Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Transistoren - Die-Bilder


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von Johannes S. (Gast)


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Richard K. schrieb:
> DTC114, ein Digitaltransistor:

Wahnsinn, so ein kleines Fummelteil so gut abzulichten, super!

von Richard K. (richi123)


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Johannes S. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> DTC114, ein Digitaltransistor:
>
> Wahnsinn, so ein kleines Fummelteil so gut abzulichten, super!

Die passende Ausrichtung kostet aber auch immer ein paar Nerven. :)

von Richard K. (richi123)


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Richard K. schrieb:
> Tesla KD605:
>
> https://www.richis-lab.de/Bipolar46.htm

Diese Analyse musste ich noch ein Stück weit korrigieren: Das Die des 
KD605 ist nicht gleich groß wie das Die des KD601: 4,5mm Kantenlänge vs. 
5,5mm Kantenlänge
Der Flächenunterschied erklärt aber nicht vollständig die fast doppelt 
so große Stromtragfähigkeit und Verlustleistung des KD601. Einen Beitrag 
könnte das massivere Gehäuse des KD601 liefern. Vielleicht erfolgte auch 
eine gewisse Sortierung der Dies.

: Bearbeitet durch User
von Andreas S. (Gast)


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Kannst Du auch was zu Deiner technischen Ausrüstung sagen (Bilder dazu) 
?
Mich würde speziell interessieren mit welcher Kamera und Technik soche 
Aufnahmen entstehen.
Ich denke, Du wirst auch eine gute Mikroskopkamera haben.
Aber wie gelingen solche super scharfen Aufnahmen aus unterschiedlichen
Blickwinkel ?
Als Hobbyfotograf ist das auch in dieser Hinsicht ein interessantes
Thema für mich (alles musst Du ja nicht verraten).

viele Grüße Andreas

von Elias K. (elik)


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Andreas S. schrieb:
> Kannst Du auch was zu Deiner technischen Ausrüstung sagen (Bilder dazu)
> ?

Richard hat dazu was auf seiner Homepage geschrieben: 
https://www.richis-lab.de/Howto.htm

von Richard K. (richi123)


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Hallo Andreas,

das ist alles hier dokumentiert:
https://www.richis-lab.de/Howto.htm
Die Doku ist schon etwas älter und müsste mal überarbeitet werden, im 
Grunde arbeite ich aber immer noch so.

Ich komme tatsächlich immer noch mit einer normalen DSLR und dem 
10-22mm-Objektiv zurecht. Der Rest ist Erfahrung und Fleiß.
Viele Erkenntnisse kommen nur mit Trial and Error. So ist z.B. das 
knackscharfe 24-70 2.8L für den Retro-Betrieb schlechter geeignet als 
das 18-135mm-Kit-Objektiv.
Eine weit offene Blende erhöht physikalisch gesehen das 
Auflösungsvermögen des Systems. Das heißt aber nicht, dass das Objektiv 
X mit einer 2,0er-Blende tatsächlich insgesamt besser ist als das 
Objektiv Y mit einer 3,5er-Blende.
Ich habe mittlerweile auch das Canon 5x Lupenobjektiv. Das macht super 
Bilder wenn es um nicht zu kleine Strukturen geht, bei den Details ist 
es aber schlechter, auch wenn man Distanzringe nutzt.

Dazu kommt dann Focus-Stacking, Image-Stacking, HDR-Nachbearbeitung.

Viele Grüße,

Richard

von Richard K. (richi123)


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Hier kommt der VN820, ein Highside-Smart-MOSFET der M0-3 Generation:

https://www.richis-lab.de/FET13.htm

Der VN02H https://www.richis-lab.de/FET02.htm basierte noch auf der M0-1 
Generation.

von Soul E. (Gast)


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Willst Du auch noch M0-5 und M0-7 haben?

von Richard K. (richi123)


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Soul E. schrieb:
> Willst Du auch noch M0-5 und M0-7 haben?

Das wäre eine schöne Ergänzung. Es wird wie immer zur Zeit etwas dauern 
bis die Teile online sind, ich würde mich aber sehr freuen die beiden 
schon mal in der Warteschlange zu haben.

von Richard K. (richi123)


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Hier hätten wir den VN88, einen älteren Leistungs-MOSFET von Horst O. 
(obelix2007):

https://www.richis-lab.de/FET14.htm

von Pille (Gast)


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Richard K. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Tesla KD605:
>>
>> https://www.richis-lab.de/Bipolar46.htm
>
> Diese Analyse musste ich noch ein Stück weit korrigieren: Das Die des
> KD605 ist nicht gleich groß wie das Die des KD601: 4,5mm Kantenlänge vs.
> 5,5mm Kantenlänge
> Der Flächenunterschied erklärt aber nicht vollständig die fast doppelt
> so große Stromtragfähigkeit und Verlustleistung des KD601. Einen Beitrag
> könnte das massivere Gehäuse des KD601 liefern. Vielleicht erfolgte auch
> eine gewisse Sortierung der Dies.

Offenbar haust Du hier den KD501 mit dem KD601 durcheinander.

Pille

von Richard K. (richi123)


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Pille schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Richard K. schrieb:
>>> Tesla KD605:
>>>
>>> https://www.richis-lab.de/Bipolar46.htm
>>
>> Diese Analyse musste ich noch ein Stück weit korrigieren: Das Die des
>> KD605 ist nicht gleich groß wie das Die des KD601: 4,5mm Kantenlänge vs.
>> 5,5mm Kantenlänge
>> Der Flächenunterschied erklärt aber nicht vollständig die fast doppelt
>> so große Stromtragfähigkeit und Verlustleistung des KD601. Einen Beitrag
>> könnte das massivere Gehäuse des KD601 liefern. Vielleicht erfolgte auch
>> eine gewisse Sortierung der Dies.
>
> Offenbar haust Du hier den KD501 mit dem KD601 durcheinander.
>
> Pille

Danke für den Hinweis. Du hast natürlich recht, der KD605 hat eine 
Kantenlänge von 4,5mm und der KD501 hat eine Kantenlänge von 5,5mm.
Ich finde die Nomenklatur ist aber auch nicht gerade selbsterklärend...

von Richard K. (richi123)


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Mit Grüßen aus Moskau haben wir hier den П217Б (P217B) 
Germanium-Leistungstransistor:

https://www.richis-lab.de/Bipolar47.htm

von Dieter W. (dds5)


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Ziemlich am Ende des Artikels steht npn, das stimmt wohl nicht ganz.

von Richard K. (richi123)


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Danke für den Hinweis! Das findet die Rechtschreibkorrektur natürlich 
nicht. :)

von Richard K. (richi123)


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Ferranti ZTX312:

https://www.richis-lab.de/Bipolar49.htm

Der Unterschied zum ZTX108C ist schon sehr interessant.

Das Teil kam von Manfred.

von Manfred (Gast)


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> Ferranti ZTX312

Dieser Transistor ist mit nur 12 Volt Collector-Emitter Sperrspannung 
für Bastelanwendungen kaum einsetzbar. Ungewöhnlich finde ich 
allerdings, dass als Collector-Basis Sperrspannung 30 Volt benannt 
werden.

Bei diversen BC_irgendwas wird die Collector-Basis Sperrspannung 
garnicht angegeben oder, wenn doch, ist sie nur geringfügig höher als 
U(CE).

Hat jemand hier diese ZTX31x eingesetzt und eine Erklärung, für welche 
Einsatzfälle das Sinn macht?

von Richard K. (richi123)


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Ich vermute, dass sich der Unterschied zwischen Uce und Ucb schlicht 
durch die gewünschten Spezifikationen ergab.

Wenn man die Spannungen auf sich wirken lässt, muss es wohl so sein, 
dass der Emitter und vielleicht auch die Basis übermäßig stark dotiert 
sind.
Das würde erklären, warum die CB-Sperrschicht zwar einigermaßen 
spannungsfest ist (niedrige Kollektor-Dotierung), die CE-Strecke, 
genauer die BE-Sperrschicht, dagegen sehr viel weniger spannungsfest 
ist.
Eine hohe Dotierung des Emitters (und vielleicht auch der Basis) war 
wohl notwendig, um die schnellen Schaltzeiten zu ermöglichen.

Soweit meine Interpretation der Dinge, ohne Gewähr.

von Richard K. (richi123)


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Richard K. schrieb:
> ...

Irgendwie ist meine Erklärung nicht wirklich stimmig. Der Emitter ist in 
jedem Transistor stark dotiert und daher ist die Spannungsfestigkeit der 
Basis-Emitter-Strecke immer niedrig. Das hat aber wenig mit der 
Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit zu tun. Vor allem hat es wenig mit 
dem extremen Verhältnis von Ucb und Uce zu tun.
Hier muss es wohl eher um Leckströme gehen.
Vielleicht kann ja noch jemand etwas Licht ins Dunkel bringen.


Hier haben wir erst mal den KT808, einen verhältnismäßig bekannten 
Leistungstransistor aus Russland:

https://www.richis-lab.de/Bipolar48.htm

von Richard K. (richi123)


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Richard K. schrieb:
> Hier haben wir erst mal den KT808, einen verhältnismäßig bekannten
> Leistungstransistor aus Russland:
>
> https://www.richis-lab.de/Bipolar48.htm

Kleine Korrektur: Iskra war eine jugoslawisches Firma, nicht eine 
russische.

von Richard K. (richi123)


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Richard K. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Hier haben wir erst mal den KT808, einen verhältnismäßig bekannten
>> Leistungstransistor aus Russland:
>>
>> https://www.richis-lab.de/Bipolar48.htm
>
> Kleine Korrektur: Iskra war eine jugoslawisches Firma, nicht eine
> russische.

Und ich muss mich nochmal korrigieren:
Der KT808 wurde unter anderem von Iskra und von Elektropribor gefertigt, 
das beides russische Firmen. Iskra gab es auch in Jugoslawien und die 
Firma existiert heute noch, der KT808 kommt aber von Iskra aus 
Uljanowsk.

Russland hatte/hat so viele Halbleiterhersteller, von denen ich noch nie 
gehört habe... :)

von Richard K. (richi123)


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Heute hätten wir einen BUX42 von STMicroelectronics:

https://www.richis-lab.de/Bipolar50.htm

Der BUX42 kam von Stephan D. (50plus).

von Richard K. (richi123)


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Hier haben wir den Motorola ENI-1B:

https://www.richis-lab.de/Bipolar51.htm

Das scheint ein kundenspezifischer, zumindest ein speziell beschrifteter 
Transistor zu sein.

von Richard K. (richi123)


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Ich habe zu den BC550/BC560 von Philips noch die entsprechenden 
Varianten von CDIL (Continental Device India Ltd.) ergänzt:

https://www.richis-lab.de/Bipolar39.htm
https://www.richis-lab.de/Bipolar52.htm

von Richard K. (richi123)


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Hier hätten wir den ersten Flächentransistor der DDR, den OC811:

https://www.richis-lab.de/Bipolar53.htm

von Marek N. (Gast)


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Cooles Teil!
Wie heißt das Package? Würde man das auch als HC (hermetic can?) wie bei 
Quarzen bezeichnen?

von Richard K. (richi123)


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Puh, keine Ahnung... Hatten diese ganz alten Packages schon 
standardisierte Namen? Ich weiß es nicht...

: Bearbeitet durch User
von Richard K. (richi123)


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Heute wieder mal aus der Kategorie Kleinsignaltransistor, der BC546:

https://www.richis-lab.de/Bipolar54.htm

Es sollten ON Semiconductor Transistoren sein. Hier ist die Quelle aber 
weniger sicher.
Ob es nun wirklich ON Semiconductor Transistoren sind lässt sich schwer 
sagen. Die kleinen Packages und Dies geben nur wenig Anhaltspunkte das 
zu bewerten.
Mich hat es etwas irritiert, dass der Zinnüberzug der Beinchen nicht bis 
zum Package geht und so ein kleiner Bereich des Kupfers blank bleibt. 
Ich kann aber nicht sagen, ob das normal ist.

von Richard K. (richi123)


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Und zum BC546 kommt hier noch der Komplementärtyp BC556:

https://www.richis-lab.de/Bipolar55.htm

von Richard K. (richi123)


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Ich habe die Erkenntnisse zum BUX42 aus meinen Experimenten mit 
Salzsäure zusätzlich in die BUX42-Analyse eingefügt. Da gehören sie sich 
ja eigentlich hin:
https://www.richis-lab.de/Bipolar50.htm

Und dann habe ich mir noch einmal den gefälschten BUX66 genauer 
angesehen. Ohne Metalllage ist die (aus meiner Sicht) ungewöhnliche 
Strukturen auf dem Basisbereich noch besser zu erkennen:
https://www.richis-lab.de/Bipolar42.htm

von Richard K. (richi123)


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Von Carsten S. (dg3ycs) hatte ich noch einen RCA 2N3375, das 
leistungsfähigere Modell neben dem 2N3553:

https://www.richis-lab.de/Bipolar56.htm

von Heute V. (Gast)


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Richard K. schrieb:
> Von Carsten S. (dg3ycs) hatte ich noch einen RCA 2N3375, das
> leistungsfähigere Modell neben dem 2N3553:
>
> https://www.richis-lab.de/Bipolar56.htm

Deine Vermutung ist richtig, ich habe in der Afu Literatur mal gelesen 
das der 2N3632 2 Dies des 2N3375 enthält.

Gruß,
Pille

von Richard K. (richi123)


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Heute V. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Von Carsten S. (dg3ycs) hatte ich noch einen RCA 2N3375, das
>> leistungsfähigere Modell neben dem 2N3553:
>>
>> https://www.richis-lab.de/Bipolar56.htm
>
> Deine Vermutung ist richtig, ich habe in der Afu Literatur mal gelesen
> das der 2N3632 2 Dies des 2N3375 enthält.
>
> Gruß,
> Pille

Sehr schön, danke für den Hinweis!

Grüße,

Richard

von Richard K. (richi123)


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Hier haben wir einen Motorola MJ802, der einen massiven Schaden davon 
getragen hat:

https://www.richis-lab.de/Bipolar57.htm

von Richard K. (richi123)


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Hier hätten wir mal wieder einen Germanium-Leistungstransistor, einen 
2N257 von Clevite:

https://www.richis-lab.de/Bipolar58.htm

von Richard K. (richi123)


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Von Marek N. hatte ich auch einen STP3NB100FP bekommen, einen weiteren 
Leistungs-MOSFET:

https://www.richis-lab.de/FET15.htm

von Marek N. (Gast)


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Guten Morgen,

vielen lieben Dank!

Die Gate-Strukturen könnten sein:
a) Z-Diode zur Spannungsbegrenzung
b) zusätzliche Gatekapazität

Ich habe vor kurzem für ein berufliches Projekt diverse 
Hochspannungs-MOSFETs ausgemessen bzgl. Gate-Leckstrom und Gate-Ladung 
und konnte feststellen, dass es signifikante Unterschiede gibt über 
mehrere Größenordnungen.
Auch die selben Typen des selben Herstellers schwanken so stark zwischen 
den Chargen, dass sie unbrauchbar sein können für unsere Anwendung (auch 
wenn sie natürlich noch ihre Datenblatt-Spezifikation einhalten).

Typen mit hohem Gate-Leckstrom haben auch eine kürzere Haltezeit des 
Kanals und umgekehrt.
Dabei variierten die Gate-Leckströme von ca. 1 µA bis 10 nA (@ 20 V_GS) 
bei verschiedenen Typen und die Haltezeiten des Kanals von 15 Sekunden 
bis über 300 Sekunden*) **).
Dabei hatten hier die Typen mit einem hohen Leckstrom die küzere 
Haltezeit, aber auch den absolut niedrigeren R_DSon -- vermutlich weil 
mehr Transistor-Zellen parallel geschaltet werden.
Außerdem ist der Leckstrom stark nichtlinear: Bei 10 V_GS ist er nur 
noch ein Bruchteil dessen, wie bei 20 V.

Beste Grüße, Marek

*) Gemessen wurde bei einem konstanten Drainstrom I_D = 1 mA die 
Haltezeit bis zur Verdopplung des Kanalwiderstands.
**) In der Testschaltung. Ich hatte auch schon Typen, die wenn man sie 
"nackt" liegen lassen hat, sie selbst am nächsten Tag noch die 
Gateladung gehalten haben und ich zu nächst dachte, sie seien defekt, 
weil der Kanal noch leitfähig war.

von (prx) A. K. (prx)


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Marek N. schrieb:
> Ich hatte auch schon Typen, die wenn man sie
> "nackt" liegen lassen hat, sie selbst am nächsten Tag noch die
> Gateladung gehalten haben und ich zu nächst dachte, sie seien defekt,
> weil der Kanal noch leitfähig war.

Eine Kiste dieser Dinger und man hat ein handprogrammierbares EEPROM für 
Retro-Projekte. Bit für Bit per Kabel ans Gate. ;-)

: Bearbeitet durch User
von Richard K. (richi123)


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Marek N. schrieb:
> Guten Morgen,
>
> vielen lieben Dank!

Sehr gerne!


Marek N. schrieb:
> Die Gate-Strukturen könnten sein:
> a) Z-Diode zur Spannungsbegrenzung
> b) zusätzliche Gatekapazität

Eine Z-Dioden-Struktur könnte es sein, aber eine zusätzliche 
Gatekapazität? Die will doch jeder möglichst klein halten? Oder gibt es 
wirklich Leute die daraus einen Power-MOSFET-RAM aufbauen? :D


Marek N. schrieb:
> Ich habe vor kurzem für ein berufliches Projekt diverse
> Hochspannungs-MOSFETs ausgemessen...

Interessant! Man darf den Datenblättern wirklich nie zu 100% glauben...


Viele Grüße,

Richard

: Bearbeitet durch User
von N. A. (bigeasy)


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Richard K. schrieb:
> Von Marek N. hatte ich auch einen STP3NB100FP bekommen, einen weiteren
> Leistungs-MOSFET:
>
> https://www.richis-lab.de/FET15.htm

BD522 und VN88 sind doch keine Trench-Fets...

von Richard K. (richi123)


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N. A. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Von Marek N. hatte ich auch einen STP3NB100FP bekommen, einen weiteren
>> Leistungs-MOSFET:
>>
>> https://www.richis-lab.de/FET15.htm
>
> BD522 und VN88 sind doch keine Trench-Fets...

Danke für den Hinweis. Den Absatz habe ich vor dem ersten Kaffee wohl 
ein paar mal zu oft geändert und umgebaut.
BD522 und VN88 sind natürlich noch die alte Generation mit einem V-Gate, 
keine Trench-FETs. Genau genommen konnte ich das beim VN88 nie 100%ig 
klären, aber ich gehe davon aus, dass der auch noch ein V-Gate besitzt.

von archive (Gast)


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|keine Trench-FETs. Genau genommen konnte ich das beim VN88 nie 100%ig
archive.org/details/VMOSSiliconixOCR

"vmos power fets design catalog" siliconix 1977

von Richard K. (richi123)


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Super, dann ist das auch bestätigt.
Danke!

von Richard K. (richi123)


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Uns fehlen noch ein paar Darlington-Transistoren. Also lasst uns 
beginnen mit dem SU111 aus dem Gleichrichterwerk Stahnsdorf:

https://www.richis-lab.de/Bipolar59.htm

Mit den Rückschlüssen auf den Aufbau des Transistors wird auch der 
geätzte Graben auf den Dies der Darlington-Halbbrücke SU510 
verständlicher:

https://www.richis-lab.de/Bipolar24.htm

von Richard K. (richi123)


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Zum SU111 passt sehr gut der MJ3001 (von Manfred):

https://www.richis-lab.de/Bipolar60.htm

Interessant...

von bianchifan (Gast)


Angehängte Dateien:

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Gerade zufällig hierüber gestolpert, was es doch alles so gibt...
Besteht Interesse an diversen IRF7430 TrenchFETs, welche sich mit 
Blitz,Knall und Gestank verabschiedet haben?
Verschiedene Baureihen, allesamt vom selben ebay-Händler.
In mehreren Audioforen wird er verdächtigt, nicht nur keine Originalware 
zu liefern, sondern ausschließlich gefakte, sprich umgelabelte.
Ich kann auch noch einen unbenutzen dabei legen ;)

von Richard K. (richi123)


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Bei Teilen die sich so verabschiedet haben ist nichts mehr zu sehen, das 
können wir uns sparen.
Ein Fake-Teil ist grundsätzlich schon immer interessant. Dann braucht es 
aber auch ein Original-Teil zum Vergleich.

von Richard K. (richi123)


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Von Dieter W. (dds5) hätten wir hier ein Bauteil, das wahrscheinlich 
nicht alle kennen, eine Thyristortetrode (Silicon Controlled Switch / 
SCS), einen 3N84 von General Electrics:

https://www.richis-lab.de/Bipolar61.htm


In diesem Zusammenhang habe ich mit "Thyristoren und Varianten" eine 
neue Rubrik eröffnet:

https://www.richis-lab.de/Thyristoren.htm

Erwähnen werde ich die Teile aber weiterhin hier.


Außerdem habe ich den 2N6027 aktualisiert, der ist erstaunlich ähnlich:

https://www.richis-lab.de/Bipolar14.htm

Bei dem Aufbau ist es ja eigentlich eher nicht erstaunlich. :)

: Bearbeitet durch User
von Richard K. (richi123)


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Richard K. schrieb:
> Zum SU111 passt sehr gut der MJ3001 (von Manfred):
>
> https://www.richis-lab.de/Bipolar60.htm
>
> Interessant...


Ich haben noch ein neueres Modell des Motorola MJ3001 ergänzt:

https://www.richis-lab.de/Bipolar60.htm

von Manfred (Gast)


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Richard K. schrieb:
>> Zum SU111 passt sehr gut der MJ3001 (von Manfred):
>> Interessant...
> Ich haben noch ein neueres Modell des Motorola MJ3001 ergänzt:
> https://www.richis-lab.de/Bipolar60.htm

Also der gleiche Aufbau vom Die, hätte ich nicht unbedingt erwartet.

Ich könnte spekulieren, dass Motorola die Dinger lediglich in zwei 
verschiedenen Werken eingehaust hat.

Jetzt fehlen noch Datenblätter verschiedener Jahre, ob der neuere evtl. 
mit einem geringeren Wärmewiderstand angegeben ist.

von H. H. (hhinz)


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bianchifan schrieb:
> Gerade zufällig hierüber gestolpert, was es doch alles so gibt...
> Besteht Interesse an diversen IRF7430 TrenchFETs, welche sich mit
> Blitz,Knall und Gestank verabschiedet haben?
> Verschiedene Baureihen, allesamt vom selben ebay-Händler.
> In mehreren Audioforen wird er verdächtigt, nicht nur keine Originalware
> zu liefern, sondern ausschließlich gefakte, sprich umgelabelte.
> Ich kann auch noch einen unbenutzen dabei legen ;)

Ist ziemlich sicher eine Fälschung.

Zeig doch mal einen unbeschädigten.

Und miss Rds(on).

von Richard K. (richi123)


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Manfred schrieb:
> Richard K. schrieb:
>>> Zum SU111 passt sehr gut der MJ3001 (von Manfred):
>>> Interessant...
>> Ich haben noch ein neueres Modell des Motorola MJ3001 ergänzt:
>> https://www.richis-lab.de/Bipolar60.htm
>
> Also der gleiche Aufbau vom Die, hätte ich nicht unbedingt erwartet.
>
> Ich könnte spekulieren, dass Motorola die Dinger lediglich in zwei
> verschiedenen Werken eingehaust hat.
>
> Jetzt fehlen noch Datenblätter verschiedener Jahre, ob der neuere evtl.
> mit einem geringeren Wärmewiderstand angegeben ist.

Ich könnte mir vorstellen, dass Motorola schlicht auf ein günstigeres 
Package umstellen wollte. Vielleicht sind die Wärmewiderstände sogar 
recht ähnlich.
Neben den theoretischen Werten müsste man dann auch noch die 
tatsächlichen Wärmewiderstände bestimmen. Das wäre schon interessant.

von Jochen F. (jamesy)


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H. H. schrieb:
> Und miss Rds(on).

Es ist kein FET.

von H. H. (hhinz)


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Jochen F. schrieb:
> H. H. schrieb:
>> Und miss Rds(on).
>
> Es ist kein FET.

Du bist auf dem anderen Dampfer.

Beitrag "Re: Transistoren - Die-Bilder"

von Soul E. (Gast)


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Jochen F. schrieb:
> H. H. schrieb:
>> bianchifan schrieb:
(...)
>>> Besteht Interesse an diversen IRF7430 TrenchFETs, (...)
>>
>> Und miss Rds(on).
>
> Es ist kein FET.

Infineon ist der Ansicht, es wäre einer.
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRFP7430-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562ca5682025

von H. H. (hhinz)


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Soul E. schrieb:
> Jochen F. schrieb:
>> H. H. schrieb:
>>> bianchifan schrieb:
> (...)
>>>> Besteht Interesse an diversen IRF7430 TrenchFETs, (...)
>>>
>>> Und miss Rds(on).
>>
>> Es ist kein FET.
>
> Infineon ist der Ansicht, es wäre einer.
> 
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRFP7430-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562ca5682025

Es ging da um den IRF*B*7430, aber der ist natürlich auch ein FET, hat 
sogar das gleiche Die.

: Bearbeitet durch User
von Richard K. (richi123)


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von Teo (Gast)


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Richard K. schrieb:
> Die Doku ist schon etwas älter und müsste mal überarbeitet werden, im
> Grunde arbeite ich aber immer noch so.

Bin da grad auf was 'lustiges' gestoßen. KA ob das hierfür evtl. 
tauglich wäre. Ist aber dennoch ne interessante Sache.
https://www.scinexx.de/news/technik/selbstbau-mikroskop-aus-lego-und-handy-linsen/

von Richard K. (richi123)


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Das Auflösungsvermögen ist schon echt imposant. Das mag man gar nicht so 
recht glauben.
Ich müsste das Ganze noch irgendwie an meine Kamera anbinden...

von Richard K. (richi123)


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Ich habe mir den MJ3001 noch einmal vorgenommen und ein bisschen 
leuchten lassen, das hatten wir bei einem Darlington-Transistor noch 
nicht und es haben sich durchaus ein paar interessante Bilder ergeben.

Der Übersicht halber haben der MJ3001 von 1979 und der MJ3001 von 1980 
jetzt eigene Seiten:
https://www.richis-lab.de/Bipolar60.htm
https://www.richis-lab.de/Bipolar64.htm

von Richard K. (richi123)


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Hier haben wir noch einen etwas größeren Triac, einen TIC263:

https://www.richis-lab.de/Bipolar63.htm

von Carlo (Gast)


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Great Thanks für die Aufnahmen
mit dieser super Auflösung :-)

... und falls jemand eigene Ic erstellen möchte ...
https://hackaday.com/2021/06/29/garage-semiconductor-fab-gets-reactive-ion-etching-upgrade/
http://sam.zeloof.xyz/first-ic/

von Richard K. (richi123)


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Carlo schrieb:
> Great Thanks für die Aufnahmen
> mit dieser super Auflösung :-)
>
> ... und falls jemand eigene Ic erstellen möchte ...
> 
https://hackaday.com/2021/06/29/garage-semiconductor-fab-gets-reactive-ion-etching-upgrade/
> http://sam.zeloof.xyz/first-ic/

Freut mich, wenn die Bilder gut ankommen!

Sam Zeloof ist schon wirklich ein Freak! :)

von Bernd (Gast)



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Über das Bild bin ich heute gestolpert. Da sieht man mal, wie die 
Strukturen von der Seite aussehen.

von Richard K. (richi123)


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Hier habe ich mal wieder etwas interessantes, die komplementären 
Germaniumtransistoren GD609 / GD619 von Tesla:

https://www.richis-lab.de/Bipolar65.htm

Im Gehäuse scheinen sich Zinn-Whisker gebildet zu haben. Leider habe ich 
das erst auf den Übersichtsbildern gesehen, nachdem ich das Gehäuse 
gesäubert hatte. Sonst hätten wir jetzt auch noch schön Nahaufnahme der 
Whisker...

von Arno H. (arno_h)


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Die NASA hat eine eigene Website zu dem Thema: 
https://nepp.nasa.gov/whisker/
In den Beiträgen ist neben Fotos auch Ursachenforschung enthalten. Du 
musst dich also nicht wegen der versäumten Bilder grämen.

Arno

von Richard K. (richi123)


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Arno H. schrieb:
> Die NASA hat eine eigene Website zu dem Thema:
> https://nepp.nasa.gov/whisker/
> In den Beiträgen ist neben Fotos auch Ursachenforschung enthalten. Du
> musst dich also nicht wegen der versäumten Bilder grämen.
>
> Arno


Danke Arno, die Seite kenne ich schon. Ich hätte halt gerne eigene 
Bilder gehabt. Aber es liegen noch ein paar Bauteile hier. Vielleicht 
finden sich da noch weitere Whisker. :)

von Richard K. (richi123)


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Valvo BTY92, ein älterer Leistungs-Thyristor:

https://www.richis-lab.de/Bipolar66.htm

Spender war Heute V. (it_depends).

von Richard K. (richi123)


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Wir hatten hier den KT808AM (neue Generation):
https://www.richis-lab.de/Bipolar48.htm

Dazu konnte ich jetzt einen KT808AM der älteren Generation ergänzen:
https://www.richis-lab.de/Bipolar67.htm

von Richard K. (richi123)


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Richard K. schrieb:
> Zum SU111 passt sehr gut der MJ3001 (von Manfred):
>
> https://www.richis-lab.de/Bipolar60.htm
>
> Interessant...


Und hier noch der zugehörige PNP-Typ, der MJ2501:

https://www.richis-lab.de/Bipolar68.htm

von Richard K. (richi123)


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Von Dieter J. (fossi) 
(Beitrag "Re: Transistoren - Die-Bilder") 
haben wir hier einen 2N369:

https://www.richis-lab.de/Bipolar69.htm

Ein Glasgehäuse im Blechgehäuse habe ich da nicht gefunden. Das war ein 
ganz normales Blechgehäuse.

von Richard K. (richi123)


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Heute habe ich bei den BC550C / BC560C, noch zwei Transistoren 
eingereiht, die angeblich von Fairchild produziert wurden:

https://www.richis-lab.de/Bipolar39.htm
https://www.richis-lab.de/Bipolar52.htm

von Abdul K. (ehydra) Benutzerseite


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Erstaunlich, bei Fairchild ist eigentlich immer das stylisierte f drauf.

von Richard K. (richi123)


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Bei der Größe wahrscheinlich nicht.

In (Standard-)Transistoren scheinen die Hersteller allgemein mit 
Markings sehr sparsam zu sein.

von Patrick L. (Firma: S-C-I DATA GbR) (pali64)


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Richard K. schrieb:
> Heute habe ich bei den BC550C / BC560C, noch zwei Transistoren
> eingereiht, die angeblich von Fairchild produziert wurden:

Hey Richi Danke :-) Cool.
Nur solltest du auf dem Vergleichsbild mit der CR2032 fast ein Pfeil zum 
Die machen mann muss ihn ja Suchen :-)

von Richard K. (richi123)


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Abdul K. schrieb:
> Erstaunlich, bei Fairchild ist eigentlich immer das stylisierte f drauf.

Ach du meintest auf dem Gehäuse?
Wie schon mal geschrieben, kann ich nicht mit letzter Sicherheit 
garantieren, dass es sich um Fairchild-Transistoren handelt. Aber mein 
"Lieferant" war sich recht sicher.


Patrick L. schrieb:
> Hey Richi Danke :-) Cool.
> Nur solltest du auf dem Vergleichsbild mit der CR2032 fast ein Pfeil zum
> Die machen mann muss ihn ja Suchen :-)

Gerne! :)
Manchmal habe ich schon die Pinzette dazu gelegt, aber wenn man etwas 
suchen muss macht es noch mehr Eindruck. :D

von Abdul K. (ehydra) Benutzerseite


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Meinte das Gehäuse, genau.

von Dieter J. (fossi)


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Richard K. schrieb:
> Von Dieter J. (fossi)
> 
(Beitrag "Re: Transistoren - Die-Bilder")
> haben wir hier einen 2N369:
>
> https://www.richis-lab.de/Bipolar69.htm
>
> Ein Glasgehäuse im Blechgehäuse habe ich da nicht gefunden. Das war ein
> ganz normales Blechgehäuse.

Für mich sah von außen halt die Grundplatte mit den 3 Beinchen so aus, 
als ob sie in Glas eingeschmolzen wurden. Wie Deine Analyse aber zeigt, 
handelt es sich dabei um eine glasähnliche Vergußmasse 
(Kunststoff,Kunstharz oder dergl.)
Trotzdem Danke für die Richtigstellung.

Gruß
fossi

von Richard K. (richi123)


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Ach daher kam die Annahme! Na jetzt wissen wir wie es darin aussieht. :)

Grüße,
Richard

von Richard K. (richi123)


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Hier habe ich noch einen weiteren KT808, einen KT808AT in einem runden 
Gehäuse:

https://www.richis-lab.de/Bipolar70.htm

Weiß jemand was das T bedeutet? Die KT808A findet man manchmal mit und 
manchmal ohne T.

von Richard K. (richi123)


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Der BF862 ist ein recht bekannter FET:

https://www.richis-lab.de/FET17.htm

Hier sieht man gut die Grenzen meines Auflösungsvermögens. Zeptobars hat 
den BF862 auch dokumentiert und da kann man die Gateelektrode noch gut 
erkennen:

https://zeptobars.com/en/read/BF862-low-noise-N-Channel-JFET-J-FET-AM-preamp-2Ap

von Richard K. (richi123)


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Und hier hätten wir dann auch einen gefälschten BF862:

https://www.richis-lab.de/FET18.htm

Die findet man anscheinend öfter.

von Arno H. (arno_h)


Angehängte Dateien:

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Im NS-FET-Datenbuch von 1977 ist ein Prozess 92 beschrieben. 
Ähnlichkeiten scheinen beabsichtigt zu sein, ausser dass das Gate nicht 
angeschlossen ist.
Download: 
bitsavers.informatik.uni-stuttgart.de/components/national/_dataBooks/197 
7_National_FET_Databook.pdf

Arno

von Richard K. (richi123)


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Super!
Danke Arno!
Das habe ich gleich noch ergänzt.

von Abdul K. (ehydra) Benutzerseite


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Unverständlich wenn die nicht mehr hergestellt werden. Bei dem VK wird 
der Produzent ja steinreich. Was denkt sich Philips dabei?

von Richard K. (richi123)


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Mittlerweile ist es NXP.

Ich habe gehört, dass die Fertigungslinien nicht mehr existieren.

Meine Vermutung ist folgende: Der BF682 an sich würde vielleicht noch 
relevant zum Gewinn beitragen. Der Herstellungsprozess wird aber etwas 
spezieller gewesen sein und dafür gibt es nicht mehr genug Nutzer, so 
dass sich der BF682 alles in allem doch nicht mehr rentiert.

von H. H. (hhinz)


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Abdul K. schrieb:
> Unverständlich wenn die nicht mehr hergestellt werden.

Marktwirtschaft.


> Bei dem VK wird der Produzent ja steinreich.

Stückzahlen zu klein.


> Was denkt sich Philips dabei?

Schon lange nicht mehr deren Sache.

von Soul E. (Gast)


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H. H. schrieb:

>> Was denkt sich Philips dabei?
>
> Schon lange nicht mehr deren Sache.

Valvo hiess erst Philips Semiconductors, dann NXP, und jetzt Nexperia. 
Das Werk in Hamburg-Lokstedt existiert m.W. aber immer noch.

Wieviele von den steinalten Prozessen sie dort noch am Leben erhalten 
wollen ist eine andere Frage. Vor 15 Jahren hiess es, das Equipment 
läuft weiter solange es läuft, verlagern lohnt sich nicht.

von Abdul K. (ehydra) Benutzerseite


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Der war doch schon immer ein Exot. Kennt jemand ein 
Großstückzahlengerät, wo der drin war?
Ich kenn nur den für sehr spezielle Anwendungen. lowNoise Zeug für 
Freaks.

von H. H. (hhinz)


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Soul E. schrieb:
> Valvo hiess erst Philips Semiconductors, dann NXP, und jetzt Nexperia.
> Das Werk in Hamburg-Lokstedt existiert m.W. aber immer noch.
>
> Wieviele von den steinalten Prozessen sie dort noch am Leben erhalten
> wollen ist eine andere Frage. Vor 15 Jahren hiess es, das Equipment
> läuft weiter solange es läuft, verlagern lohnt sich nicht.

Erinnert mich an den NE555, nach dem Brand in der Fab in Caen hat 
Philips die Produktion eingestellt.

von Bernd M. (berndma)


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Dieter J. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Von Dieter J. (fossi)
>>
> 
(Beitrag "Re: Transistoren - Die-Bilder")
>> haben wir hier einen 2N369:
>>
>> https://www.richis-lab.de/Bipolar69.htm
>>
>> Ein Glasgehäuse im Blechgehäuse habe ich da nicht gefunden. Das war ein
>> ganz normales Blechgehäuse.
>
> Für mich sah von außen halt die Grundplatte mit den 3 Beinchen so aus,
> als ob sie in Glas eingeschmolzen wurden. Wie Deine Analyse aber zeigt,
> handelt es sich dabei um eine glasähnliche Vergußmasse
> (Kunststoff,Kunstharz oder dergl.)
> Trotzdem Danke für die Richtigstellung.
>
> Gruß
> fossi

Ein Glasgehäuse im Blechgehäuse ist mir auch nicht bekannt, aber 
Glasdurchführungen schon.

Viele Grüße
Bernd

von Richard K. (richi123)


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Passend zum BF862 haben wir hier noch den BF861:

https://www.richis-lab.de/FET19.htm

von Richard K. (richi123)


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Hier mal wieder etwas außergewöhnlicheres, ein Transistor, der bei der 
Entwicklung von Hybridschaltkreisen eingesetzt wurde, ein K1NT291:

https://www.richis-lab.de/Bipolar71.htm

von Richard K. (richi123)


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Hier hätten wir dann noch einen schnellen Leistungsthyristor von Tesla, 
einen KT110:

https://www.richis-lab.de/Bipolar72.htm

von Richard K. (richi123)


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Für Zwischendurch etwas kleines, einfaches, den 2N3700:

https://www.richis-lab.de/Bipolar73.htm

von Mohandes H. (Firma: مهندس) (mohandes)


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Richard K. schrieb:
> etwas außergewöhnlicheres, ein Transistor, der bei der Entwicklung von
> Hybridschaltkreisen eingesetzt wurde, ein K1NT291.

Sehr interessantes Bauteil, so etwas habe ich noch nie gesehen.

Die Fassung erinnert nicht nur an Röhrenfassungen, ich denke da haben 
sie als Basis tatsächlich etwas (bestehendes) aus der Röhrenproduktion 
verwendet. (Leider hast Du keine Abmessungen angegeben). Erstaunlich 
auch: so viel Sockel für so ein winziges Bauteil.

Weißt Du, von wann etwa dieses Entwicklungsmuster stammt?

: Bearbeitet durch User
von Richard K. (richi123)


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Mohandes H. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> K1NT291.
>
> Sehr interessantes Bauteil, so etwas habe ich noch nie gesehen.
>
> Die Fassung erinnert nicht nur an Röhrenfassungen, ich denke da haben
> sie als Basis tatsächlich etwas (bestehendes) aus der Röhrenproduktion
> verwendet. (Leider hast Du keine Abmessungen angegeben). Erstaunlich
> auch: so viel Sockel für so ein winziges Bauteil.
>
> Weißt Du, von wann etwa dieses Entwicklungsmuster stammt?

Ich gehe auch davon aus, dass das ein Röhrensockel ist. Der 
Außendurchmesser der Pins beträgt 13mm.

Bezüglich des Jahrgangs könnte ich beim Spender (und damaligen 
Einsetzen) anfragen, ich gehe aber schwer davon aus, dass das 72 für 
1972 steht.

von Richard K. (richi123)


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Den vorläufigen Abschluss der KT808-Reihe bilden zwei KT808BM, die 
"mittelschlechte" Sortierung der KT808-Transistoren:

https://www.richis-lab.de/Bipolar74.htm

von Bernd (Gast)


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Richard K. schrieb:
> Den vorläufigen Abschluss der KT808-Reihe bilden zwei KT808BM, die
> "mittelschlechte" Sortierung der KT808-Transistoren:

Bei dem zweiten Modell war wohl die Maske ein Stück verschoben?!?
Eine faszinierende Leuchterscheinung.

von Richard K. (richi123)


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Ja, das wäre plausibel. Kürzere Strecken bis zur Sperrschicht stellen 
geringere Widerstände dar und lassen dort mehr Strom fließen.

von Richard K. (richi123)


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Hier mal wieder etwas kleines, der Hochfrequenztransistor SF137 aus dem 
HFO:

https://www.richis-lab.de/Bipolar75.htm

von Richard K. (richi123)


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Ich habe noch ein paar Internas erfahren:

Der SF137 war 1967 der erste Silizium-Epitaxial-Planar-Transistor des 
HFO.

Die weite Streuung der Stromverstärkungsfaktoren hat sich ergeben, weil 
man möglichst viele Transistoren verkaufen wollte. Ab 1970 waren es dann 
eigentlich nur noch D und E Transistoren.

Und es muss sich um eine verbesserte Version handeln, da das 
ursprüngliche Design 1mm2 Silizium benötigte.

von Mohandes H. (Firma: مهندس) (mohandes)


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Richard K. schrieb:
> Die weite Streuung der Stromverstärkungsfaktoren

B von 18 .. 1120, ist schon eine ziemliche Streuung. Bei anderen 
Herstellern wäre alles <50 oder 100 Ausschuß geworden.

Hätte man eigentlich durch einen besseren (moderneren) Fertigungsprozeß 
die Streuung kleiner halten können?

von Soul E. (Gast)


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Mohandes H. schrieb:

> Hätte man eigentlich durch einen besseren (moderneren) Fertigungsprozeß
> die Streuung kleiner halten können?

Die Aussage " Ab 1970 waren es dann eigentlich nur noch D und E 
Transistoren." impliziert doch, dass man den Prozess nach drei Jahren 
deutlich besser im Griff hatte. Die Streuung ging von 18..1120 auf 
112..560 runter.

von Richard K. (richi123)


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So habe ich das verstanden. Man wurde besser und die Streuung ging 
zurück.
Nun wäre es natürlich noch interessant wo genau das Problem lag. 
Schichtdicken oder Dotierungen? Global oder lokal?

von Richard K. (richi123)


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2N2915, ein alter Doppeltransistor:

https://www.richis-lab.de/Bipolar76.htm

Danke an Horst O. (obelix2007)!

von Richard K. (richi123)


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Etwas kleineres, älteres, ein BC149B von Arno H. (arno_h):

https://richis-lab.de/Bipolar77.htm

von Marek N. (Gast)


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Danke! 👍

Interessant, dass das Gehäuse "SOT" heißt, aber trotzdem noch THT ist.

Solche Gehäuse kenne ich sonst nur von Kapazitätsdioden.

von ### (Gast)


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Marek N. schrieb:
> Danke! &#55357;&#56397;
>
> Interessant, dass das Gehäuse "SOT" heißt, aber trotzdem noch THT ist.
>
> Solche Gehäuse kenne ich sonst nur von Kapazitätsdioden.

Lockfit. Obacht 3Seiten, ~50MB


http://www.kevinchant.com/uploads/7/1/0/8/7108231/philips_hendon_transistor_production_part_a.pdf

von Manfred (Gast)


Angehängte Dateien:

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Marek N. schrieb:
> Interessant, dass das Gehäuse "SOT" heißt, aber trotzdem noch THT ist.

Ich dachte eigentlich, dass ich von diesen Dingern noch ein paar habe 
und nur Philips dieses seltsame Gehäuse gebaut hätte.

Nee, nur noch einer und da steht Siemens drauf. Ich habe dann direkt 
gezweifelt, ob ich zu dumm bin, den zu knipsen - nein, das Bild ist 
nicht verwackelt, die Stempelung ist so mies.

von ### (Gast)


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Manfred schrieb:

>
> Ich dachte eigentlich, dass ich von diesen Dingern noch ein paar habe
> und nur Philips dieses seltsame Gehäuse gebaut hätte.

Die dem Richard überlassenen würde ich Philips zuordnen wollen.

---


> Marek N. schrieb:
>> Interessant, dass das Gehäuse "SOT" heißt, aber trotzdem noch THT ist.

achso, seh grad auf THT bezog sich das

TO92 ~ SOT54 ; nicht exakt

https://alltransistors.com/packs/sot-54.gif
https://alltransistors.com/packs/to-92.gif

von ### (Gast)


Angehängte Dateien:

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### schrieb:
> Marek N. schrieb:
>> Danke! &#55357;&#56397;
>>
>> Interessant, dass das Gehäuse "SOT" heißt, aber trotzdem noch THT ist.
>>
>> Solche Gehäuse kenne ich sonst nur von Kapazitätsdioden.
>
> Lockfit. Obacht 3Seiten, ~50MB
>
>
> 
http://www.kevinchant.com/uploads/7/1/0/8/7108231/philips_hendon_transistor_production_part_a.pdf

nochmal 70MB der Rest. :/
http://www.kevinchant.com/uploads/7/1/0/8/7108231/philips_hendon_transistor_production_part_b.pdf

thanks kevinchant.com ;)

Kondensat im Anhang.
Miniwatt Digest Vol.7 No.2 February 1968
Cover, pg 18-23

von Manfred (Gast)


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### schrieb:
> Miniwatt Digest

Nanu, Miniwatt war doch die Philips-Marke für Röhren aus dem Ostblock - 
die übrigens qualitativ keinerlei Probleme machten.

von Richard K. (richi123)


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Marek N. schrieb:
> Interessant, dass das Gehäuse "SOT" heißt, aber trotzdem noch THT ist.

Damals dachten sie noch nicht an SMT. :)


Manfred schrieb:
> Ich dachte eigentlich, dass ich von diesen Dingern noch ein paar habe
> und nur Philips dieses seltsame Gehäuse gebaut hätte.

Auf die Schnelle hätte ich noch Unitra Cemi:
https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/97154/ETC/BC149.html
Und Telefunken:
https://www.web-bcs.com/pdf/Tf/BC/BC149.pdf

von Richard K. (richi123)


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Damit der BC149B nicht so alleine steht, haben wir hier noch einen 
passenden PNP-Partner, den BC158:

https://www.richis-lab.de/Bipolar78.htm

...auch von Arno H. (arno_h)

: Bearbeitet durch User
von Arno H. (arno_h)


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Schöne Bilder wie immer. Danke Richard.
Planst du wieder einen Kalender?

Arno

von Richard K. (richi123)


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Gerne!

Ja, ein Kalender ist wieder geplant.
Das muss ich demnächst mal angehen, das Jahr neigt sich 
überraschenderweise schon wieder dem Ende zu.

von H. H. (hhinz)


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Richard K. schrieb:
> Marek N. schrieb:
>> Interessant, dass das Gehäuse "SOT" heißt, aber trotzdem noch THT ist.
>
> Damals dachten sie noch nicht an SMT. :)

Doch, SMD gabs damals auch schon. Siehe Apollo Guidance Computer mit 
Chips von Fairchild.

von Richard K. (richi123)


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Stimmt!
...wobei das nicht unbedingt Industriestandard war... :)

von Richard K. (richi123)


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Preisfrage, wer kennt diesen Hersteller:

https://www.richis-lab.de/temp/2N3055.jpg

Ein 2N3055 von 1978...

von Soul E. (Gast)


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Richard K. schrieb:
> Preisfrage, wer kennt diesen Hersteller:
>
> https://www.richis-lab.de/temp/2N3055.jpg

SGS-ATES. Später SGS Thompson, heute ST Microelectronics.

von Richard K. (richi123)


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Soul E. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Preisfrage, wer kennt diesen Hersteller:
>>
>> https://www.richis-lab.de/temp/2N3055.jpg
>
> SGS-ATES. Später SGS Thompson, heute ST Microelectronics.

Klar! Besten Dank!
Bei einem etwas besseren Druck hätte ich es vielleicht erkannt...

von Marek N. (Gast)


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Soul E. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Preisfrage, wer kennt diesen Hersteller:
>>
>> https://www.richis-lab.de/temp/2N3055.jpg
>
> SGS-ATES. Später SGS Thompson, heute ST Microelectronics.

Genial!
Genau dieses Logo ist mir vor ein paar Tagen auf einem 2N2219 begegnet, 
allerdings fast komplett verblichen.
Es kam mir gleich etwas "griechisch" vor. Danke!

von Dieter W. (dds5)


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Soul E. schrieb:
> SGS-ATES. Später SGS Thompson, heute ST Microelectronics.

Bitte SGS Thomson - ohne "P".

von ### (Gast)


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Richard K. schrieb:
> Preisfrage, wer kennt diesen Hersteller:
>
> https://www.richis-lab.de/temp/2N3055.jpg
>
> Ein 2N3055 von 1978...

BDX10, 60, 61, ...

von Richard K. (richi123)


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Hier ein schönes Transistorarray der britischen Firma Plessey 
Semiconductors, ein SL3127:

https://www.richis-lab.de/Bipolar79.htm

von Bernd (Gast)


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Richard K. schrieb:
> SL3127:
>
> https://www.richis-lab.de/Bipolar79.htm
Die Layoutsoftware konnte wohl keine schrägen Leiterbahnen?
Oder gibt es einen anderen plausiblen Grund, warum da Treppen für die 
Anschlüsse verwendet werden?

von Richard K. (richi123)


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Das ist tatsächlich nicht so einfach.
Auf die Schnelle habe ich dazu nur dieses PDF gefunden:
https://spie.org/Documents/Membership/BacusNewsletters/BACUS-Newsletter-January-2015.pdf
(Seite 5 bzw. 6)
Verkürzt zusammengefasst: Selbst um einen einfache 90Grad-Ecke zu 
bekommen reicht es oft nicht eine 90Grad-Ecke in die Maske zu "ritzen". 
Viele Prozesse würden daraus eine recht unschöne Kurve machen. Das kann 
man kompensieren, indem man bei der Maske Teile der Ecke ausnimmt und an 
anderen Stellen etwas ergänzt. Die Maske sieht dann eigenartig aus, die 
Form auf dem Die nähert sich so aber der idealen Ecke an.
Wenn man nun nicht-90Grad-Ecken hat muss man sich das natürlich wieder 
neu überlegen. Da war es wahrscheinlich einfacher gleich nur 
90Grad-Ecken zu verwenden.

von Richard K. (richi123)


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Nachdem sich die beiden auf dem gleichen Datenblatt befinden kommt hier 
auch gleich das Transistorarray SL3145:

https://www.richis-lab.de/Bipolar80.htm

von Richard K. (richi123)


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Richard K. schrieb:
> Nachdem sich die beiden auf dem gleichen Datenblatt befinden kommt hier
> auch gleich das Transistorarray SL3145:
>
> https://www.richis-lab.de/Bipolar80.htm

Mir ist gerade erst aufgefallen, dass der Schaltplan im Datenblatt 
falsch ist. Im Datenblatt ist das Substrat mit dem gemeinsamen 
Emitteranschluss der Transistoren 1 und 2 verbunden. Auf dem Die ist das 
Substrat aber mit dem Emitter des Transistors 5 verbunden.
Die tatsächliche Umsetzung ist wahrscheinlich für viele Anwender 
nützlicher, da so der Transistor 5 als Stromsenke arbeiten kann 
(negativstes Potential).
Schon verwunderlich, dass die Realität und das Datenblatt derart 
unterschiedlich sind. Der Anwender wundert sich dann warum nichts 
funktioniert. Darauf, dass das Substrat an einem anderen Pin hängt muss 
man erst mal kommen. Das fällt nicht unbedingt sofort auf.

von Abdul K. (ehydra) Benutzerseite


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Fällt wohl erst auf, wenn man die berühmten 6,8V überschreitet.

von Richard K. (richi123)


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Das kommt auf die Verschaltung an. Sobald der Emitter von T5 (und damit 
das Substrat) auf einem im Vergleich zu den anderen Transistoren hohen 
Potential liegt, dann fließt sofort ein Strom von dort zu den 
Kollektoren die ein niedrigeres Potential führen.

von Abdul K. (ehydra) Benutzerseite


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Schau mal in DB. Vielleicht war dort T5 immer ganz unten in den 
Beispielschaltungen eingezeichnet und daher fiel es niemanden auf, weil 
es alle genau so nachbauten.

von Richard K. (richi123)


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Das wäre eine Möglichkeit. Die Datenblätter, die ich gefunden habe, 
enthalten aber keine Beispielschaltungen.
Immer noch sehr eigenartig die Geschichte...

von Abdul K. (ehydra) Benutzerseite


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Da gab's doch noch ähnliche anderer Hersteller.

von Richard K. (richi123)


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Abdul K. schrieb:
> Da gab's doch noch ähnliche anderer Hersteller.

Ich hätte nur das Datenblatt des SL3045 parat:
https://www.datasheetarchive.com/pdf/download.php?id=a3525a182d942a45d57edcaa2f3f915488d2b5&type=M&term=SL3045
Das Datenblatt des SL3145 verweist darauf, dass er pinkompatibel zum 
SL3045 ist.
Beim SL3045 ist die Verbindung des Substrats noch richtig eingezeichnet. 
Viel besser macht es das nicht. :)

von Richard K. (richi123)


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MJ3001 aus dem Gleichrichterwerk Stahnsdorf:

https://www.richis-lab.de/Bipolar81.htm

Das Die erinnert stark an den SU111 aus dem Gleichrichterwerk 
Stahnsdorf.

von Richard K. (richi123)


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Von Dieter J. (fossi) hatte ich hier noch einen Honeywell 2N1262, einen 
richtig alten Germanium-Leistungstransistor. Der ist jetzt hier 
ausgestellt:

https://www.richis-lab.de/Bipolar82.htm

von Richard K. (richi123)


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Heute hätten wir hier den SMY60, einen Dual-MOSFET aus dem Funkwerk 
Erfurt:

https://www.richis-lab.de/FET20.htm

Bei diesen alten Bauteilen kann man noch schön den Aufbau analysieren.

von Marek N. (Gast)


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WOW!
DIP10 und dann auch noch mit diesem Aufsteck-Kühlkörper. Das habe ich 
noch nicht gesehen.

Richard K. schrieb:
> Dual-MOSFET

Hatten Sie schon einen Dual-Gate-MOSFET untersucht?, BF981 oder so?

von Richard K. (richi123)


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Marek N. schrieb:
> WOW!
> DIP10 und dann auch noch mit diesem Aufsteck-Kühlkörper. Das habe ich
> noch nicht gesehen.
>
> Richard K. schrieb:
>> Dual-MOSFET
>
> Hatten Sie schon einen Dual-Gate-MOSFET untersucht?, BF981 oder so?


Das ist kein Aufsteckkühlkörper, das ist ein Kurzschlussbügel, um das 
Teil vor ESD zu schützen. Der SMY60 besitzt keine Schutzdioden.

Der MFE122 ist ein Dual-Gate-MOSFET:
https://www.richis-lab.de/FET11.htm
Leider ist der nicht ganz so übersichtlich.

von Thomas W. (goaty)


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Vielen Dank für den Kalender 2022.
Sieht toll aus in A3.

von Richard K. (richi123)


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Danke, das freut mich! :)

von Richard K. (richi123)


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Hier hätten wir dann mal wieder einen Dual-JFET, einen 2N6485 von Harris 
Semiconductor (von Dieter W. (dds5)):

https://www.richis-lab.de/FET21.htm

von Richard K. (richi123)


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Wir hatten schon lange keine 2N3055 mehr. Hier kommt der Siemens 
2N3055H, im Vergleich zum älteren Siemens 2N3055 ein "recht modernes 
Design":

https://www.richis-lab.de/2N3055_14.htm

von Richard K. (richi123)


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Kanntet ihr schon den Hersteller "Solid State"? Versucht mal 
Informationen zu einem Hersteller finden, der Solid State heißt! :D

Der 2N3752 kommt von Solid State:

https://www.richis-lab.de/Bipolar83.htm

Danke an V. (Firma: diverse Abhängikeiten) (it_depends)!

von Armo (Gast)


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Richard K. schrieb:
> Kanntet ihr schon den Hersteller "Solid State"? Versucht mal
> Informationen zu einem Hersteller finden, der Solid State heißt! :D

vielleicht Solid State Devices Inc. (SSDI)

https://www.ssdi-power.com/

von Richard K. (richi123)


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Armo schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Kanntet ihr schon den Hersteller "Solid State"? Versucht mal
>> Informationen zu einem Hersteller finden, der Solid State heißt! :D
>
> vielleicht Solid State Devices Inc. (SSDI)
>
> https://www.ssdi-power.com/

Die haben aber ein anderes Logo. Vielleicht hat sich das im Laufe der 
Zeit geändert. Dagegen spricht aber, dass man einige Halbleiter mit dem 
S-Logo findet, die Solid State Inc. zugeordnet werden.

von Armo (Gast)


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Das Logo gehört zu Solid State Inc, Bloomfield New Yersey

https://www.solidstateinc.com/

Das ist eine fabless company, die nicht selber produziert, aber 
fremdproduzierte Transistoren unter eigenem Label vertreibt.

von Armo (Gast)


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von Elias K. (elik)


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Bernd schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> SL3127:
>> https://www.richis-lab.de/Bipolar79.htm
> Die Layoutsoftware konnte wohl keine schrägen Leiterbahnen?
> Oder gibt es einen anderen plausiblen Grund, warum da Treppen für die
> Anschlüsse verwendet werden?

Richard K. schrieb:
> Das ist tatsächlich nicht so einfach.
> Auf die Schnelle habe ich dazu nur dieses PDF gefunden:
> 
https://spie.org/Documents/Membership/BacusNewsletters/BACUS-Newsletter-January-2015.pdf
> (Seite 5 bzw. 6)
> Verkürzt zusammengefasst: Selbst um einen einfache 90Grad-Ecke zu
> bekommen reicht es oft nicht eine 90Grad-Ecke in die Maske zu "ritzen".
> Viele Prozesse würden daraus eine recht unschöne Kurve machen. Das kann
> man kompensieren, indem man bei der Maske Teile der Ecke ausnimmt und an
> anderen Stellen etwas ergänzt. Die Maske sieht dann eigenartig aus, die
> Form auf dem Die nähert sich so aber der idealen Ecke an.
> Wenn man nun nicht-90Grad-Ecken hat muss man sich das natürlich wieder
> neu überlegen. Da war es wahrscheinlich einfacher gleich nur
> 90Grad-Ecken zu verwenden.

Was Richard da beschreibt, nennt sich Optical Proximity Correction OPC. 
Wenn Strukturen sehr klein werden (Strukturgrößen im Bereich der 
Wellenlänge des Lichts zur Belichung oder kleiner), wird alles etwas 
unscharf. Deswegen werden zusätzliche, kleine, ebenfalls unscharfe 
Strukturen an die Ecken gesetzt, um diese stärker auszubilden. Das Bild 
bei Wiki zeigt das ganz gut: 
https://de.wikipedia.org/wiki/Optical_proximity_correction

Das ist aber nicht der Grund, weshalb besonders bei alten Chips nur 90°, 
manchmal auch 45° Ecken zum Einsatz kommen. (In dem gezeigen Chip sind 
übrigens 45° Ecken zu sehen. Eine 45° Leiterbahn wäre mMn möglich 
gewesen.) Wenn die Kamera die Strukturen noch so deutlich zeigt, braucht 
es auf der Maske ganz sicher keine OPC Strukturen.

Der Grund liegt in den Tools, die die Masken herstellen. Auch das 
geschieht mittels Fotolithographie (Substrat ist Quarzglas mit 
Chromschicht, die strukturiert wird). Das heißt, mit einem 
Elektronenstrahl früher, heute oft Laserstrahl wird eine sensitive 
Schicht entweder Polymierisiert oder Polymerketten zerlegt. Da gibt es 
im wesentlichen drei Möglichkeiten.

1.) Mit dem Elektronenstrahl die ganze Maske Zeilenweise abtasten. Dort, 
wo nicht belichtet werden soll, wird der Strahl ausgetastet. 
(Raster-Scan) Genau wie beim Röhrenbildschirm.

2.) Mit dem Elektronenstrahl nur die Strukturen, die zu belichten sind, 
abfahren. (Vector-Scan) Ähnlich wie Oszis. (Das gibt es noch abgewandelt 
mit einstellbarer Strahlbreite. Weiß nicht genau, wie das in der Praxis 
genutzt wird.)

Beide Varianten haben den Nachteil, dass sie einen sehr feinen 
Elektronenstrahl benötigen. (Für kleine Strukturen! --> viele "Pixel") 
Das heißt, dass nur wenig Strom fließen darf, sonst weitet sich der 
Strahl automatisch auf. (Elektronen stoßen sich ab, viel Strom heißt, 
dass die Elektronen nahe beieinander sind und sich stärker abstoßen.) 
Wenig Strom heißt aber, dass der Strahl entsprechend lang auf jeden 
Punkt leuchten muss, um ausreichend Energie für die Belichtung 
einzubringen. --> Dauert alles lang, und umso länger, je größer die 
Maske und umso feiner die Strukturen. ***

Ausweg aus dem Dilemma ist Variante 3.) Optical Pattern Generators: Eine 
starke Strahlenquelle, die einen großen Fleck macht. Und dann vier 
Metallplatten, die je von den vier Seiten (oben, unten, rechts, links) 
Richtung Mitte geschoben werden. Eine Art rechteckige Blende. Damit 
lassen sich beliebige Rechtecke erzeugen. (Lang, hoch, quadratisch, ...) 
Die Maske für den Chip lässt sich typischerweise aus einer kleinen Menge 
Rechtecke zusammensetzen. Das kann viel schneller gehen. Aber erlaubt 
eben nur 90° Strukturen. Weitere 4 Platten um 45° gedreht erlauben dann 
auch 45° Ecken.

Variante 3 kommt meines Wissens aber schon ewig nicht mehr zum Einsatz. 
Alle heutigen Tools zur Masken Herstellung dürften Vector-Scan Tools mit 
Elektronenstrahl oder Laser sein. (Aktuell ganz groß: Direct E-Beam 
Litho ohne Maske für Prototypen.)

Vielleicht hält man auch nur an einem antiquierten Quasistandard fest. 
Denn selbst heute sind eigentlich nur 45° und 90° Ecken auf den Masken 
zu sehen. Z.B. typische integrierte Spulen sind achteckig. **** Bei den 
ganz kleinen Strukturen könnte auch Richard mit seiner Vermutung wieder 
richtig liegen. Die Masken sind unheimlich kompliziert geworden. Man 
überlege sich, dass mit 193 nm Wellenlänge (ArF-Excimerlaser) * 
Strukturen bis zu 10 nm ** erzeugt werden. Da braucht es viele Tricks, 
wie OPC, Immersions-Litho, Phase-Shift-Masks, off-axis illumination, 
multi-patterning, große Blende der Optik, ...

--
Nachtrag *) Eine einfache Möglichkeit, kleiner Strukturen zu erzeugen, 
ist eine kürzere Wellenlänge. Das Problem ist, dass es auch Material 
braucht, aus dem sich Linsen herstellen lassen. Es gibt nicht viele 
Materialien, die dann noch transparent sind. Und die, die es gibt, 
werden relativ schnell blind durch das energiereiche Licht. Bei 
Extrem-UV-Litho (EUV) sind keine Linsen mehr möglich, sondern nur noch 
Spiegel. Die nächste große Hoffnung ist Röntgenstrahlung...

Nachtrag **) Die ganz kleinen Strukturen werden zum Teil gar nicht 
direkt mit einer Maske belichtet, sondern mithilfe größere Strukturen 
hergestellt. (über sogenannte Spacer) Siehe Abbildung hier: 
https://en.wikipedia.org/wiki/Multiple_patterning und 
https://en.wikipedia.org/wiki/File:Spacer_Patterning.JPG

Nachtrag ***) Kann auch sein, dass die Mechanik für die Pattern 
Generatoren besser beherrscht wurde, als die elektronische 
Strahlablenkung. Da müssten sich mal alte Hasen aus der Branche melden.

Nachtrag ****) 
https://zeptobars.com/en/read/Espressif-ESP32-Wi-Fi-Bluetooth-2.4Ghz-ISM

von Richard K. (richi123)


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Elias K. schrieb:
>...

Danke für die Korrektur/Ergänzung!
Ich dachte OPC kommt bereits bei längeren Wellenlängen zum Einsatz.

von Bernd (Gast)


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Ebenfalls vielen Dank für den erhellenden Einblick!

von Richard K. (richi123)


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Heute hätte ich einen diffusionslegierten Transistor für euch, den ГT906 
(GT906):

https://www.richis-lab.de/Bipolar84.htm


Bei der Gelegenheit habe ich gleich noch den 2N1561 
(https://www.richis-lab.de/Bipolar17.htm) und den AU103 
(https://www.richis-lab.de/Bipolar03.htm) aktualisiert und erweitert.

von Richard K. (richi123)


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Mal wieder ein 2N3055, dieses Mal von SGS ATES:

https://www.richis-lab.de/2N3055_15.htm

Danke an Arno H. (arno_h)!

von Richard K. (richi123)


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Hier haben wir noch den 2N3055VT von SGS ATES (von Arno H. (arno_h)):

https://www.richis-lab.de/2N3055_16.htm

von Arno H. (arno_h)


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Der erste, den du veröffentlicht hast, hatte bestimmt eine schlimme 
Kindheit.
Die Korrosion der Anschlüsse deutet auf Dauerbetrieb im Grenzbereich 
hin, oder gibt es andere Ursachen dafür?

Arno

von Richard K. (richi123)


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Entweder es war ein Dauerbetrieb im Grenzbereich oder es war eine 
thermische Überlastung kurz vor oder nach einer Zerstörung des 
Transistors. Die Kontaktbleche haben auf jeden Fall eine harte/heiße 
Zeit hinter sich.

von ### (Gast)


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Man sieht es nicht auf deinen Bildern die ATES hatten wenigstens teils 
ein recht dünnes Bodenblech 0,8mm u. weniger.


Hier liegt noch ein einer ATES MP / 2N3055 / 6 N
der ist genauso angegammelt.
Der Chip wird dem von RCA entsprechen, waren Lizenznehmer.
SGS kahm Ende 1972.



https://www.radiomuseum.org/dsp_hersteller_detail.cfm?Company_Id=12025

von Richard K. (richi123)


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Stimmt, beim Ersten messe ich 1,6mm, beim Zweiten nur 0,9mm.

von Richard K. (richi123)


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HFO GD170, ein eher gewöhnlicher Germanium-Transistor:

https://www.richis-lab.de/Bipolar85.htm

von Richard K. (richi123)


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Hier hätten wir nochmal einen Germaniumtransistor, einen Motorola 
2N3614:

https://www.richis-lab.de/Bipolar86.htm

von min (Gast)


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Ja sehr instruktive Bilder. Sehr interessant. Vielen Dank für diese 
Arbeit und Alles Gute.

von Richard K. (richi123)


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Danke, sehr gerne!

von Richard K. (richi123)


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Heute hätte ich noch einen KD616, ein PNP-Leistungstransistor von Tesla:

https://www.richis-lab.de/Bipolar87.htm

: Bearbeitet durch User
von Richard K. (richi123)


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OC45, ein "Hochfrequenztransistor":

https://www.richis-lab.de/Bipolar88.htm

:)

von Richard K. (richi123)


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BDY92, mit ft=70MHz ein weiterer "Hochfrequenztransistor" in seiner 
Klasse:

https://www.richis-lab.de/Bipolar89.htm

Was sagt ihr welcher Hersteller das ist? Ich würde auf Philips tippen...

von Richard K. (richi123)


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Heute haben wir den Sescosem 391HT2:

https://www.richis-lab.de/Bipolar90.htm

von Richard K. (richi123)


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Und hier ein SC206 aus dem Halbleiterwerk Frankfurt Oder:

https://www.richis-lab.de/Bipolar91.htm

von Pille (Gast)


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Das Gehäuse das SC206 hieß nicht "Plastgehäuse" sondern 
"Miniplastgehäuse" und ist kleiner als TO92, läßt sich im 2,5mm Raster 
auf einer Platine unterbringen.

Gruß,
Pille

von M. K. (matthias_k33)


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Moin

Ich habe kürzlich  wasergekühlte IGBT (?) Module aus Audi e-Tron 
Fahr-Umrichter ausgebaut. Ich habe kürzlich Umrichter aus Schrott 
bekommen.
Magste du es für  deine Seite haben ?  (ich werde dich 2 Stück geben)
Module aufmachen ->  warscheinlich Flex&Säge notwendig.

Grüss
Matt

von Richard K. (richi123)


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Pille schrieb:
> Das Gehäuse das SC206 hieß nicht "Plastgehäuse" sondern
> "Miniplastgehäuse" und ist kleiner als TO92, läßt sich im 2,5mm Raster
> auf einer Platine unterbringen.
>
> Gruß,
> Pille

Danke für den Hinweis!
Ich habe das entsprechend korrigiert.


M. K. schrieb:
> Moin
>
> Ich habe kürzlich  wasergekühlte IGBT (?) Module aus Audi e-Tron
> Fahr-Umrichter ausgebaut. Ich habe kürzlich Umrichter aus Schrott
> bekommen.
> Magste du es für  deine Seite haben ?  (ich werde dich 2 Stück geben)
> Module aufmachen ->  warscheinlich Flex&Säge notwendig.
>
> Grüss
> Matt

Sehr gerne! Da würde ich mich auf jeden Fall drüber freuen. Sowas 
bekommt man ja nicht jeden Tag.
Bis jetzt habe ich noch alles aufbekommen.


Grüße,
Richard

von Christian M. (likeme)


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Aufpassen, wegen Industriespionage... gerade bei aktuellen Technologien!

von Richard K. (richi123)


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Christian M. schrieb:
> Aufpassen, wegen Industriespionage... gerade bei aktuellen Technologien!


Da gibt es nicht viel zu spionieren. Wenn sich jemanden für die Technik 
interessiert hat, dann hat er sich das Auto vor drei Jahren gekauft und 
zerlegt/vermessen.
Vor allem bei den Leistungshalbleitern des Umrichters sind die 
Innovationszyklen (noch?) verhältnismäßig kurz. Da ist das schon Technik 
von gestern.

von M. K. (matthias_k33)


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https://www.systemplus.fr/reverse-costing-reports/hitachi-double-side-cooling-power-module-from-audi-e-trons-inverter/

Das Bild von aufgesägte (gerenderte) IBGT Module stimmt optisch mit 
meine Exemplare drüber.

Dieser Fahr-Umrichter ist nicht neuste, (0EF 907 080 E  (Teilenummer von 
Audi)) und wurde von Hitachi gebaut.

Richard, schickt einfach Nachrichten mit deine Adresse drüber, dann 
schicke ich es raus, mitsamt (halbe) Elektronik. (andere Hälfte mit 
Infineon TriCore µC,etc möchte ich behalten)

Grüss
Matt

von Richard K. (richi123)


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PN ist raus.
Dankeschön! :)

Grüße,

Richard

von M. K. (matthias_k33)


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Richard K. schrieb:
> PN ist raus.
> Dankeschön! :)
>
> Grüße,
>
> Richard

Packerl verschickt !

Grüss
Matt

von Richard K. (richi123)


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Sescosem BDX18:

https://www.richis-lab.de/Bipolar92.htm

Nichts außergewöhnliches...

von Richard K. (richi123)


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Hier haben wir nochmal einen kleinen Miniplast-Transistor, einen SF216:

https://www.richis-lab.de/Bipolar93.htm

von Richard K. (richi123)


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von Thomas W. (goaty)


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Tolles Ding der OC26.
Auf der Arbeit grüßt jeden Tag dein Jahreskalender - jetzt mit dem Fluke 
Chip.

von Bernd M. (berndma)


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Richard K. schrieb:
> Heute haben wir den Sescosem 391HT2:
>
> https://www.richis-lab.de/Bipolar90.htm

Die Bezeichnung hatte ich immer für russisch gehalten und hiese 391NT2

Viele Grüße
Bernd

von Bernd M. (berndma)


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Pille schrieb:
> Das Gehäuse das SC206 hieß nicht "Plastgehäuse" sondern
> "Miniplastgehäuse" und ist kleiner als TO92, läßt sich im 2,5mm Raster
> auf einer Platine unterbringen.
>
> Gruß,
> Pille

Zetex hat ein ähnliches Gehäuse. Das nennt sich E-Line

Viele Grüße
Bernd

von Bernd M. (berndma)


Angehängte Dateien:

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Bernd M. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Heute haben wir den Sescosem 391HT2:
>>
>> https://www.richis-lab.de/Bipolar90.htm
>
> Die Bezeichnung hatte ich immer für russisch gehalten und hiese 391NT2
>
> Viele Grüße
> Bernd

von Richard K. (richi123)


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Thomas W. schrieb:
> Tolles Ding der OC26.
> Auf der Arbeit grüßt jeden Tag dein Jahreskalender - jetzt mit dem Fluke
> Chip.

Sehr schön! :)


Bernd M. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Heute haben wir den Sescosem 391HT2:
>>
>> https://www.richis-lab.de/Bipolar90.htm
>
> Die Bezeichnung hatte ich immer für russisch gehalten und hiese 391NT2
>
> Viele Grüße
> Bernd

Das ist ja interessant.
Also "mein Transistor" ist ja eindeutig von Sescosem.
So ganz kann ich mir das nicht erklären.

von Bernd M. (berndma)


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Richard K. schrieb:

> Bernd M. schrieb:
>> Richard K. schrieb:
>>> Heute haben wir den Sescosem 391HT2:
>>>
>>> https://www.richis-lab.de/Bipolar90.htm
>>
>> Die Bezeichnung hatte ich immer für russisch gehalten und hiese 391NT2
>>
>> Viele Grüße
>> Bernd
>
> Das ist ja interessant.
> Also "mein Transistor" ist ja eindeutig von Sescosem.
> So ganz kann ich mir das nicht erklären.

Ich auch nicht , Richard.
Vollständig heist der K391NT2. Das K wird aber oft weggelassen. Ich habe 
schon bei Russen nachgefragt, aber keiner hat Daten.
Das Logo auf Meinem kann ich auch nicht deuten.
Ach so. Eigentlich ist das nach der Bezeichnung kein Einzeltransistor. 
Aber vom Ausmessen her ist es ein Einzeltransistor.
Viele Grüße
Bernd

: Bearbeitet durch User
von Richard K. (richi123)


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Eigenartig, eigenartig... Ich habe auch in den verfügbaren 
Sescosem-Katalogen nichts zu dem Transistor gefunden.

Den Hersteller auf deinem Bild konnte ich ebenfalls nicht herausfinden.

Ich habe ein paar Quellen angezapft, vielleicht kommt doch noch etwas 
Licht ins Dunkel.

Viele Grüße!

von Bernd M. (berndma)


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Das NT besagt integrierte Transistoren , also Transistorarray.
Vielleicht eine Parallelschaltung mehrerer Transistoren. Denn ein 
Darlington ist es nicht. Darlington werden auch nicht so bezeichnet.

Ich hoffe, daß bei deinen Informationszuläufen , deiner hervorragenden 
Arbeit,doch mal was kommt.

Viele Grüße
Bernd

von Christoph Z. (rayelec)


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>Das NT besagt integrierte Transistoren , also Transistorarray

genau, das HT steht für „набор трансисторов“ und das sind immer mehrere 
. Z.B. Matched Pairs oder Dinge wie CA3046.
Dieser Transistor und auch das Logo stammen nicht aus der UdSSR!

von Richard K. (richi123)


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Christoph Z. schrieb:
>>Das NT besagt integrierte Transistoren , also Transistorarray
>
> genau, das HT steht für „набор трансисторов“ und das sind immer mehrere
> . Z.B. Matched Pairs oder Dinge wie CA3046.
> Dieser Transistor und auch das Logo stammen nicht aus der UdSSR!

Das würde erklären warum man keinen sowjetischen Hersteller mit diesem 
Logo findet.
Aber zu wem gehört das Logo dann?

von Christoph Z. (rayelec)


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>Aber zu wem gehört das Logo dann?

wenn ich das wüsste...! Ich bin derzeit gerade daran, meine Transistoren 
zu inventarisieren (einige hundert Typen, insgesamt über 40000 Stück!) 
Da sind auch Logos darunter, welche ich trotz einiger Detektivarbeit 
nicht herausfinden konnte! Zudem gab es da einige Überaschungen. Wer 
hätte gedacht, dass in der Schweiz bei Favag (eine Uhrenfirma) 2N708 
produziert wurden oder bei Tadiran in Israel ein anderer 2N im TO-39 
Gehäuse!?

von user (Gast)


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Hast du eigentlich eine IC Wunschliste?

von Richard K. (richi123)


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Christoph Z. schrieb:
> Wer
> hätte gedacht, dass in der Schweiz bei Favag (eine Uhrenfirma) 2N708
> produziert wurden oder bei Tadiran in Israel ein anderer 2N im TO-39
> Gehäuse!?

Es kommt erschwerend hinzu, dass es Firmen gab, die nur die Dies 
entgegen nahmen und in die Gehäuse integriert haben. Das taten teilweise 
Firmen, die man überhaupt nicht mit Halbleitern verbinden würde.


user schrieb:
> Hast du eigentlich eine IC Wunschliste?

Ich habe noch so viel im Lager, ich darf mir nichts wünschen. :)

Aber ich habe durchaus eine Liste mit Dingen, die ich mir noch anschauen 
will. Manchmal sind es Reihen, die ich vervollständigen will (CH32F103), 
manchmal sind es Teile mit besonderen Eigenschaften (Zetex super e-line) 
und manchmal ist der Wunsch eher diffus (aktuelle High-End-Opamps).

Manche Teile muss man erst mal auftreiben können (CH32F103), manche 
Teile packe ich einfach in den Mouser-Warenkorb, wenn ich dringend 
Bauteile benötige und der Mindestbestellwert noch nicht erreicht ist.

von Richard K. (richi123)


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Also nach den bisherigen Rückmeldungen ist die wahrscheinlichste 
Erklärung, dass das Logo auf deine Transistor, Bernd, ein verunglücktes 
Thomson-Logo ist. Das würde gut zu meinem Sescosem-Transistor passen.

Auf der anderen Seite passt die Bezeichnung des Transistors nicht in die 
UdSSR Nomenklatur, einen sowjetischen Hersteller mit diesem Logo findet 
man nicht und irgendeine Art der Zusammenarbeit in diesem Gebiet scheint 
unwahrscheinlich.

Viele Grüße!

von Bernd M. (berndma)


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Richard K. schrieb:
> Also nach den bisherigen Rückmeldungen ist die wahrscheinlichste
> Erklärung, dass das Logo auf deine Transistor, Bernd, ein verunglücktes
> Thomson-Logo ist. Das würde gut zu meinem Sescosem-Transistor passen.
>
> Auf der anderen Seite passt die Bezeichnung des Transistors nicht in die
> UdSSR Nomenklatur, einen sowjetischen Hersteller mit diesem Logo findet
> man nicht und irgendeine Art der Zusammenarbeit in diesem Gebiet scheint
> unwahrscheinlich.
>
> Viele Grüße!

Hallo Richard,

den Transistor fand ich in einem Sammelsorium von DDR-Bauelementen. 
Darunter waren auch Welche aus dem RGW, was natürlich nichts bessagren 
muß. Die Aufschrift ähnlich der russdischen brachte mich auf die Idee. 
NSW- Bauelemente waren nicht darunter - deshalb meine Vermutung auf 
russische Herstgellung. Da ich keinerlei Infos im Netz und auf Anfragen 
in Rußland fand , bin ich nun nach dem Erscheinen deines  Transistors 
unsicher.
Es ist aber durchaus möglichl,das es irgendwo eine ähnliche Bezeichnung 
gibt.
Ich habe auch schon im Netz angefragt, leider ohne Erfolg. 
Möglicherweise ist das eine Kundfenwunschbrezeichnung.

Viele Grüße
Bernd

von Richard K. (richi123)


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Mir schien die russische Herkunft durchaus auch plausibel.

Gut möglich, das es eine kundenspezifische Beschriftung ist.

Vielleicht löst ja noch jemand das Rätsel endgültig auf.

Viele Grüße!

von Pille (Gast)


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Ich habe in den mir verfügbaren russischen Unterlagen nachgesehen, eine 
Serie 391 gibts wohl nicht, das bestätigt auch ein Blick auf 155la3.ru 
unter "актив", aber der Aufbau der Bezeichnung ist identisch zu einer 
russischen Bezeichnung für ein Transistorarray.

Das ist vom Logo her wirklich ein Secosem Ding mit ulkiger Bezeichnung.

Gruß,
Pille

von Richard K. (richi123)


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Danke Pille!

Ich denke das haben wir dann mit ausreichender Sicherheit geklärt.

Grüße!

von Christoph Z. (rayelec)


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Der Transistor wurde auch in russischen Foren diskutiert. Die 
Bezeichnung, insbesondere die Schreibweise der Zahl 3 mit geradem Strich 
oben spricht dafür, das es eine kyrillische Bezeichnung ist. Drei (3) so 
wie wir es schreiben ist im Kyrillischen der Buchstabe für das 
stimmhafte „S“. Laut den Foren ist die Machart des Gehäuses eindeutig 
nicht sowjetischen Ursprungs. Das deckt sich auch mit meiner Erfahrung. 
Ev. wurde der Transistor im Westen für einen Abnehmer in der Sowjetunion 
hergestellt (sowas kann durchaus vorgekommen sein).
Das Logo ist aber kaum ein missratenes Thomson-Logo. Ich habe das 
Thomson-Logo niemals auf einem Produkt 90 Grad gedreht zur Schrift 
gesehen.

von Richard K. (richi123)


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"Mein" 391HT2 hat aber eine geschwungene 3. :)
Ein bisschen mysteriös bleibt der Transistor...

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