Hallo,
ich hab als MosFET Neuling eine kurze Verstaendnisfrage:
Ich habe hier einen 12V Motor, einen IRLZ34N MosFET und einen 12V
Akku.
Wenn ich den Motor zwischen Pluspol des Akkus und dem Drainanschluss
des MosFETs anschliesse, den Sourceanschluss dann an GND,
und noch einen 4,7kWiderstand zwschen GND und Gate schalte, dann
laeuft alles wunderbar, wenn ich eine Spannung anlege. So hab
ich das auch in den meisten Schaltbildern entdeckt.
Setze ich den Motor allerdings zwischen Source und GND statt zwischen
AKKU und Drain und schliesse direkt den Pluspol des Akkus an Drain,
dann habe ich das Gefuehl, dass der Motor langsamer laeuft.
Woran liegt das? Kann ich 2teres ueberhaupt betreiben ohne
den MosFET zu beschaedigen?
Relevant ist die Frage, weil ich gerne eine H-Bruecke bauen wuerde
aus 4 MosFETs und da ist der Drainanschluss ja bei zwei MosFETS
ja auch direkt am Pluspol der Spannungsquelle.
Man muss dazu sagen: Als Gatespannung hab aus Testgruenden einfach die
12V
vom Laststromkreislauf genommen.... Ich weiss nicht ob das eine Relevanz
hat...
schoene Gruesse,
Ant
>dann habe ich das Gefuehl, dass der Motor langsamer laeuft.>Woran liegt das? Kann ich 2teres ueberhaupt betreiben ohne>den MosFET zu beschaedigen?
Der Mosfet arbeitet dann ähnlich wie bei einem Bipolartransistor die
Kollektorschaltung = Emitterfolger.
Ausgangsspannung ist Eingangsspannung minus Gatespannung. Und die ist
nun mal ca 4V, je nach MosFet und Arbeitspunkt.
Geht schon, aber der Mosfet arbeitet dann im Linearbetrieb und das mögen
viele nicht, vor allem wenn der Strom größer wird. (Hotspots)
>Relevant ist die Frage, weil ich gerne eine H-Bruecke bauen wuerde>aus 4 MosFETs und da ist der Drainanschluss ja bei zwei MosFETS>ja auch direkt am Pluspol der Spannungsquelle.
Deswegen nimmt man Gatetreiber, die das Gate dann mit zum Beispiel
12V+10V =22V ansteuern.
@ Ant (Gast)
>ich hab als MosFET Neuling eine kurze Verstaendnisfrage:>Relevant ist die Frage, weil ich gerne eine H-Bruecke bauen wuerde>aus 4 MosFETs
Tu's nicht, nimm was fertiges.
H-Brücken ÜbersichtBeitrag "Re: Fragen zur H-Brücke die X-te"
Falk B. schrieb:>> Tu's nicht, nimm was fertiges.>> H-Brücken Übersicht>> Beitrag "Re: Fragen zur H-Brücke die X-te"
haha, ich les mich grad in die Problematik ein...
Mal gucken, so was fertiges fuehlt sich immer so unbefriedigend
an!
Ant schrieb:> Woran liegt das?
Weils falsch ist ?
Die falsche Verwendung von Bauteile ohne Berücksichtigung von deren
Funktion.
> Kann ich 2teres ueberhaupt betreiben ohne den MosFET zu beschaedigen?
Er kann ein Überhitzungsproblem bekommen.
> Relevant ist die Frage, weil ich gerne eine H-Bruecke bauen wuerde> aus 4 MosFETs und da ist der Drainanschluss ja bei zwei MosFETS> ja auch direkt am Pluspol der Spannungsquelle.
Dann musst du diese MOSFETs mit einer Spannung 10V (beim LogicLevel
IRLZ34 reichen 5V) über den +12V beschicken, also +22V oder zumindest
+17V, damit er voll durchschaltet.
Kann man machen, ist halt mehr Aufwand. Man kann auch P-Kanal MOSFETs
für die high side verwenden, oder MOSFET-Ansteurbausteine die diese
wundersame Erzeugung der höheren Spannung selber machen wie LTC1154> Man muss dazu sagen: Als Gatespannung hab aus Testgruenden einfach die> 12V vom Laststromkreislauf genommen.... Ich weiss nicht ob das eine> Relevanz hat...
Na ja, dann kommen hinter dem LogicLevel MOSFET Sourcefolger noch so ca.
9V raus.
Michael B. schrieb:> Dann musst du diese MOSFETs mit einer Spannung 10V (beim LogicLevel> IRLZ34 reichen 5V) über den +12V beschicken, also +22V oder zumindest> +17V, damit er voll durchschaltet.
Also wenn ichs richtig verstanden habe, dann sind die Transistoren
auf der GND-Seite ok und die Transistoren auf der High-Seite
Problematisch,
weil die Spannung Vgs nicht stimmt.
An meinem Motor fallen gemesserermassen 8V ab.
Wenn ich 3,3V Steuerspannung gebe auf N-MosFET (was uebrigens
zu reichen scheint bei einem 'oneway' Betrieb), dann ist Vgs immernoch
-4,7V wenn ich das richtig verstehe, was einfach rund 8-10V zu wenig
ist.
Koennte ich vor die HighMosFETs nicht einfach nochmal 2 MosFETs
schalten, die die Lastspannung von 12V einfach aufs Gate schalten?
lg Ant
@Ant (Gast)
>Also wenn ichs richtig verstanden habe, dann sind die Transistoren>auf der GND-Seite ok
Mehr oder weniger.
> und die Transistoren auf der High-Seite>Problematisch,
ja.
>Koennte ich vor die HighMosFETs nicht einfach nochmal 2 MosFETs>schalten, die die Lastspannung von 12V einfach aufs Gate schalten?
Nö, du brauchst einen passenden Pegelwandler. Oder sowas hier,
sinngemäß.
Beitrag "Re: Mosfettreiber und Pegelwandlung mit OPV?"
