Fokus. Wer hat, kann dafür bestimmt auch gut 
einen Makroschlitten nehmen. Die ganzen Halterungen unten dran haben gut 
Gewicht, wodurch die Kamera relativ stabil steht.

Ärgerlich ist, dass man bei Nikon-Objektiven immer den Blendenhebel auf 
Offenblende festhalten muss. Aber immerhin gibt es noch einen, und die 
Blende ist nicht elektronisch angesteuert.

Die anderen Bilder, die den Die im Gesamten zeigen, habe ich mit einem 
60 mm Makroobjektiv bei ca. 1:1 Abbildungsmaßstab aufgenommen, ohne die 
Retrokonstruktion.

Na das sieht doch ganz gut aus!
Ich habe mittlerweile einen einstellbaren "Probenhalter", der neben x 
und y auch tilt und shift zulässt. Das ist schon nicht schlecht. Ein 
geeigneter Makroschlitten hätte aber den Vorteil, dass man besser 
Focus-Stacking betreiben kann. Da kann ich aktuell nur den Focusbereich 
des Objektivs ausnutzen.

Zum BU208:
Ich habe den Eindruck, dass vor allem China-Transistoren und Fälschungen 
diese weiße Schicht besitzen. Das würde auch dazu passen, dass darin ein 
Die vom Wafer-Rand eingesetzt wurde.
Die Farbänderung des Leuchtens beim Lawinendurchbruch habe ich bisher 
nur bei kleinen Transistoren gesehen. Ich vermute, dass dort die 
Stromdichten und damit die lokalen Temperaturen sehr viel höher sind und 
sich das auf die Wellenlänge auswirkt. Aber das ist nur eine 
Spekulation.

gustav schrieb:
> Balgen nicht Balken.
> https://de.wikipedia.org/wiki/Balgenger%C3%A4t

Hihihi, das hab ich mir auch grad gedacht :D