Der auf dem letzten Foto im Thread aber nicht ;-) Auf den bezog sich auch meine Aussage zum Logo.
Die Russen hatten schon immer etwas übrig für Sterne und Flugzeuge und so für Namen und Logos. Das S statt der 3 ergibt auch keine Treffer, außerdem kenne ich nichts russisches mit einem S voran. Das in dem russischen Forum ist wohl meiner Anfrage danach geschuldet. Viele Grüße Bernd
Kann nicht mehr bearbeiten. hatte vergessen, daß das Logo an einen Düsenjäger erinnert. Viele Grüße Bernd
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Hier noch ein Bauelement was Keiner kennt, K5NT985A, außer dem Artikel in der russischen "Radio". Auch danach hatte ich schon in Deuschland und Rußland gesucht - erfolglos. Aber inzwischen sind hier villeicht neue Wissensträger. Viele Grüße Bernd
Franzose :) jdf. wenns ne drei und das gleiche wie in Richards Exemlar drin ist ;) schätze auf SF.T 391 nnn wird der lauten, irgendwann '67-69. ist nur etwas verworren u. kaum/schlecht dokumentiert, sogar franz. wikipedia verdreht ein paar Dinge SESCO war ein joint-venture zw. Thomson u. GE COSEM war CSF Alsacienne u. Radio Belver SESCOSEM war später dann mehr oder weniger (Auch wenn noch andere Bedeutung hat) Markenname von zunächst Thomson-Brandt später Thomson-CSF U. "Thomson" hiess eigentlich CFTH Compagnie Française Thomson Houston Die Kooperation mit der General Electric Company U.S.A. endete wohl ~1969, zuvor ~'67 oder noch im Gange gab es die Vereiningung mit Hotchkiss-Brandt. und gleich hinterher die Vereinigung mit CSF Die hiesen dann kurz (Compagnie Française) Thomson-Houston-Hotchkiss-Brandt daraus entstanden grob Vereinfacht so: -> Thomson-Brandt ~ Haushaltsgeräte -> Hotchkiss ~ Waffentechnik -> Thomson-CSF ~ elektronik für beide Aber halt Konzern(e), halt keine Einzelfirma dann war noch viel 70er und 80er übrig .... --- von SESCO gibt es praktisch nichts im Netz: Ob es Datenbücher gab, mir nicht bekannt. So sähe das aus: https://www.le-livre.fr/recherche-rapide.html?select_base=-1&RechercheRap=sesco evtl. werden sich einige Dinge in GEs Transistor-Manuals wiederfinden. COSEM (also urspr. CSF): https://archives.doctsf.com/documents/index.php?num_serie=200 ~ 1969, jetzt nicht mehr geguckt; COSEM - Diodes - datasheet COSEM - Transistors Ge - Datasheet COSEM - Transistors Si - Datasheet COSEM - Transistors SI - Diodes UHF - Circuits intégrés SESCOSEM: http://www.retronik.fr/Composants/SESCOSEM/ dig! oder lass es in friede ruhen; http://aei.pitt.edu/36528/1/A2592.pdf COMMISSION DES COMMUNAUTES EUROPEENNES SERIE INDUSTRIE 1969 ~ Forschung und Entwicklung in der Elektronik S. 68-74 gibt einen groben Hinweis
Heute ein Tungsram ASZ1017, mal wieder ein Germanium-Leistungstransistor: https://www.richis-lab.de/Bipolar95.htm
2SD70, höchstwahrscheinlich von NEC, mit einer außergewöhnlichen Konstruktion: https://www.richis-lab.de/Bipolar97.htm
Hier haben wir mal wieder einen bzw. zwei Germanium-Leistungstransistoren: https://www.richis-lab.de/Bipolar98.htm Interessant ist vor allem der Vergleich der zwei Modelle.
Zwischendurch mal etwas moderneres. Der Fairchild FDMS3602S ist ein asymmetrischer Dual-MOSFET optimal für Buck-Schaltregler: https://www.richis-lab.de/FET22.htm
Und hier noch etwas gröberes, ein Leistungsthyristor von TET, ein T62-160-10: https://www.richis-lab.de/Bipolar99.htm Na, wer kennt TET Estel? :)
H. H. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Na, wer kennt TET Estel? :) > > Die gibts ja immer noch. Und sie bieten einen recht interessante Produktpalette.
Richard K. schrieb: > Und hier noch etwas gröberes, ein Leistungsthyristor von TET, ein > T62-160-10: > > https://www.richis-lab.de/Bipolar99.htm Ich lese da "ТБ2-160-10" oder transkribiert "TB2-160-10" (man vergleiche das kyrillische "Б" mit der "6" in der Bezeichnung)
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Hm... Die eckigen Kanten sprechen eher für ein B, richtig. B würde für einen schnellen Thyristor stehen. Auf der anderen Seite kann man heute noch T62-Thyristoren kaufen, zu TB2-Thyristoren habe ich auf die Schnelle nichts verlässliches gefunden. Ich hätte gesagt, die 6 ist einfach nicht schön geschrieben, bei der 93 am Ende könnte es sich auch um ein Y3 handeln. Aber es stimmt schon, vor allem im Vergleich zur zweiten 6 ist die erste 6 wohl eher ein B. Ich gehe der Sache nochmal nach und ergänze den Text auf jeden Fall mit einem Hinweis... ...oder ich übernehme vorerst das B... Danke für den Hinweis!
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Hallo Richard, in lateinischen Buchstaben hist das ein TB2 160-10-U3 Viele Grüße Bernd
Richard K. schrieb: > Ich hätte gesagt, die 6 ist einfach nicht schön geschrieben, bei der 93 > am Ende könnte es sich auch um ein Y3 handeln. Das ist mit Sicherheit "У3" latinisiert "U3" Die Mutter der Anschlußschraube dürfte im Vergleich ca. SW10 haben, die Schraube wäre dann M6? Auf jeden Fall ein ganz schönes Trumm. Als Briefbeschwerer fast schon zu groß. Aber als Türstopper noch zu klein :)
Ich stimme euch zu. Die Schraube ist wohl nicht original. Das Loch hat einen Durchmesser von 13mm! :) Im Robotron-Forum haben sie noch einen Verwandten gefunden: https://eandc.ru/catalog/detail.php?ID=15835 https://eandc.ru/pdf/silovye-pribory/tb2-160_tb3-200.pdf
Hier haben wir einen weiteren Leistungstransistor von Tesla, einen KD617: https://www.richis-lab.de/BipolarA01.htm
Mir ist gerade erst aufgefallen, dass auf dem Kabelschuh des Leistungsthyristors TB2-160-10 anscheinend ein Datecode eingeprägt ist: https://www.richis-lab.de/images/transistoren/a50x16.jpg (https://www.richis-lab.de/Bipolar99.htm)
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Hier hätten wir den BD1428 Doppeltransistor: https://www.richis-lab.de/BipolarA03.htm Kann mir jemand sagen wer der Hersteller ist? :) @Dieter W. (dds5): Von dir kam das Teil. Weist du mehr?
Die Teile liegen schon über 40 Jahre in meinem Sammelsurium, aber wenn ich das noch richtig in Erinnerung habe waren die von Unitrode.
Unitrode? Wäre aber komisch, wenn die statt ihrem Unitrode-Logo dieses eigenartige Symbol aufgedruckt hätten.
Korax K. schrieb: > Bernd M. schrieb: >> Hier noch ein Bauelement was Keiner kennt, K5NT985A > > Vielleicht ein Aprilscherz? Hier findet sich das Teil noch einmal: https://ur.booksc.eu/book/6288204/6de04b Das Bauteil wird dort "semiconductor pentode" genannt. Wäre schon interessant was dahinter steckt...
Zu "semiconductor pentode" weiß Wikipedia ein paar Dinge: " Early pentode transistors ii One early pentode transistor was developed in the early 1950s as an improvement over the point-contact transistor. A point-contact transistor having three emitters. It became obsolete in the middle 1950s. Pentode field-effect transistors having 3 gates, similar to vacuum tube pentodes have also been described[1]"
Wenn es mal etwas mehr sein darf, Infineon FS300R12OE4, ein B6-Powermodul mit IGBTs: https://www.richis-lab.de/BipolarA04.htm
Mir wurden die Transistoren zu unübersichtlich. Jetzt habe ich die Kategorien etwas überarbeitet: - Transistoren (Germanium / Bipolar) => https://www.richis-lab.de/Transistoren_Ge.htm - Transistoren (Silizium / Bipolar) - Kleinsignaltransistoren => https://www.richis-lab.de/Transistoren.htm - Leistungstransistoren => https://www.richis-lab.de/Transistoren_pwr.htm - Spezielle Varianten => https://www.richis-lab.de/Transistoren_div.htm - Transistoren (Silizium / Feldeffekt) - Kleinsignaltransistoren => https://www.richis-lab.de/Transistoren_FET.htm - Leistungstransistoren => https://www.richis-lab.de/Transistoren_FET_pwr.htm - Smart-MOSFETs => https://www.richis-lab.de/Transistoren_FET_div.htm - Transistoren (Wide-Bandgap) => https://www.richis-lab.de/Transistoren_wb.htm Jetzt kann es weiter gehen... Hm, die Formatierung ist nicht so glücklich hier... Naja, ihr wisst um was es geht und findet die Sortierung ja letztlich auch auf meiner Seite.
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Hoi Richard =D Das ist ja absolut heftig was du hier machst! Danke echt für diese unglaublichen Bilder, vorallem die extra Durchbrucherscheinungen geben mir den Rest!! Das wusste ich echt nicht, dass Transistoren so leuchten können, und dann noch zerstörungsfrei (wenn man s nicht übertreibt^^)! Wie kommst du dazu so etwas zu machen/anzufangen? Arbeitest du in der Halbleiterherstellung? Und von wo hast du dein ganzes Wissen? Wahnsinnig brutal, danke dass du dieses Angebot bietest! Ausserdem, ich habe gesehen, du hast CE Durchbrüche provoziert. Auch wenn es strombegrenzt war, ist nicht dann sofort der Transistor kaputt? Bei IBGTs mindestens soll das ja ganz schlimm sein, drum sollten ja jeweils TVS Dioden genommen werden über der CE Strecke. Was aber würde/könnte passieren wenn eine strombegrenzte (sagen wir, 5 µA) Spannungsquelle mit 2000 V an einen 1200 V IGBT angeschlossen wird (V_GE = 0 V)? Oder noch schlimmer, Gate - Emitter: Was passiert wenn am Gate eine Quelle 50 V haben kann und strombegrenzt ist auf 100 nA? Ist immer nur die lokale Verlustleistung das Problem, oder kann alleine auch die Spannung ein Problem werden? Btw, irgendwann, so im Alter von Zündspulen und den entsprechenden Ansteuerungen und so, habe ich mal irgendein wildes Gerücht gehört dass man spannungsmässig solche TO3 Transistoren "tunen" könne in dem man irgendwie Silikonpaste o.ä. auf den Die/die Dies schmiert. Dann sollte man mit einem 2N3055 angeblich die Primärspannung an der Zündspule hochschiessen lassen können wie bei Verwendung von einem dedicated Horizontaltransistor (2SC3994 oder so), also auch so 800 V... Aber meiner Meinung nach ist doch da der Siliziumkristall an sich schon das Problem..? Habt ihr auch schonmal irgendwie diese komische Anekdote gehört?
Freut mich, wenn dir meine Dokumentationen gefallen! :) Mein Wissen habe ich zum Teil aus dem Studium, zum Teil von der Arbeit und zum Teil autodidaktisch erworben. Den Großteil habe ich mir selber beigebracht. Das Studium hatte etwas andere Schwerpunkte und die Arbeit bringt mich den Halbleitern zwar immer wieder recht nahe, sie sind aber meistens nur Mittel zum Zweck. => Lesen bildet! Digital, analog, was man so findet. Je nach Thema IEEE, archive.org, gute Kontakte zu kompetenten Leuten helfen auch. pn-Übergänge sind sehr robust solange man sie nicht überlastet. Das gilt auch für CE-Strecken. Bei 100V Durchbruchspannung darf der Strom halt nicht zu hoch sein. Bei richtig hohen Spannungen (z.B. bei IGBTs) kann es aber sein, dass die Feldstärke am Rand des Dies dazu führt, dass es dort zu einem Überschlag kommt bevor die CE-Strecke durchbricht. Das is natürlich irreversibel. Ebenso tödlich ist ein Durchbruch der Gate-Isolation eines MOSFETs oder IGBTs. Das ist eine "normale" Isolation und die geht sofort kaputt. Also dieses Tunen von Transistoren halte ich für ein Gerücht. Bei hohen Spannungen ist die Feldstärke am Rand wirklich ein Problem und man könnte sich vorstellen, dass sich das vielleicht irgendwie minimal optimieren lässt, aber so wirklich glauben mag ich das nicht. Und einen 2N3055 wird man so sicher nicht zum Hochspannungstransistor machen können. Da bricht die innere Sperrschicht vorher zusammen und die kann man von außen nicht relevant beeinflussen. Achja, wie komme ich dazu das zu machen? Die Webseite habe ich schon lange (~2000). (Damals hat man Bilder noch entwickeln lassen und danach eingescannt und man wusste nicht nicht so wirklich was man mit Suchmaschine wie Altavista und Fireball anfangen sollte :)) Eine Zeit lang habe ich da meine Projekte hochgeladen, einige "Altlasten" sind ja weiterhin vorhanden. Fotografie war schon immer ein zweites Hobby und ungefähr 2017 habe ich damit angefangen erste IC-Bilder zu machen. Ich war positiv überrascht was ein Makro-Objektiv sichtbar machen kann und von da an sind meine Prozesse besser und besser geworden. Zuerst habe ich meine eigenen Halbleiter untersucht und dann haben mit diverse nette Leute alles mögliche Interessante zukommen lassen. Die große Bandbreite der Spender führt zu der großen Bandbreite der Teile. Das möchte ich auch so beibehalten: alt/neu, groß/klein, einfach/komplex, bekannt/unbekannt...
So ganz ist das Warum damit aber eigentlich noch gar nicht beantwortet. Ich habe mich selbst schon immer gerne auf ähnlichen Seiten herumgetrieben. Mit meiner Seite kann ich "dem Internet" ein bisschen was zurückgeben. Dazu kommt, dass ich festgestellt habe, dass man sich viel intensiver mit der Materie beschäftigt, wenn man sie so aufbereitet, dass man die Zusammenhänge anderen präsentieren kann. Außerdem macht es mehr Spaß und man bekommt mehr interessante Kontakte (und Bauteile) wenn man seine Erkenntnisse veröffentlicht.
Richard K. schrieb: > pn-Übergänge sind sehr robust solange man sie nicht überlastet. Das gilt > auch für CE-Strecken. Bei 100V Durchbruchspannung darf der Strom halt > nicht zu hoch sein. > Bei richtig hohen Spannungen (z.B. bei IGBTs) kann es aber sein, dass > die Feldstärke am Rand des Dies dazu führt, dass es dort zu einem > Überschlag kommt bevor die CE-Strecke durchbricht. Das is natürlich > irreversibel. > Ebenso tödlich ist ein Durchbruch der Gate-Isolation eines MOSFETs oder > IGBTs. Das ist eine "normale" Isolation und die geht sofort kaputt. Ja, macht Sinn, jetzt wo du es sagst. Mindestens in einer realen Schaltung (keine sinnvolle Strombegrenzung) könnte ich mir also das folgende vorstellen: CE Durchbruch ==> mehr oder weniger konstante Spannung solange keine lokale Leistungsüberschreitung, also solange die Spannung nicht noch mehr ansteigt wird es nicht schlimmer. (CE) Überschlag = Lichtbogenentladung, d.h. negativer differentieller Widerstand ==> Spannung wird klein und der Strom riesig. Da kann die Spannung schon wieder ungefährlich sein, das ist es gewesen :( Wobei in der Theorie könnte man philosophieren ob 1 µA reicht für einen irreversiblen Durchschlag. Vorher müsste man noch definieren, was macht einen Durchschlag irreversibel? Welche Energie muss umgesetzt werden im Dielektrikum? Da könnte ich mir sogar vorstellen dass alleine die interne Kapazität vom Transistor schon genug Energie speichert für einen zerstörenden Durchschlag. Hast du schonmal den Versuch gemacht V_GS zu überschreiten an einem billigen MOSFET, welcher gefilmt wird? Begrenzt auf eben 100 nA oder so. Hast du schonmal die Steilheit gemessen von einem reversiblen CE Durchbruch, z.B. beim 2N3055? Bei 100 V hast du 1 µA, und bei 100.1 V hast du 1 A oder so etwa? ... :/ Btw, "https://www.richis-lab.de/images/transistoren/36x07.jpg"; blaues Leuchten bei einem SiC FET, jetzt eskalierst du aber eindeutig =) HAMMER!! Grüsse - Microwave
Microwave schrieb: > Mindestens in einer realen Schaltung (keine sinnvolle Strombegrenzung) > könnte ich mir also das folgende vorstellen: > CE Durchbruch ==> mehr oder weniger konstante Spannung solange keine > lokale Leistungsüberschreitung, also solange die Spannung nicht noch > mehr ansteigt wird es nicht schlimmer. > (CE) Überschlag = Lichtbogenentladung, d.h. negativer differentieller > Widerstand ==> Spannung wird klein und der Strom riesig. Da kann die > Spannung schon wieder ungefährlich sein, das ist es gewesen :( > > Wobei in der Theorie könnte man philosophieren ob 1 µA reicht für einen > irreversiblen Durchschlag. Vorher müsste man noch definieren, was macht > einen Durchschlag irreversibel? Welche Energie muss umgesetzt werden im > Dielektrikum? Da könnte ich mir sogar vorstellen dass alleine die > interne Kapazität vom Transistor schon genug Energie speichert für einen > zerstörenden Durchschlag. Was macht einen Durchlag irreversibel? Das ist die richtige Frage. Legt man an einen pn-Übergang eine ausreichend negative Spannung, die zum Durchbruch führt, so arbeitet der Bereich im Lawinendurchbruch. Das ist wie bei einer Z-Diode ein ganz normaler Betriebszustand. Solange man die Verlustleistung abführen kann, ist das überhaupt kein Problem. Der Strom muss eben passend begrenzt werden. In einer realen Schaltung wird sich eher selten eine ausreichende Strombegrenzung finden. Der Überschlag "über den Rand des Dies" ist dagegen, wie du schon schreibst, eine klassische Entladung. Eine solche Entladung führt sofort zu einer Degeneration der Strukturen. Da kommt es zu Materialwanderungen, Strukturen schmelzen auf, Materialien zersetzen sich,... Das erzeugt entweder sofort einen Kurzschluss oder reduziert die Spannungsfestigkeit enorm. > Hast du schonmal den Versuch gemacht V_GS zu überschreiten an einem > billigen MOSFET, welcher gefilmt wird? Begrenzt auf eben 100 nA oder so. Das ist die "normale" Gate-Isolation, die ist sofort durch, da wird man bei 100nA nicht viel sehen. Erst wenn der Strom hoch genug ist, wird man den Schaden auch sehen (Krater,...). > Hast du schonmal die Steilheit gemessen von einem reversiblen CE > Durchbruch, z.B. beim 2N3055? > Bei 100 V hast du 1 µA, und bei 100.1 V hast du 1 A oder so etwa? ... :/ Nö, das habe ich noch nicht. Mir fehlt noch eine ordentliche SMU in meinem Messtechnikbestand, die wäre da hilfreich. Die Steilheit dürfte recht hoch sein. > Btw, "https://www.richis-lab.de/images/transistoren/36x07.jpg"; blaues > Leuchten bei einem SiC FET, jetzt eskalierst du aber eindeutig =) > HAMMER!! Ja, das hat mir auch sehr gut gefallen! :) In die Richtung habe ich noch mehr vor... Grüße, Richard
Hoi Richard Danke für deine raschen Antworten. Eine Frage bzgl. dem Spannungsthema stellt mir sich noch: Warum wird immer gesagt, abgeschaltete MOSFETs seien weniger empfindlich gegenüber Überspannung über der DS Strecke verglichen zu abgeschalteten BJTs (dort halt CE) also auch IGBTs? Ist das weil sich bei MOSFETs eher alles flächig abspielt und keine gefährlichen Leistungskonzentrationen kommen können, und bei BJTs ist immer alles auf die schmale Sperr**schicht** konzentriert? Dann noch andere Fragen, und nochmal danke für deine Zeit!! - Würde man bei einer 1N400x (vielleicht nicht grad 7) bei einem Durchbruch auch ein Leuchten sehen wie bei der BE Strecke vom Transistor? Hast du das schonmal probiert? - Wie kommt die Farbe zustande in den Bildern welche du nicht extra markiert hast? Ist das wirklich so türkis und rötlich, oder hast du jeweils alles nachbearbeitet zum es besser erklär/unterscheidbar machen? - Besonders bei den Darlingtontransistoren, wo du immer die Metalllagen weggeätzt hast am Schluss, würde irgendwie noch ein BE Durchbruch möglich sein, zum auch dort die Lage von der Sperrschicht anzeigen vom Haupttransistor? Ich finde das absolut genial dass du bei den einfachen Transistoren immer mit dem Durchbruchleuchten "gratis" die genaue Lage von der Sperrschicht markiert hast =D - Würde mit den Transistoren mit perforated Emitter auch ein Leuchten sichtbar sein bei den ganzen Teiltransistoren? Schonmal probiert? Grüsse - Microwave :)
Microwave schrieb: > Eine Frage bzgl. dem Spannungsthema stellt mir sich noch: Warum wird > immer gesagt, abgeschaltete MOSFETs seien weniger empfindlich gegenüber > Überspannung über der DS Strecke verglichen zu abgeschalteten BJTs (dort > halt CE) also auch IGBTs? Das kann ich dir aus dem Stand so auch nicht sagen, sorry. :) > - Würde man bei einer 1N400x (vielleicht nicht grad 7) bei einem > Durchbruch auch ein Leuchten sehen wie bei der BE Strecke vom > Transistor? Hast du das schonmal probiert? Da würde sich auch ein Leuchten einstellen, ja. Ausprobiert habe ich das noch nicht. Sowas wie die 1N4007 hat keine "schön sichtbare" Sperrschicht da wird man auch vom Leuchten nicht viel sehen. > - Wie kommt die Farbe zustande in den Bildern welche du nicht extra > markiert hast? Ist das wirklich so türkis und rötlich, oder hast du > jeweils alles nachbearbeitet zum es besser erklär/unterscheidbar machen? Du meinst bei den IC-Bildern? Das sind Resonanzen in den dünnen Siliziumoxidschichten. Die Herstellung der Chips erzeugt unterschiedlich dicke Siliziumoxidschichten auf den aktiven Bereichen. Die unterschiedlichen Dicken erzeugen entsprechend unterschiedliche Resonanzen die die eine oder die andere Farbe erzeugen. Entfernt man die Siliziumoxidschichten ist alles grau: https://www.richis-lab.de/Howto_Decap_HF.htm > - Besonders bei den Darlingtontransistoren, wo du immer die Metalllagen > weggeätzt hast am Schluss, würde irgendwie noch ein BE Durchbruch > möglich sein, zum auch dort die Lage von der Sperrschicht anzeigen vom > Haupttransistor? Ich finde das absolut genial dass du bei den einfachen > Transistoren immer mit dem Durchbruchleuchten "gratis" die genaue Lage > von der Sperrschicht markiert hast =D Wenn die Metalllage fehlt müsste man das Ganze irgendwie noch effizient kontaktieren, das dürfte schwierig werden... > - Würde mit den Transistoren mit perforated Emitter auch ein Leuchten > sichtbar sein bei den ganzen Teiltransistoren? Schonmal probiert? Ja das hatten wir schon mal: https://www.richis-lab.de/Bipolar08.htm Hat was... :) Grüße, Richard
Richard K. schrieb: >> Btw, "https://www.richis-lab.de/images/transistoren/36x07.jpg"; blaues >> Leuchten bei einem SiC FET, jetzt eskalierst du aber eindeutig =) >> HAMMER!! > > Ja, das hat mir auch sehr gut gefallen! :) Die ersten behaupteterweise serienreifen blauen LEDs, die ich Anfang der 1980er Jahre auf einer Leipziger Messe sehen konnte (Hersteller habe ich allerdings vergessen) waren ebenfalls auf SiC-Basis. Blau war ja recht lange eine Fehlfarbe bei LEDs, und SiC galt als einer der aussichtsreichen Kandidaten. (Andere Materialien sind dann aber später besser geworden.)
Microwave schrieb: > Btw, "https://www.richis-lab.de/images/transistoren/36x07.jpg"; blaues > Leuchten bei einem SiC FET, jetzt eskalierst du aber eindeutig =) Meines Wissens wird bei blauen LED deswegen Siliziumcarbid verwendet. Das ist denen erst spät gelungen, die roten gelben und grünen gibt es schon lange, die beinhalten stattdessen Galliumphosphid oder Galliumarsenid. Im Handbuch zum Golf 2 steht: „die blaue Kontrollleuchte ist eine Miniaturglühlampe, weil blaue LED noch sehr teuer sind“ Die anderen waren dagegen schon LED. Edit: jetzt war Jörg schneller..
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Korax K. schrieb: > Im Handbuch zum Golf 2 steht: „die blaue Kontrollleuchte ist eine > Miniaturglühlampe, weil blaue LED noch sehr teuer sind“ Die anderen > waren dagegen schon LED. Das ist ja lustig! :) Falls es oben bei der Erklärung der Farben auf den Chipbildern nicht klar genug war, hier noch eine Ergänzung: An der Oberseite und an der Unterseite der dünnen Siliziumoxids-Schichten wird jeweils ein Teil des eintreffenden Lichts reflektiert. Das direkt reflektierte Licht und das tiefer reflektierte Licht mischen sich dann wieder. Je nach Dicke der Siliziumoxidschicht kommt es zur Auslöschung oder Verstärkung der einen oder anderen Wellenlänge und das Licht wird so bunt.
Richard K. schrieb: > Falls es oben bei der Erklärung der Farben auf den Chipbildern nicht > klar genug war, hier noch eine Ergänzung: Die war sehr wohl klar genug. Beim überfliegen (15 s) ging schon das Licht auf: "Achhhh jaaa, stimmt, macht Sinn" =) So in der Makrowelt mit mm und m kennt man diese Effekte eben nicht wirklich grad^^ Und denkt natürlich auch dass diese ganzen Schichten doch sicher auch irgendwie 100 µm dick sind. Richard K. schrieb: > Ja das hatten wir schon mal: > https://www.richis-lab.de/Bipolar08.htm Sory, nicht gesehen :) Korax K. schrieb: > Meines Wissens wird bei blauen LED deswegen Siliziumcarbid verwendet. Indiumgalliumnitrid (InGaN) ist scheinbar auch noch verwendet, laut Wikipedia. Btw, lustig auch der Eintrag "Diamant" bei Ultraviolett in der Materialliste. Eine Diamant LED =D Grüsse - Microwave
Microwave schrieb: > Richard K. schrieb: >> Falls es oben bei der Erklärung der Farben auf den Chipbildern nicht >> klar genug war, hier noch eine Ergänzung: > Die war sehr wohl klar genug. > Beim überfliegen (15 s) ging schon das Licht auf: > "Achhhh jaaa, stimmt, macht Sinn" =) > > So in der Makrowelt mit mm und m kennt man diese Effekte eben nicht > wirklich grad^^ Und denkt natürlich auch dass diese ganzen Schichten > doch sicher auch irgendwie 100 µm dick sind. Dann passt´s ja! :) Die Natur kann das auch: Das Schillern von dünnen Ölschichten auf Wasserpfützen basiert auf dem gleichen Effekt und soweit ich weiß entstehen die Farben auf den Schmetterlingsflügeln genauso. Aber hast natürlich schon Recht, man denkt nicht sofort an solche Effekte. War mir auch nicht gleich so bewusst. Die Kunst ist der richtige Einfallswinkel des Lichts. Bei 10k€-Auflichtmikroskopen funktioniert das einfach, ich musste erst mal ein Gefühl dafür entwickeln.
Korax K. schrieb: > Meines Wissens wird bei blauen LED deswegen Siliziumcarbid verwendet Dein Wissen ist halt veraltet. https://www.wissenschaft.de/technik-digitales/physik-nobelpreis-fuer-die-blaue-led/ SiC LEDs werden heute als Rarität gesucht und teuer gehandelt. Korax K. schrieb: > Im Handbuch zum Golf 2 steht Damals gab es noch keine blauen LED. Schlimmer war der Polo: Ausnahmegenehmigung für eine gelbe LED als Fernlichtindikator, weil eine blaue Gluhlampe fur den Polo zu teuer war.
MaWin schrieb: > Schlimmer war der Polo: Ausnahmegenehmigung für eine gelbe LED als > Fernlichtindikator, weil eine blaue Gluhlampe fur den Polo zu teuer war. Das betraf in der Zeit alle Modelle von VW.
GD180, ein Germaniumtransistor aus dem Röhrenwerk Neuhaus: https://www.richis-lab.de/BipolarA06.htm Weiß jemand was es mit dieser Schicht auf der Germaniumscheibe, unter bzw. neben des Lots auf sich hat?
MaWin schrieb: > Korax K. schrieb: >> Im Handbuch zum Golf 2 steht > > Damals gab es noch keine blauen LED. Ich hatte einen Jetta II Baujahr '87 - dort stand es drin. Leider habe ich den nicht mehr.. Und ja, blaue LED gab es schon in den 80ern, halt als SiC und die waren finster und teuer. Die heutigen blauen LED sind eine Erfindung von '88.
Richard K. schrieb: > Weiß jemand was es mit dieser Schicht auf der Germaniumscheibe, unter > bzw. neben des Lots auf sich hat? Das ist ein Übergangsmaterial, was die Lötbarkeit ermöglicht. Auf der Puren Ge Scheibe würde das Lot nicht richtig halten. Zumindest bei denen die wir damals in CH hergestellt hatten machten wir das so.
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Interessant! Danke für die Info! Wie war das dann mit der Dotierung? Befindet die sich trotzdem, wie man es immer ließt, im Lot und diffundiert durch die Übergangsschicht oder beinhaltete die Übergangsschicht schon das Dotierungs-Material? ...wobei ich mich dann fragen würde warum darüber noch einmal zwei verschiedene Lote notwendig waren. OT: Wenn man deine Beiträge hier so verfolgt hast du auch schon fast alles gesehen und gemacht? Faszinierend...
[OT] Richard K. schrieb: > OT: Wenn man deine Beiträge hier so verfolgt hast du auch schon fast > alles gesehen und gemacht? Jep, deshalb haben die, die mich nicht persönlich kennen so ihre Probleme. Es grenzt schon ein wenig ans Unglaubliche... Deshalb nimm ich das niemandem übel.... Aber dir sende ich sowieso mal noch PNP "DIE" zu, die Das Logo der Firma haben , Dan kannst du die auch mal zum "Leuchten Bringen" ohne dass du zuerst ein Gehäuse öffnen musst. Muss aber zuerst ein Halter machen, sonst kannst du sie nicht kontaktieren. Zur Zeit habe ich aber 3 Leute zu wenig, weshalb ich nicht dazu komme :-(... 73 55 [/OT]
Nun, das Forum ist ja bekannt für seinen teilweise rauhen Ton. Über besondere Teile freue ich mich immer! :) Aber nochmal zum Ge-Transistor und der Beschichtung der Germaniumscheibe: Weißt du ob die Beschichtung dann auch gleich die Dotierung mitgebracht hat oder ob das über das Lot kam?
Richard K. schrieb: > Weißt du ob die Beschichtung dann auch gleich die Dotierung mitgebracht > hat oder ob das über das Lot kam Wir haben es damals in die Beschichtung integriert (Musste zuerst nachschaun ist laaaange her) es ist Möglich, das die da 2 verschiedene Lote verwendet haben, um die Temperaturdehnung zu Kompensieren, es handelt sich ja immerhin um ein Leistungsbauteil, das auch mal so richtig warm werden darf... Und der Aufbau lässt nicht wirklich Dehnungsraum. :-)
Hier haben wir mal wieder etwas außergewöhnliches, einen russischen Transistor zur Entwicklung von Hybridschaltkreisen: https://www.richis-lab.de/BipolarA07.htm Findet jemand ein Datenblatt zu dem Teil?
@Richard Du gehörst mit Deinem erstklassigen Projekt auf YouTube. Das würde den Kanal qualitativ zudem ein gutes nach oben katapultieren;-) PS: In den nächsten Tagen bekommst Du wieder einige Bauteile von mir, u.a. Fake IRF3708.
Jörg R. schrieb: > Du gehörst mit Deinem erstklassigen Projekt auf YouTube. Das würde den > Kanal qualitativ zudem ein gutes nach oben katapultieren;-) Bloß nicht, selbst total besoffen und mit einem Joint in der Hand wäre Richard noch 10 Etagen über den dort vertretenen Idioten. Auf YT kann man sich F*ckFilme angucken, im technischen Bereich ist der Laden tiefer als jeder Kriegsbunker.
Richard K. schrieb: > einen russischen Transistor zur Entwicklung von Hybridschaltkreisen: Ich habe hier einen (schätzungsweise) Nachfolger, den КТ331В. Im Gegensatz zu deinen Exemplaren hat er allerdings einen "strukturmäßigen" Namen.
Ich danke für die lobenden Worte! :) Aktuell gibt es die freie Zeit gar nicht her Videos zu erstellen. Ich bin oft selbst überrascht welche Taktrate ich halten kann. @Jörg W.: Aber bei "meinen" Transistor-Bezeichnungen findest du auch keinen Anhaltspunkt was sich dahinter verbergen könnte?
Richard K. schrieb: > Aktuell gibt es die freie Zeit gar nicht her Videos zu erstellen. YT ist ja sehr 'modern', würde mehr Klicks bringen, reißerische Aufmachung womöglich noch, viele '!!!' und 'FAKE-MOSFET!' - aber ich finde Videos für Richards Projekte überhaupt nicht anstrebenswert. Als Webseite lassen sich die schönen, ästhetischen Bilder und die Texte genau in dem Tempo verdauen, wie es jedem individuell gefällt. Weiter so, ich bin gern auf Deiner Seite!
Danke! :) Ja, die Aufmacher haben sich in den letzten Jahren ganz schön verändert. Meine Titel müssten dann wohl lauten: "Alles schlechte der Welt vereint in einem TO3-Gehäuse!!!" "Astralwesen zeigen sich an Sperrschicht von Transistoren" "China unterwandert westliche Welt mit diesem IC!" und zur Zeit ganz weit oben: "Mit diesem Trick können Sie ihre Stromrechnung um 90% reduzieren!" (passend zu jedem Bild/Video)
Richard K. schrieb: > @Jörg W.: Aber bei "meinen" Transistor-Bezeichnungen findest du auch > keinen Anhaltspunkt was sich dahinter verbergen könnte? Nein, die Bezeichnung fällt so völlig aus der Art. Ich hatte diese КТ331В übrigens tatsächlich mal verbaut, in einem der damals so üblichen Logik-Prüfstifte. Eingebaut zusammen mit einer kleinen 7-Segment-Anzeige (ich denke, es war eine VQB37) in ein HC-6/U Quarzgehäuse. Das "Gerippe" der Schaltung bestand aus den Widerständen, die Golddrähte dieser Transistoren musste man dann in die heißen Lötzinnnperlen einlegieren. Etwas zu unachtsam lang gelötet, und der Draht war ratz-batz weg. :-O Das Ganze am Ende mit Epoxidharz eingegossen.
Dass diese Bonddrähtchen beim Löten ruckzuck wegschmelzen habe ich auch schon gehört. :) Im EEVblog-Forum hatte noch jemand einen Hinweis: The marking of the transistor is non-standard, which means an experimental sample. The first letter "А" (Cyrillic) denotes the plant - Pulsar. "А479А" (Cyrillic) is most likely a prototype of the transitor 2Т319А (Cyrillic). Here is information about it: http://www.155la3.ru/2tp319.htm Wie er von A479A auf 2T319A kommt, ist mir aber noch nicht ganz klar.
Richard K. schrieb: > Wie er von A479A auf 2T319A kommt, ist mir aber noch nicht ganz klar. Mir auch nicht. Meine 331er sind auch in solchen Kistchen. Interessant, wie alt die hier sind, aber deiner ist ja wahrscheinlich sogar noch älter (1967). Meine 331 sind von 1977.
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Ich habe mir ein paar IRF3708 vorgenommen, die werde ich in diesem Thread anhängen: Beitrag "Re: 5V Input an LED schalten mit 3V3 vom ESP01s"
2N389, ein sehr alter, anscheinend sogar der ältestes Silizium-Leistungstransistor: https://www.richis-lab.de/BipolarA09.htm Das Teil kam von Dieter W. (dds5).
Wird mal wieder Zeit für einen Transistor! Wie wäre es mit einem diffusionslegierten MESA-Leistungstransistor, einem P605A von ALFA: https://www.richis-lab.de/BipolarA10.htm
Nach dem P605A (https://www.richis-lab.de/BipolarA10.htm) haben wir hier noch einen P609A von ALFA: https://www.richis-lab.de/BipolarA11.htm
Hier haben wir noch etwas interessantes! Ein GD241 aus dem Röhrenwerk Neuhaus, in dessen Gehäuse sich einige Dendriten gebildet haben: https://www.richis-lab.de/BipolarA12.htm
Krass. Vielleicht findest du ja irgendwelche Werkstoffwissenschaftler, die das Material der Dendriten untersuchen können?
Gute Idee! Mal sehen, was sich machen lässt... An der Stelle darf man mal wieder nicht vergessen wie klein das Zeug ist. Das macht es nicht einfacher.
Richard K. schrieb: > ... wie klein das Zeug ist. Die Auflösung geht ja schon bis in den <10µ-Bereich. Danke für die tollen Bilder! Macht immer wieder Spaß anzuschauen und auch die Texte zu lesen.
Vielen Dank, so ein Zuspruch freut mich immer! Ich sage mittlerweile, dass ich cirka 1-5µm auflösen kann, je nachdem wie gut das Objekt zu meinem Equipment passt und wieviel das Gehirn interpolieren kann. :)
Für Zinnwhisker sehen sie etwas seltsam aus, bei Ge-Transistoren kein seltenes Problem. Angehängt eine Untersuchung der Nasa an einem AF114 und eine ONSemi-Literatursammlung in der TND311-D. Arno
Stimmt, Whisker sind das nicht. Im GD609 habe ich damals neben Dendriten so etwas wie Whisker gefunden, damals leider nicht ideal fotografiert: https://www.richis-lab.de/Bipolar65.htm
Kann man oder muß man davon ausgehen, das alle elektronischen Bauteile früher oder später davon betroffen sind? Oder hat man das unerwünschte Kristallwachstum heute besser im Griff?
Dabei muss man Whisker und Dendriten unterscheiden. Bei den Whiskern hat man lange nicht verstanden wie sie eigentlich entstehen und welche Bedingungen dabei förderlich sind. Soweit ich weiß ist das heute noch nicht zu 100% geklärt. Das Problem tritt (im Elektronikbereich) nur bei reinem Zinn auf. Problematischer wurde es daher wieder mit der Umstellung auf bleifrei. Aber als flächendeckendes, großes Problem würde ich den Effekt nicht einsortieren. Ich habe auch beruflich mit Elektronik in größeren Stückzahlen zu tun und abgesehen von "einzelnen Erzählungen anderer" ist mir bisher kein Problem mit Whiskern untergekommen. Bei den Dendriten bin ich mir nicht ganz sicher, aber ich vermute, dass das ein grundsätzlich recht einfach erklärbarer, (elektro)chemischer Prozess ist. Wie man beim GD608 und an den vielen Trocknungsmitteln sieht, hatte man damals noch ziemliche Probleme mit Sauberkeit und Dichtigkeit. Da kann sich schnell mal alles Mögliche bilden. Aber selbst damals war das nicht in jedem Bauteil so, wie man an den vielen "sauberen" Transistoren sieht. Was heute öfter vorkommt ist CAF, Conductive anodic filament: https://www.all-electronics.de/elektronik-fertigung/caf-fehlerbild-baugruppen-aus-fr4.html Das ist ein elektrochemischer Prozess, den hat man aber verstanden und kann man beherrschen.
Es gibt da eine ältere Dokumentation des TPIC2404: https://www.richis-lab.de/Bipolar30.htm Die ESD-Strukturen sind schwierig zu interpretieren. Mittlerweile glaube ich, dass meine erste Interpretation falsch war, daher jetzt das Update. Ein Übersichtsbild habe ich auch noch aktualisiert (bessere Qualität).
BFS17, ein kleiner (!) HF-Transistor: https://www.richis-lab.de/BipolarA13.htm Gar nicht so einfach so ein kleines Teil sauber zu bekommen. :)
Ich habe ein bisschen mit Infrarot-Aufnahmen experimentiert: https://www.richis-lab.de/BipolarA14.htm Mal sehen was man auf diese Art noch alles ablichten kann... :) Der BUX22 kommt übrigens von Dieter W. (dds5).
Ich habe noch ein bisschen mit der Infrarot-Fotografie experimentiert und auch eine gute Erklärung für die verschiedenen Leuchteffekte gefunden: https://www.richis-lab.de/Bipolar75.htm#IR (HFO SF137)
Der 2N389 mit seinen großen Strukturen zeigt noch etwas schöner wo Rekombination stattfindet: https://www.richis-lab.de/BipolarA09.htm#IR
Richard K. schrieb: > Heute nur ein kleiner BC548C von Philips: Ich vermute ja, das die Dies von BC546, BC547, BC548, BC549 und BC550 alle identisch aussehen: https://www.sparkfun.com/datasheets/Components/BC546.pdf Bei Fairchild stehen die alle im selben Datenblatt und haben identische Kurven. Am Anfang wurde die verschiedenen Typen vermutlich noch ausgemessen und als man die Prozesse im Griff hatte, konnte man dann so labeln, wie es die Kunden bestellt und bezahlt haben. Interessant ist, das der komplementäre PNP identisch aussieht. Da konnte man sicher nicht einfach das Dotierungsprofil 'invertieren'. Die Unterschiede in der Ladungsträgerbeweglichkeit müssen ja irgendwie kompensiert werden. Und über die Fläche ist das offensichtlich nicht geschehen...
Ich vermute auch, dass die verschiedenen Transistoren sehr ähnlich bis gleich sind. Leider kann man sie nicht oder nur ungefähr einem Produktionsjahr zuordnen, so können Unterschiede auch durch Weiterentwicklungen über die Zeit entstanden sein.
Um etwas mehr Ordnung in die Liste zu bekommen habe ich hier jetzt eine eigene Sektion für BC-Transistoren: https://www.richis-lab.de/Transistoren_BC.htm Und hier gleich noch der BC328 von Philips: https://www.richis-lab.de/BipolarA16.htm
Ich habe ein paar IR-Bilder des HFO SL113 gemacht: https://www.richis-lab.de/Bipolar29.htm#IR In diesem frühen Transistor scheinen die Strukturen noch nicht ganz so homogen zu sein...
Richard K. schrieb: > Hersteller unbekannt: Kein Logo auf dem Die? :-)) Gibt es eigentlich technische Gründe für diese "künstlerisch wertvolle" Struktur?
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Selbst bei den großen Transistoren sind die Hersteller mit Hersteller- und Typbezeichnungen immer sehr sparsam, leider... Die Form ergibt sich wahrscheinlich aus der Notwendigkeit neben der Emitter-Bondfläche auch noch eine Basis-Bondfläche zu integrieren. Beide Bondflächen benötigen eine gewisse Mindestläche und das Die soll aber gleichzeitig möglichst klein bleiben.
Komplementär zum BC547 haben wir hier noch den BC557 mit dem gleichen Die-Design: https://www.richis-lab.de/BipolarA19.htm
Ich finde es interessant, das die Transistoren in den Transistoren so anders aussehen, als die Transistoren in den ICs...
Bei einem Transistor auf einem IC benötigt man keine Bondflächen. Dafür kommt auf der Oberseite ein Kollektorkontakt dazu. Und letztlich waren bei integrierten Schaltungen lange nur rechtwinklige Flächen üblich. Insgesamt ergibt sich so eine andere Formensprache. Und manche sehen trotzdem recht ähnlich aus: https://www.richis-lab.de/BipolarA16.htm
Bei den komplementären Germanium-Transistoren GD609/GD619 fehlten noch Bilder ohne dem schützenden, roten Silikonverguss, das habe ich jetzt geändert: https://www.richis-lab.de/Bipolar65.htm#junction
Linear Systems LS5907, ein Dual-JFET, der im Elektrometer Keithley 617 eingesetzt wird: https://www.richis-lab.de/FET26.htm
Ich muss noch ein paar Dual-JFETs "loswerden": Harris Semiconductor 2N5905 https://www.richis-lab.de/FET27.htm
Richard K. schrieb: > Ich muss noch ein paar Dual-JFETs "loswerden": > > Harris Semiconductor 2N5905 > https://www.richis-lab.de/FET27.htm Und hier der "Vorgänger" von Intersil: https://www.richis-lab.de/FET28.htm
Angehängte Dateien:
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dual-j-fet.png
51 KB
Richard K. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Harris Semiconductor 2N5905 > Und hier der "Vorgänger" von Intersil: Ich hätte ja erwartet, das bei spiegelbildlichen Pinout auch das Innere spiegelbildlich ist. Interessanterweise gibt es auch Abweichungen zum 'Datenblatt' (Seite 1-50 bzw. 78): https://www.semiee.com/file/EOL2/Intersil-2N5465.pdf
Man hat sich wahrscheinlich etwas dabei gedacht. Ich vermute auch, dass man diesen "Grenzzaun" in der Metalllage nicht ohne Grund eingebaut hat. Was der allerdings für einen Nutzen haben soll, ist mir nicht klar. Was meinst du für Abweichungen im Datenblatt?
Richard K. schrieb: > Was meinst du für Abweichungen im Datenblatt? Die metallisierten Fingerchen an Drain und Source sind auf Deinen Bildern anders angeordnet als im Datenblatt.
Bernd schrieb: > Richard K. schrieb: >> Was meinst du für Abweichungen im Datenblatt? > Die metallisierten Fingerchen an Drain und Source sind auf Deinen > Bildern anders angeordnet als im Datenblatt. Ahja stimmt, die sind leicht unterschiedlich. Den "Grenzzaun" haben sie auch unterschlagen. Oder er kam erst später dazu.
Hier habe ich noch einen interessanten 2N5906: https://www.richis-lab.de/FET29.htm Wer kennt das Logo? Eine Kaskodenschaltung? Ist es vielleicht ein Fake?
Der Verkäufer von Ebay Art. 21023032529 behauptet als Marke "MEGA". Zu finden war sonst nichts. Arno
Hallo Arno! Dieses Ebay-Angebot habe ich auch gesehen. Dazu findet sich aber nur "Mega Semiconductor Co.,LTD", ein Distributor aus Hongkong...
Beitrag #7320990 wurde von einem Moderator gelöscht.
Hallo Richard, deren Logo sieht aber anders aus. Es könnte sich eventuell um ein der Drucktechnik angepasstes Logo von Semicoa handeln. Arno
Semicoa, interessant! Deren Logo ist aber schon sehr anders und laut der Webseite machen sie nur Bipolartransistoren...
Eine H-Brücke zähle ich zu den "sonstigen Transistoren", daher ist der L6202 hier zu finden: https://www.richis-lab.de/FET30.htm Der ursprüngliche L6202 kam von Arno H. (arno_h), der hier zu sehende ist ein anderer. Ihr könnt euch wahrscheinlich denken, was ich damit sagen will... :)
Das ist aber auch ein erhöhter Schwierigkeitsgrad! :D Danke für den Hinweis! Ist korrigiert...
MJE3055, eine Alternative zum 2N3055, hier im alten TO127-Gehäuse: https://www.richis-lab.de/BipolarA21.htm
Richard K. schrieb: > MJE3055, eine Alternative zum 2N3055, hier im alten TO127-Gehäuse: Aber nicht pinkompatibel zum MJE3055T Bin ich mal drauf reingefallen als ich Ersatz zum MJE3055 ohne "T" für meine Stromsenke gesucht hatte.
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Thomson Semiconducteurs TDE1647, ein Relais- und Lampentreiber: https://www.richis-lab.de/BipolarA24.htm Ein schon länger hier wartendes Bauteil von Jörg R. (solar77)... :)
Hier kommt noch ein Update zum TDE1647, eine genauere Analyse der realen Schaltung: https://www.richis-lab.de/BipolarA24.htm#Update
Das Teil unter "Transistoren" rangieren zu lassen, hat schon was. ;-) Aber alles in allem sehr interessant! (Naja, wie immer, muss man ja schon fast sagen …)
Bei der Kategorisierung muss man etwas flexibel sein, sonst hätten wir zuviele Threads. Es ist mehr oder weniger ein Smart-Switch und die laufen bei mir ebenso unter "Spezielle Transistoren" wie zum Beispiel Mehrfachendstufen. Danke! :)
Angehängte Dateien:
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Typ_022.jpg
240 KB
Beim Aufräumen noch eine historische Persönlichkeit gefunden: IBM Typ022 von Delco. PNP mit 60V und 15A, 2N174 ist als Ersatztyp angegeben. Falls du ihn nicht haben möchtest, kann ihn auch gerne jemand anders für Sammlung, Museum o.ä. bekommen. Arno
Hallo Arno, na den schaue ich mir natürlich gerne an! :) Grüße, Richard
Hier haben wir das Transistorarray CA3045 von RCA: https://www.richis-lab.de/BipolarA26.htm Dieses Design hat RCA auch als Grundlage für sein Diodenarray verwendet.
Richard K. schrieb: > Hier haben wir das Transistorarray CA3045 von RCA: Das erinnert mich an MAA225 etc. von Tesla. Hast du sowas schon? Ansonsten müsste ich mal kramen.
Jörg W. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Hier haben wir das Transistorarray CA3045 von RCA: > > Das erinnert mich an MAA225 etc. von Tesla. Hast du sowas schon? > Ansonsten müsste ich mal kramen. Ich glaube nicht. Ganz sicher kann ich es bei meinem aktuellen Lagerbestand nicht sagen. :)
Ich habe hier drei "IBM-Transistoren": IBM458 https://www.richis-lab.de/BipolarA27.htm IBM459 https://www.richis-lab.de/BipolarA28.htm IBM487 https://www.richis-lab.de/BipolarA29.htm
BL Galaxy Electrical S9014, ein kleiner NPN-Transistor: https://www.richis-lab.de/BipolarA30.htm
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Richard K. schrieb: > HFO SF123: > > https://www.richis-lab.de/BipolarA02.htm Auch wenn dieser Beitrag schon ein Jahr her ist, kleiner Hinweis, oder vielleicht auch Frage. Dort schreibst Du "Die Zeichen DO stehen für eine Fertigung im April 1974.". Ich würde es eher als Oktober 1973 entziffern. Buchstabe A sollte ja 1970 (und auch 1990) sein, und die Monate Jan ... Sep bekamen 1 ... 9, und Okt, Nov, Dez wurden mit ihrem Anfangsbuchstaben abgekürzt, also O, N, D. Also sollte DO Okt 1973 sein ... Oder hast Du eine andere Liste für die DDR-Kodierung?
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Jens G. schrieb: > DDR-Kodierung Nix DDR, IEC! http://bedienungsanleitung.elektronotdienst-nuernberg.de/din-en-60062.html
Ich habe hier tatsächlich eine Liste eines Enthusiasten, der es sich zur Aufgabe gemacht hat die Beschriftungen der verschiedenen DDR-Halbleiterhersteller den Produktionsjahren und -monaten zuzuordnen. Bis 1977 hat das HFO noch nach eigenen Regeln beschriftet, danach hat man sich an "die Norm" gehalten. Dresden und Erfurt hatten natürlich jeweils eigene Regeln. Tesla hat sich übrigens auch erst ab 1983 an die Norm gehalten, davor hatte die ebenfalls ein eigenes System.
Und hier haben wir einen MMBT3906, höchstwahrscheinlich von BL Galaxy Electrical: https://www.richis-lab.de/BipolarA31.htm
H. H. schrieb: > Jens G. schrieb: >> DDR-Kodierung > > Nix DDR, IEC! > > http://bedienungsanleitung.elektronotdienst-nuernberg.de/din-en-60062.html Ja gut, ist schon ok. Und nach welcher Norm wurde der hier mit dem Datecode versehen? https://www.richis-lab.de/Bipolar75.htm LM paßt nicht so in die gängige Norm, bzw. die dort genannte Zeit - September 1972 ist mir nicht so ganz schlüssig, weder das Jahr noch Monat ...
Jens G. schrieb: > Und nach welcher Norm wurde der hier mit dem Datecode versehen? > > https://www.richis-lab.de/Bipolar75.htm > > LM paßt nicht so in die gängige Norm, bzw. die dort genannte Zeit - > September 1972 ist mir nicht so ganz schlüssig, weder das Jahr noch > Monat ... Richard fragen.
Und ich zitiere mich selbst: Richard K. schrieb: > Ich habe hier tatsächlich eine Liste eines Enthusiasten, der es > sich zur Aufgabe gemacht hat die Beschriftungen der verschiedenen > DDR-Halbleiterhersteller den Produktionsjahren und -monaten zuzuordnen. > Bis 1977 hat das HFO noch nach eigenen Regeln beschriftet, danach hat > man sich an "die Norm" gehalten. > Dresden und Erfurt hatten natürlich jeweils eigene Regeln. > Tesla hat sich übrigens auch erst ab 1983 an die Norm gehalten, davor > hatte die ebenfalls ein eigenes System. Das gilt auch für den SF137...
MMBT3904, ein Kleinsignaltransistor mit einer ungewöhnlichen Geometrie: https://www.richis-lab.de/BipolarA32.htm
Richard K. schrieb: > MMBT3904, ein Kleinsignaltransistor mit einer ungewöhnlichen > Geometrie: > > https://www.richis-lab.de/BipolarA32.htm https://www.lcsc.com/product-detail/Bipolar-Transistors-BJT_Comchip-MMBT3904-HF_C3200072.html
H. H. schrieb: > Richard K. schrieb: >> MMBT3904, ein Kleinsignaltransistor mit einer ungewöhnlichen >> Geometrie: >> >> https://www.richis-lab.de/BipolarA32.htm > > https://www.lcsc.com/product-detail/Bipolar-Transistors-BJT_Comchip-MMBT3904-HF_C3200072.html Auf dem Bild bei LSCS sieht der SMD-Code sehr passend aus, im Datenblatt von Comchip sieht die Formatierung aber anders aus: https://www.mouser.de/datasheet/2/80/MMBT3904_G_RevE-2506519.pdf Da ist der zusätzliche Buchstabe nicht tiefgestellt und es müssten Punkte/Striche unter den Zeichen abgebildet sein.
H. H. schrieb: > https://www.lcsc.com/product-detail/Bipolar-Transistors-BJT_Jiangsu-Changjing-Electronics-Technology-Co-Ltd-MMBT3904_C20526.html Das sieht gut aus, das übernehme ich. Danke!
Inchange Semiconductor MJ15004, ein Leistungstransistor mit einem "kleinen" Schaden: https://www.richis-lab.de/BipolarA33.htm
Richard K. schrieb: > Inchange Semiconductor MJ15004, ein Leistungstransistor mit einem > "kleinen" Schaden: > > https://www.richis-lab.de/BipolarA33.htm Nekropsie! ;-)
Darf es etwas moderner sein? Hier hätten wir den Rohm SCT2450KE, einen SiC-MOSFET: https://www.richis-lab.de/FET32.htm
Mal wieder ein 2N3055, dieses Mal von Sescosem: https://www.richis-lab.de/2N3055_17.htm Ein interessantes Teilchen... :)
Wolfgang R. schrieb: > Geniale Bilder - wie immer! Mach weiter so! Falsch! Es wird immer besser! Jetzt auch mit animierten Bildern. Cool!
Wolfgang R. schrieb: > Geniale Bilder - wie immer! Mach weiter so! Danke! Bin dabei... :) Carsten W. schrieb: > Es wird immer besser! Jetzt auch mit animierten Bildern. Cool! Danke! :) Animated GIF gab es tatsächlich schon früher mal: https://www.richis-lab.de/images/transistoren/02x09.gif Beim KD501: https://www.richis-lab.de/Bipolar02.htm
Ich verfolge schon seit mehreren Jahren Deine Analysen. Aber animierte GIFs waren mir dabei bisher nicht aufgefallen.
Es muss sich halt ergeben. Beim LM306 hat es sich auch angeboten: https://www.richis-lab.de/images/Opamp/09x13.gif Ich habe da noch die eine oder andere Idee, was ich in Zukunft noch machen könnte... :)
Hier haben wir einen BUX37 von Thomson Semiconducteurs mit einer eigenartigen Degratation: https://www.richis-lab.de/BipolarA34.htm
Das Transistorarray Intersil CA3096 enthält NPN- und PNP-Transistoren: https://www.richis-lab.de/BipolarA35.htm
Und hier haben wir mal wieder einen Thyristor, einen RCA 2N3670: https://www.richis-lab.de/BipolarA36.htm Interessante Konstruktionsweise...
Hier haben wir einen weiteren BUX22 von ST: https://www.richis-lab.de/BipolarA38.htm Das ist jetzt die dritte ST-BUX22-Variante (neben der Fälschung).
Thomas W. schrieb: > Schön der Bux22. Kandidat für den Kalender. Ja, der würde gut passen. :) Es war sicher nicht einfach die Bonddrähte robust und in Serie so zu verlegen.
Richard K. schrieb: > > Es war sicher nicht einfach die Bonddrähte robust und in Serie so zu > verlegen. Ich frage mich allerdings, warum der Hersteller die Dies nicht einfach um 90° gedreht auf den Träger gesetzt hat. Damit hätte er die Bonddrähte a verkürzt und b sie auf beiden Seiten des Pins verteilen können. Und ja, sehr schöne Bilder mal wieder!
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Ove M. schrieb: > Richard K. schrieb: >> >> Es war sicher nicht einfach die Bonddrähte robust und in Serie so zu >> verlegen. > > Ich frage mich allerdings, warum der Hersteller die Dies nicht einfach > um 90° gedreht auf den Träger gesetzt hat. Damit hätte er die Bonddrähte > a verkürzt und b sie auf beiden Seiten des Pins verteilen können. Bei derartigen Bondverbindungen habe ich nicht viel Erfahrung. Ich vermute, dass es einfacher war die Drähte nur auf einer Seite zu verschweißen.
Ove M. schrieb: > Ich frage mich allerdings, warum der Hersteller die Dies nicht einfach > um 90° gedreht auf den Träger gesetzt hat. Damit hätte er die Bonddrähte > a verkürzt und b sie auf beiden Seiten des Pins verteilen können. Fallen mir zwei mögliche Gründe ein, Mechanisch: mehr Elastizität, weniger mechanische Spannung, Elektrisch: durch den Innenwiderstand der Bonddrähte bessere Stromverteilung zwischen den Dies beziehungsweise den einzelnen Emitteranschlüssen.
Stimmt, der Einfluss auf die Stromverteilung (Emitterwiderstand) ist nicht zu unterschätzen!
Hier haben wir einen alten Siliziumtransistor für höhere Spannungen, einen BD115 höchstwahrscheinlich produziert von Valvo: https://www.richis-lab.de/BipolarA39.htm
Und hier mal wieder eine Thyristortetrode, eine BRY39 von Philips: https://www.richis-lab.de/BipolarA40.htm
National Semiconductor 2N2894, ein sehr schneller (gold-dotierter) Schalttransistor: https://www.richis-lab.de/BipolarA41.htm
Siemens BSY34, ein schneller Schalttransistor: https://www.richis-lab.de/BipolarA42.htm ...mal wieder mit Durchbruch- und Infrarot-Aufnahmen... :)
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Richard K. schrieb: > Siemens BCY34, ein schneller Schalttransistor: > > https://www.richis-lab.de/BipolarA42.htm > > ...mal wieder mit Durchbruch- und Infrarot-Aufnahmen... :) Passend dazu haben wir hier die in der DDR entwickelte Alternative, den SSY20: https://www.richis-lab.de/BipolarA43.htm
Hier haben wir nun auch mal einen richtigen Unijunction Transistor: https://www.richis-lab.de/BipolarA44.htm
Einfach faszinierend. 0,4x0,39mm und dann auch noch die Bonddrähte im Zielbereich korrekt gesetzt. Lege da doch mal ab und an einen SMD-Widerstand als größenvergleich daneben. Ein 1206 dürfte dagegen wie ein Ziegelstein wirken. 😉
Armin X. schrieb: > Einfach faszinierend. 0,4x0,39mm und dann auch noch die Bonddrähte im > Zielbereich korrekt gesetzt. > Lege da doch mal ab und an einen SMD-Widerstand als größenvergleich > daneben. Ein 1206 dürfte dagegen wie ein Ziegelstein wirken. 😉 Kann ich machen, sieht sicher interessant aus! :) Ich sage/schreibe es immer wieder: Man verliert schnell das Gefühl für die Größenverhältnisse, wenn man nur die Bilder betrachtet.
Radioröhrenwerk Uljanowsk КT117, ein gewöhnlicherer Unijunction Transistor: https://www.richis-lab.de/BipolarA46.htm
Heute haben wir mal wieder einen Germanium-Transistor, aber einen von der schnellen Sorte: Siemens AF201 https://www.richis-lab.de/BipolarA47.htm
OC864A, ein Entwicklungsmodell eines Germanium-Leistungstransistors: https://www.richis-lab.de/BipolarA48.htm Hier finden sich mal wieder Whisker.
Das sind im Hintergrund übrigens 1250 Bilder, die 60GB auf meinem Netzwerkspeicher belegen... :)
Ich hatte einen Zahlendreher: Der Transistor hieß OC846A, nicht OC864A. Ist jetzt korrigiert...
Danke, cooles Teil! Diese unbeschichteten Kupfergehäuse dürften es ja wohl nicht „in die freie Wildbahn“ gemacht haben, ich kenne die nur vernickelt. Damals waren Transistoren doch noch sehr simpel aufgebaut. ;-)
Sehr gerne! :) Ich gehe auch davon aus, dass die Transistoren in Serie noch beschichtet worden wären. Der Aufbau war simpel, aber die Prozesse gut genug zu beherrschen war nicht einfach!
Klar, aller Anfang ist schwer, und es ist halt schon nochmal was anderes als der Bau von Röhren. ;-)
Schöner Kalender 2024, vielen Dank für die Arbeit. Hängt schonmal bereit. Und BUX ist auch dabei ;-)
Danke, freut mich! :) Der BUX22 müsste rein, alleine schon wegen der Bonddrähte... :)
Ein weiterer 2N3055 Siemens: https://www.richis-lab.de/2N3055_18.htm Dieses Siemens 2N3055 haben extrem hohe Emitter-Basis-Durchbruchspannungen. Bei meinem ersten Siemens 2N3055 war ich zuletzt gar nicht mehr sicher, ob ich nicht einem Fehler aufgesessen bin (70V), aber der hier ist nicht viel schlechter (50V).
Was haben die als Metallisierungslage, dass man drauf löten kann?
Ich bin mir nicht ganz sicher wie das realisiert wurde. Für mich sieht es aus als ob die Metallisierung selbst eine Art Lot war. Man sieht auch keine Übergänge zwischen Metallisierung und Lot.
Sehr seltsam. Lot diffundiert ja leicht, das kann man eigentlich nicht als Metallisierung benutzen. Kann natürlich sein, dass man das Aluminium irgendwie unter Schutzgas löten kann, wenn man vorher das Oxid entfernt. Wäre interessant, von der Lötstelle noch irgendwo ein Schliffbild anfertigen zu lassen …
Vielleicht war es ein spezielles Lot? An der Stelle fehlt mir leider das Hintergrundwissen. Schliffbilder, ja das wäre interessant. Ich weiß aus dem Stand leider nicht wie/wo ich das machen sollte.
Richard K. schrieb: > Vielleicht war es ein spezielles Lot? An der Stelle fehlt mir leider das > Hintergrundwissen. Indium, oder eine Indiumlegierung könnte in Frage kommen. Da dreiwertig kann man damit dotieren und sein Schmelzpunkt von 156°C macht es auch als Lot geeignet.
Soweit ich weiß muss das Lot nicht als Dotierung geeignet sein. Hometaxiale Transistoren wurden meines Wissens bereits "normal" dotiert und nicht legiert.
Motorola 502238, ein Darlington-Transistor mit einer kundenspezifischen Beschriftung: https://www.richis-lab.de/BipolarA49.htm
Richard K. schrieb: > Motorola 502238, ein Darlington-Transistor mit einer > kundenspezifischen > Beschriftung: > > https://www.richis-lab.de/BipolarA49.htm "Der Aufbau ähnelt dem Motorola MJ3001 von 1979, das Die ist aber deutlich kleiner." Ich hätte noch einige MJ1000 aus der Zeit. Interesse?
H. H. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Motorola 502238, ein Darlington-Transistor mit einer >> kundenspezifischen >> Beschriftung: >> >> https://www.richis-lab.de/BipolarA49.htm > > "Der Aufbau ähnelt dem Motorola MJ3001 von 1979, das Die ist aber > deutlich kleiner." > > Ich hätte noch einige MJ1000 aus der Zeit. Interesse? Na selbstverständlich! :)
Richard K. schrieb: >> Ich hätte noch einige MJ1000 aus der Zeit. Interesse? > > Na selbstverständlich! :) Ich pack dir noch ein paar andere Exoten aus alten Tagen dazu. Adresse aus dem Impressum deiner Website passt?
H. H. schrieb: > Richard K. schrieb: >>> Ich hätte noch einige MJ1000 aus der Zeit. Interesse? >> >> Na selbstverständlich! :) > > Ich pack dir noch ein paar andere Exoten aus alten Tagen dazu. Adresse > aus dem Impressum deiner Website passt? Sehr gerne! Ja, die Adresse passt! Danke!
Bernd M. schrieb: > Aber inzwischen sind hier villeicht neue Wissensträger. Solche Transistoren mit doppelten Collektor oder Emitter oder Basis haben einige vom Mainstream abweichenden Eigenschaften. In einer Hochschulbücherei war ich darauf gestoßen. Bei diesem Transistor wäre die Besonderheit, dass die Basis an beiden Enden einen Kontakt hat und der Strom durch den Widerstand durch die ganze Kontaktierung durchfließt. Der Einfluss des Magnetfeldes um diese Strompfade sollte irgendwas bewirken, woran ich mich nicht mehr erinnern kann. Nur noch eine triviale Anwendung, wie das heizen der Basis durch den Querstrom fällt mir noch ein. Vielleicht wollte man damit noch einen Effekt von Röhren nachahmen. Was bei dem Typ zutreffen sollte, muss ich passen.
Richard K. schrieb: > Dieses Siemens 2N3055 haben extrem hohe Emitter-Basis-Durchbruchspannungen. Es gab Verstärkerschaltung und Labornetzteilschaltungen, wenn ein späterproduzierter 2N3055 mit deutlich niedrigerer Emitter-Basis-Durchbruchspannung eingebaut wurde, ging das schief.
H. H. schrieb: > Ist gepackt und geht schon morgen nach Deutschland zur Post. Top! Dieter D. schrieb: > Es gab Verstärkerschaltung und Labornetzteilschaltungen, wenn ein > späterproduzierter 2N3055 mit deutlich niedrigerer > Emitter-Basis-Durchbruchspannung eingebaut wurde, ging das schief. Auch die Grenzfrequenz, die über die Jahrzehnte immer höher geworden ist, kann in alten Schaltungen zu Problemen (Schwingungen) führen.
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