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Vishay-Intertech-VS-E5PH6006L-N3_C2984102.pdf
FORTH AT www.vishay.com/doc?91000 VS-E5PH6006L-N3 www.vishay.com Vishay Semiconductors 1000 C 180 ) ( p r 170 ( t c r 160 a e i m a e 150 a T DC C 100 a 140 n P t e 130 c l u S 120 Square wave (D = 0.50) - e rated R applied T b 110 C a 10 o 100 0 100 200 300 400 500 600 l A 0 10 20 30 40 50 60 70 V - Reverse
in „Netzteil schützen / Diode / Rückstrom“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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opa2134.pdf
dc, R = 2k 135 dB L f = 20kHz, L = 2k 130 dB INPUT BIAS CURRENT Input Bias Current V CM=0V +5 ±100 pA vs Temperature3) See Typical Curve ±5 nA (4) Input Offset Current V CM=0V ±2 ±50 pA INPUT VOLTAGE RANGE Common-Mode Voltage Range (V–)+2.5 ±13 (V+)–2.5 V Common-Mode Rejection V = –12.5V to +12.5V 86
in „Hilfe bei Bemessung der Widerstände an OpAmp“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Torex_XC6210B332MR_-_LDO.pdf
),CL=6.8uF(ceramic) 0.9 0.9 0.8 0.8 V 0.7 V 0.7 ( T T 0.6 U 0.6 O Ta=-40℃ O V 0.5 Ta=25℃ : 0.5 e e a Ta=85℃ a l 0.4 o 0.4 V V t 0.3 u 0.3 p t VIN=1.5V u 0.2 u 0.2 VIN=1.8V O O VIN=3V 0.1 0.1 VIN=6V 0 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 Output Current:IOUT(mA
in „Low-drop Torex 1V Dropout zu viel“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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0046274001518549145.pdf
Current level selectable via DIP switch, please refer to”DIP SWITCH TABLE” section CURRENTLEVEL 500mA 600mA 700mA(default) 900mA 1050mA 1400mA RATED POWER 60.3W OUTPUT DC VOLTAGE RANGE 2 ~ 90V 2 ~ 90V 2 ~ 86V 2 ~ 67V 2 ~ 57V 2 ~ 42V OPENCIRCUITVOLTAGE(max.) 102V 76V CURRENT RIPPLE Note.5 5.0% max. @rated
in „PWM-Signal 24V 500Hz wandeln in 10V PWM“ · Haus & Smart Home ·
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Samsung_Power_Board_Circuit_BN44-00357B.pdf
CB802 RB801 104/50V(2012) DP804 RP817 FCPF11N60T(600V/11A) AC_Input_STD 103/800V 47K/2W HS3 M_Vcc LMDL6050T1G10R(2012) CB801 ! TB801S 22uF/450V EPC3028(750uH) + PZ3216D350 2 DB402 1 CP815 DB806 7 FMEN-220A(100V/20A) - 101/1KV P-GND UF4007 RP812 3RP828
in „Defekten NTC ersetzen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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30eth06s.pdf
= 25 °C o c n J - T C 10 0 100 200 300 400 500 600 VR- ReverseVoltage (V) Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage 10 ) / C ( e 1 n d e p 0.1 PDM I D = 0.50 a D = 0.20 t1 m D = 0.10 t e D = 0.05 2 T 0.01 D = 0.02 - Single pulse D =
in „Audio Siebung/Glättung so ok?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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CD00002265_Triac_von_ST_Microelectonics.pdf
144 A s p Critical rate of rise of on-state current dI/dt F = 120 Hz Tj= 125 °C 50 A/µs G = 2 x GT ,rt ≤ 100 ns V DSM/ Non repetitive surge peak off-state p = 10 ms Tj= 25 °C V DRM /VRRM V V RSM voltage +
in „Triac Probleme mit MOC3043“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BTA16-600CWRG__600V__16A__TO220_isoliert__ST.pdf
144 A s p Critical rate of rise of on-state current dI/dt F = 120 Hz Tj= 125 °C 50 A/µs G = 2 x GT ,rt ≤ 100 ns V DSM/ Non repetitive surge peak off-state p = 10 ms Tj= 25 °C V DRM /VRRM V V RSM voltage +
in „MOIC ---> Triac, 115V, 400 Hz, 4A“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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crystal_oscillator_design_and_negative_resistance_12.pdf
when a crystal with a C0 of 7 pF is added to a circuit with C1 and C2 both of 20 pF. The negative resistance at 27 MHz drops from 600 Ω to about 150 Ω, equaling the value when C3 and C4 were both 40 pF with
in „Einschwingreserve bei Quarzoszillator“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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UB084S01-2.pdf
Revision Version Revise Date Page Content 1 23/Feb./2001 First draft. : 413-212-102 : 1 : 1 / 1 Contents: A. Physical P2 specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B. Electrical P3 specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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XLampXT-E.pdf
registered trade- marks of Cree, Inc. 3 xlamp XT-E LEDs Relative Spectral Power Relative sPECTRAL pO WER dISTRI BUTION - White 100 ) % ( 80 e w o P 60 t 5000K - 8300K CCT a d 2600K - 3700K CCT a R 40 e i a e 20 R 0 400 450 500 550 600 650 700 750 Wavelength (nm) Relative sPECTRAL pO WER dISTRI BUTION
in „Verkaufe Restbestände Cree LEDs XT-E XTEAWT-00-0000-00000BFE4“ · Markt ·
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AD8610_8620.pdf
SR RL= 2 kΩ 40 60 V/μs Gain Bandwidth Product GBP 25 MHz SettlingTime S AV= +1, 10V step, to 0.01% 600 ns NOISE PERFORMANCE Voltage Noise enp-p 0.1 Hz to 10 Hz 1.8 μV p-p Voltage Noise Density en f = 1 kHz 6 nV/√Hz Current Noise Density n f = 1 kHz 5 fA/√Hz Input Capacitance CIN Differential Mode 8 pF
in „Regelbare Stromqulle verstehen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PM55L-048-E.pdf
Phase Drive Circuit UNIPOLAR CONST. VOLT. BIPOLAR CHOPPER Drive Voltage 24[V] 24[V] Current / Phase 600[mA] Coil Resistance / Phase 30[ ] 6[ ] Drive I C SMDT-002 UDN2916B-V Magnet Material Ferrite plastic magnet Polar anisotropy ferrite sintered magnet Nd-Fe-B bonded magnet Insulation Resistance 100M[
in „Welcher Schrittmotor für Drehpodest?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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si1551dl.pdf
A P-Ch 1.23 1.600 VGS = 2.5 V,DI = 0.1 A N-Ch 3.0 4.2 V = - 2.5 V, I = - 0.25 A GS D P-Ch 1.4 1.800 VDS = 10 V,DI = 0.29 A N-Ch 0.3 Forward Transconductance gfs S VDS = - 10 VD I = - 0.41 A P-Ch 0.8 a
in „CMOS: NAND bauen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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snubber_n1.pdf
BW (*) instead of 50 the BTB15-600B(**). 30 (*) 10 Amps SNUBBERLESS triac with V DRM = 20 600VandI = 50mA; specified at9 A/ms without > 3 TIMES snubber. GT 10 5 (**) 15 Amps conventional triac withDRM = 600 V and IGT = 50 mA; specified
in „Mal wieder Motor und Triac und Ansteuerung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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traco_Netzteil_datasheet.pdf
A TXL 600-24S 600 Watt 24 VDC 25.0 A P TXL 600-48S 48 VDC 12.5 A Models with Multiple Output Order Code Case Output Power * Output1 * Output 2 * Output 3 max. TXL 035-051 2D +5 VDC/ 4.0 A +12 VDC/ 1.5
in „SNT mit mehreren Spannungen - gemeinsame Masse?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BC856_BC857_BC858.pdf
voltage C = −2 mA; CE = −5 V −600 −650 −750 mV I = −10 mA; V = −5 V − − −820 mV C CE Cc collector capacitance VCB = −10 V;EI e I = 0; − 4.5 − pF f = 1 MHz T transition frequency VCE = −5 V;CI = −10 mA; 100 − − MHz f=
in „LEDs: Konstantstrom-Multiplexing. Schaltung & Teile so ok?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FGA25N120AND.pdf
40 A C Collector Current @ T C 100°C 25 A I Pulsed Collector Current 75 A CM (1) F Diode Continuous Forward Current @ T C 100°C 25 A FM Diode Maximum Forward Current 150 A P Maximum Power Dissipation @ T
in „Induktionsheizung bauen mit 1 igbt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LDD-nnnL.pdf
SPECIFICATION ORDER NO. LDD-300L LDD-350L LDD-500L LDD-600L LDD-700L CURRENT RANGE 300mA 350mA 500mA 600mA 700mA VOLTAGE RANGE Note.42 ~ 32VDC for LDD-300~700L/LW ; 2~28VDC forLDD-300~700LS OUTPUT CURRENT ACCURACY (Typ.) ±5% at 24VDC input RIPPLE & NOISE(max
in „LDD-300 und BAM“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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4051.pdf
OFF the switch under test. A RL B A C B ON out C V INH RL CL=50pF SS INH OFF Vout in RL CL=50pF VDD–VEE 2 VDD –EE V in 2 Figure 7. Bandwidth and Off–Channel Figure 8. Channel Separation Feedthrough Attenuation (Adjacent Channels
in „V: MC14051BCP“ · Markt ·
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4051.pdf
OFF the switch under test. A RL B A C B ON out C V INH RL CL=50pF SS INH OFF Vout in RL CL=50pF VDD–VEE 2 VDD –EE V in 2 Figure 7. Bandwidth and Off–Channel Figure 8. Channel Separation Feedthrough Attenuation (Adjacent Channels
in „Einfache Multiplex Schaltung (Anfänger!)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MAX4465-MAX4469.pdf
A – ( ( -50 N N 5 B E E 25 ( U 100 U 6 R -70 C C 4 P L L 24 P P 4 -90 S S 10 23 X -110 A -130 1 22 M 10 100 1k 10k 100k 1M -40 -15 10 35 60 85 -40 -15 10 35 60 85 FREQUENCY (Hz) TEMPERATURE ( °) TEMPERATURE
in „Funktioniert denn kein Mikrofon-Vorverstärker?!?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AM3N-S-Z.PDF
Single output Input Voltage Output Voltage Output Current Isolation Efficiency Model (V) (V) max (mA) (VDC) (%) AM3N-0503SZ 4.5-5.5 3.3 600 1000 55 AM3N-0505SZ 4.5-5.5 5 600 1000 65 AM3N-0507SZ 4.5-5.5 7.2 417 1000 62 AM3N-0509SZ 4.5-5.5 9 333 1000 70 AM3N-0512SZ 4.5-5.5 12 250 1000 70 AM3N-0515SZ 4.5
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Datenblatt_irgbc20f.pdf
, C = 250µA gfe Forward Transconductance 2.9 5.1 — S V CE= 100V, C = 9.0A CES Zero Gate Voltage Collector Current — — 250 µA V GE= 0V, VCE= 600V — — 1000 V GE= 0V, CE = 600V, J = 150°C GES Gate-to-Emitter Leakage
in „LTspice XVII: IGBT einfügen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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fes8jt.pdf
application. MECHANICAL DATA PRIMARY CHARACTERISTICS Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB IF(AV) 8.0 A V 50 V to 600 V Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating RRM Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade IFSM 125 A Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified trr 35 ns, 50 ns Terminals
in „Ersatz für Schottky SB 3200?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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CPC5620_21_R03.pdf
Average In-band Noise - -126 - dBm/Hz 4 kHz flat bandwidth Harmonic Distortion - -80 - dB -3 dBm, 600 Hz, 2 harmonic Transmit Level - - 2.2 V P-P Single-tone sine wave. Or 0 dBm into 600 Ω. V Receive Level - - 2.2 P-P Single-tone sine wave. Or 0 dBm into 600 Ω. RX+/RX- Output Drive Current - - 0.5 mA
in „Phone Line Interface“ · Markt ·
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SP8735.pdf
MAINTENANCE PURPOSES ONLY AND IS NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS ADVANCE INFORMATION DS3673-1·1 SP8735 600MHz4 8 (BINARY OUTPUTS) The SP8735 is a 48 ECL counter with binary outputs. In addition, carry outputs are provided in TTL and ECL. The AC coupledinput requiresa600mVp-psignal andtheoutputsare open collectors
in „Dezimale Vorteilerkorrektur für Frequenzzähler“ · HF, Funk und Felder ·
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Triad-Magnetic_Power-Products_9672537____141P.pdf
A 4 Ma 5/8 19/32 13/16 3/16 27/64 3/16 0.042 .51 TY-142P 100 10,000 CT 2,000 CT A 4 Ma 5/8 19/32 13/16 3/16 27/64 3/16 0.042 .51 TY-144P 100 15,000 CT 15,000 CT A 4 Ma 5/8 19/32 13/16 3/16 27/64 3/16 0.042 .51 TY-145P 100 600 CT 600 CT A 15 Ma 5/8 19/32 13/16 3/16 27/64 3/16 0.042 .51 TY-146P 1 Watt 600 CT/150* 600 CT/150* B - 1 1/8 1 1/8 1 3/8 13/64 1 1/32 3/16 0.042 3.0 * Split winding ** Inductance tolerance -
in „Wie Übertrager Anschliesen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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k2series_ds_10153704.pdf
650 F 1,200 F 1,500 F 2,000 F 3,000 F 1 Maximum Capacitance, initial 780 F 1,440 F 1,800 F 2,400 F 3,600 F Maximum ESR , initial 1 0.8 mΩ 0.58 mΩ 0.47 mΩ 0.35 mΩ 0.29 mΩ DC 1 Test Current for Capacitance and ESDC 65 A 75 A 100 A 100 A 100 A RatedVoltage 2.70V 2.70V 2.70V 2.70V 2.70V Absolute MaximumVoltage
in „(L(C(R) Messgerät für 2 Farad gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Tabelle mit elektronischen Bauteilen und Spezifikationen
GW Verkauf DC_aktuell.xlsm Typ Bezeichnung Wert Wst Wert Ausform Beschreibung Anzahl Mos-Fet P12MN50 500V 12A 0,0 $\Omega$ TPO 220 PE 10 St. 40 Mos-Fet IRF140P 550V 25,0A 0,140 $\Omega$ TPO 220 PE 10 St. 20 Feinspeicher 250V 4,0A Fink PE 10 St. Widerstand 22k 250V 0,315A Radial 1000 Widerstand
in „Elektronik Bauteile Neuwertig , meist Leistungselektronik“ · Markt · · Screenshots
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AN1543-D.PDF
, a FT10 (external diameter MAINLY USED TO BUILD = 10 mm) OUTPUT TRANSFORMERS. N + 2.50 *.40 H P 0.35 N P + 2.85 turns SATURABLE MATERIAL, WITH A SQUARE B/H CHARACTERISTIC, The selection of a core from the
in „Reparatur EVG für T5 Röhre“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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D130906D.pdf
HGTG20N60B3D Data Sheet December 2001 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT Features with Anti-Parallel Hyperfast Diode o • 40A, 600V at T =C25 C The HGTG20N60B3D is a MOS gated high voltage o switching device combining the best features of MOSFETs
in „Blitz Leistungsregelung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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an3017.pdf
(IC/IF) CTR IF= 5 mA, CE = 5 V 300 450 600 % IF= 1 mA, CE = 5 V 60 Collector SaturationVoltage V I = 10 mA, I = 2 mA 0.3 V CE (sat) F C 11 Coupled Isolation Resistance RI-O VI-O= 1.0 kDC 10 Ω Isolation Capacitance CI-O V
in „LTspice - unterschiedliche Simulationsmodelle“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AD8253.pdf
45 nV/√Hz G = 10 12 nV/√Hz G = 100 11 nV/√Hz G = 1000 10 nV/√Hz 0.1 Hz to 10 Hz, RTI G = 1 2.5 μV p-p G = 10 1 μV p-p G = 100 0.5 μV p-p G = 1000 0.5 μV p-p Current Noise, 1 kHz 5 pA/√Hz Current Noise, 0.1 Hz to 10 Hz 60 pA p-p VOLTAGE OFFSET Offset RTIV G = 1, 10, 100, 1000 ±150 + 900/G μV OS OverTemperature
in „2 Fragen zur Verstärkerschaltung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SUN-M101T2-03_VerA.pdf
m 3 I P . T B C 8 6 3 T . U 2 T R R H / O 2 9 . " X D _ ) 3 4 2 . 2 G T P 2 2 1 1 E I G T N W / ( C I V - 9 E V I 8 . A K I 8 : 55 V O O X C C H 16 C L P _ G 2 (( A ' E C 0 0 L 2 2 O I U ~ ~ C 0 6 O C C A N I : °° B : T O M C 0 0 F E B T T N I P - O N R E E R N E P O R P R T I T M H E (71.5) T D R N G T E O 3 0 1 (71.63) G Z P I E M T ± 5 A N I S T G R K 1 4 8.99 125.28 A.A : P W A E R R V S AR 1 8±0.5 127.3 UP POL E S E L R E O I H M 7.5 128.3
in „LVDS - Keine Ahnung bei Verbindung Board und Display“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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standard.dio.txt
BV=400 IBV=5.00u CJO=37.0p M=0.333 N=1.70 TT=72.0n Vpk=400V Iave=1.00A mfg=DiodesInc type=silicon ) .MODEL DI_US1J D ( IS=709n RS=82.3m BV=600 IBV=5.00u CJO=18.5p M=0.333 N=3.23 TT=108n Vpk=600V Iave=1.00A mfg=DiodesInc type=silicon
in „Hilfe bei LTSpice nötig!“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Datei
schemath.txt
MK1 MK11 MK11* MICROFOONS: KENW00D: SMC-25 SMC-33 KENWOOD: MC-43S MC-45 MC-46 MC-48 MC-50 MC-55 MC-60A MC-80 MC-85 MD1 PHILIPS:EL6025 ICS600 LBB1150 LBB3151 LBB3152 LBB3161 LBB3152 YAESU : MD-IB8 MH-IB8 YAESU : MH-29 YM-34 YM-35 YM-36 YM-37 YM-38 MOBILOFOONS+PORTOFOONS: ANY & CO:LTD A-4251 A.P.RADIOTELEFON
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Mitsubishi__PM50CL1B120_e.pdf
-1) 50 A ±ICP Collector Current (Peak) T C= 25°C 100 A P C Collector Dissipation T C= 25°C (Note-1) 462 W T j Junction Temperature –20 ~ +150 °C *: C measurement point is just under the chip. CONTROL PART Symbol
in „Schablone für Wärmeleitpaste: wie Maße?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DS_UJ3N120070K3S-1530204.pdf
60 Tj = -55°C C iss 50 Tj = 25°C ) 1000 F ) Tj = 125°C ( ( 40 C I Tj = 175°C e t n e 30 t r c 100 C p C oss n 20 a r C D C rss 10 10 0 0 200 400 600 800 1000 1200 -15 -10 -5 0 Drain-Source Voltage, VDS (V) Gate-Source Voltage, VGS (V) Figure 5 Typical capacitances at 100kHz Figure 6 Typical transfer
in „SiC Kaskoden Body Diode“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LT1014.pdf
Channel Separation vs Gain, Phase vs Frequency Frequency T = 25°C 80 160 VA = 0V VS= 15V 20 CCM= 100pF 100 TA= 25°C PHASE L P ) 140 VIN= 20Vp-p to 5kHz 15V 120 A ( RL= 2k B E N LIMITED BY ( 10 15V 140 S T A GAIN F R 120 THERMAL RS= 100Ω G 160 T A INTERACTION G E S RS= 1kΩ T R L 100 O 0 5V, 0V 5V, 0V
in „Unterschied beim LT1014 ?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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X25_xxx_01_SP_E-1.pdf
required. A fine analogue representation of large temperature range: 40°C ÷ 105°C its value and its changes is made without the need for a digital to analogue conversion. high speed: >600 °/s The miniature stepper
in „Ein Füllstandmesser auf Einperlungsbasis“ · Haus & Smart Home ·
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RIGOL-DSA815_TG-CalibrationData_Test-7.pdf
00 00 70 38 39 .....‡g4.....p89 003906c0 00 00 00 00 80 da 36 46 00 00 00 00 a0 a9 06 55 ....€Ú6F.... ©.U 1,440,000,000 1,452,900,000 003906d0 00 00 00 00 00 a8 d4 55 00 00 00 00 a0 7e 99 56 .....¨ÔU.... ~™V 1,500,000,000 1,600,000,000
in „Rigol DSA815 Spektrum Analyser“ · PC Hard- und Software ·
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stb6nk60z.pdf
STB6NK60Z - STB6NK60Z-1 STP6NK60ZFP - STP6NK60Z 2 2 N-channel 600 V - 1 Ω- 6 A - TO-220/TO-220FP/D PAK/I PAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET Features Type V DSS RDS(on) D P W STB6NK60Z 600 V < 1.2 Ω 6 A 110 W 2 3 3 STB6NK60Z-1 600 V < 1.2 Ω 6 A 110 W 1 1 D²PAK
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stb6nk60z.pdf
STB6NK60Z - STB6NK60Z-1 STP6NK60ZFP - STP6NK60Z 2 2 N-channel 600 V - 1 Ω- 6 A - TO-220/TO-220FP/D PAK/I PAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET Features Type V DSS RDS(on) D P W STB6NK60Z 600 V < 1.2 Ω 6 A 110 W 2 3 3 STB6NK60Z-1 600 V < 1.2 Ω 6 A 110 W 1 1 D²PAK
in „Unterschiedliche Power MOSFET kompatibel?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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A501_LA_LR_LY_W5AM.pdf
Flux 2) page 20 Relative Luminous Flux 2) page 20 Φ V/Φ V(400 mA) = f(IF);TS = 25 °C; red Φ V/Φ V(400 mA) = f(IF);TS = 25 °C; amber 2.5 OHL04415 2.5 OHL04414 Φ V Φ V Φ (400mA) Φ (400mA) V V 2.0 2.0 1.5 1.5 1.0 1.0 0.5 0.5 0 0 0 200 400 600 mA 1000 0 200 400 600 mA
in „2 x LED und Lüfterschaltung 12V“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MOSFET.pdf
Current vs. Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage Case Temperature 7.0 3000 J I ( D 6.0 y 2500 TOP 30A e 41A n BOTTOM 180A 5.0 E h 2000 J n ( 4.0 a g v 1500 e e E 3.0 l P 1000 2.0 e g i 1.0 S, 500 A E 0.0 0 0 20 40 60 80 100 25 50 75 100 125 150 175 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) StartingJT , Junction
in „LeistungsMosfet Kühlfläche als Drain-Anschluss nutzen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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semicon.pdf
45 x MC78M05 CT Motorola TO220 85 RECT HFA16PA60C 2x8A / 600V 65nS fast rectifier ( dual ) TOP3 162 RECT STTA1206D 12A / 600V 28nS fast rectifier TO220 278 RECT RHRP1560 15A / 600V 35nS fast rectifier TO220 820 RECT IR 40CPQ060 TOP3 300 x MCR72 6 400V /
in „4" TFT für 7,97€“ · Markt ·
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PSPICE_MITSCHRIFT_ALLES_SS20908.pdf
3 c 4 a 5 a b 6 a C 7 b P •X •X + P •X 2 + P X 3 8 b c 9 c 10 a + P •X •X + P •X •X + P •X •X 2 + P •X •X •X 11 a b 12 a c 13 a b 14 a b c + P15•Xa•Xc2 + P16•Xb3 + P17•Xb2•Xc+ P 18•Xb•Xc2 + 19•X c3+ P20•Xa4
in „Pspice Simulation“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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P2500M_8X7_5_DIO_de_en.pdf
P2500A ... P2500M P2500A ... P2500M Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2013-01-24 Nominal current 25 A Nennstrom ±0.1 Repetitive peak reverse voltage 50...1000 V Ø 8 Periodische
in „Wohnwagenelektrik Umbauen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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siggen1-F_Fab.pdf
1k 006C L0100C43 n7/2 o 1n_0603 01u C 0CD C15369 R6 / C 0 U16 01VC C 0 0C0 n1 0 0e1 _0603R 5eaduF/600R0603 115 /C0 1 0nF 1 600nFL900C170 / C163 L5 118090 0 /1ead 100nF F Mu 100nF / dRR0 6 0 VC L4 C168 0 470uF/25VnA0 100nF15F a 1 R 1 Ce2d 600C160 1 V58 1 u B V 1 nF L510C169 7 5 1 2 .u10uF/25V/e603 1
in „KiCAD: durchsuchbarer Bestück-Plan als pdf?“ · Platinen ·
