Guten Tag ich bräuchte eine 5V Alternative zu dem Stromsensor IR2127 http://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A200/DS_IR2127.pdf Leider habe ich nichts im Netz dazu gefunden und hoffe das einer von euch mir dazu helfen kann.
Peter S. schrieb im Beitrag #5410935: > Guten Tag ich bräuchte eine 5V Alternative zu dem Stromsensor IR2127 Diese Bauteile (Datenblatt, IR2127 und eineiige Geschwister) sind aber gar keine dedizierten Stromsensoren. Sondern High-Side(-fähige) Gate-Treiber _mit_ integrierter Strommeß-Funktion. Spezifiziere
Hallo, ich habe jetzt schon mehere Gate Driver ausprobiert. Z.B LT4440 oder IRL 2127. Jedoch habe ich keinen zum laufen gebracht. Npch mal etwas grundsätzliches. Ich mochte mit einem N Mosfet 30 Volt durchschalten und das mit einer Frequenz von 100 kHz(DC DC Wandler) Dazu benötige ich aber mindesten eine Spannung von 30 Volt + 5 Volt. Da die eingangsspannung 30 Volt beträgt. Gibt es ein fertiges ic mit integrierter Ladungspumpe welches den N MOsfet durchschalten kann? Sprich das IC muss wenn es nur eine Versorgunsspannung von 30 Volt hat und dann einen N MOsfet durchschaltet an seinem Output
10V und man kann ihn nicht mehr auf 0V schalten. Gibt's vielleicht jemanden hier der sich mit dem IR2127 schon seine Erfahrungen gemacht hat und mir auf die Sprünge helfen kann? VG ReinerZufall24
der IR2127 nur auf der Low-Side treiben. Für die High-Side funktioniert statisches Schalten nicht, weil der Bootstrap-Kondensator immer mal wieder neu aufgeladen werden muss. ReinerZufall24 schrieb im Beitrag
über mein Layout drüberschauen, ob das alles so korrekt beschaltetet ist insb. die Beschaltung des IR2127. Danke und Gruß
Hallo, wie hoch V+ ist, muss man raten? Warum der IR2127, wenn du ihn denn als Lowsidetreiber zweckentfremdest und sinnvolle Funktionen die er bietet nicht benutzt? Warum überhaupt einen Power-MOSFET und einen schnellen Treiber, wenn die Leitungen dort
Hallo, möchte einen IR2127 als Low Side Schalter betreiben. Ist die Beschaltung im Anhang hierfür richtig? Welche Kondenstoren Werte sind eingangs- und ausgangseitig hierfür zu verwenden? Sind das hier auch Abblockkondensatoren
Hallo, ja, es ist wirklich nur eine LS-Side Anwendung... daher ja auch die Frage! Im IR2127 Daten ist nur die Beschaltung in High Side Anwendung angegeben. Du meintest oben das ich den Elko weglassen könnte, wenn ich das ganze als High Side Switch betreibe?! Irgendwie hab ich dich dann
c3ko schrieb im Beitrag #4229439: > Inwiefern nicht korrekt interpretieren? Insofern, als der IR2127 das Signal bezogen auf GNDA auswertet. Das Signal wird aber mit Bezug auf GND erzeugt. Wenn GND und GNDA keinen definierten Bezug zueinander haben, dann hat der IR2127 kein definiertes Eingangssignal
das aber nicht schädlich > für die Funktionsweise des Atmega? tja, was soll ich dazu sagen. Der IR2127 ist dafür gebaut, auf der High-Side zu schalten, wenn Last, IR2127 und µC das selbe GND-Potential haben. Die Potentialbezüge deiner Schaltung sind nicht so ganz einfach zu erkennen (weil diverse
Bauteil nicht, aber die typische Beschaltung aus dem Datenblatt (http://www.mikrocontroller.net/part/IR2127) sieht etwas anders aus.. da bei HO und VB ... Wie lautet denn die Fehlermeldung?
es falsch eingestellte Parameter in der Simulation sein, aber das glaube ich eigentlich nicht. Der IR2127 schaltet ja ordnungsgemäß, was man auch sehn kann. Nur halt ebend der Mosfet nicht. Vielleicht hat ja jemand noch eine Idee woran es liegen könnte Gruß Jörg
hängt an Source. Nun brauche ich ja einen Treiber, der auch mit TTL Pegel schaltet. Muss ich dafür den IR2127 nehmen, der ja ausdrücklich TTL Pegel erkennt oder kann ich auch (weil es den IR2127 nicht bei Reichelt gibt) den IR2117 nehmen? Wenn ich wichtige Angaben vergessen habe, reiche ich diese natürlich
Hallo, daran habe ich jetzt nicht gedacht, aber es gibt ja zum Glück noch weitere Bausteine. Z.B.: IR2127: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2127.pdf Der ist ja ein Single-Channel-Driver. Der schafft bis zu 600 V, was mehr als ausreichend ist. Bei 10 cm Koax hattest du die Induktivitäten
auf Null runter zieht ? Ton/Toff sind beim IR2117 200/150ns. Da wird ein 100ns Puls schwierig....
So jetzt habe ich es verstanden mit ECHTEN MOSFET-Treiber meinst du z.b. einen IR2127. Geht das denn mit diesen?
Ichim (Gast) >So jetzt habe ich es verstanden mit ECHTEN MOSFET-Treiber meinst du z.b. >einen IR2127. Ja. >Geht das denn mit diesen? Im Prinzip ja, praktisch nein, siehe oben. MFG Falk
Überstromerkennung die damit nah an das kommen, was high side switches können (die machen auch noch Übertemp) wie IR2127. Kostet hat mehr Platz.
die damit nah an das kommen, was high side switches > können (die machen auch noch Übertemp) wie IR2127. Kostet hat mehr > Platz. Evtl. wäre auch ein Low-Side Switch denkbar. Ich habe diesen gefunden. https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IAUT240N08S5N019-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e0506723e791a
cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/IXFH21N50_IXFH24N50.pdf Treiber: http://www.mouser.com/ds/2/200/ir2127-69274.pdf Vielen Dank schonmal für jeden Tipp.
Achim S. schrieb im Beitrag #4508717: >> MOSFET-Treiber wie IR2110. > > Würde hier leider genau so wenig funktionieren Na ja, der schaltet auch einen low side FET, und weil die Diode eh vergessen wurde, kann man das ja so als aktiv geschaltete Freilaufdiode
in diesem Fall. Man kann statt dem Übertrager auch einen 600V high side MOSFET Treiber nehmen wie IR2110. Auch die übertragen übrigens kein Dauereinschaltsignal.
jetzt noch keine Schaltung an der ich die Signale messen könnte. Als Gate-Treiber hätte ich den IR2127.
ist meine bisherige Doku zu dem "Projekt": http://dede67.bplaced.net/Arduino/rollotron/Rollladen_IR.html
verhindern. * Man könnte beschließen, dass der RTC-Chip selbst genügend geschützt ist. Die PCF2127T/2129T vertragen z.B. 4kV aus dem Human Body Model. > aber eine Z-Diode lässt zu viel Strom weg fließen. * Man könnte eine TVS-Diode PESD5Z3.3 verwenden. Die haben bei 3.3V und 25⁰C max. 50nA
ich die vielen Datenblätter durchströbert habe denke ich ich werde den IRFPC60 benutzen. Mit dem IR2127 kann ich direkt vom Logik Level meines STM32 (3v3 high und 0V low) den Mosfet ansteuern. >Autor: H.joachim Seifert (crazyhorse) >Datum: 16.07.2010 23:38 >Gibt inzwischen genug Mosfets, die
Programmer über USB Fotodiode LED Vorwiderstand Ggf. Steckbrett Netzteil oder FT232Board Ggf. IR LED 100nF Kondensator 10k Widerstand oder sowas (Reset PullUp)
%E8%A8%AD%E8%A8%88%E5%B8%AB/@24.822661,120.97633,17z/data=!3m1!4b1!4m2!3m1!1s0x3468342d54c09b8f:0x2127b3baaf967f05 Ohne Garantie. Wird als Hobbygeschäft genannt.
Teil funktioniert haben kann. Für jede high und low side sind 2 ic's verbaut. High Side Treiber ir2127 gibt Signal auf Eingang eines low side Treiber mic4420. Das ganze 6x für 3 phasen. Also 2x prp phase (high low) Die Gate Treiber low und high sind identisch aufgebaut bis auf das der high Side Part
rechnen). Und warum nimmst du für den MOSFET nicht einen Treiber, statt da was selbst zu bauen? IR 2127S z.B. Mit der PWM Frequenz würde ich nicht runtergehen, 4kHz ist einfach eklig fürs Gehör, da hast du schon nach einer Minute die Nase voll.
, maximale Kriechwege Rei Con 4,20 € IR2127 High 200/420mA ? 3,3V DIL8/SO8, maximale Kriechwege, Fehlerausgang Rei Con 2,40 € IR2130 3-Phase Bridge 200/420mA 600V 2,5V DIL28/SO28 Rei Con 2,50 € IR2151 Halbbrücke mit Oszillator 100/210mA 600V
Rei Con 2,10 € IR2183 Halbbrücke 1.4A/1.8A 600V 3,3V DIL8/SO8 Rei 4,00 € IR2184 Halbbrücke 1.4A/1.8A 600V 3,3V/5V DIL8/SO8 Rei Con 3,20 € IR2136 3 Phase Bridge 120/250mA 600V 3,3V DIP28/SOIC28, Con 1,80 € ICL7667 2 x
is implemented with a Vce sensing circuit in combination with the current sense input (CS) of IR2127/8. When the HO pin if U2 goes high R3 starts charging C5. Meanwhile the IGBT turns on, the collector voltage drops to the saturation level, D5 goes into conduction and C5 discharges. When the collector
LS-Treibers mit einem fertigen IC Oben im Bild ist ein kommerzieller Treiber-IC zu sehen – hier im Beispiel 2127 von IR. Hierzu gibt es jedoch sehr viele Alternativen, sowohl von IR, als auch von anderen Firmen. Die Beschaltung ist jedoch immer relativ ähnlich, siehe dazu MOSFET-Treiber. Achtung: Der GND-Zweig
LS-Treibers mit einem fertigen IC Oben im Bild ist ein kommerzieller Treiber-IC zu sehen – hier im Beispiel 2127 von IR. Hierzu gibt es jedoch sehr viele Alternativen, sowohl von IR, als auch von anderen Firmen. Die Beschaltung ist jedoch immer relativ ähnlich, siehe dazu MOSFET-Treiber. Achtung: Der GND-Zweig
kein AHC) zu empfehlen. Oben im Bild ist ein kommerzieller Treiber-IC zu sehen – hier im Beispiel 2127 von IR. Hierzu gibt es jedoch sehr viele Alternativen, sowohl von IR, als auch von anderen Firmen. Die Beschaltung ist jedoch immer relativ ähnlich, siehe dazu MOSFET-Treiber. Achtung: Der GND-Zweig
werden. Das zweite Beispiel verwendet einen integrierten HS-Schalter von International Rectifier (IR) und eine separate, isolierte Versorgungsspannung. Zum IC gibt es sehr viele Alternativen, sowohl von IR, als auch von anderen Firmen. Die Beschaltung ist jedoch immer relativ ähnlich. Eine Übersicht
LS-Treibers mit einem fertigen IC Oben im Bild ist ein kommerzieller Treiber-IC zu sehen – hier im Beispiel 2127 von sowohl von IR, als auch von anderen Firmen. Die Beschaltung ist jedoch immer rela Achtung: Der GND-Zweig des Leistungskreises hat auch bei bestem Aufbau einen r ankommende Gatespannung. Auf einen
An inexpensive alternative to an isolated supply is the charge pump circuit shown in Figure 16. The IR2125 MGD was selected to demonstrate the cooperation of the charge pump and the bootstrap circuits. The IR2125 also has linear current limiting and time-out shut down capability, providing protection for the MOS-gated device. To provide the low operating current requirement of the IR2125, the charge pump employs a CMOS version of the 555 timer. 9 VDD VB 6 IGBT HV +15 V IRFD IRFD9110MODULE(S) 9110 + 10 µF HO 7 100 IR2110 µF1 + IRFD CF + 5 110 IRFD110 100 µF VS VCC 3 HIN 10HIN IRFD9110
An inexpensive alternative to an isolated supply is the charge pump circuit shown in Figure 16. The IR2125 MGD was selected to demonstrate the cooperation of the charge pump and the bootstrap circuits. The IR2125 also has linear current limiting and time-out shut down capability, providing protection for the MOS-gated device. To provide the low operating current requirement of the IR2125, the charge pump employs a CMOS version of the 555 timer. 9 6 VDD VB IRFD IGBT HV +15 V 9110 IRFD9110MODULE(S) + 10 µF 7 HO 100 0.1 IR2110 µF + CF + IRFD IRFD110 100 µF VS 5 110 3 10 VCC IRFD9110
An inexpensive alternative to an isolated supply is the charge pump circuit shown in Figure 16. The IR2125 MGD was selected to demonstrate the cooperation of the charge pump and the bootstrap circuits. The IR2125 also has linear current limiting and time-out shut down capability, providing protection for the MOS-gated device. To provide the low operating current requirement of the IR2125, the charge pump employs a CMOS version of the 555 timer. 9 6 VDD VB IRFD IGBT HV +15 V 9110 IRFD9110MODULE(S) + 10 µF 7 HO 100 0.1 IR2110 µF + CF + IRFD IRFD110 100 µF VS 5 110 3 10 VCC IRFD9110
An inexpensive alternative to an isolated supply is the charge pump circuit shown in Figure 16. The IR2125 MGD was selected to demonstrate the cooperation of the charge pump and the bootstrap circuits. The IR2125 also has linear current limiting and time-out shut down capability, providing protection for the MOS-gated device. To provide the low operating current requirement of the IR2125, the charge pump employs a CMOS version of the 555 timer. 9 6 VDD VB IRFD IGBT HV +15 V 9110 IRFD9110MODULE(S) + 10 µF 7 HO 100 0.1 IR2110 µF + CF + IRFD IRFD110 100 µF VS 5 110 3 10 VCC IRFD9110
An inexpensive alternative to an isolated supply is the charge pump circuit shown in Figure 16. The IR2125 MGD was selected to demonstrate the cooperation of the charge pump and the bootstrap circuits. The IR2125 also has linear current limiting and time-out shut down capability, providing protection for the MOS-gated device. To provide the low operating current requirement of the IR2125, the charge pump employs a CMOS version of the 555 timer. 9 6 VDD VB IRFD IGBT HV +15 V 9110 IRFD9110MODULE(S) + 10 µF 7 HO 100 0.1 IR2110 µF + CF + IRFD IRFD110 100 µF VS 5 110 3 10 VCC IRFD9110
An inexpensive alternative to an isolated supply is the charge pump circuit shown in Figure 16. The IR2125 MGD was selected to demonstrate the cooperation of the charge pump and the bootstrap circuits. The IR2125 also has linear current limiting and time-out shut down capability, providing protection for the MOS-gated device. To provide the low operating current requirement of the IR2125, the charge pump employs a CMOS version of the 555 timer. 9 6 VDD VB IRFD IGBT HV +15 V 9110 IRFD9110MODULE(S) + 10 µF 7 HO 100 0.1 IR2110 µF + CF + IRFD IRFD110 100 µF VS 5 110 3 10 VCC IRFD9110
Enable Voltage Input Forward V F 1.4 1.5 1.75* V T A 25˚C, IF= 10 mA 5 1 Voltage Input Reverse BV R 5 V IR= 10 µA 1 Breakdown Voltage Input Diode ∆V F –1.6 mV˚C IF= 10 mA 1 Temperature ∆T A Coefficient Input C IN 60 pF f = 1 MHz, VF= 0 V 1 Capacitance *The JEDEC Registration specifies 0˚C to +70˚C. Agilent
part is strictly prohibited. MT6252 GSM/GPRS Baseband Processor Data Sheet ConfidentialA o r NType IR/W5 IR/W4 IR/W3 IR/W2 IR/W1 IR/W0 IR/W INR/WINVR/WNVR/WNV5R/WV4 R/W3aIR/W e R/Wf R/W1 IR/W Reset 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 e l e0 0 0 0 0 t i a l R 0x8002_00B0 GPIO data inversion contrid reeister 2 GPIO_DINV2
. The interface mode is selected by setting the IM[3:0] pins. ILI9325 has a 16-bit index register (IR), an 18-bit write-data register (WDR), and an 18-bit read-data register (RDR). The IR is the register to store index information from control registers and the internal GRAM. The WDR is the register
. The interface mode is selected by setting the IM[3:0] pins. ILI9325 has a 16-bit index register (IR), an 18-bit write-data register (WDR), and an 18-bit read-data register (RDR). The IR is the register to store index information from control registers and the internal GRAM. The WDR is the register
. The interface mode is selected by setting the IM[3:0] pins. ILI9325 has a 16-bit index register (IR), an 18-bit write-data register (WDR), and an 18-bit read-data register (RDR). The IR is the register to store index information from control registers and the internal GRAM. The WDR is the register
. The interface mode is selected by setting the IM[3:0] pins. ILI9328 has a 16-bit index register (IR), an 18-bit write-data register (WDR), and an 18-bit read-data register (RDR). The IR is the register to store index information from control registers and the internal GRAM. The WDR is the register
. The interface mode is selected by setting the IM[3:0] pins. ILI9328 has a 16-bit index register (IR), an 18-bit write-data register (WDR), and an 18-bit read-data register (RDR). The IR is the register to store index information from control registers and the internal GRAM. The WDR is the register
2011 ] ohci1394: fw-host0: OHCI-1394 1.1 (PCI): IRQ=[19] MMIO=[febff000-febff7ff] Max Packet=[2048] IR/IT contexts=[4/8] [ Sun Feb 27 12:16:15 2011 ] [drm] fb mappable at 0xD0141000 [ Sun Feb 27 12:16:15 2011 ] [drm] vram apper at 0xD0000000 [ Sun Feb 27 12:16:15 2011 ] [drm] size 5242880 [ Sun Feb 27
.............................................................................................58 F. IR Problem................................................................................................................................................................58 G. Keypad Touchpad Problems .
Bild
