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IRL1004.pdf
D ––– ––– 130 (Body Diode) A showing the ISM Pulsed Source Current integral reverse G ––– ––– 520 (Body Diode) p-n junction diode. S V SD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V TJ= 25°C, S = 78A, GS = 0V trr Reverse Recovery Time –
in „Mosfet als Schalter 100W“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Digitales_Wattmeter_mit_AD8307__PIC16F876__LCD-Anzeige____C.html
</font></font></a><font style="vertical-align: inherit;"><font style="vertical-align: inherit;"> Leiterplattengröße ist 79 mm breit und 37 mm hoch</font></font></p><p> <a href="https://www.webx.dk/oz2cpu/radios/milli-curves.htm
in „AD8307. Wie die Leistung kalibrieren?“ · HF, Funk und Felder ·
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1809271221_Texas-Instruments-DAC5571IDBVR_C24061.pdf
SCL Clock Standard mode 4.0 µs Fast mode 600 ns High-speed mode, CB- 100 pF max 60 ns High-speed mode, CB- 400 pF max 120 ns t ; t Setup Time for a Repeated Standard mode 4.7 µs SU STA START Condition Fast mode 600 ns High-speed mode 160 ns tSU
in „Hilfe bei der Berechnung (Voltage Divider)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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G065VN01-V2.pdf
G065VN01 V2 2.2 Optical Characteristics The optical characteristics are measured under stable conditions a(Room Temperature). Item Unit Conditions Min. Typ. Max. Remark White Luminance cd/m2 FPWM = 100% 600 800 - Note 1 (center point) Uniformity 5 Points Note % - 1.25 1, 2, 3 Contrast Ratio 400 600 - Note
in „Tektronix TDS 510A CRT Video Display Unit defekt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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surrpressordiode.pdf
l Half Value -PP k P IPPM 2 a k P 1 e 50 10/1000 µsec Waveform M - as defined by R.E.A. P 0.2 x 0.2" (0.5 x 0.5 mm) M P Copper Pad Areas P I td 0.1 0 0.1 µs 1.0 µs 10 µs 100 µs 1.0 ms 10 ms 0 1.0 2.0 3.0 4.0 td - Pulse Width
in „DC Geräteeingang“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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E-Scooter Akku mit Ladegerät und Shop-Angebot
36V 10Ah 10S3P Roller Ersatzzakku 15A BMS für 250W 600W E-fahrrad Scooter €99,99 (28) 36V 10Ah 600watt 10S3P Li Ion Akku 15A BMS passend für m365 Pro Elektrofahrrad Scooter XT60 / T Stecker Intelligente... 15 Die Leute
in „Gute Quellen fuer Akkupack Pedelec gesucht!“ · Fahrzeugelektronik · · Screenshots
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ILX535K.pdf
B-U OV GTUOV 3 a o 5 2 1 l p T p n 0 A a 1 r 1 DNG R-TUOV 2 T 2 k . 5 2 D NG SRφ 1 0 T 2 1 O V S φ 1 z I H 6 1 / = µ S i 4 f c e i a C a n a i 2 D t 1 ∗ c µ l . p 0 A – 7 – ILX535K Example of Representative Characteristics
in „Linearen CCD auslesen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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SGMOP17C.pdf
≤ +125℃ 2.9 A POWER SUPPLY (1) V S 4.5V to 36V 117 145 Power Supply Rejection Ratio (PSRR) dB -40℃ ≤ T A +125℃ 115 V O 2.5V 450 600 Quiescent Current (Q ) μA -40℃ ≤ T A +125℃ 790 DYNAMIC PERFORMANCE Gain-Bandwidth
in „Identifikation SOT23-5 ST3SK“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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inverses_Pendel.pdf
in die Gleichung (2.1) folgt: m P⋅lSP m P ⋅g l SP c r ϕ( t = − J ⋅(m + m )⋅(FM − μr⋅ W (t) ⋅cos(ϕ(t))+ J ⋅sin(ϕ(t))− J ϕ(t) (2.3) A W P A A Die Linearisierung der Differenzialgleichungen erfolgt im Arbeitspunkt. Im Arbeitspunkt befindet
in „Regler für Strecke 1/(T^2*s^2-1)“ · Digitale Signalverarbeitung / DSP / Machine Learning ·
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AN-3004.pdf
forward blocking voltage between the two Basic Driving Circuit main terminals (MT1 and MT2) which is a minimum of 600 Assuming the circuit shown in Figure 7 is in the blocking or volts for all MOC3061 family members.Also, voltage ramps "off" state (which means IFis zero), the full ac line voltage (transients
in „MOC3063 vs MOC3063M“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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lt1157.pdf
condition. Note 2:Quiescent current ON is per driver and is measured independently. 2 LTC1157 W U T P CA L PER F O R A E C CHARACTERIST ICS Standby Supply Current Supply Current per Driver ON Gate Voltage Above Supply 12 600 12 V = V = 0V ONE INPUT = ON ) TIN= 25°C2 OTHER INPUT = OFF ( 10 A 500 G 10
in „3V Gate-Treiber gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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________________KENT-128x32_ILV.pdf
Function: LookupParams // Purpose: Updates the display with the image data in the driver. // Inputs: pNumScans – ptr. to number of image scans // pNumPulses – ptr. to number of drive pulses per scan on a row // pDriveTicks – ptr. to number of ticks in a drive pulse // pPauseTicks – ptr. to number of ticks
in „Low Power Grafik Display“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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main.c
//***************************************************************************** // MSP-FET430P140 Demo - DMA0, Rpt'd Blk to DAC0, Sine Output, TACCR1, DCO // // Description: DMA0 is used to transfer a sine look-up table word-by-word // as a repeating block to DAC12_0. The effect is sine wave output
in „Bitte, bitte helft mir: MSP430 DMA Problem“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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CPC1981Y.pdf
(V) P TypicalTurn-OnTime TypicalTurn-OffTime Typical LED ForwardVoltage Drop vs.LED Forward Current vs. LED Forward Current vs.Temperature (IL=100mA ) DC (IL=100mA ) DC )1.8 5.0 0.09 ( 4.5 p1.7 0.08 r1.6 s
in „Welches SSR für Zündunterbrecher bzw. Alternativen zum SSR?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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EDID_HDMI.txt
000000FD 00324B1E 5012000A 20202020 20200138 02032EF2 4D010384 05071012 9314161F 20222609 07071117 50830100 0070030C 001000B8 2D20A006 01410000 00008C0A D08A20E0 2D10103E 9600C48E 21000018 023A8018 71382D40 582C4500 C48E2100 009E011D
in „Display-Set LS-7“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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HCPL-063.pdf
Overvoltage, ini= 10 sec) Safety Limiting Values (Maximum values allowed in the event of a failure, also see Figure 16, Thermal Derating curve.) Case Temperature T 175 150 ˚C S Input Current IS,INPUT 230 150 mA Output Power P S,OUTPUT 600 600 mW Insulation Resistance at TS, IO= 500 V R S ≥
in „Logic Gate Optocoupler“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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SCM1.pdf
2600 DC-400 5.5 .15 — 7.0 31 (typ.) 25 (min.) 15 (typ.) 12 (min.) –– CB539 jx 5.95 ALY-4 3300-4300 DC-600 5.7 .15 — 8.0 28 (typ.) 23 (min.) 15 (typ.) 12 (min.) –– CB539 jx 5.95 ASK-1-KK81 1-600 DC-600 5.58 .06 7.0 8.5 50 30 35 25 30 20 45 35 30 20 25 15 1-76 KK81 w 6.95 = ASK-2-KK81 1-1000 DC-1000 6.79
in „[V] SL11H, USS720E ua.“ · Markt ·
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21709c_EEPROM.pdf
A BYTE ADDRESS (n) A BYTE T R R DATA (n) O T T P S S P SDA LINE A A A N C C C O BUS ACTIVITY K K K A C K FIGURE 7-3: SEQUENTIAL READ BUS ACTIVITY CONTROL S MASTER BYTE T DATA (n) DATA (n + 1) DATA (n + 2) DATA (n + X) P SDA LINE P A A A A N BUS ACTIVITY C C C C O K K K K A C K DS21709C-page 10 2003 Microchip Technology Inc. 24AA02/24LC02B 8.0 PIN DESCRIPTIONS The descriptions of the pins are listed in Table 8-1. TABLE
in „EEPROM mit Infineon XC2200 ueber IIC benutzten“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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21709c.pdf
A BYTE ADDRESS (n) A BYTE T R R DATA (n) O T T P S S P SDA LINE A A A N C C C O BUS ACTIVITY K K K A C K FIGURE 7-3: SEQUENTIAL READ BUS ACTIVITY CONTROL S MASTER BYTE T DATA (n) DATA (n + 1) DATA (n + 2) DATA (n + X) P SDA LINE P A A A A N BUS ACTIVITY C C C C O K K K K A C K DS21709C-page 10 2003 Microchip Technology Inc. 24AA02/24LC02B 8.0 PIN DESCRIPTIONS The descriptions of the pins are listed in Table 8-1. TABLE
in „24LC02B mit (scheinbar) seltsamer Adressierung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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STK5Q4U362J-E-D.PDF
claimed as the property of others. STK5Q4U362J-E Advance Information Intelligent Power Module (IPM) 600 V, 10 A The STK5Q4U362J-E is a fully-integrated inverter power stage consisting of a high-voltage driver, six IGBT’s and a thermistor, suitable www.onsemi.com for driving permanent magnet synchronous
in „Ersatz für ON-Semi STK5Q4U362J-E / STK5Q4U363J-E bzw. passt da NFAQ1060L33T / NFAQ1060L36T“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Geigerz__hlerArtikel.pdf
mit 80035 18 T1: Bild 1a. Prinzipieller Aufbau eines Geiger- Solange die Hochspannung unter dem Müller-Zählrohrs. Es besteht aus einen mit mit P1 eingestellten Sollwert liegt, ist Edelgasgemisch (meist Halogen) gefüllten T1
in „Geiger Counter Sparkfun“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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PHC2300_3_1_.pdf
charge N-channel VGS = 10 V; DS= 50 V; D = 170 mA − 226 − pC P-channel V = −10 V; V = −50 V; I = −115 mA − 68 − pC GS DS D QGD gate-drain charge N-channel VGS = 10 V; DS= 50 V; D = 170 mA − 1385 − pC P-channel V = −10 V; V = −50 V; I = −115 mA − 674
in „[S] PHC2300 komplementär Mosfet SO8 / Bestellung Farnell/HBE“ · Markt ·
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PartNumberBreakdown_ds.pdf
1.4mm; ED-QUAD (28mm x 28mm 160 leads) N PDIP (Narrow Plastic Dual-Inline) 300 mil (24, 28 leads) P PDIP (Plastic Dual-Inline) 300 mil (8, 14, 16, 18, 20 leads); 600 mil (24, 28, 40 leads) Q PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) R CERDIP (Narrow Ceramic Dual-Inline) 300 mil (24, 28 leads) S SOIC (Narrow
in „SMD Bauteil identifizieren "4313"“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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samsung_242mp_chassis_po24fs.pdf
,1A,-,TP 1 SA IC3004 1203-002351 IC-POSI.FIXEDREG. LF25C,DPAK,3P,240MIL,PLASTIC,2.45V/2.55V,-,-40TO+125C,-,2.85V/16V,TP 1 SA IC600 1203-003059 IC-SWITCHVOL.REG. MP1583,SOIC,8P,4.9x3.9mm,PLASTIC,1.22/21V,
in „Defekt an Samsung 242MP TV/Monitor“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irl630.pdf
Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature IRL630 2000 V = 0V, f = 1MHz 10 GS D = 9.0A Ciss= Cgs + Cgd , Cds SHORTED ) Crss= C gd ( VDS = 160V Coss= C ds+ C gd e 8 VDS = 100V )1500 a VDS = 40V p l ( C iss V c e n r 6 i1000 o a - p t C e 4 , C oss a C G 500 , G 2 Crss V FOR TEST CIRCUIT
in „Kontrolle der Kühlkörperberechnung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LITTELFUSE_TVS_DIODE_1_5KE_DATASHEET.pdf
1 725.0 2.1 1 1.5KE540A 1.5KE540CA 460.00 513.00 567.00 1 740.0 2.0 1 1.5KE550A 1.5KE550CA 468.00 522.50 577.50 1 760.0 2.0 1 1.5KE600A 1.5KE600CA 512.00 570.00 630.00 1 828.0 1.8 1 F For bidirectional typeRhaving Vlts and
in „230V Schutz mit TVS Diode, Auswahl Diode“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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M390.pdf
Abrasiver Verschleiß / Abrasive wear ) µ n s 5 Kunststoff: Polyamid 66 (PA66), Handelsname: UltramidA3WG6, b f Glasfaseranteil: 30 Gew.%,Temperatur: 300 °C / h 4 Plastic: Polyamide 66 (PA66),Trade name: UltramidA3WG6, p Glass fibre content: 30 wt.%,Temperature: 300 °C (570 °F) d e 3 M g t 1.2379 (AISI
in „Flachschleifen, Material “Böhler M390“ · Mechanik, Gehäuse, Werkzeug ·
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Sanyo_CADNICA.pdf
165 4-6 1.6 24 AA 14.2~g5 50.0 ~~ N-550AA 1.2 550 1.0 55 14-16 165 4-6 1.6 14.2~g5 50.0 ~~ 24 AA 1/A N-160A 1.2 160 1.0 16 14-16 48 4-6 1.6 17.0~g5 17.0 ~~ 11 N-450A 1.2 450 1.0 45 14-16 135 4-6 1.6 17.0~g5 28.0 ~~ 19 1/A N-600SC 1.2 600 1.0 60 14-16 - - 1.6 23.0~~ 26.0 ~~ 29 2/SC N-900SC 1.2 900 1.0
in „Was für ein Bauteile ist das“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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10-50.pdf
plated and is recommended for switching inductive loads. Coil resistance data - Form A switch Coil resistance data Voltage 1 Switch 2 Switches 3 Switches 4 Switches Voltage 1 Switch 2 Switches 3 Switches 4 Switches 5 150 ohms 100 ohms 75 ohms 50 ohms 12 600 ohms 400 ohms 300 ohms 200 ohms 5 150 ohms 100 ohms 75 ohms 50 ohms 24 2200 ohms 1600 ohms 1200 ohms 1200 ohms 12 600 ohms 400 ohms 300 ohms 300 ohms 24 2200 ohms 1600 ohms 1200 ohms 1200 ohms Coil resistance data - Form C switch Voltage 1 Switch 2 Switches 3 Switches 4 Switches Order Code 10 - 1 - A - 5 / 1 5 75 ohms
in „Fragen/Hilfe zum Messgerät nanoVNA“ · Mechanik, Gehäuse, Werkzeug ·
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info-uiir2156.pdf
voltage for proper HO functionality 5 VCC V VS Steady state high side floating supply offset voltage -1 600 VCC Supply voltage VCCUV+ VCLAMP CC Supply current note 2 10 mA CT CT lead capacitance 220 — pF SD Shutdown lead current -1 1 I Current sense lead current -1 1 mA CS o TJ Junction temperature -40 125
in „Leuchtstoffröhren Vorschaltgerät 24V Reparatur-Tipp gesucht“ · Fahrzeugelektronik ·
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Schaltplan einer elektronischen Schaltung
T1 1N4M8B2 C1 228 U5 TL431 R1 47 U6 BS62-6.2A R5 100 2N3855 R8 1K U41M48B2 568 R39 12K R4 10K U14 R10 100 U13 3DG100B RP9 C10 100P U12 1N4M8B2 U15 FG211022S N2 LM741 R11 100 R12 0.82 R15 3.9K R16 470 U23 1N4M8B2 U24 1N4M8B2 R23 23.2k R26 3.9K PA1 A C15 2.2 U25 3DG100B R18 10K U24 LM324 R25 3.9K R20 0.81 R24 12k N4 A C17 2.2 U26 LM324 R29 600K R35 22k R38 U32 V1 1N54D2 X2 R36 15K C21 0.01 C28 470 X1 R45 7.5K RP3 6.8K N1 LM741 C8 100P U16 FG211022S
in „Anderes Labornetzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Schaltpläne
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TSL2014-E25.pdf
voltage, SO1 and SO2 V IO = 4 mA 0.4 C Input capacitance, SI 35 pF i(SI) Ci(CLK) Input capacitance, CLK 70 pF NOTES: 1. The array is uniformly illuminated with a diffused LED source having a peak wavelength of 640 nm. 2. PRNU is the
in „CCD linear Sensor Zeile“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlz24n.pdf
15 800 V = 0V, f = 1MHz ID = 11A C GS = C + C , C SHORTED V = 44V C iss= Cgs gd ds ) DS rss gd ( VDS = 28V C C oss= Cds + Cgd e12 ) 600 iss t F o ( V c e 9 n r i 400 o a Coss - p - C t 6 , a C , 200 S Crss G3 V FOR TEST CIRCUIT SEE
in „IR2127 Beschaltung als Low Side Schalter + Mosfet“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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196hvc_2.pdf
5.6 5.4 4.4 5 > 600 PARAMETER VALUE UNIT 90 0.090 1.4 1.3 0.7 5 > 600 Rated capacitance, C 4 15 45 90 F R 90 0.090 2.8 2.7 1.9 5 > 600 Discharge current,DI 4 15 45 90 mA 90 0.090 4.2 4.0 3.1 5 > 600 90 0.090 5.6 5.4 4.4
in „Kapazitätsangaben in Datenblättern bei gestapelten Cs (Supercap-Zellen)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LN526.pdf
Anode D2 Common Cathode D2 14 Common Anode D1 Common Cathode D1 15 Cathode b1 Anode b1 16 Cathode a1 Anode a1 17 Cathode g1 Anode g1 18 Cathode f1 Anode f1 Absolute Maximum Ratings (T = 25°C) a Lighting Color P DmW) IF(mA) IFPmA) V RV) Topr(°C) T stg) Red 60 20 100 5 25 + 80 30 + 85 Green 60 20 100
in „(VS) Verschenke 75 Stück LN526RK (CK) Led 7-Segment-Displays (NOS)“ · Markt ·
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PDFsam_panasonic_rf-d10eb_service_manual.pdf
E E H C R 5 KEY0 C515 1000P F 1 1 E _ B_ _ O _ S G C 0 9 RL114 KEY0 D-AMP NC 12 1 C C 100 C501 R 0 H T T V P E V R L 5 5 CIRCUIT A L D Y _ T T T P T T L A _ K C R C514 1000P RL113 KEY_POW (CN601) NC 13 1 D C C K A O O O M U O C
in „Welche Fritzbox hat die meisten Spannungswandler?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MAC97A6_8.pdf
Current AfterT2+G- dT/dt 50 A/µs TriggeringTM =1.0A,GI =0.2A,GdI /dt=0.2A/µs) T2-G- 50 A/µs T2-G+ 10 A/µs Peak Gate Voltage [ t=2µs (max) ] V GM 5 V Peak Gate Current [ t=2µs (max) ] I 1 A GM Peak Gate Power [ t=2µs (max) ] P GM
in „Blitzbirnen über Funk auslösen (Photographie)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TFTNY263PN-TO-TNY268GN_E.pdf
Typical Performance Characteristics 1 1.2 1 1.1 2 2 - 0 2 1.0 2 ) P ) P e C y ° a ° n 5 l 2 e 20.8 o o u t V t e d n e1.0 F e0.6 o iz t l d a u a a m t r0.4 e r u o B N O ( ( 0.2 0.9 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 100 125 Junction Temperature (°C
in „Neff Steuerplatine Leiterbahnen abgerissen.“ · Platinen ·
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BC546_547_3.pdf
C = 100 mA; B = 5 mA − 200 600 mV VBEsat base-emitter saturation voltagC = 10 mA; B = 0.5 mA; note 1 − 700 − mV C = 100 mA; B = 5 mA; note 1 − 900 − mV VBE base-emitter voltage C = 2 mA; VCE= 5 V; note 2 580 660 700 mV C = 10 mA; VCE= 5 V − − 770 mV C collector capacitance I = i = 0; V = 10 V; f = 1 MHz − 1.5 − pF c E e CB Ce emitter capacitance C = c = 0;EB = 0.5 V; f = 1 MHz− 11 − pF T transition frequency C = 10mA; VCE =
in „Rätselhafter Transistor“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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VND830SP.pdf
C = 100 pF) – INPUT 4000 V VESD – STATUS 4000 V – OUTPUT 5000 V – V CC 5000 V Maximum switching energy EMAX (L = 1.8 mH; RL= 0 Ω; Vbat= 13.5 V; jstart150 °C; 100 mJ IL= 9 A) Ptot Power dissipation C = 25 °C 73.5
in „[V] Highside-Schalter“ · Markt ·
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MAX4617-MAX4619.pdf
600Ω, 1Vp-p, f = 20Hz to 20kHz TA= +25°C 0.017 % Distortion POWER SUPPLY Power-Supply Range VCC C, E +2 +5.5 V TA= +25°C -1 1 Power-Supply Current ICC VCC = 5.5V; A ,BV ,CV ENABLE = VCC or 0 µA C, E -10
in „CMOS analog multiplexer MAX4619“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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F10392.pdf
:370, B:120 mA 3. Absolute Maximum Ratings (at T =25ºCA Parameter Symbol Value Unit Forward Current I 1.2 A F Power Dissipation P D 3.5 W Junction Temperature T j 125 ºC Operating Temperature Topr -30 ~ +85 ºC Storage
in „LED dynamic resistance“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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F10392.pdf
:370, B:120 mA 3. Absolute Maximum Ratings (at T =25ºCA Parameter Symbol Value Unit Forward Current I 1.2 A F Power Dissipation P D 3.5 W Junction Temperature T j 125 ºC Operating Temperature Topr -30 ~ +85 ºC Storage
in „[V] 6 X Power RGB LED 3W Seoul Semiconductor F10392 Star“ · Markt ·
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sensors-09-04615.pdf
obtained for each photodiode (in the same order as that shown in Table 1): I = 1000 W 7.34 10 m 0.34 A = 2.49 10 A3 (1) p1 m 2 W I = 1000 W 5 ×0 m 0.15 A = 7.5×10 A3 (2) p2 m 2 W W A Ip3= 1000 15 ×0 m 0.21 =3.15 ×0 A−3 (3) m 2 W W A Ip4 =1000 12.96 ×0 m 0.22 = 2.85 ×0 A−3 (4) m 2 W As it might be expected
in „Sonnenscheindauer Sensor selber bauen Eigenbau ATmega Assembler“ · Projekte & Code ·
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obC16x.pdf
ist aber bei einem Mikrocontrollersystem normalerweise nicht der Fall. Trotzdem ist eine ¨ solche P¨ufung sinnvoll, weil man nicht vorhersehen kann, was bei einer Uberschreitung der Array–Grenzen passiert. Mit der Compileroption “dbn” mit n > 1 kann u.a. solch eine Uberpr¨fung aktiviert werden (s.
in „Ein kleiner Oberoncompiler für die C16x-Familie“ · Projekte & Code ·
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LM230WF5-TLD1-LG.pdf
880 or equivalent 50cm Table 10. Optical characteristics Ta= 25¶C , V =5.0V,V=60Hz f =119MHz, I =120mA LCD CLK BL Values Parameter Symbol Units Notes Min Typ Max Contrast Ratio CR 700 1000 - 1 Surface Luminance, white LWH 200 250 - cd/m2 2 Luminance Variation G WHITE 9P 75 % 3 Rise Time Tr - 1.3 2.6 ms
in „Pollin LVDS Interface im Einsatz -> Falschfarben“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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SMD_Sortiment02-Zusammenstellung.pdf
Minimelf SOD-80 40 ab Lager BZV55/5,6V Transistoren SMD 93 NPN 45V 0,5A 0,25W B:250-600 SOT23 120 ab Lager BC817/40SMD 94 PNP 45V 0,5A 0,25W B:250-600 SOT23 40 ab Lager BC807/40SMD 95 N-Kanal MOSFET N-LogL 20V 4,2A SOT23 20 ab Lager IRLML2502SMD 96 P-Kanal MOSFET P-LogL 20V 3,7A SOT23 20 ab Lager IRLML6402SMD
in „SMD Sammelbestellung, SMD Starterpack, SMD Grundausstattung, SMD Bauteile, Baugröße 0805 (zweite)“ · Markt ·
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RX62N_Test.lst
MOV.L #00000000H,R4 00000093 7543FE MOV.L #000000FEH,R3 00000096 6612 MOV.L #00000001H,R2 00000098 66A1 MOV.L #0000000AH,R1 0000009A 05rrrrrr A BSR _R_IO_PORT_WriteAll 0000009E EC75 MOV.L [R7],R5 000000A0 61A5 CMP #0AH,R5 000000A2 3Brrrr W BNE L28 000000A5 L29: 000000A5 F86401 MOV.B #01H,[R6] 000000A8
in „Erfahrung RX62N Renesas“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MR2535L-D.PDF
Response Figure 6. Steady State Thermal Resistance ) 100 10000 ( ) T TJ= 25°C ( N R TJ= 25°C R E R W C P E E S S E E1000 V V R R K K A A P P , , S S I R 10 P 100 1 10 100 1000 1 10 100 1000 t, TIME CONSTANT (mS) t, TIME CONSTANT (mS) Figure 7. Maximum Peak Reverse Current Figure 8. Maximum Peak Reverse Power 1000 2400 ( Y ) G (2000 E TJ= 25°C R N E E 100 W1600 Time Constant = 10 mS S P R E V S1200 E E R V A 10 R 800 E K Time Constant = 100 mS , A M P 400 R W 1 0 1 10 100 1000 25 50 75 100 125 150 t, TIME CONSTANT (mS) TL, LEAD TEMPERATURE (°C) Figure 9. Maximum Reverse Energy Figure
in „Load Dump Schutz im 12 Volt Bordnetz“ · Fahrzeugelektronik ·
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MR2535L.pdf
Response Figure 6. Steady State Thermal Resistance ) 100 10000 ( ) T TJ= 25°C ( N R TJ= 25°C R E R W C P E E S S E E1000 V V R R K K A A P P , , S S I R 10 P 100 1 10 100 1000 1 10 100 1000 t, TIME CONSTANT (mS) t, TIME CONSTANT (mS) Figure 7. Maximum Peak Reverse Current Figure 8. Maximum Peak Reverse Power 1000 2400 ( Y ) G (2000 E TJ= 25°C R N E E 100 W1600 Time Constant = 10 mS S P R E V S1200 E E R V A 10 R 800 E K Time Constant = 100 mS , A M P 400 R W 1 0 1 10 100 1000 25 50 75 100 125 150 t, TIME CONSTANT (mS) TL, LEAD TEMPERATURE (°C) Figure 9. Maximum Reverse Energy Figure
in „Unbekantes Bauteil im Wechselrichter“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
