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Leistungs-MOSFET auf Leiterplatte
IRFP45N50N Y92K AB RF18 R11 200 R38 208 029 8 1007
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Schaltplan mit MOSFET und Magnetventil
GND D6 R1=10k IRLZ34N G D S + - Selenoid
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Schaltplan einer Motorsteuerung mit MOSFETs
+12V TP15 Trennung T3 BC817-40,215 Drain D4 BZX84C51LT1G T4 TPH2R608NH,L1Q +12V R15 1k R16 390R TP19 R17 33R T6 IRLML0040TRPBF TP20 T8 IRLML0040TRPBF MOTOR PWM R19 10R R25 10k TP25 GND T7 BC807-40,215 GND TP21 GND
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Schaltplan einer Spannungsregelung mit MOSFET
24V_IN 250nF 75K 10V 24V_OUT 75K GND GND
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Schaltplan einer Spannungsregelung mit MOSFET
24V_IN 2R 24V_OUT 75K 10V 75K ENABLE GND GND
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Ausschnitt aus einem Datenblatt eines MOSFETs
IRF3708/S/LPbF International IOR Rectifier Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 — — V VGS = 0V, ID = 250µA ΔV(BR)DSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient — 0.028 — V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance — 9.5 13.5 mΩ VGS = 10V, ID = 15A — 14.5 29 mΩ VGS = 4.5V, ID = 12A — — — mΩ VGS = 2.8V, ID = 7.5A VG(th) Gate Threshold Voltage 0.6 — 2.0 V VDS = VGS, ID = 250µA IDSS Drain-to-Source Leakage Current — — 20 µA VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 125°C — — 100 µA IGSS
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Schaltplan eines MOSFET-Verstärkers
VDD R1 Vout rin M1 M2
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Schaltplan einer Spannungssteuerung mit MOSFETs
Power J1 3 +5V 2 3.3V 1 GND Q1 IRLML2244TRPBF 3 2 PWR_FLAG R1 2k1 +5P 1 D1 Powersv GNDD GNDD Q2 IRLML2244TRPBF 3 2 PWR_FLAG R2 1k8 +3.3VP 1 D2 Power3.3V GNDD
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Schaltplan mit Mikrocontroller und MOSFETs
IC1 LM385Z-1.2, MEGA835-P, U8 IRML64, U7 IRML64, U6 AT30TSE752A, U5 IRML64, U4 IRML250, U3 IRML250, U2 IRML250, U1 IRML250, BAT_UC_MEAS, BAT_FUNC_MEAS, LED1, LED2, S21, S11, JP5, JP6
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Schaltplan mit MOSFET-Schaltern
Poly_direct X OUT1 7,8 Q3A BUK9K25-40E P7-SPI MOSI R8 1k00 GND Poly_direct X OUT2 5,6 Q3B BUK9K25-40E P6-SPI CSB R7 1k00 3 GND Poly_direct X OUT3 7,8 Q2A BUK9K25-40E P5-SPI CLK R5 1k00 GND Poly_direct X OUT4 5,6 Q2B BUK9K25-40E P4 R3 1k00 3 GND
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MOSFET mit Kühlkörper auf Lochrasterplatine
IRL540N IQR H2380 B9P0
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Schaltplan mit MOSFET und Widerstand
+12v 80NF70 N Cl Mc Pin1 Gate Drain Pin2 Pin3 Source 10k
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Schaltplan mit MOSFET und Spannungsteiler
+5V Q1 VBUS R2 VREG 100R D1 R1 100k GND
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Schaltplan mit Operationsverstärker und MOSFET
1 2 U1A 3 1 Eingang (ca. 4...7,5V + Weitere Beschaltung R1 100k R2 100 3 Q1 2N7000 2 1 R3 100k GND
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Schaltplan mit MOSFET-Schalter
+5V, S1, 1, 2, R1, 10k, C1, 100nF, +12V, R3, D, Q1, RLB3813PBF, G, S, R2, GND
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Schaltplan mit Transistor und MOSFET
R1 4k3 V1 5 2N3906 Q3 R4 4k3 R2 15k V2 -5 M1 AO6408 -Vsw R_DummyLoad 120 .tran 50ms
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Schaltplan mit Transistor und MOSFET
V1 5 R1 1k Q3 2N3906 R3 10k R4 10k R2 15k M1 AO6408 LAST 100 V2 2 .tran 50ms
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Schaltplan einer Konstantstromquelle mit MOSFET
35 Volt 1 2 C1 10000uF Nr. R1 100 Tsd. Nr. R2 100 Tsd. R3 10 Tsd. D1 D2 D3 IRFZ44
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Schaltplan einer Stromregelung mit MOSFET
5V V1 5 R5 10k R6 100 IRLML6402 M2 VCC U1 Y VCC V2 12 C1 1n R1 100k R2 1k Soll Vset PULSE(0 3 0 50m 50m 0.1 0.3) .tran 0 1 0.00001 Rsense 50
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Schaltplan mit MOSFET und LDR
Q1 IRLZ24 2 3 1 R1 220k R2 LDR LOAD1 2 1 + - VCC1 PWR_FLAG
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Schaltplan einer Batterietrennung mit MOSFET
Wohnbereich 140 Ah Fahrzeug-Steuergerät T1 PWM-Signal S1 Freigabeschalter Wohnraum-Elektrik Schließer Q1 MOSFET IRF5305PbF E1 Licht Wohnraum (noch nicht vorhanden, vermutlich LED) Steuereingang Wohnraum-Elektrik Q2 Batterie-Trennschalter MOSFET im Victron Battery Protect
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Schaltplan mit Bipolartransistor und MOSFET
+3V3 R1 10k J1 GPIO 1 J2 GND 1 R2 10k +5V R3 10k Q1 BC547 1 2 3 Q2 IRLZ44N 1 2 3 +12V R4 Last GND
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Schaltplan mit MOSFET und Signalkurven
VG HIGH LOW VPOW HIGH LOW S D G VPOW 1M
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Schaltplan mit Optokoppler und MOSFETs
VDD 16V= J1 Eingang 19~ R1 22 kOhm 1 2 4 1 U2 LTV-814, PC814 2 3 R2 47 kOhm C1 10 uF R3 2,2 kOhm D2 LED rot Q1 2N2700 R4 2,2 kOhm D3 LED grün Q2 2N2700 GND
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Schaltplan mit Optokoppler und MOSFETs
VDD 16V= R3 2,2 kΩ R4 2,2 kΩ D2 LED rot D3 LED grün Q2 2N2700 Q1 2N2700 R2 47 kΩ J1 Eingang 19V~ R1 22 kΩ U2 LTV-814, PC814 C1 10 µF GND
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Schaltplan mit Optokoppler und MOSFETs
VDD 16V= R3 2,2 kΩ R4 2,2 kΩ D2 LED rot D3 LED grün Q2 2N2700 Q1 2N2700 R2 47 kΩ J1 Eingang 19V~ R1 22 kΩ U2 LTV-814, PC814 C1 10 µF GND
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Schaltplan mit MOSFET und Relais
+12V Q6 BSS84 R17 1k R18 10k Trigger 8 10 5 3 G6S-2-DC12 K1 D15 MMSD4148 9 4 12 1 GND
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Schaltplan mit Transistoren und MOSFETs
R2 680 R4 200 Q4 PNP R3 200 Q3 PNP R1 680 Q2 NPN Q1 NPN Q6 BUZ11 R6 1k R8 470m Q5 BUZ11 R5 1k R7 470m
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Schaltplan mit MOSFET und Widerständen
R3 4k7 +12V G Q1 IRF5305 R2 100 D
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Schaltplan mit MOSFET und Batterien
R? R 1 2 Q? IRF540N 3 BT? Battery BT? Battery R? R
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Schaltplan mit Operationsverstärkern und MOSFET
V4 U=1 mV V1 U=15 V V3 U=3 V SUB1 VCC VEE R1 R=1 kOhm T_BSS84_1 Vt0=-1.6 R2 R=1000 kOhm SUB2 VCC VEE V2 U=15 V
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET
+5V, 2k2, A1, A2, D, G, Q1, S
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET
+5V, 2k2, A1, A2, D, G, Q1, S
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Schaltplan mit MOSFETs und Relais
R3 10k C3 100n R4 10k D2 ES1D V2 Relais_Panasonic_AHE3295 R2 30R D1 MBR0530L M1 IRLML6344 C1 4700u M2 IRLML6344 D4 MBR0530L R1 150R M6 IRLML6344 .tran 40 startup .step param VBAT list 5.6V 9V
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Schaltplan mit MOSFETs und Schalter
.model SW1 SW(Ron=.1 Roff=1Meg Vt=2 Vh=0 ) R2 220K SW1 S1 V1 3.3 BSS84 M1 R1 220K M3 BSS123 C1 1uF R4 1K V2
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Schaltplan mit MOSFET als Schalter
12V RL D G RG Input from controller S
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Schaltplan mit Zenerdiode und MOSFET
+ IN, 10k, Z-Di, MC, G, S, 1k, R1, 2k2, P-Kanal, D, BC547, +OUT, GND
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Schaltplan einer Transistorschaltung mit MOSFET
VUART Q10 AO3401 3 2 5V Q11 MMBT3906 1 Q12 MMBT3906 1 R67 100K R68 470K GND GND
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Schaltplan mit MOSFETs und Diode
+15V R1 10k V1 BSS138 VCC /uC-OUT +15V V2 GSFC0601 V3 TS4148 VCC Load
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Schaltplan mit MOSFET und Transistor
+12V Q1 IRF4905 R1 10k S E A 5k R3 IC1 CLIP D1 5V6 R4 330R R2 10k LOAD Q2 BC337 S1 ON 1 2 GND
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Schaltplan mit MOSFETs und Dioden
U1 1 2 3 STP55NF06L D1 D I2 10 U2 1 2 3 STP55NF06L D2 D U3 1 2 3 STP55NF06L D3 CD4030B U4 V1 3.3 .tran 0 100m 0
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Schaltplan mit MOSFETs und Dioden
U1 1 2 3 STP55NF06L D1 D I2 10 U2 1 2 3 STP55NF06L D2 D U3 1 2 3 STP55NF06L R1 100 D3 D V1 3.3 .tran 0 100m 0
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Produktdetailseite eines Infineon MOSFETs
Active and preferred RoHS Compliant BUP06CP038F-01 Radiation tolerant, -60V, -35A, P-channel MOSFET, PG-TO252, 30krad(Si) TID Data Sheet Package
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Schaltplan mit MOSFETs und Widerständen
VCC R3 10k ESP32_EN S1 C8 1uF Q1 BSS138 FTDL_NDTR R1 10k FTDL_NRTS R2 10k BSS138 Q2 S2 R4 10k VCC ESP32_IO0
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Schaltplan mit MOSFET und Spannungsregler
+5V, VBAT, 3, Q1, BSS84, 1, D1, 2, VIN, R3, 100K, C1, 10uF, GND, 3, 100K, TP1, U3, ME6211, 1, VIN, VOUT, 5, +3V3, EN, 2, GND, C2, 10uF, GND
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Nahaufnahme eines MOSFETs auf einem Kühlkörper
MOTOROLA 713 SJE950
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Schaltplan mit MOSFET und Transistor
VIN VOUT Q1 R1 SENSOR R2 Q2 D1 RESET R3 GND
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Schaltplan mit Spannungsregler und MOSFET
J1 JST_PH_B2B 1 VBUS R1 3M3 +3.3VP R2 3M3 +3.3VP R3 3M3 GND1 R4 10k GND1 J2 JST_PH_B2B 1 GND1 C5 1u GND1 C1 100n +3.3VP IC1 AMC1411QDWLRQ1 8 VDD2 7 IN1P C2 100n 6 OUTP 5 IN1N 4 GND2 3 SHTDN 2 OUTN 1 IN 1 VDD1 +3.3V U1 NXE1S0303MC 8 +VIN 3 C4 100n 7 +VOUT 4 GND 1 -VIN -VOUT L1 15u 744773115 GND1 C3 10u GND1 H1 MountingHole M2.5 H2 MountingHole M2.5 GND
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberbeschaltung
boot, R boot, 6.2, 1, FUS1ME, C Boot_1, C Boot_2, dafür da um die Schaltspannung für den High-Side Mosfet bereitzustellen., 400+, OutputA, 16, VDDA, 15, 10 nF, 14, VSSA, C Boot_2, C Boot_1, 15+, 10 uF, C3, 220nF, C4, 100nF, OutputB, 11, VDDB, 10, OUTB, 9, VSSB, 2, R off A, 1R, FUS1ME, D off A, 6.2, R on
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberbeschaltung
boot, R boot, 6.2, 1, FUS1ME, C Boot_1, C Boot_2, dafür da um die Schaltspannung für den High-Side Mosfet bereitzustellen., 400+, OutputA, 16, VDDA, 15, 10 nF, 14, VSSA, C Boot_2, C Boot_1, 15+, 10 uF, C3, 220nF, C4, 100nF, OutputB, 11, VDDB, 10, OUTB, 9, VSSB, 2, R off A, 1R, FUS1ME, D off A, 6.2, R on
