Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Transistoren - Die-Bilder


Announcement: there is an English version of this forum on EmbDev.net. Posts you create there will be displayed on Mikrocontroller.net and EmbDev.net.
von Christoph Z. (rayelec)


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Der auf dem letzten Foto im Thread aber nicht ;-)
Auf den bezog sich auch meine Aussage zum Logo.

von Richard K. (richi123)


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Da hast du Recht. :)

von Bernd M. (berndma)


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Die Russen hatten schon immer etwas übrig für Sterne und Flugzeuge und 
so für Namen und Logos.
Das S statt der 3 ergibt auch keine Treffer, außerdem kenne ich nichts 
russisches mit einem S voran.
Das in dem russischen Forum ist wohl meiner Anfrage danach geschuldet.

Viele Grüße
Bernd

von Bernd M. (berndma)


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Kann nicht mehr bearbeiten.
hatte vergessen, daß das Logo an einen Düsenjäger erinnert.

Viele Grüße
Bernd

von Bernd M. (berndma)


Angehängte Dateien:

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Hier noch ein Bauelement was Keiner kennt, K5NT985A, außer dem Artikel 
in der russischen "Radio".
Auch danach hatte ich schon in Deuschland und Rußland gesucht - 
erfolglos.
Aber inzwischen sind hier villeicht neue Wissensträger.

Viele Grüße
Bernd

von ### (Gast)


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Franzose :)

 jdf. wenns ne drei und das gleiche wie in Richards Exemlar drin ist ;)

schätze auf SF.T 391 nnn wird der lauten,
irgendwann '67-69.

ist nur etwas verworren u. kaum/schlecht dokumentiert,
sogar franz. wikipedia verdreht ein paar Dinge
SESCO war ein joint-venture zw. Thomson u. GE
COSEM war CSF Alsacienne u. Radio Belver
SESCOSEM war später dann mehr oder weniger
(Auch wenn noch andere Bedeutung hat)
Markenname von zunächst Thomson-Brandt später Thomson-CSF

U. "Thomson" hiess eigentlich CFTH Compagnie Française Thomson Houston 
Die Kooperation mit der General Electric Company U.S.A. endete wohl 
~1969, zuvor ~'67 oder noch im Gange gab es die Vereiningung mit 
Hotchkiss-Brandt. und gleich hinterher die Vereinigung mit CSF

Die hiesen dann kurz (Compagnie Française) 
Thomson-Houston-Hotchkiss-Brandt daraus entstanden
grob Vereinfacht so:
-> Thomson-Brandt ~ Haushaltsgeräte
-> Hotchkiss ~ Waffentechnik
-> Thomson-CSF ~ elektronik für beide

Aber halt Konzern(e), halt keine Einzelfirma
dann war noch viel 70er und 80er übrig ....


---
von SESCO gibt es praktisch nichts im Netz:
Ob es Datenbücher gab, mir nicht bekannt.
So sähe das aus:
https://www.le-livre.fr/recherche-rapide.html?select_base=-1&RechercheRap=sesco

evtl. werden sich einige Dinge in GEs Transistor-Manuals wiederfinden.

COSEM (also urspr. CSF):
https://archives.doctsf.com/documents/index.php?num_serie=200
~ 1969, jetzt nicht mehr geguckt;
 COSEM - Diodes - datasheet
 COSEM - Transistors Ge - Datasheet
 COSEM - Transistors Si - Datasheet
 COSEM - Transistors SI - Diodes UHF - Circuits intégrés


SESCOSEM:
http://www.retronik.fr/Composants/SESCOSEM/


dig! oder lass es in friede ruhen;

http://aei.pitt.edu/36528/1/A2592.pdf
COMMISSION DES COMMUNAUTES EUROPEENNES
SERIE INDUSTRIE 1969
~ Forschung und Entwicklung in der Elektronik

S. 68-74 gibt einen groben Hinweis

von Richard K. (richi123)


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Heute ein Tungsram ASZ1017, mal wieder ein 
Germanium-Leistungstransistor:

https://www.richis-lab.de/Bipolar95.htm

von Richard K. (richi123)


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Hier noch ein kleines Update zum Tungsram ASZ1017:

https://www.richis-lab.de/Bipolar95.htm#Update

von Richard K. (richi123)


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RCA 2N3773, ein recht potenter, hometaxialer Transistor:

https://www.richis-lab.de/Bipolar96.htm

von Richard K. (richi123)


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2SD70, höchstwahrscheinlich von NEC, mit einer außergewöhnlichen 
Konstruktion:

https://www.richis-lab.de/Bipolar97.htm

von Richard K. (richi123)


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Hier haben wir mal wieder einen bzw. zwei 
Germanium-Leistungstransistoren:

https://www.richis-lab.de/Bipolar98.htm

Interessant ist vor allem der Vergleich der zwei Modelle.

von Richard K. (richi123)


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Zwischendurch mal etwas moderneres. Der Fairchild FDMS3602S ist ein 
asymmetrischer Dual-MOSFET optimal für Buck-Schaltregler:

https://www.richis-lab.de/FET22.htm

von Richard K. (richi123)


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Und hier noch etwas gröberes, ein Leistungsthyristor von TET, ein 
T62-160-10:

https://www.richis-lab.de/Bipolar99.htm

Na, wer kennt TET Estel? :)

von H. H. (Gast)


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Richard K. schrieb:
> Na, wer kennt TET Estel? :)

Die gibts ja immer noch.

von Richard K. (richi123)


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H. H. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Na, wer kennt TET Estel? :)
>
> Die gibts ja immer noch.

Und sie bieten einen recht interessante Produktpalette.

von Axel S. (a-za-z0-9)


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Richard K. schrieb:
> Und hier noch etwas gröberes, ein Leistungsthyristor von TET, ein
> T62-160-10:
>
> https://www.richis-lab.de/Bipolar99.htm

Ich lese da "ТБ2-160-10" oder transkribiert "TB2-160-10"

(man vergleiche das kyrillische "Б" mit der "6" in der Bezeichnung)

: Bearbeitet durch User
von Richard K. (richi123)


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Hm...

Die eckigen Kanten sprechen eher für ein B, richtig.
B würde für einen schnellen Thyristor stehen.

Auf der anderen Seite kann man heute noch T62-Thyristoren kaufen, zu 
TB2-Thyristoren habe ich auf die Schnelle nichts verlässliches gefunden.

Ich hätte gesagt, die 6 ist einfach  nicht schön geschrieben, bei der 93 
am Ende könnte es sich auch um ein Y3 handeln.
Aber es stimmt schon, vor allem im Vergleich zur zweiten 6 ist die erste 
6 wohl eher ein B.

Ich gehe der Sache nochmal nach und ergänze den Text auf jeden Fall mit 
einem Hinweis... ...oder ich übernehme vorerst das B...

Danke für den Hinweis!

: Bearbeitet durch User
von Bernd M. (berndma)


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Hallo Richard,

in lateinischen Buchstaben hist das ein TB2 160-10-U3

Viele Grüße
Bernd

von Axel S. (a-za-z0-9)


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Richard K. schrieb:
> Ich hätte gesagt, die 6 ist einfach  nicht schön geschrieben, bei der 93
> am Ende könnte es sich auch um ein Y3 handeln.

Das ist mit Sicherheit "У3" latinisiert "U3"

Die Mutter der Anschlußschraube dürfte im Vergleich ca. SW10 haben, die 
Schraube wäre dann M6? Auf jeden Fall ein ganz schönes Trumm. Als 
Briefbeschwerer fast schon zu groß. Aber als Türstopper noch zu klein :)

von Richard K. (richi123)


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Ich stimme euch zu.

Die Schraube ist wohl nicht original. Das Loch hat einen Durchmesser von 
13mm! :)

Im Robotron-Forum haben sie noch einen Verwandten gefunden:

https://eandc.ru/catalog/detail.php?ID=15835

https://eandc.ru/pdf/silovye-pribory/tb2-160_tb3-200.pdf

von Richard K. (richi123)


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Hier haben wir einen weiteren Leistungstransistor von Tesla, einen 
KD617:

https://www.richis-lab.de/BipolarA01.htm

von Richard K. (richi123)


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Mir ist gerade erst aufgefallen, dass auf dem Kabelschuh des 
Leistungsthyristors TB2-160-10 anscheinend ein Datecode eingeprägt ist:

https://www.richis-lab.de/images/transistoren/a50x16.jpg

(https://www.richis-lab.de/Bipolar99.htm)

: Bearbeitet durch User
von Richard K. (richi123)


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von Richard K. (richi123)


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Hier hätten wir den BD1428 Doppeltransistor:

https://www.richis-lab.de/BipolarA03.htm

Kann mir jemand sagen wer der Hersteller ist? :)
@Dieter W. (dds5): Von dir kam das Teil. Weist du mehr?

von Dieter W. (dds5)


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Die Teile liegen schon über 40 Jahre in meinem Sammelsurium, aber wenn 
ich das noch richtig in Erinnerung habe waren die von Unitrode.

von Richard K. (richi123)


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Unitrode? Wäre aber komisch, wenn die statt ihrem Unitrode-Logo dieses 
eigenartige Symbol aufgedruckt hätten.

von Korax K. (korax)


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Bernd M. schrieb:
> Hier noch ein Bauelement was Keiner kennt, K5NT985A

Vielleicht ein Aprilscherz?

von Richard K. (richi123)


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Korax K. schrieb:
> Bernd M. schrieb:
>> Hier noch ein Bauelement was Keiner kennt, K5NT985A
>
> Vielleicht ein Aprilscherz?

Hier findet sich das Teil noch einmal:
https://ur.booksc.eu/book/6288204/6de04b
Das Bauteil wird dort "semiconductor pentode" genannt.

Wäre schon interessant was dahinter steckt...

von Richard K. (richi123)


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Zu "semiconductor pentode" weiß Wikipedia ein paar Dinge:

"  Early pentode transistors ii
One early pentode transistor was developed in the early 1950s as an 
improvement over the point-contact transistor.

A point-contact transistor having three emitters. It became obsolete in 
the middle 1950s.
Pentode field-effect transistors having 3 gates, similar to vacuum tube 
pentodes have also been described[1]"

von Richard K. (richi123)


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Wenn es mal etwas mehr sein darf, Infineon FS300R12OE4, ein 
B6-Powermodul mit IGBTs:

https://www.richis-lab.de/BipolarA04.htm

von Richard K. (richi123)


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von Richard K. (richi123)


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Mir wurden die Transistoren zu unübersichtlich. Jetzt habe ich die 
Kategorien etwas überarbeitet:


- Transistoren (Germanium / Bipolar) => 
https://www.richis-lab.de/Transistoren_Ge.htm
- Transistoren (Silizium / Bipolar)
   - Kleinsignaltransistoren => 
https://www.richis-lab.de/Transistoren.htm
   - Leistungstransistoren => 
https://www.richis-lab.de/Transistoren_pwr.htm
   - Spezielle Varianten => 
https://www.richis-lab.de/Transistoren_div.htm
- Transistoren (Silizium / Feldeffekt)
   - Kleinsignaltransistoren => 
https://www.richis-lab.de/Transistoren_FET.htm
   - Leistungstransistoren => 
https://www.richis-lab.de/Transistoren_FET_pwr.htm
   - Smart-MOSFETs => https://www.richis-lab.de/Transistoren_FET_div.htm
- Transistoren (Wide-Bandgap) => 
https://www.richis-lab.de/Transistoren_wb.htm


Jetzt kann es weiter gehen...

Hm, die Formatierung ist nicht so glücklich hier... Naja, ihr wisst um 
was es geht und findet die Sortierung ja letztlich auch auf meiner 
Seite.

: Bearbeitet durch User
von Microwave (Gast)


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Hoi Richard =D

Das ist ja absolut heftig was du hier machst! Danke echt für diese 
unglaublichen Bilder, vorallem die extra Durchbrucherscheinungen geben 
mir den Rest!! Das wusste ich echt nicht, dass Transistoren so leuchten 
können, und dann noch zerstörungsfrei (wenn man s nicht übertreibt^^)!

Wie kommst du dazu so etwas zu machen/anzufangen? Arbeitest du in der 
Halbleiterherstellung? Und von wo hast du dein ganzes Wissen?

Wahnsinnig brutal, danke dass du dieses Angebot bietest!

Ausserdem, ich habe gesehen, du hast CE Durchbrüche provoziert. Auch 
wenn es strombegrenzt war, ist nicht dann sofort der Transistor kaputt? 
Bei IBGTs mindestens soll das ja ganz schlimm sein, drum sollten ja 
jeweils TVS Dioden genommen werden über der CE Strecke. Was aber 
würde/könnte passieren wenn eine strombegrenzte (sagen wir, 5 µA) 
Spannungsquelle mit 2000 V an einen 1200 V IGBT angeschlossen wird (V_GE 
= 0 V)?
Oder noch schlimmer, Gate - Emitter: Was passiert wenn am Gate eine 
Quelle 50 V haben kann und strombegrenzt ist auf 100 nA? Ist immer nur 
die lokale Verlustleistung das Problem, oder kann alleine auch die 
Spannung ein Problem werden?

Btw, irgendwann, so im Alter von Zündspulen und den entsprechenden 
Ansteuerungen und so, habe ich mal irgendein wildes Gerücht gehört dass 
man spannungsmässig solche TO3 Transistoren "tunen" könne in dem man 
irgendwie Silikonpaste o.ä. auf den Die/die Dies schmiert.
Dann sollte man mit einem 2N3055 angeblich die Primärspannung an der 
Zündspule hochschiessen lassen können wie bei Verwendung von einem 
dedicated Horizontaltransistor (2SC3994 oder so), also auch so 800 V...
Aber meiner Meinung nach ist doch da der Siliziumkristall an sich schon 
das Problem..? Habt ihr auch schonmal irgendwie diese komische Anekdote 
gehört?

von Richard K. (richi123)


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Freut mich, wenn dir meine Dokumentationen gefallen! :)

Mein Wissen habe ich zum Teil aus dem Studium, zum Teil von der Arbeit 
und zum Teil autodidaktisch erworben.
Den Großteil habe ich mir selber beigebracht. Das Studium hatte etwas 
andere Schwerpunkte und die Arbeit bringt mich den Halbleitern zwar 
immer wieder recht nahe, sie sind aber meistens nur Mittel zum Zweck.

=> Lesen bildet! Digital, analog, was man so findet. Je nach Thema IEEE, 
archive.org, gute Kontakte zu kompetenten Leuten helfen auch.

pn-Übergänge sind sehr robust solange man sie nicht überlastet. Das gilt 
auch für CE-Strecken. Bei 100V Durchbruchspannung darf der Strom halt 
nicht zu hoch sein.
Bei richtig hohen Spannungen (z.B. bei IGBTs) kann es aber sein, dass 
die Feldstärke am Rand des Dies dazu führt, dass es dort zu einem 
Überschlag kommt bevor die CE-Strecke durchbricht. Das is natürlich 
irreversibel.
Ebenso tödlich ist ein Durchbruch der Gate-Isolation eines MOSFETs oder 
IGBTs. Das ist eine "normale" Isolation und die geht sofort kaputt.

Also dieses Tunen von Transistoren halte ich für ein Gerücht. Bei hohen 
Spannungen ist die Feldstärke am Rand wirklich ein Problem und man 
könnte sich vorstellen, dass sich das vielleicht irgendwie minimal 
optimieren lässt, aber so wirklich glauben mag ich das nicht. Und einen 
2N3055 wird man so sicher nicht zum Hochspannungstransistor machen 
können. Da bricht die innere Sperrschicht vorher zusammen und die kann 
man von außen nicht relevant beeinflussen.

Achja, wie komme ich dazu das zu machen?
Die Webseite habe ich schon lange (~2000). (Damals hat man Bilder noch 
entwickeln lassen und danach eingescannt und man wusste nicht nicht so 
wirklich was man mit Suchmaschine wie Altavista und Fireball anfangen 
sollte :))
Eine Zeit lang habe ich da meine Projekte hochgeladen, einige 
"Altlasten" sind ja weiterhin vorhanden.

Fotografie war schon immer ein zweites Hobby und ungefähr 2017 habe ich 
damit angefangen erste IC-Bilder zu machen. Ich war positiv überrascht 
was ein Makro-Objektiv sichtbar machen kann und von da an sind meine 
Prozesse besser und besser geworden.

Zuerst habe ich meine eigenen Halbleiter untersucht und dann haben mit 
diverse nette Leute alles mögliche Interessante zukommen lassen. Die 
große Bandbreite der Spender führt zu der großen Bandbreite der Teile. 
Das möchte ich auch so beibehalten: alt/neu, groß/klein, 
einfach/komplex, bekannt/unbekannt...

von Richard K. (richi123)


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So ganz ist das Warum damit aber eigentlich noch gar nicht beantwortet.

Ich habe mich selbst schon immer gerne auf ähnlichen Seiten 
herumgetrieben. Mit meiner Seite kann ich "dem Internet" ein bisschen 
was zurückgeben.

Dazu kommt, dass ich festgestellt habe, dass man sich viel intensiver 
mit der Materie beschäftigt, wenn man sie so aufbereitet, dass man die 
Zusammenhänge anderen präsentieren kann.

Außerdem macht es mehr Spaß und man bekommt mehr interessante Kontakte 
(und Bauteile) wenn man seine Erkenntnisse veröffentlicht.

von Microwave (Gast)


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Richard K. schrieb:
> pn-Übergänge sind sehr robust solange man sie nicht überlastet. Das gilt
> auch für CE-Strecken. Bei 100V Durchbruchspannung darf der Strom halt
> nicht zu hoch sein.
> Bei richtig hohen Spannungen (z.B. bei IGBTs) kann es aber sein, dass
> die Feldstärke am Rand des Dies dazu führt, dass es dort zu einem
> Überschlag kommt bevor die CE-Strecke durchbricht. Das is natürlich
> irreversibel.
> Ebenso tödlich ist ein Durchbruch der Gate-Isolation eines MOSFETs oder
> IGBTs. Das ist eine "normale" Isolation und die geht sofort kaputt.

Ja, macht Sinn, jetzt wo du es sagst.
Mindestens in einer realen Schaltung (keine sinnvolle Strombegrenzung) 
könnte ich mir also das folgende vorstellen:
CE Durchbruch ==> mehr oder weniger konstante Spannung solange keine 
lokale Leistungsüberschreitung, also solange die Spannung nicht noch 
mehr ansteigt wird es nicht schlimmer.
(CE) Überschlag = Lichtbogenentladung, d.h. negativer differentieller 
Widerstand ==> Spannung wird klein und der Strom riesig. Da kann die 
Spannung schon wieder ungefährlich sein, das ist es gewesen :(

Wobei in der Theorie könnte man philosophieren ob 1 µA reicht für einen 
irreversiblen Durchschlag. Vorher müsste man noch definieren, was macht 
einen Durchschlag irreversibel? Welche Energie muss umgesetzt werden im 
Dielektrikum? Da könnte ich mir sogar vorstellen dass alleine die 
interne Kapazität vom Transistor schon genug Energie speichert für einen 
zerstörenden Durchschlag.

Hast du schonmal den Versuch gemacht V_GS zu überschreiten an einem 
billigen MOSFET, welcher gefilmt wird? Begrenzt auf eben 100 nA oder so.

Hast du schonmal die Steilheit gemessen von einem reversiblen CE 
Durchbruch, z.B. beim 2N3055?
Bei 100 V hast du 1 µA, und bei 100.1 V hast du 1 A oder so etwa? ... :/

Btw, "https://www.richis-lab.de/images/transistoren/36x07.jpg"; blaues 
Leuchten bei einem SiC FET, jetzt eskalierst du aber eindeutig =)
HAMMER!!

Grüsse - Microwave

von Richard K. (richi123)


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Microwave schrieb:
> Mindestens in einer realen Schaltung (keine sinnvolle Strombegrenzung)
> könnte ich mir also das folgende vorstellen:
> CE Durchbruch ==> mehr oder weniger konstante Spannung solange keine
> lokale Leistungsüberschreitung, also solange die Spannung nicht noch
> mehr ansteigt wird es nicht schlimmer.
> (CE) Überschlag = Lichtbogenentladung, d.h. negativer differentieller
> Widerstand ==> Spannung wird klein und der Strom riesig. Da kann die
> Spannung schon wieder ungefährlich sein, das ist es gewesen :(
>
> Wobei in der Theorie könnte man philosophieren ob 1 µA reicht für einen
> irreversiblen Durchschlag. Vorher müsste man noch definieren, was macht
> einen Durchschlag irreversibel? Welche Energie muss umgesetzt werden im
> Dielektrikum? Da könnte ich mir sogar vorstellen dass alleine die
> interne Kapazität vom Transistor schon genug Energie speichert für einen
> zerstörenden Durchschlag.

Was macht einen Durchlag irreversibel? Das ist die richtige Frage.

Legt man an einen pn-Übergang eine ausreichend negative Spannung, die 
zum Durchbruch führt, so arbeitet der Bereich im Lawinendurchbruch. Das 
ist wie bei einer Z-Diode ein ganz normaler Betriebszustand. Solange man 
die Verlustleistung abführen kann, ist das überhaupt kein Problem. Der 
Strom muss eben passend begrenzt werden.
In einer realen Schaltung wird sich eher selten eine ausreichende 
Strombegrenzung finden.

Der Überschlag "über den Rand des Dies" ist dagegen, wie du schon 
schreibst, eine klassische Entladung. Eine solche Entladung führt sofort 
zu einer Degeneration der Strukturen. Da kommt es zu 
Materialwanderungen, Strukturen schmelzen auf, Materialien zersetzen 
sich,... Das erzeugt entweder sofort einen Kurzschluss oder reduziert 
die Spannungsfestigkeit enorm.


> Hast du schonmal den Versuch gemacht V_GS zu überschreiten an einem
> billigen MOSFET, welcher gefilmt wird? Begrenzt auf eben 100 nA oder so.

Das ist die "normale" Gate-Isolation, die ist sofort durch, da wird man 
bei 100nA nicht viel sehen. Erst wenn der Strom hoch genug ist, wird man 
den Schaden auch sehen (Krater,...).


> Hast du schonmal die Steilheit gemessen von einem reversiblen CE
> Durchbruch, z.B. beim 2N3055?
> Bei 100 V hast du 1 µA, und bei 100.1 V hast du 1 A oder so etwa? ... :/

Nö, das habe ich noch nicht. Mir fehlt noch eine ordentliche SMU in 
meinem Messtechnikbestand, die wäre da hilfreich. Die Steilheit dürfte 
recht hoch sein.


> Btw, "https://www.richis-lab.de/images/transistoren/36x07.jpg"; blaues
> Leuchten bei einem SiC FET, jetzt eskalierst du aber eindeutig =)
> HAMMER!!

Ja, das hat mir auch sehr gut gefallen! :)
In die Richtung habe ich noch mehr vor...


Grüße,

Richard

von Microwave (Gast)


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Hoi Richard

Danke für deine raschen Antworten.
Eine Frage bzgl. dem Spannungsthema stellt mir sich noch: Warum wird 
immer gesagt, abgeschaltete MOSFETs seien weniger empfindlich gegenüber 
Überspannung über der DS Strecke verglichen zu abgeschalteten BJTs (dort 
halt CE) also auch IGBTs?
Ist das weil sich bei MOSFETs eher alles flächig abspielt und keine 
gefährlichen Leistungskonzentrationen kommen können, und bei BJTs ist 
immer alles auf die schmale Sperr**schicht** konzentriert?

Dann noch andere Fragen, und nochmal danke für deine Zeit!!

- Würde man bei einer 1N400x (vielleicht nicht grad 7) bei einem 
Durchbruch auch ein Leuchten sehen wie bei der BE Strecke vom 
Transistor? Hast du das schonmal probiert?

- Wie kommt die Farbe zustande in den Bildern welche du nicht extra 
markiert hast? Ist das wirklich so türkis und rötlich, oder hast du 
jeweils alles nachbearbeitet zum es besser erklär/unterscheidbar machen?

- Besonders bei den Darlingtontransistoren, wo du immer die Metalllagen 
weggeätzt hast am Schluss, würde irgendwie noch ein BE Durchbruch 
möglich sein, zum auch dort die Lage von der Sperrschicht anzeigen vom 
Haupttransistor? Ich finde das absolut genial dass du bei den einfachen 
Transistoren immer mit dem Durchbruchleuchten "gratis" die genaue Lage 
von der Sperrschicht markiert hast =D

- Würde mit den Transistoren mit perforated Emitter auch ein Leuchten 
sichtbar sein bei den ganzen Teiltransistoren? Schonmal probiert?

Grüsse - Microwave :)

von Richard K. (richi123)


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Microwave schrieb:
> Eine Frage bzgl. dem Spannungsthema stellt mir sich noch: Warum wird
> immer gesagt, abgeschaltete MOSFETs seien weniger empfindlich gegenüber
> Überspannung über der DS Strecke verglichen zu abgeschalteten BJTs (dort
> halt CE) also auch IGBTs?

Das kann ich dir aus dem Stand so auch nicht sagen, sorry. :)


> - Würde man bei einer 1N400x (vielleicht nicht grad 7) bei einem
> Durchbruch auch ein Leuchten sehen wie bei der BE Strecke vom
> Transistor? Hast du das schonmal probiert?

Da würde sich auch ein Leuchten einstellen, ja.
Ausprobiert habe ich das noch nicht.
Sowas wie die 1N4007 hat keine "schön sichtbare" Sperrschicht da wird 
man auch vom Leuchten nicht viel sehen.


> - Wie kommt die Farbe zustande in den Bildern welche du nicht extra
> markiert hast? Ist das wirklich so türkis und rötlich, oder hast du
> jeweils alles nachbearbeitet zum es besser erklär/unterscheidbar machen?

Du meinst bei den IC-Bildern? Das sind Resonanzen in den dünnen 
Siliziumoxidschichten.
Die Herstellung der Chips erzeugt unterschiedlich dicke 
Siliziumoxidschichten auf den aktiven Bereichen. Die unterschiedlichen 
Dicken erzeugen entsprechend unterschiedliche Resonanzen die die eine 
oder die andere Farbe erzeugen.
Entfernt man die Siliziumoxidschichten ist alles grau:
https://www.richis-lab.de/Howto_Decap_HF.htm


> - Besonders bei den Darlingtontransistoren, wo du immer die Metalllagen
> weggeätzt hast am Schluss, würde irgendwie noch ein BE Durchbruch
> möglich sein, zum auch dort die Lage von der Sperrschicht anzeigen vom
> Haupttransistor? Ich finde das absolut genial dass du bei den einfachen
> Transistoren immer mit dem Durchbruchleuchten "gratis" die genaue Lage
> von der Sperrschicht markiert hast =D

Wenn die Metalllage fehlt müsste man das Ganze irgendwie noch effizient 
kontaktieren, das dürfte schwierig werden...


> - Würde mit den Transistoren mit perforated Emitter auch ein Leuchten
> sichtbar sein bei den ganzen Teiltransistoren? Schonmal probiert?

Ja das hatten wir schon mal:
https://www.richis-lab.de/Bipolar08.htm
Hat was... :)


Grüße,

Richard

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Richard K. schrieb:

>> Btw, "https://www.richis-lab.de/images/transistoren/36x07.jpg"; blaues
>> Leuchten bei einem SiC FET, jetzt eskalierst du aber eindeutig =)
>> HAMMER!!
>
> Ja, das hat mir auch sehr gut gefallen! :)

Die ersten behaupteterweise serienreifen blauen LEDs, die ich Anfang der 
1980er Jahre auf einer Leipziger Messe sehen konnte (Hersteller habe ich 
allerdings vergessen) waren ebenfalls auf SiC-Basis. Blau war ja recht 
lange eine Fehlfarbe bei LEDs, und SiC galt als einer der 
aussichtsreichen Kandidaten. (Andere Materialien sind dann aber später 
besser geworden.)

von Korax K. (korax)


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Microwave schrieb:
> Btw, "https://www.richis-lab.de/images/transistoren/36x07.jpg"; blaues
> Leuchten bei einem SiC FET, jetzt eskalierst du aber eindeutig =)

Meines Wissens wird bei blauen LED deswegen Siliziumcarbid verwendet. 
Das ist denen erst spät gelungen, die roten gelben und grünen gibt es 
schon lange, die beinhalten stattdessen Galliumphosphid oder 
Galliumarsenid.
Im Handbuch zum Golf 2 steht: „die blaue Kontrollleuchte ist eine 
Miniaturglühlampe, weil blaue LED noch sehr teuer sind“ Die anderen 
waren dagegen schon LED.

Edit: jetzt war Jörg schneller..

: Bearbeitet durch User
von Richard K. (richi123)


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Korax K. schrieb:
> Im Handbuch zum Golf 2 steht: „die blaue Kontrollleuchte ist eine
> Miniaturglühlampe, weil blaue LED noch sehr teuer sind“ Die anderen
> waren dagegen schon LED.

Das ist ja lustig! :)


Falls es oben bei der Erklärung der Farben auf den Chipbildern nicht 
klar genug war, hier noch eine Ergänzung:
An der Oberseite und an der Unterseite der dünnen 
Siliziumoxids-Schichten wird jeweils ein Teil des eintreffenden Lichts 
reflektiert. Das direkt reflektierte Licht und das tiefer reflektierte 
Licht mischen sich dann wieder. Je nach Dicke der Siliziumoxidschicht 
kommt es zur Auslöschung oder Verstärkung der einen oder anderen 
Wellenlänge und das Licht wird so bunt.

von Microwave (Gast)


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Richard K. schrieb:
> Falls es oben bei der Erklärung der Farben auf den Chipbildern nicht
> klar genug war, hier noch eine Ergänzung:
Die war sehr wohl klar genug.
Beim überfliegen (15 s) ging schon das Licht auf:
"Achhhh jaaa, stimmt, macht Sinn" =)

So in der Makrowelt mit mm und m kennt man diese Effekte eben nicht 
wirklich grad^^ Und denkt natürlich auch dass diese ganzen Schichten 
doch sicher auch irgendwie 100 µm dick sind.

Richard K. schrieb:
> Ja das hatten wir schon mal:
> https://www.richis-lab.de/Bipolar08.htm
Sory, nicht gesehen :)

Korax K. schrieb:
> Meines Wissens wird bei blauen LED deswegen Siliziumcarbid verwendet.
Indiumgalliumnitrid (InGaN) ist scheinbar auch noch verwendet, laut 
Wikipedia.
Btw, lustig auch der Eintrag "Diamant" bei Ultraviolett in der 
Materialliste.
Eine Diamant LED =D

Grüsse - Microwave

von Richard K. (richi123)


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Microwave schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Falls es oben bei der Erklärung der Farben auf den Chipbildern nicht
>> klar genug war, hier noch eine Ergänzung:
> Die war sehr wohl klar genug.
> Beim überfliegen (15 s) ging schon das Licht auf:
> "Achhhh jaaa, stimmt, macht Sinn" =)
>
> So in der Makrowelt mit mm und m kennt man diese Effekte eben nicht
> wirklich grad^^ Und denkt natürlich auch dass diese ganzen Schichten
> doch sicher auch irgendwie 100 µm dick sind.

Dann passt´s ja! :)

Die Natur kann das auch:
Das Schillern von dünnen Ölschichten auf Wasserpfützen basiert auf dem 
gleichen Effekt und soweit ich weiß entstehen die Farben auf den 
Schmetterlingsflügeln genauso.
Aber hast natürlich schon Recht, man denkt nicht sofort an solche 
Effekte. War mir auch nicht gleich so bewusst.

Die Kunst ist der richtige Einfallswinkel des Lichts. Bei 
10k€-Auflichtmikroskopen funktioniert das einfach, ich musste erst mal 
ein Gefühl dafür entwickeln.

von MaWin (Gast)


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Korax K. schrieb:
> Meines Wissens wird bei blauen LED deswegen Siliziumcarbid verwendet

Dein Wissen ist halt veraltet. 
https://www.wissenschaft.de/technik-digitales/physik-nobelpreis-fuer-die-blaue-led/

SiC LEDs werden heute als Rarität gesucht und teuer gehandelt.

Korax K. schrieb:
> Im Handbuch zum Golf 2 steht

Damals gab es noch keine blauen LED.

Schlimmer war der Polo: Ausnahmegenehmigung für eine gelbe LED als 
Fernlichtindikator, weil eine blaue Gluhlampe fur den Polo zu teuer war.

von H. H. (Gast)


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MaWin schrieb:
> Schlimmer war der Polo: Ausnahmegenehmigung für eine gelbe LED als
> Fernlichtindikator, weil eine blaue Gluhlampe fur den Polo zu teuer war.

Das betraf in der Zeit alle Modelle von VW.

von Richard K. (richi123)


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GD180, ein Germaniumtransistor aus dem Röhrenwerk Neuhaus:

https://www.richis-lab.de/BipolarA06.htm

Weiß jemand was es mit dieser Schicht auf der Germaniumscheibe, unter 
bzw. neben des Lots auf sich hat?

von Korax K. (korax)


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MaWin schrieb:
> Korax K. schrieb:
>> Im Handbuch zum Golf 2 steht
>
> Damals gab es noch keine blauen LED.

Ich hatte einen Jetta II Baujahr '87 - dort stand es drin. Leider habe 
ich den nicht mehr..
Und ja, blaue LED gab es schon in den 80ern, halt als SiC und die waren 
finster und teuer. Die heutigen blauen LED sind eine Erfindung von 
'88.

von Patrick L. (Firma: S-C-I DATA GbR) (pali64)


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Richard K. schrieb:
> Weiß jemand was es mit dieser Schicht auf der Germaniumscheibe, unter
> bzw. neben des Lots auf sich hat?

Das ist ein Übergangsmaterial, was die Lötbarkeit ermöglicht.
Auf der Puren Ge Scheibe würde das Lot nicht richtig halten.

Zumindest bei denen die wir damals in CH hergestellt hatten machten wir 
das so.

: Bearbeitet durch User
von Richard K. (richi123)


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Interessant! Danke für die Info!

Wie war das dann mit der Dotierung? Befindet die sich trotzdem, wie man 
es immer ließt, im Lot und diffundiert durch die Übergangsschicht oder 
beinhaltete die Übergangsschicht schon das Dotierungs-Material? ...wobei 
ich mich dann fragen würde warum darüber noch einmal zwei verschiedene 
Lote notwendig waren.

OT: Wenn man deine Beiträge hier so verfolgt hast du auch schon fast 
alles gesehen und gemacht? Faszinierend...

von Patrick L. (Firma: S-C-I DATA GbR) (pali64)


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[OT]
Richard K. schrieb:
> OT: Wenn man deine Beiträge hier so verfolgt hast du auch schon fast
> alles gesehen und gemacht?

Jep, deshalb haben die, die mich nicht persönlich kennen so ihre 
Probleme.
Es grenzt schon ein wenig ans Unglaubliche...

Deshalb nimm ich das niemandem übel....

Aber dir sende ich sowieso mal noch PNP "DIE" zu, die Das Logo der Firma 
haben ,

Dan kannst du die auch mal zum "Leuchten Bringen" ohne dass du zuerst 
ein Gehäuse öffnen musst.

Muss aber zuerst ein Halter machen, sonst kannst du sie nicht 
kontaktieren.

Zur Zeit habe ich aber 3 Leute zu wenig, weshalb ich nicht dazu komme 
:-(...

73 55
[/OT]

von Richard K. (richi123)


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Nun, das Forum ist ja bekannt für seinen teilweise rauhen Ton.

Über besondere Teile freue ich mich immer! :)

Aber nochmal zum Ge-Transistor und der Beschichtung der 
Germaniumscheibe:
Weißt du ob die Beschichtung dann auch gleich die Dotierung mitgebracht 
hat oder ob das über das Lot kam?

von Patrick L. (Firma: S-C-I DATA GbR) (pali64)


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Richard K. schrieb:
> Weißt du ob die Beschichtung dann auch gleich die Dotierung mitgebracht
> hat oder ob das über das Lot kam

Wir haben es damals in die Beschichtung integriert (Musste zuerst 
nachschaun ist laaaange her) es ist Möglich,
das die da 2 verschiedene Lote verwendet haben,
um die Temperaturdehnung zu Kompensieren,
es handelt sich ja immerhin um ein Leistungsbauteil, das auch mal so 
richtig warm werden darf...
Und der Aufbau lässt nicht wirklich Dehnungsraum.  :-)

von Richard K. (richi123)


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Hier haben wir mal wieder etwas außergewöhnliches, einen russischen 
Transistor zur Entwicklung von Hybridschaltkreisen:

https://www.richis-lab.de/BipolarA07.htm

Findet jemand ein Datenblatt zu dem Teil?

von Jörg R. (solar77)


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@Richard

Du gehörst mit Deinem erstklassigen Projekt auf YouTube. Das würde den 
Kanal qualitativ zudem ein gutes nach oben katapultieren;-)

PS: In den nächsten Tagen bekommst Du wieder einige Bauteile von mir, 
u.a. Fake IRF3708.

von Manfred (Gast)


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Jörg R. schrieb:
> Du gehörst mit Deinem erstklassigen Projekt auf YouTube. Das würde den
> Kanal qualitativ zudem ein gutes nach oben katapultieren;-)

Bloß nicht, selbst total besoffen und mit einem Joint in der Hand wäre 
Richard noch 10 Etagen über den dort vertretenen Idioten.

Auf YT kann man sich F*ckFilme angucken, im technischen Bereich ist der 
Laden tiefer als jeder Kriegsbunker.

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Richard K. schrieb:
> einen russischen Transistor zur Entwicklung von Hybridschaltkreisen:

Ich habe hier einen (schätzungsweise) Nachfolger, den КТ331В.

Im Gegensatz zu deinen Exemplaren hat er allerdings einen 
"strukturmäßigen" Namen.

von Richard K. (richi123)


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Ich danke für die lobenden Worte! :) Aktuell gibt es die freie Zeit gar 
nicht her Videos zu erstellen. Ich bin oft selbst überrascht welche 
Taktrate ich halten kann.

@Jörg W.: Aber bei "meinen" Transistor-Bezeichnungen findest du auch 
keinen Anhaltspunkt was sich dahinter verbergen könnte?

von Mohandes H. (Firma: مهندس) (mohandes)


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Richard K. schrieb:
> Aktuell gibt es die freie Zeit gar nicht her Videos zu erstellen.

YT ist ja sehr 'modern', würde mehr Klicks bringen, reißerische 
Aufmachung womöglich noch, viele '!!!' und 'FAKE-MOSFET!' - aber ich 
finde Videos für Richards Projekte überhaupt nicht anstrebenswert.

Als Webseite lassen sich die schönen, ästhetischen Bilder und die Texte 
genau in dem Tempo verdauen, wie es jedem individuell gefällt. Weiter 
so, ich bin gern auf Deiner Seite!

von Richard K. (richi123)


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Danke! :)

Ja, die Aufmacher haben sich in den letzten Jahren ganz schön verändert.
Meine Titel müssten dann wohl lauten:
"Alles schlechte der Welt vereint in einem TO3-Gehäuse!!!"
"Astralwesen zeigen sich an Sperrschicht von Transistoren"
"China unterwandert westliche Welt mit diesem IC!"
und zur Zeit ganz weit oben:
"Mit diesem Trick können Sie ihre Stromrechnung um 90% reduzieren!" 
(passend zu jedem Bild/Video)

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Richard K. schrieb:
> @Jörg W.: Aber bei "meinen" Transistor-Bezeichnungen findest du auch
> keinen Anhaltspunkt was sich dahinter verbergen könnte?

Nein, die Bezeichnung fällt so völlig aus der Art.

Ich hatte diese КТ331В übrigens tatsächlich mal verbaut, in einem der 
damals so üblichen Logik-Prüfstifte. Eingebaut zusammen mit einer 
kleinen 7-Segment-Anzeige (ich denke, es war eine VQB37) in ein HC-6/U 
Quarzgehäuse. Das "Gerippe" der Schaltung bestand aus den Widerständen, 
die Golddrähte dieser Transistoren musste man dann in die heißen 
Lötzinnnperlen einlegieren. Etwas zu unachtsam lang gelötet, und der 
Draht war ratz-batz weg. :-O  Das Ganze am Ende mit Epoxidharz 
eingegossen.

von Richard K. (richi123)


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Dass diese Bonddrähtchen beim Löten ruckzuck wegschmelzen habe ich auch 
schon gehört. :)


Im EEVblog-Forum hatte noch jemand einen Hinweis:

The marking of the transistor is non-standard, which means an 
experimental sample. The first letter "А" (Cyrillic) denotes the plant - 
Pulsar. "А479А" (Cyrillic) is most likely a prototype of the transitor 
2Т319А (Cyrillic).

Here is information about it: http://www.155la3.ru/2tp319.htm

Wie er von A479A auf 2T319A kommt, ist mir aber noch nicht ganz klar.

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Richard K. schrieb:
> Wie er von A479A auf 2T319A kommt, ist mir aber noch nicht ganz klar.

Mir auch nicht. Meine 331er sind auch in solchen Kistchen. Interessant, 
wie alt die hier sind, aber deiner ist ja wahrscheinlich sogar noch 
älter (1967). Meine 331 sind von 1977.

: Bearbeitet durch Moderator
von Richard K. (richi123)


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von Richard K. (richi123)


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Ich habe mir ein paar IRF3708 vorgenommen, die werde ich in diesem 
Thread anhängen:

Beitrag "Re: 5V Input an LED schalten mit 3V3 vom ESP01s"

von Richard K. (richi123)


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2N389, ein sehr alter, anscheinend sogar der ältestes 
Silizium-Leistungstransistor:

https://www.richis-lab.de/BipolarA09.htm

Das Teil kam von Dieter W. (dds5).

von Richard K. (richi123)


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Wird mal wieder Zeit für einen Transistor! Wie wäre es mit einem 
diffusionslegierten MESA-Leistungstransistor, einem P605A von ALFA:

https://www.richis-lab.de/BipolarA10.htm

von Richard K. (richi123)


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Nach dem P605A (https://www.richis-lab.de/BipolarA10.htm) haben wir hier 
noch einen P609A von ALFA:

https://www.richis-lab.de/BipolarA11.htm

von Richard K. (richi123)


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Hier haben wir noch etwas interessantes! Ein GD241 aus dem Röhrenwerk 
Neuhaus, in dessen Gehäuse sich einige Dendriten gebildet haben:

https://www.richis-lab.de/BipolarA12.htm

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Krass. Vielleicht findest du ja irgendwelche Werkstoffwissenschaftler, 
die das Material der Dendriten untersuchen können?

von Richard K. (richi123)


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Gute Idee! Mal sehen, was sich machen lässt...
An der Stelle darf man mal wieder nicht vergessen wie klein das Zeug 
ist. Das macht es nicht einfacher.

von Mohandes H. (Firma: مهندس) (mohandes)


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Richard K. schrieb:
> ... wie klein das Zeug ist.

Die Auflösung geht ja schon bis in den <10µ-Bereich. Danke für die 
tollen Bilder! Macht immer wieder Spaß anzuschauen und auch die Texte zu 
lesen.

von Richard K. (richi123)


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Vielen Dank, so ein Zuspruch freut mich immer!

Ich sage mittlerweile, dass ich cirka 1-5µm auflösen kann, je nachdem 
wie gut das Objekt zu meinem Equipment passt und wieviel das Gehirn 
interpolieren kann. :)

von Arno H. (arno_h)



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Für Zinnwhisker sehen sie etwas seltsam aus, bei Ge-Transistoren kein 
seltenes Problem. Angehängt eine Untersuchung der Nasa an einem AF114 
und eine ONSemi-Literatursammlung in der TND311-D.

Arno

von Richard K. (richi123)


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Stimmt, Whisker sind das nicht.
Im GD609 habe ich damals neben Dendriten so etwas wie Whisker gefunden, 
damals leider nicht ideal fotografiert:
https://www.richis-lab.de/Bipolar65.htm

von Bernd (Gast)


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Kann man oder muß man davon ausgehen, das alle elektronischen Bauteile 
früher oder später davon betroffen sind?
Oder hat man das unerwünschte Kristallwachstum heute besser im Griff?

von Richard K. (richi123)


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Dabei muss man Whisker und Dendriten unterscheiden.

Bei den Whiskern hat man lange nicht verstanden wie sie eigentlich 
entstehen und welche Bedingungen dabei förderlich sind. Soweit ich weiß 
ist das heute noch nicht zu 100% geklärt.
Das Problem tritt (im Elektronikbereich) nur bei reinem Zinn auf. 
Problematischer wurde es daher wieder mit der Umstellung auf bleifrei. 
Aber als flächendeckendes, großes Problem würde ich den Effekt nicht 
einsortieren. Ich habe auch beruflich mit Elektronik in größeren 
Stückzahlen zu tun und abgesehen von "einzelnen Erzählungen anderer" ist 
mir bisher kein Problem mit Whiskern untergekommen.

Bei den Dendriten bin ich mir nicht ganz sicher, aber ich vermute, dass 
das ein grundsätzlich recht einfach erklärbarer, (elektro)chemischer 
Prozess ist.
Wie man beim GD608 und an den vielen Trocknungsmitteln sieht, hatte man 
damals noch ziemliche Probleme mit Sauberkeit und Dichtigkeit. Da kann 
sich schnell mal alles Mögliche bilden. Aber selbst damals war das nicht 
in jedem Bauteil so, wie man an den vielen "sauberen" Transistoren 
sieht.

Was heute öfter vorkommt ist CAF, Conductive anodic filament:
https://www.all-electronics.de/elektronik-fertigung/caf-fehlerbild-baugruppen-aus-fr4.html
Das ist ein elektrochemischer Prozess, den hat man aber verstanden und 
kann man beherrschen.

von Bernd (Gast)


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Spannend! Danke für die Erklärung.

von Richard K. (richi123)


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Es gibt da eine ältere Dokumentation des TPIC2404:

https://www.richis-lab.de/Bipolar30.htm

Die ESD-Strukturen sind schwierig zu interpretieren. Mittlerweile glaube 
ich, dass meine erste Interpretation falsch war, daher jetzt das Update.
Ein Übersichtsbild habe ich auch noch aktualisiert (bessere Qualität).

von Richard K. (richi123)


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BFS17, ein kleiner (!) HF-Transistor:

https://www.richis-lab.de/BipolarA13.htm

Gar nicht so einfach so ein kleines Teil sauber zu bekommen. :)

von Richard K. (richi123)


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Ich habe ein bisschen mit Infrarot-Aufnahmen experimentiert:

https://www.richis-lab.de/BipolarA14.htm

Mal sehen was man auf diese Art noch alles ablichten kann... :)

Der BUX22 kommt übrigens von Dieter W. (dds5).

von Richard K. (richi123)


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Ich habe noch ein bisschen mit der Infrarot-Fotografie experimentiert 
und auch eine gute Erklärung für die verschiedenen Leuchteffekte 
gefunden:

https://www.richis-lab.de/Bipolar75.htm#IR

(HFO SF137)

von Richard K. (richi123)


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Der 2N389 mit seinen großen Strukturen zeigt noch etwas schöner wo 
Rekombination stattfindet:

https://www.richis-lab.de/BipolarA09.htm#IR

von Richard K. (richi123)


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Heute nur ein kleiner BC548C von Philips:

https://www.richis-lab.de/BipolarA15.htm

von Bernd (Gast)


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Richard K. schrieb:
> Heute nur ein kleiner BC548C von Philips:
Ich vermute ja, das die Dies von BC546, BC547, BC548, BC549 und BC550 
alle identisch aussehen:
https://www.sparkfun.com/datasheets/Components/BC546.pdf

Bei Fairchild stehen die alle im selben Datenblatt und haben identische 
Kurven. Am Anfang wurde die verschiedenen Typen vermutlich noch 
ausgemessen und als man die Prozesse im Griff hatte, konnte man dann so 
labeln, wie es die Kunden bestellt und bezahlt haben.

Interessant ist, das der komplementäre PNP identisch aussieht. Da konnte 
man sicher nicht einfach das Dotierungsprofil 'invertieren'. Die 
Unterschiede in der Ladungsträgerbeweglichkeit müssen ja irgendwie 
kompensiert werden. Und über die Fläche ist das offensichtlich nicht 
geschehen...

von Richard K. (richi123)


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Ich vermute auch, dass die verschiedenen Transistoren sehr ähnlich bis 
gleich sind.
Leider kann man sie nicht oder nur ungefähr einem Produktionsjahr 
zuordnen, so können Unterschiede auch durch Weiterentwicklungen über die 
Zeit entstanden sein.

von Richard K. (richi123)


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Um etwas mehr Ordnung in die Liste zu bekommen habe ich hier jetzt eine 
eigene Sektion für BC-Transistoren:
https://www.richis-lab.de/Transistoren_BC.htm

Und hier gleich noch der BC328 von Philips:
https://www.richis-lab.de/BipolarA16.htm

von Richard K. (richi123)


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BC338, der komplementäre NPN-Transistor zum BC328:

https://www.richis-lab.de/BipolarA17.htm

von Richard K. (richi123)


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Ein weiterer kleiner Transistor, ein Philips BC558B:

https://www.richis-lab.de/BipolarA18.htm

von Richard K. (richi123)


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Ich habe ein paar IR-Bilder des HFO SL113 gemacht:

https://www.richis-lab.de/Bipolar29.htm#IR

In diesem frühen Transistor scheinen die Strukturen noch nicht ganz so 
homogen zu sein...

von Richard K. (richi123)


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Nochmal ein kleiner BC547, Hersteller unbekannt:

https://www.richis-lab.de/Bipolar44.htm#unbekannt

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Richard K. schrieb:
> Hersteller unbekannt:

Kein Logo auf dem Die? :-))

Gibt es eigentlich technische Gründe für diese "künstlerisch wertvolle" 
Struktur?

: Bearbeitet durch Moderator
von Richard K. (richi123)


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Selbst bei den großen Transistoren sind die Hersteller mit Hersteller- 
und Typbezeichnungen immer sehr sparsam, leider...

Die Form ergibt sich wahrscheinlich aus der Notwendigkeit neben der 
Emitter-Bondfläche auch noch eine Basis-Bondfläche zu integrieren. Beide 
Bondflächen benötigen eine gewisse Mindestläche und das Die soll aber 
gleichzeitig möglichst klein bleiben.

von Richard K. (richi123)


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Komplementär zum BC547 haben wir hier noch den BC557 mit dem gleichen 
Die-Design:

https://www.richis-lab.de/BipolarA19.htm

von Bernd (Gast)


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Ich finde es interessant, das die Transistoren in den Transistoren so 
anders aussehen, als die Transistoren in den ICs...

von Richard K. (richi123)


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Bei einem Transistor auf einem IC benötigt man keine Bondflächen.
Dafür kommt auf der Oberseite ein Kollektorkontakt dazu.
Und letztlich waren bei integrierten Schaltungen lange nur rechtwinklige 
Flächen üblich.

Insgesamt ergibt sich so eine andere Formensprache.

Und manche sehen trotzdem recht ähnlich aus:
https://www.richis-lab.de/BipolarA16.htm

von Richard K. (richi123)


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Bei den komplementären Germanium-Transistoren GD609/GD619 fehlten noch 
Bilder ohne dem schützenden, roten Silikonverguss, das habe ich jetzt 
geändert:

https://www.richis-lab.de/Bipolar65.htm#junction

von Richard K. (richi123)


Lesenswert?

Linear Systems LS5907, ein Dual-JFET, der im Elektrometer Keithley 617 
eingesetzt wird:

https://www.richis-lab.de/FET26.htm

von Richard K. (richi123)


Lesenswert?

Ich muss noch ein paar Dual-JFETs "loswerden":

Harris Semiconductor 2N5905
https://www.richis-lab.de/FET27.htm

von Richard K. (richi123)


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Richard K. schrieb:
> Ich muss noch ein paar Dual-JFETs "loswerden":
>
> Harris Semiconductor 2N5905
> https://www.richis-lab.de/FET27.htm


Und hier der "Vorgänger" von Intersil:

https://www.richis-lab.de/FET28.htm

von Bernd (Gast)


Angehängte Dateien:

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Richard K. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Harris Semiconductor 2N5905
> Und hier der "Vorgänger" von Intersil:

Ich hätte ja erwartet, das bei spiegelbildlichen Pinout auch das Innere 
spiegelbildlich ist.

Interessanterweise gibt es auch Abweichungen zum 'Datenblatt' (Seite 
1-50 bzw. 78): https://www.semiee.com/file/EOL2/Intersil-2N5465.pdf

von Richard K. (richi123)


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Man hat sich wahrscheinlich etwas dabei gedacht.

Ich vermute auch, dass man diesen "Grenzzaun" in der Metalllage nicht 
ohne Grund eingebaut hat. Was der allerdings für einen Nutzen haben 
soll, ist mir nicht klar.

Was meinst du für Abweichungen im Datenblatt?

von Bernd (Gast)


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Richard K. schrieb:
> Was meinst du für Abweichungen im Datenblatt?
Die metallisierten Fingerchen an Drain und Source sind auf Deinen 
Bildern anders angeordnet als im Datenblatt.

von Richard K. (richi123)


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Bernd schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Was meinst du für Abweichungen im Datenblatt?
> Die metallisierten Fingerchen an Drain und Source sind auf Deinen
> Bildern anders angeordnet als im Datenblatt.

Ahja stimmt, die sind leicht unterschiedlich.
Den "Grenzzaun" haben sie auch unterschlagen. Oder er kam erst später 
dazu.

von Richard K. (richi123)


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Hier habe ich noch einen interessanten 2N5906:

https://www.richis-lab.de/FET29.htm

Wer kennt das Logo?
Eine Kaskodenschaltung? Ist es vielleicht ein Fake?

von Arno H. (arno_h)


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Der Verkäufer von Ebay Art. 21023032529 behauptet als Marke "MEGA".
Zu finden war sonst nichts.

Arno

von Richard K. (richi123)


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Hallo Arno!
Dieses Ebay-Angebot habe ich auch gesehen. Dazu findet sich aber nur 
"Mega Semiconductor Co.,LTD", ein Distributor aus Hongkong...

Beitrag #7320990 wurde von einem Moderator gelöscht.
von Arno H. (arno_h)


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Hallo Richard, deren Logo sieht aber anders aus.
Es könnte sich eventuell um ein der Drucktechnik angepasstes Logo von 
Semicoa handeln.

Arno

von Richard K. (richi123)


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Semicoa, interessant!
Deren Logo ist aber schon sehr anders und laut der Webseite machen sie 
nur Bipolartransistoren...

von Richard K. (richi123)


Lesenswert?

Tesla KCZ58, ein Doppeltransistor:

https://www.richis-lab.de/BipolarA20.htm

von Richard K. (richi123)


Lesenswert?

Eine H-Brücke zähle ich zu den "sonstigen Transistoren", daher ist der 
L6202 hier zu finden:

https://www.richis-lab.de/FET30.htm

Der ursprüngliche L6202 kam von Arno H. (arno_h), der hier zu sehende 
ist ein anderer. Ihr könnt euch wahrscheinlich denken, was ich damit 
sagen will... :)

von flip (Gast)


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>>  und der Jahrgang 1998

steht das nicht Kopf? :)

 ƃızɥɔɐpunsɥɔǝs

von Richard K. (richi123)


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Das ist aber auch ein erhöhter Schwierigkeitsgrad! :D
Danke für den Hinweis! Ist korrigiert...

von Richard K. (richi123)


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MJE3055, eine Alternative zum 2N3055, hier im alten TO127-Gehäuse:

https://www.richis-lab.de/BipolarA21.htm

von Armin X. (werweiswas)


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Richard K. schrieb:
> MJE3055, eine Alternative zum 2N3055, hier im alten TO127-Gehäuse:

Aber nicht pinkompatibel zum MJE3055T
Bin ich mal drauf reingefallen als ich Ersatz zum MJE3055 ohne "T" für 
meine Stromsenke gesucht hatte.

: Bearbeitet durch User
von Richard K. (richi123)


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Oha! Sowas kann viel "Freude" machen...

von Richard K. (richi123)


Lesenswert?

Nun noch den komplementären MJE2955:

https://www.richis-lab.de/BipolarA22.htm

von Richard K. (richi123)


Lesenswert?

TRW 2N6543, ein reinrassiger Schalttransistor:

https://www.richis-lab.de/BipolarA23.htm

von Richard K. (richi123)


Lesenswert?

ON Semiconductor NDUL09N150C, ein 1500V-MOSFET:

https://www.richis-lab.de/FET31.htm

von Richard K. (richi123)


Lesenswert?

Thomson Semiconducteurs TDE1647, ein Relais- und Lampentreiber:

https://www.richis-lab.de/BipolarA24.htm

Ein schon länger hier wartendes Bauteil von Jörg R. (solar77)... :)

von Richard K. (richi123)


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Hier kommt noch ein Update zum TDE1647, eine genauere Analyse der realen 
Schaltung:

https://www.richis-lab.de/BipolarA24.htm#Update

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Das Teil unter "Transistoren" rangieren zu lassen, hat schon was. ;-)

Aber alles in allem sehr interessant! (Naja, wie immer, muss man ja 
schon fast sagen …)

von Richard K. (richi123)


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Bei der Kategorisierung muss man etwas flexibel sein, sonst hätten wir 
zuviele Threads.
Es ist mehr oder weniger ein Smart-Switch und die laufen bei mir ebenso 
unter "Spezielle Transistoren" wie zum Beispiel Mehrfachendstufen.

Danke! :)

von Richard K. (richi123)


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Passend zum TDE1647 hier der TDE1737 (auch von Jörg):

https://www.richis-lab.de/BipolarA25.htm

von Arno H. (arno_h)



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Beim Aufräumen noch eine historische Persönlichkeit gefunden: IBM Typ022 
von Delco. PNP mit 60V und 15A, 2N174 ist als Ersatztyp angegeben. Falls 
du ihn nicht haben möchtest, kann ihn auch gerne jemand anders für 
Sammlung, Museum o.ä. bekommen.

Arno

von Richard K. (richi123)


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Hallo Arno,

na den schaue ich mir natürlich gerne an! :)

Grüße,

Richard

von Richard K. (richi123)


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Hier haben wir das Transistorarray CA3045 von RCA:

https://www.richis-lab.de/BipolarA26.htm

Dieses Design hat RCA auch als Grundlage für sein Diodenarray verwendet.

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Richard K. schrieb:
> Hier haben wir das Transistorarray CA3045 von RCA:

Das erinnert mich an MAA225 etc. von Tesla.  Hast du sowas schon? 
Ansonsten müsste ich mal kramen.

von Richard K. (richi123)


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Jörg W. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Hier haben wir das Transistorarray CA3045 von RCA:
>
> Das erinnert mich an MAA225 etc. von Tesla.  Hast du sowas schon?
> Ansonsten müsste ich mal kramen.

Ich glaube nicht. Ganz sicher kann ich es bei meinem aktuellen 
Lagerbestand nicht sagen. :)

von Richard K. (richi123)


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von Richard K. (richi123)


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BL Galaxy Electrical S9014, ein kleiner NPN-Transistor:

https://www.richis-lab.de/BipolarA30.htm

: Bearbeitet durch User
von Jens G. (jensig)


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Richard K. schrieb:
> HFO SF123:
>
> https://www.richis-lab.de/BipolarA02.htm

Auch wenn dieser Beitrag schon ein Jahr her ist, kleiner Hinweis, oder 
vielleicht auch Frage.
Dort schreibst Du "Die Zeichen DO stehen für eine Fertigung im April 
1974.".
Ich würde es eher als Oktober 1973 entziffern. Buchstabe A sollte ja 
1970 (und auch 1990) sein, und die Monate Jan ... Sep bekamen 1 ... 9, 
und Okt, Nov, Dez wurden mit ihrem Anfangsbuchstaben abgekürzt, also O, 
N, D. Also sollte DO Okt 1973 sein ...
Oder hast Du eine andere Liste für die DDR-Kodierung?

: Bearbeitet durch User
von H. H. (Gast)


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von Richard K. (richi123)


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Ich habe hier tatsächlich eine Liste eines Enthusiasten, der es sich zur 
Aufgabe gemacht hat die Beschriftungen der verschiedenen 
DDR-Halbleiterhersteller den Produktionsjahren und -monaten zuzuordnen.

Bis 1977 hat das HFO noch nach eigenen Regeln beschriftet, danach hat 
man sich an "die Norm" gehalten.

Dresden und Erfurt hatten natürlich jeweils eigene Regeln.

Tesla hat sich übrigens auch erst ab 1983 an die Norm gehalten, davor 
hatte die ebenfalls ein eigenes System.

von Richard K. (richi123)


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Und hier haben wir einen MMBT3906, höchstwahrscheinlich von BL Galaxy 
Electrical:

https://www.richis-lab.de/BipolarA31.htm

von Jens G. (jensig)


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H. H. schrieb:
> Jens G. schrieb:
>> DDR-Kodierung
>
> Nix DDR, IEC!
>
> http://bedienungsanleitung.elektronotdienst-nuernberg.de/din-en-60062.html

Ja gut, ist schon ok.

Und nach welcher Norm wurde der hier mit dem Datecode versehen?

https://www.richis-lab.de/Bipolar75.htm

LM paßt nicht so in die gängige Norm, bzw. die dort genannte Zeit - 
September 1972 ist mir nicht so ganz schlüssig, weder das Jahr noch 
Monat ...

von H. H. (Gast)


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Jens G. schrieb:
> Und nach welcher Norm wurde der hier mit dem Datecode versehen?
>
> https://www.richis-lab.de/Bipolar75.htm
>
> LM paßt nicht so in die gängige Norm, bzw. die dort genannte Zeit -
> September 1972 ist mir nicht so ganz schlüssig, weder das Jahr noch
> Monat ...

Richard fragen.

von Richard K. (richi123)


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Und ich zitiere mich selbst:

Richard K. schrieb:
> Ich habe hier tatsächlich eine Liste eines Enthusiasten, der es
> sich zur Aufgabe gemacht hat die Beschriftungen der verschiedenen
> DDR-Halbleiterhersteller den Produktionsjahren und -monaten zuzuordnen.
> Bis 1977 hat das HFO noch nach eigenen Regeln beschriftet, danach hat
> man sich an "die Norm" gehalten.
> Dresden und Erfurt hatten natürlich jeweils eigene Regeln.
> Tesla hat sich übrigens auch erst ab 1983 an die Norm gehalten, davor
> hatte die ebenfalls ein eigenes System.

Das gilt auch für den SF137...

von Richard K. (richi123)


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MMBT3904, ein Kleinsignaltransistor mit einer ungewöhnlichen Geometrie:

https://www.richis-lab.de/BipolarA32.htm

von H. H. (Gast)


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von Richard K. (richi123)


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H. H. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> MMBT3904, ein Kleinsignaltransistor mit einer ungewöhnlichen
>> Geometrie:
>>
>> https://www.richis-lab.de/BipolarA32.htm
>
> 
https://www.lcsc.com/product-detail/Bipolar-Transistors-BJT_Comchip-MMBT3904-HF_C3200072.html

Auf dem Bild bei LSCS sieht der SMD-Code sehr passend aus, im Datenblatt 
von Comchip sieht die Formatierung aber anders aus:
https://www.mouser.de/datasheet/2/80/MMBT3904_G_RevE-2506519.pdf
Da ist der zusätzliche Buchstabe nicht tiefgestellt und es müssten 
Punkte/Striche unter den Zeichen abgebildet sein.

von H. H. (Gast)


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von Richard K. (richi123)


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von Richard K. (richi123)


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Inchange Semiconductor MJ15004, ein Leistungstransistor mit einem 
"kleinen" Schaden:

https://www.richis-lab.de/BipolarA33.htm

von H. H. (Gast)


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Richard K. schrieb:
> Inchange Semiconductor MJ15004, ein Leistungstransistor mit einem
> "kleinen" Schaden:
>
> https://www.richis-lab.de/BipolarA33.htm

Nekropsie!

;-)

von Richard K. (richi123)


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Darf es etwas moderner sein? Hier hätten wir den Rohm SCT2450KE, einen 
SiC-MOSFET:

https://www.richis-lab.de/FET32.htm

von Richard K. (richi123)


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Mal wieder ein 2N3055, dieses Mal von Sescosem:

https://www.richis-lab.de/2N3055_17.htm

Ein interessantes Teilchen... :)

von Wolfgang R. (Firma: www.wolfgangrobel.de) (mikemcbike)


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Geniale Bilder - wie immer! Mach weiter so!

von Carsten W. (eagle38106)


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Wolfgang R. schrieb:
> Geniale Bilder - wie immer! Mach weiter so!

Falsch! Es wird immer besser! Jetzt auch mit animierten Bildern. Cool!

von Richard K. (richi123)


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Wolfgang R. schrieb:
> Geniale Bilder - wie immer! Mach weiter so!

Danke!
Bin dabei... :)


Carsten W. schrieb:
> Es wird immer besser! Jetzt auch mit animierten Bildern. Cool!

Danke! :)
Animated GIF gab es tatsächlich schon früher mal:
https://www.richis-lab.de/images/transistoren/02x09.gif
Beim KD501:
https://www.richis-lab.de/Bipolar02.htm

von Carsten W. (eagle38106)


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Ich verfolge schon seit mehreren Jahren Deine Analysen. Aber animierte 
GIFs waren mir dabei bisher nicht aufgefallen.

von Richard K. (richi123)


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Es muss sich halt ergeben.
Beim LM306 hat es sich auch angeboten:
https://www.richis-lab.de/images/Opamp/09x13.gif

Ich habe da noch die eine oder andere Idee, was ich in Zukunft noch 
machen könnte... :)

von Richard K. (richi123)


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Hier haben wir einen BUX37 von Thomson Semiconducteurs mit einer 
eigenartigen Degratation:

https://www.richis-lab.de/BipolarA34.htm

von Richard K. (richi123)


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Das Transistorarray Intersil CA3096 enthält NPN- und PNP-Transistoren:

https://www.richis-lab.de/BipolarA35.htm

von Richard K. (richi123)


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Ein erster GaN-Transistor, der LMG3410 von Texas Instruments:

https://www.richis-lab.de/FET33.htm

von Richard K. (richi123)


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Und hier haben wir mal wieder einen Thyristor, einen RCA 2N3670:

https://www.richis-lab.de/BipolarA36.htm

Interessante Konstruktionsweise...

von Richard K. (richi123)


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Tesla KF517, ein PNP-Kleinsignaltransistor:

https://www.richis-lab.de/BipolarA37.htm

von Richard K. (richi123)


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Hier haben wir einen weiteren BUX22 von ST:

https://www.richis-lab.de/BipolarA38.htm

Das ist jetzt die dritte ST-BUX22-Variante (neben der Fälschung).

von Thomas W. (goaty)


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Schön der Bux22. Kandidat für den Kalender.

von Richard K. (richi123)


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Thomas W. schrieb:
> Schön der Bux22. Kandidat für den Kalender.


Ja, der würde gut passen. :)

Es war sicher nicht einfach die Bonddrähte robust und in Serie so zu 
verlegen.

von Ove M. (Firma: ;-) gibt es auch) (hasenstall)


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Richard K. schrieb:
>
> Es war sicher nicht einfach die Bonddrähte robust und in Serie so zu
> verlegen.

Ich frage mich allerdings, warum der Hersteller die Dies nicht einfach 
um 90° gedreht auf den Träger gesetzt hat. Damit hätte er die Bonddrähte 
a verkürzt und b sie auf beiden Seiten des Pins verteilen können.

Und ja, sehr schöne Bilder mal wieder!

: Bearbeitet durch User
von Richard K. (richi123)


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Ove M. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>>
>> Es war sicher nicht einfach die Bonddrähte robust und in Serie so zu
>> verlegen.
>
> Ich frage mich allerdings, warum der Hersteller die Dies nicht einfach
> um 90° gedreht auf den Träger gesetzt hat. Damit hätte er die Bonddrähte
> a verkürzt und b sie auf beiden Seiten des Pins verteilen können.

Bei derartigen Bondverbindungen habe ich nicht viel Erfahrung. Ich 
vermute, dass es einfacher war die Drähte nur auf einer Seite zu 
verschweißen.

von Ingo W. (uebrig) Benutzerseite


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Ove M. schrieb:
> Ich frage mich allerdings, warum der Hersteller die Dies nicht einfach
> um 90° gedreht auf den Träger gesetzt hat. Damit hätte er die Bonddrähte
> a verkürzt und b sie auf beiden Seiten des Pins verteilen können.

Fallen mir zwei mögliche Gründe ein,
Mechanisch: mehr Elastizität, weniger mechanische Spannung,
Elektrisch: durch den Innenwiderstand der Bonddrähte bessere 
Stromverteilung zwischen den Dies beziehungsweise den einzelnen 
Emitteranschlüssen.

von Richard K. (richi123)


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Stimmt, der Einfluss auf die Stromverteilung (Emitterwiderstand) ist 
nicht zu unterschätzen!

von Richard K. (richi123)


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Hier haben wir einen alten Siliziumtransistor für höhere Spannungen, 
einen BD115 höchstwahrscheinlich produziert von Valvo:

https://www.richis-lab.de/BipolarA39.htm

von Richard K. (richi123)


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Und hier mal wieder eine Thyristortetrode, eine BRY39 von Philips:

https://www.richis-lab.de/BipolarA40.htm

von Richard K. (richi123)


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National Semiconductor 2N2894, ein sehr schneller (gold-dotierter) 
Schalttransistor:

https://www.richis-lab.de/BipolarA41.htm

von Richard K. (richi123)


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Siemens BSY34, ein schneller Schalttransistor:

https://www.richis-lab.de/BipolarA42.htm

...mal wieder mit Durchbruch- und Infrarot-Aufnahmen... :)

: Bearbeitet durch Moderator
von Richard K. (richi123)


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Richard K. schrieb:
> Siemens BCY34, ein schneller Schalttransistor:
>
> https://www.richis-lab.de/BipolarA42.htm
>
> ...mal wieder mit Durchbruch- und Infrarot-Aufnahmen... :)


Passend dazu haben wir hier die in der DDR entwickelte Alternative, den 
SSY20:

https://www.richis-lab.de/BipolarA43.htm

von Richard K. (richi123)


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Hier haben wir nun auch mal einen richtigen Unijunction Transistor:

https://www.richis-lab.de/BipolarA44.htm

von Richard K. (richi123)


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von Armin X. (werweiswas)


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Einfach faszinierend. 0,4x0,39mm und dann auch noch die Bonddrähte im 
Zielbereich korrekt gesetzt.
Lege da doch mal ab und an einen SMD-Widerstand als größenvergleich 
daneben. Ein 1206 dürfte dagegen wie ein Ziegelstein wirken. 😉

von Richard K. (richi123)


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Armin X. schrieb:
> Einfach faszinierend. 0,4x0,39mm und dann auch noch die Bonddrähte im
> Zielbereich korrekt gesetzt.
> Lege da doch mal ab und an einen SMD-Widerstand als größenvergleich
> daneben. Ein 1206 dürfte dagegen wie ein Ziegelstein wirken. 😉

Kann ich machen, sieht sicher interessant aus! :)

Ich sage/schreibe es immer wieder: Man verliert schnell das Gefühl für 
die Größenverhältnisse, wenn man nur die Bilder betrachtet.

von Richard K. (richi123)


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Radioröhrenwerk Uljanowsk КT117, ein gewöhnlicherer Unijunction 
Transistor:

https://www.richis-lab.de/BipolarA46.htm

von Richard K. (richi123)


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Heute haben wir mal wieder einen Germanium-Transistor, aber einen von 
der schnellen Sorte: Siemens AF201

https://www.richis-lab.de/BipolarA47.htm

von Richard K. (richi123)


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OC864A, ein Entwicklungsmodell eines Germanium-Leistungstransistors:

https://www.richis-lab.de/BipolarA48.htm

Hier finden sich mal wieder Whisker.

von Richard K. (richi123)


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Das sind im Hintergrund übrigens 1250 Bilder, die 60GB auf meinem 
Netzwerkspeicher belegen... :)

von Richard K. (richi123)


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Ich hatte einen Zahlendreher: Der Transistor hieß OC846A, nicht OC864A. 
Ist jetzt korrigiert...

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Danke, cooles Teil! Diese unbeschichteten Kupfergehäuse dürften es ja 
wohl nicht „in die freie Wildbahn“ gemacht haben, ich kenne die nur 
vernickelt.

Damals waren Transistoren doch noch sehr simpel aufgebaut. ;-)

von Richard K. (richi123)


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Sehr gerne! :)

Ich gehe auch davon aus, dass die Transistoren in Serie noch beschichtet 
worden wären.

Der Aufbau war simpel, aber die Prozesse gut genug zu beherrschen war 
nicht einfach!

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Klar, aller Anfang ist schwer, und es ist halt schon nochmal was anderes 
als der Bau von Röhren. ;-)

von Thomas W. (goaty)


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Schöner Kalender 2024, vielen Dank für die Arbeit.
Hängt schonmal bereit.
Und BUX ist auch dabei ;-)

von Richard K. (richi123)


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Danke, freut mich! :)

Der BUX22 müsste rein, alleine schon wegen der Bonddrähte... :)

von Richard K. (richi123)


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Ein weiterer 2N3055 Siemens:

https://www.richis-lab.de/2N3055_18.htm

Dieses Siemens 2N3055 haben extrem hohe 
Emitter-Basis-Durchbruchspannungen. Bei meinem ersten Siemens 2N3055 war 
ich zuletzt gar nicht mehr sicher, ob ich nicht einem Fehler aufgesessen 
bin (70V), aber der hier ist nicht viel schlechter (50V).

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Was haben die als Metallisierungslage, dass man drauf löten kann?

von Richard K. (richi123)


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Ich bin mir nicht ganz sicher wie das realisiert wurde. Für mich sieht 
es aus als ob die Metallisierung selbst eine Art Lot war. Man sieht auch 
keine Übergänge zwischen Metallisierung und Lot.

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Sehr seltsam. Lot diffundiert ja leicht, das kann man eigentlich nicht 
als Metallisierung benutzen. Kann natürlich sein, dass man das Aluminium 
irgendwie unter Schutzgas löten kann, wenn man vorher das Oxid entfernt.

Wäre interessant, von der Lötstelle noch irgendwo ein Schliffbild 
anfertigen zu lassen …

von Richard K. (richi123)


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Vielleicht war es ein spezielles Lot? An der Stelle fehlt mir leider das 
Hintergrundwissen.
Schliffbilder, ja das wäre interessant. Ich weiß aus dem Stand leider 
nicht wie/wo ich das machen sollte.

von Gerald B. (gerald_b)


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Richard K. schrieb:
> Vielleicht war es ein spezielles Lot? An der Stelle fehlt mir leider das
> Hintergrundwissen.

Indium, oder eine Indiumlegierung könnte in Frage kommen. Da dreiwertig 
kann man damit dotieren  und sein Schmelzpunkt von 156°C macht es auch 
als Lot geeignet.

von Richard K. (richi123)


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Soweit ich weiß muss das Lot nicht als Dotierung geeignet sein. 
Hometaxiale Transistoren wurden meines Wissens bereits "normal" dotiert 
und nicht legiert.

von Richard K. (richi123)


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Motorola 502238, ein Darlington-Transistor mit einer kundenspezifischen 
Beschriftung:

https://www.richis-lab.de/BipolarA49.htm

von H. H. (hhinz)


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Richard K. schrieb:
> Motorola 502238, ein Darlington-Transistor mit einer
> kundenspezifischen
> Beschriftung:
>
> https://www.richis-lab.de/BipolarA49.htm

"Der Aufbau ähnelt dem Motorola MJ3001 von 1979, das Die ist aber 
deutlich kleiner."

Ich hätte noch einige MJ1000 aus der Zeit. Interesse?

von Richard K. (richi123)


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H. H. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>> Motorola 502238, ein Darlington-Transistor mit einer
>> kundenspezifischen
>> Beschriftung:
>>
>> https://www.richis-lab.de/BipolarA49.htm
>
> "Der Aufbau ähnelt dem Motorola MJ3001 von 1979, das Die ist aber
> deutlich kleiner."
>
> Ich hätte noch einige MJ1000 aus der Zeit. Interesse?

Na selbstverständlich! :)

von H. H. (hhinz)


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Richard K. schrieb:
>> Ich hätte noch einige MJ1000 aus der Zeit. Interesse?
>
> Na selbstverständlich! :)

Ich pack dir noch ein paar andere Exoten aus alten Tagen dazu. Adresse 
aus dem Impressum deiner Website passt?

von Richard K. (richi123)


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H. H. schrieb:
> Richard K. schrieb:
>>> Ich hätte noch einige MJ1000 aus der Zeit. Interesse?
>>
>> Na selbstverständlich! :)
>
> Ich pack dir noch ein paar andere Exoten aus alten Tagen dazu. Adresse
> aus dem Impressum deiner Website passt?

Sehr gerne!
Ja, die Adresse passt!
Danke!

von H. H. (hhinz)


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Ist gepackt und geht schon morgen nach Deutschland zur Post.

von Dieter D. (Firma: Hobbytheoretiker) (dieter_1234)


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Bernd M. schrieb:
> Aber inzwischen sind hier villeicht neue Wissensträger.

Solche Transistoren mit doppelten Collektor oder Emitter oder Basis 
haben einige vom Mainstream abweichenden Eigenschaften. In einer 
Hochschulbücherei war ich darauf gestoßen.

Bei diesem Transistor wäre die Besonderheit, dass die Basis an beiden 
Enden einen Kontakt hat und der Strom durch den Widerstand durch die 
ganze Kontaktierung durchfließt. Der Einfluss des Magnetfeldes um diese 
Strompfade sollte irgendwas bewirken, woran ich mich nicht mehr erinnern 
kann. Nur noch eine triviale Anwendung, wie das heizen der Basis durch 
den Querstrom fällt mir noch ein. Vielleicht wollte man damit noch einen 
Effekt von Röhren nachahmen.

Was bei dem Typ zutreffen sollte, muss ich passen.

von Dieter D. (Firma: Hobbytheoretiker) (dieter_1234)


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Richard K. schrieb:
> Dieses Siemens 2N3055 haben extrem hohe Emitter-Basis-Durchbruchspannungen.

Es gab Verstärkerschaltung und Labornetzteilschaltungen, wenn ein 
späterproduzierter 2N3055 mit deutlich niedrigerer 
Emitter-Basis-Durchbruchspannung eingebaut wurde, ging das schief.

von Richard K. (richi123)


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H. H. schrieb:
> Ist gepackt und geht schon morgen nach Deutschland zur Post.

Top!


Dieter D. schrieb:
> Es gab Verstärkerschaltung und Labornetzteilschaltungen, wenn ein
> späterproduzierter 2N3055 mit deutlich niedrigerer
> Emitter-Basis-Durchbruchspannung eingebaut wurde, ging das schief.

Auch die Grenzfrequenz, die über die Jahrzehnte immer höher geworden 
ist, kann in alten Schaltungen zu Problemen (Schwingungen) führen.

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